JPS63147244A - Picture memory circuit - Google Patents

Picture memory circuit

Info

Publication number
JPS63147244A
JPS63147244A JP29552086A JP29552086A JPS63147244A JP S63147244 A JPS63147244 A JP S63147244A JP 29552086 A JP29552086 A JP 29552086A JP 29552086 A JP29552086 A JP 29552086A JP S63147244 A JPS63147244 A JP S63147244A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
column
row
address
column address
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29552086A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshinobu Komagata
駒形 善信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP29552086A priority Critical patent/JPS63147244A/en
Publication of JPS63147244A publication Critical patent/JPS63147244A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Image Input (AREA)

Abstract

PURPOSE:To simply and quickly perform a special display by giving serial accesses to column direction address in an increase or decrease direction via an address transfer means in response to a direction indication signal. CONSTITUTION:A column address decoder 15 which receives supply of column addresses produces the column selecting signal of 1 with only the column corresponding to a column address together with the column selecting signal of 0 produced with other columns respectively. These column selecting signal are loaded to a bidirectional shift register 16 on an address transfer means. Then the register 16 shifts 1 of the column selecting signals to the right or the left for each clock received from a terminal 17 in response to the direction indicating signal applied to a terminal 18 and controls a selector 19 while increasing or decreasing the column addresses. Thus the data read out of a row buffer 14 to be tempoporarily stored and given from a memory cell array 13 is read out to simply and quickly perform a special display of a right-left inverted picture, etc.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は画像用メモリ回路であって、移送手段を設け、
双方向シリアルアクセスを行なうことにより、画像の反
転表示等を簡易に行なうことを可能とする。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention is an image memory circuit, which comprises a transfer means,
By performing bidirectional serial access, it is possible to easily perform inverted display of images, etc.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は画像用メモリ回路に関し、シリアルアクセスを
行なう画像用メモリ回路に関する。
The present invention relates to an image memory circuit, and more particularly to an image memory circuit that performs serial access.

最近、画像用メモリとして、シリアル・アクセス・ボー
トを有するメモリを使用することが一般化してきている
Recently, it has become common to use a memory having a serial access port as an image memory.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のシリアル・アクセス・ボートを有する画像用メモ
リは行アドレスを指定してその行の画素データをメモリ
よりシフトレジスタに転送し、シフトレジスタからシリ
アルに出力する。またシフトレジスタに画素データをシ
リアルに供給し、1行分の画素データがシフトレジスタ
にラッチされた後メ1りに出き込んでいる。
A conventional image memory having a serial access port specifies a row address, transfers pixel data of that row from the memory to a shift register, and outputs it serially from the shift register. Further, pixel data is serially supplied to the shift register, and after the pixel data for one row is latched by the shift register, it is output to the mail.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来の画像用メモリにおいては、シフトレジメ夕の画素
データのシフト方向はメモリの列アドレス増加方向の一
方向だけであった。
In conventional image memories, the pixel data of the shift regime is shifted only in one direction, that is, the increasing direction of column addresses of the memory.

従って、左右反転した画像を表示するような特殊表示を
行なう場合には、メモリの行アドレス及び列アドレスを
1画素毎に指定してランダムアクセスボートを用いて画
素データの書き込み又は読み出しを行なわなければなら
ずCPLIがアドレス指定に要する時間が長くなり、ま
た処理に手間がかかるという問題点があった。
Therefore, when performing a special display such as displaying a horizontally reversed image, it is necessary to specify the memory row address and column address for each pixel and write or read pixel data using a random access board. However, there are problems in that the time required for CPLI to specify an address is longer and the processing is more labor-intensive.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、特殊表
示等を簡易に行なうことの可能な画像用メモリ回路を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide an image memory circuit that can easily perform special displays.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の画像用メモリ回路は、列アドレス又は列アドレ
スより生成された列選択信号又は画素データのいずれか
を方向指示信号に応じた列アドレス増加方向又は減少方
向に移送する移送手段(16,30,31)を有し、 指定された行の列アドレス増加方向又は減少方向の双方
向シリアルアクセスを行なう。
The image memory circuit of the present invention has transport means (16, 30 , 31), and performs bidirectional serial access in the increasing or decreasing direction of the column address of the specified row.

〔作用〕 本発明においては、列アドレス、列選択信号。[Effect] In the present invention, column address, column selection signal.

画素データのいずれかを方向指示信号に応じて列アドレ
ス増加方向又は減少方向に移送して、メモリ・セル・ア
レイ(13)の指定された行を列アドレス増加方向又は
減少方向の双方向シリアルアクセスを行なう。
Bidirectional serial access is performed on a designated row of the memory cell array (13) in the column address increasing or decreasing direction by transferring any of the pixel data in the column address increasing or decreasing direction according to the direction indication signal. Do this.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の画像用メモリ回路の第1実施例のブロ
ック系統図を示す。同図中、端子10には行アドレスが
入来し、端子11には列アドレスが入来する。この列ア
ドレスは読み出し又は書き込みの開始位置を指示するも
のである。
FIG. 1 shows a block system diagram of a first embodiment of an image memory circuit according to the present invention. In the figure, a row address is input to a terminal 10, and a column address is input to a terminal 11. This column address indicates the starting position for reading or writing.

行アドレスは行アドレスデコーダ12に供給され、ここ
で行アドレスに対応した行の選択を指示する行選択信号
とされてメモリ・セル・アレイ13に供給される。
The row address is supplied to a row address decoder 12, where it is supplied to a memory cell array 13 as a row selection signal instructing selection of the row corresponding to the row address.

メモリ・セル・アレイ13は1画面分の画素データを記
憶するものであり、読み出し時には上記行選択信号で選
択された1行分の例えばm個の画素データがパラレルに
m段構成の行バッフ?14に転送される。
The memory cell array 13 stores pixel data for one screen, and at the time of reading, for example, m pixel data for one row selected by the row selection signal are stored in parallel in an m-stage row buffer? Transferred to 14.

また、列アドレスは列アドレスデコーダ15に供給され
、ここで列アドレスに対応した列のみMvで他の列はW
 Q Vの列選択信号とされて双方向シフトレジスタ1
6に供給されロードされる。
The column address is also supplied to a column address decoder 15, where only the column corresponding to the column address is Mv and the other columns are W.
Bidirectional shift register 1 as column selection signal of QV
6 and loaded.

双方向シフトレジスタ16は1行分の画素数だけの段数
(m段)を有し、端子17よりクロック信号を供給され
、端子18より方向指示信号を供給されている。また、
双方向シフトレジスタ16の左端入力端子Llには右端
出力端子ROが接続され、右端入力端子R1には左端出
力端子LOが接続されている。このため、方向指示信号
が例えば?17で右方向(列アドレス増加方向)シフト
を指示するとき、双方向シフトレジスタ16のVi?を
出力する段はクロック信号により順次右方向へ移送され
、右端の段の次は左端の段へ移送され、更に順次右方向
へ移送される。方向指示信号がv Ovのときは同様に
vlvを出力する段は左方向(列アドレス減少方向)へ
移送される。この双方向シフトレジスタ16の出力する
列選択信号はセレクタ19に供給される。
The bidirectional shift register 16 has the number of stages (m stages) equal to the number of pixels in one row, and is supplied with a clock signal from a terminal 17 and a direction instruction signal from a terminal 18. Also,
The left end input terminal Ll of the bidirectional shift register 16 is connected to the right end output terminal RO, and the right end input terminal R1 is connected to the left end output terminal LO. For this reason, the direction signal is e.g. 17, when instructing a shift in the right direction (column address increasing direction), the Vi? of the bidirectional shift register 16 is input. The stages that output the output are sequentially shifted to the right by the clock signal, and the stage at the right end is shifted to the stage at the left end, and then the stage at the right end is shifted sequentially to the right. When the direction indication signal is v Ov, the stage outputting vlv is similarly moved to the left (in the direction of column address decrease). The column selection signal output from the bidirectional shift register 16 is supplied to the selector 19.

セレクタ19はm段構成で各段は行バッファ14の各段
に一対一に接続されており、双方向シフトレジスタ16
よりvlvの列選択信号を供給された段だけが導通する
The selector 19 has m stages, each stage is connected one-to-one to each stage of the row buffer 14, and the bidirectional shift register 16
Only the stage to which the column selection signal of vlv is supplied becomes conductive.

従って、セレクタ19は1行分の画素データをクロック
信号に同期して1画素毎に順次読み出し端子20よりシ
リアルに出力する。この際の画素データの読み出し順序
は方向指示信号に応じてメモリ・セル・アレイ13の列
アドレス増加方向又は減少方向に任意に設定できる。
Therefore, the selector 19 serially outputs one row of pixel data pixel by pixel from the readout terminal 20 in synchronization with the clock signal. The order in which the pixel data is read out at this time can be arbitrarily set in the increasing or decreasing direction of the column address of the memory cell array 13 according to the direction instruction signal.

書ぎ込み時には端子20より入来した1画素毎の画素デ
ータがセレクタ19の導通している段から行バッフ?1
4の対応する段に供給されてラッチされ、行バッファ1
4の全段に1行分の画素データがラッチされた後、この
1行分の画素データはメモリ・セル・アレイ13の行ア
ドレスデコーダ12の行選択信号で指示された行に転送
されて書き込まれる。
During writing, pixel data for each pixel that comes in from the terminal 20 is transferred from the stage where the selector 19 is conductive to the row buffer? 1
4 and is latched to the corresponding stage of row buffer 1.
After one row of pixel data is latched in all stages of the memory cell array 13, this one row of pixel data is transferred and written to the row designated by the row selection signal of the row address decoder 12 of the memory cell array 13. It will be done.

このため、メモリ・セル・アレイ13の各行で列アドレ
ス減少方向く又は増加方向)の画素データ書き込みを行
ない、かつ列アドレス増加方向く又は減少方向)の読み
出しを行なうことにより、左右反転した画像を簡単に表
示することができる。
Therefore, by writing pixel data in each row of the memory cell array 13 in the column address decreasing direction (increasing direction) and reading out the column address in the increasing direction (increasing direction) or decreasing direction), a horizontally inverted image is created. can be easily displayed.

また、例えばメモリ・セル・アレイ13の奇数行で列ア
ドレス増加方向の画素データ読み出しを行ない、偶数行
で列アドレス減少方向の画素データ読み出しを行なうこ
とにより、CRTの往復スキャン表示を行なうことがで
きる。なお、CRTの往復スキャン表示とは奇数ライン
を画面左端から右端ヘスキャンし、偶数ラインを画面右
端から左端ヘスキャンすることで、CRTの水平偏向回
路の負荷を軽減し、消費電力を減少できることが知られ
ている。
Further, for example, by reading pixel data in the direction of increasing column addresses in the odd rows of the memory cell array 13 and reading pixel data in the direction of decreasing column addresses in the even rows, it is possible to perform reciprocating scan display on the CRT. . It should be noted that the CRT's reciprocating scan display is known to reduce the load on the CRT's horizontal deflection circuit and reduce power consumption by scanning odd lines from the left edge of the screen to the right edge and scanning even lines from the right edge of the screen to the left edge of the screen. ing.

第2図は本発明回路の変形例のブロック系統図を示す。FIG. 2 shows a block diagram of a modified example of the circuit of the invention.

同図中、第1図と同一部分には同一符号を付し、その説
明を省略する。
In the figure, the same parts as in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and their explanations will be omitted.

第2図において、端子11より入来する列アドレスはア
ップダウンカウンタ30に供給されプリセットされる。
In FIG. 2, the column address coming in from terminal 11 is supplied to up/down counter 30 and preset.

アップダウンカウンタ30は端子18より供給される方
向指示信号が?lVのとき端子17よりのクロック信号
をアップカウントし、方向指示信号がv Ovのときク
ロック信号をダウンカウントする。
The up/down counter 30 receives the direction instruction signal supplied from the terminal 18? When the direction indication signal is 1V, the clock signal from the terminal 17 is counted up, and when the direction indication signal is vOv, the clock signal is counted down.

アップダウンカウンタ30の出力カウント値は列アドレ
スデコーダ15に供給され、列アドレスデコーダの出力
する列選択信号がセレタク19に供給される。
The output count value of the up/down counter 30 is supplied to the column address decoder 15, and the column selection signal output from the column address decoder is supplied to the selector 19.

この変形例においても第1図示の回路と同様に、左右反
転画像を簡単に表示でき、かつCRTの往復スキャン表
示を行なうことが可能である。
In this modification, as well as the circuit shown in the first diagram, it is possible to easily display a horizontally inverted image, and also to perform reciprocating scan display on a CRT.

第3図は本発明回路の第2実1M例のブロック系統図を
示す。同図中第1図と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。
FIG. 3 shows a block system diagram of a second 1M example of the circuit of the present invention. In the figure, the same parts as in FIG.

第3図において、メモリ・セル・アレイ13から読み出
された1行分の画素データはパラレルに双方向シフトレ
ジスタ31に供給されプリセットされる。また逆に双方
向シフトレジスタ31がパラレルに出力する1行分の画
素データがメモリ・セル・アレイ13の選択された行に
書き込まれる。
In FIG. 3, one row of pixel data read from the memory cell array 13 is supplied in parallel to a bidirectional shift register 31 and preset. Conversely, one row of pixel data output in parallel by the bidirectional shift register 31 is written into the selected row of the memory cell array 13.

双方向シフトレジスタ31は端子LIとRO。The bidirectional shift register 31 has terminals LI and RO.

R1とLOとが接続され、端子17.18夫々よりクロ
ック信号、方向指示信号を供給されて双方向シフトレジ
スタ16と同様のシフト動作を行なうが、メモリ・セル
・アレイ13及びセレクタ19夫々に接続されて、これ
らと双方向の入出力を行なうことができるものである。
R1 and LO are connected, and a clock signal and a direction instruction signal are supplied from terminals 17 and 18, respectively, to perform a shift operation similar to the bidirectional shift register 16, but it is connected to the memory cell array 13 and selector 19, respectively. It is possible to perform bidirectional input/output with these devices.

また、列アドレスデコーダ15の出力する列選択信号は
セレクタ19に供給され、セレクタ19は1行分の画素
データを入出力する期間、上記列選択信号がvllとさ
れた段のみが導通している。
Further, the column selection signal output from the column address decoder 15 is supplied to the selector 19, and during the period when the selector 19 inputs and outputs one row of pixel data, only the stage where the column selection signal is set to vll is conductive. .

このため、双方向シフトレジスタ31は1行分の画素デ
ータを右方向又は左方向に順次シフトさせてセレクタ1
9の導通した段から1画素毎にシリアル出力する。また
、セレクタ19の導通した段から入来する画素データを
右方向又は左方向に順次シフトして1行分の画素データ
が入来した後、この1行分の画素データをパラレルにメ
モリ・セル・アレイ13に転送して書き込む。
Therefore, the bidirectional shift register 31 sequentially shifts one row of pixel data to the right or left to the selector 1.
Serial output is performed for each pixel from the conductive stage 9. Furthermore, after one row of pixel data is received by sequentially shifting the pixel data that comes in from the stage where the selector 19 is conductive to the right or left, this one row of pixel data is transferred to the memory cells in parallel. - Transfer and write to array 13.

この第2実施例においても第1図示の回路と同様に、左
右反転画像を簡単に表示でき、かつCRTの往復スキャ
ン表示を行なうことが可能である。
Similarly to the circuit shown in the first diagram, in this second embodiment, it is possible to easily display a horizontally inverted image and also to perform reciprocating scan display on a CRT.

更に行バッファ14が不要であり、回路構成が簡易とな
る。
Furthermore, the row buffer 14 is not required, simplifying the circuit configuration.

なお、上記第1図、第2図、第3図夫々の回路にランダ
ムアクセス用の行アドレスデコーダ及び列アドレスデコ
ーダを追加しても良く、上記実施例に限定されない。
Note that a row address decoder and a column address decoder for random access may be added to the circuits of FIGS. 1, 2, and 3, and the present invention is not limited to the above embodiments.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く、本発明の画像用メモリ回路によれば、メモ
リ・セル・アレイの各行を列アドレスの増加方向のみな
らず減少方向にもシリアルアクセスすることができ、画
像の左右反転表示を簡易に行なうことができ、またCR
Tの往復スキャン表示が可能となる。
As described above, according to the image memory circuit of the present invention, each row of the memory cell array can be serially accessed not only in the direction of increasing column addresses but also in the direction of decreasing column addresses, and it is possible to easily display horizontally reversed images. CR
It is possible to display the T reciprocating scan.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の画像用メモリ回路の第1実施例のブロ
ック系統図、 第2図は第1図示の本発明回路の変形例のブロック系統
図、 第3図は本発明回路の第2実施例のブロック系統図であ
る。 図において、 12は行アドレスデコーダ、 13はメモリ・セル・アレイ、 14は行バッファ、 15は列アドレスデーコダ、 16.31は双方向シフトレジスタ、 19はセレクタ、 30アツプダウンカウンタである。 代理人 弁理士 井 桁 貞 − 第1図 第2図 オqを盲Fl−7第2大零ヒシjのフ゛ロッ2禾炙宅園
@3図
FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the image memory circuit of the present invention, FIG. 2 is a block diagram of a modification of the circuit of the present invention shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a block diagram of a second embodiment of the circuit of the present invention. It is a block system diagram of an example. In the figure, 12 is a row address decoder, 13 is a memory cell array, 14 is a row buffer, 15 is a column address decoder, 16.31 is a bidirectional shift register, 19 is a selector, and 30 is an up-down counter. Agent Patent Attorney Sada Igata - Figure 1 Figure 2 Figure 2 Oq Blind Fl-7 2nd Large Zero Hishij's Floor 2 Kei Takuen @ Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 メモリ・セル・アレイ(13)を行アドレス及び列アド
レスで指定し、指定された列を開始位置として指定され
た行のシリアルアクセスを行なう画像用メモリ回路にお
いて、 該列アドレス又は該列アドレスより生成された列選択信
号又は画素データのいずれかを方向指示信号に応じた列
アドレス増加方向又は減少方向に移送する移送手段(1
6、30、31)を有し、該指定された行の該列アドレ
ス増加方向又は減少方向の双方向シリアルアクセスを行
なうことを特徴とする画像用メモリ回路。
[Scope of Claims] An image memory circuit in which a memory cell array (13) is designated by a row address and a column address, and serial access of a designated row is performed using the designated column as a starting position, comprising: or a transfer means (1) for transferring either the column selection signal or the pixel data generated from the column address in the column address increasing direction or decreasing direction according to the direction indicating signal.
6, 30, 31), and performs bidirectional serial access in the direction of increasing or decreasing the column address of the specified row.
JP29552086A 1986-12-10 1986-12-10 Picture memory circuit Pending JPS63147244A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29552086A JPS63147244A (en) 1986-12-10 1986-12-10 Picture memory circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29552086A JPS63147244A (en) 1986-12-10 1986-12-10 Picture memory circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63147244A true JPS63147244A (en) 1988-06-20

Family

ID=17821684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29552086A Pending JPS63147244A (en) 1986-12-10 1986-12-10 Picture memory circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63147244A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0278091A (en) * 1988-09-14 1990-03-19 Sharp Corp Dual port memory
JPH02144199U (en) * 1989-05-08 1990-12-06
CN110755063A (en) * 2018-10-06 2020-02-07 江苏创越医疗科技有限公司 Low-delay electrocardiogram drawing method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0278091A (en) * 1988-09-14 1990-03-19 Sharp Corp Dual port memory
JPH02144199U (en) * 1989-05-08 1990-12-06
CN110755063A (en) * 2018-10-06 2020-02-07 江苏创越医疗科技有限公司 Low-delay electrocardiogram drawing method
CN110755063B (en) * 2018-10-06 2023-06-02 江苏创越医疗科技有限公司 Low-delay electrocardiogram drawing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005166132A (en) Display memory circuit and display controller
JP3101580B2 (en) Image recording and playback device
JP2554785B2 (en) Display drive control integrated circuit and display system
JPH11103407A (en) Ccd data pixel interpolating circuit and digital still camera provided with the same
JPH035990A (en) Method of bringing dual-port-memory and semiconductor memory to state of series access
KR950002291B1 (en) Semiconductor memory
US5517609A (en) Graphics display system using tiles of data
EP0595251B1 (en) A serial access memory
JPS63147244A (en) Picture memory circuit
JPS5926031B2 (en) memory element
JP2931412B2 (en) Continuous page random access memory and systems and methods using continuous page random access memory
KR100297716B1 (en) Semiconductor memory device having high flexibility in column
JP4627823B2 (en) Display control circuit
JP4577923B2 (en) Display device control circuit
JP2990163B1 (en) Memory display
JPH01174186A (en) Liquid crystal drive circuit
KR950009076B1 (en) Dual port memory and control method
JP4454068B2 (en) Display device control circuit
JPS61123875A (en) Semiconductor memory
JP2001249644A (en) Liquid crystal display device
JPH05173503A (en) Data driver circuit for liquid crystal display device
JPH06223577A (en) Sram
JPS6158386A (en) Liquid crystal display device
JPH06295335A (en) Picture data storage device
JPH06303530A (en) Solid-state image pickup device