JPS63144586A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS63144586A JPS63144586A JP61292716A JP29271686A JPS63144586A JP S63144586 A JPS63144586 A JP S63144586A JP 61292716 A JP61292716 A JP 61292716A JP 29271686 A JP29271686 A JP 29271686A JP S63144586 A JPS63144586 A JP S63144586A
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- optical
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高出力化を図った半導体発光装置に関する
ものである。
ものである。
第３図は、例えば端面より出力を取り出す従来の半導体
発光装置を示す側断面図である。この図において、１は
ＩｎＰからなる基板、３はｎ−ＩｎＰからなるクラッド
層、４はＩｎＧａＡｓＰからなる活性層、５はｐ−Ｉｎ
Ｐからなるクラッド層、６はＰ−ＩｎＧａＡｓＰからな
るコンタクト層、１ｏは光ファイバ、ｆｌｌは光出力で
ある。
発光装置を示す側断面図である。この図において、１は
ＩｎＰからなる基板、３はｎ−ＩｎＰからなるクラッド
層、４はＩｎＧａＡｓＰからなる活性層、５はｐ−Ｉｎ
Ｐからなるクラッド層、６はＰ−ＩｎＧａＡｓＰからな
るコンタクト層、１ｏは光ファイバ、ｆｌｌは光出力で
ある。
この構造では、活性層４に注入された電流がキャリアの
再結合により光に変換された後、光出力１１として一方
の端面より外部に取り出され、光ファイバ１０に入射さ
れる。
再結合により光に変換された後、光出力１１として一方
の端面より外部に取り出され、光ファイバ１０に入射さ
れる。
（発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の半導体発光装置は、以上のように構
成されているため、光ファイバ１０に入射される光出力
ｌ、は一方の端面からのみ取り出され、これと反対側の
端面から放出される光出力は光ファイバ１０に入射され
ず無駄になるという問題点があった。
成されているため、光ファイバ１０に入射される光出力
ｌ、は一方の端面からのみ取り出され、これと反対側の
端面から放出される光出力は光ファイバ１０に入射され
ず無駄になるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、一方の端面からのみ光を放出させて高出力化を図
る半導体発光装置を得ることを目的とする。
ので、一方の端面からのみ光を放出させて高出力化を図
る半導体発光装置を得ることを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体発光装置は、光出力を取り出すべ
き一方の端面と反対側の端面に導波された光を光出力を
取り出すべき一方の端面側に反射させるための反射鏡を
活性層の延長上にある反対側の端面に設けるとともに、
反射鏡によって反射された光を光出力を取り出すべき一
方の端面まで導波する光導波層を活性層と平行に設けた
ものである。
き一方の端面と反対側の端面に導波された光を光出力を
取り出すべき一方の端面側に反射させるための反射鏡を
活性層の延長上にある反対側の端面に設けるとともに、
反射鏡によって反射された光を光出力を取り出すべき一
方の端面まで導波する光導波層を活性層と平行に設けた
ものである。
この発明においては、活性層内で発生して光出力を取り
出すべき一方の端面と反対側の端面に導波された光が、
活性層の延長上にある反対側の端面に設けられた反射鏡
によって反射され、先導波層を介して光出力を取り出す
べき一方の端面まで導波される。
出すべき一方の端面と反対側の端面に導波された光が、
活性層の延長上にある反対側の端面に設けられた反射鏡
によって反射され、先導波層を介して光出力を取り出す
べき一方の端面まで導波される。
〔実施例〕
第１図はこの発明の半導体発光装置の一実施例の構造を
示す側断面図、第２図はこの発明の半導体発光装置の動
作を説明するための側面図である。
示す側断面図、第２図はこの発明の半導体発光装置の動
作を説明するための側面図である。
これら図において、第３図と同一符号は同一部分を示し
、２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる光導波層、７，８は
光出力を取り出すべき一方の端面と反対側の端面に設け
られた第１および第２の反射鏡、９は前記第１の反射鏡
７を形成するためのミラーコート、１□は第１および第
２の反射鏡７．８によって反射された光出力である。
、２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる光導波層、７，８は
光出力を取り出すべき一方の端面と反対側の端面に設け
られた第１および第２の反射鏡、９は前記第１の反射鏡
７を形成するためのミラーコート、１□は第１および第
２の反射鏡７．８によって反射された光出力である。
この発明では、第１の反射鏡７を端面を斜めにエツチン
グした後、ミラーコート９を施すことによって形成し、
第２の反射鏡８を基板１の端面部 ゛に傾斜部分を形成
した後１．基板より屈折率が高く、かつ光出力に対して
透明なｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる光導波層２を基板１
上に堆積させることにより形成している。
グした後、ミラーコート９を施すことによって形成し、
第２の反射鏡８を基板１の端面部 ゛に傾斜部分を形成
した後１．基板より屈折率が高く、かつ光出力に対して
透明なｎ−ＩｎＧａＡｓＰからなる光導波層２を基板１
上に堆積させることにより形成している。
次に、第２図を参照して動作について説明する。
電流が注入されると、活性層４において光が発生して光
出力を取り出すべき一方の端面の方向、すなわち、光フ
ァイバ１０の方向およびこれと反対側の端面に光が導波
される。この反対側の端面に導波された光は、第１およ
び第２の反射鏡７゜８で反射された後、先導波層２内に
入射されることにより、光ファイバ１０のある側の端面
から光出力１□として出力される。
出力を取り出すべき一方の端面の方向、すなわち、光フ
ァイバ１０の方向およびこれと反対側の端面に光が導波
される。この反対側の端面に導波された光は、第１およ
び第２の反射鏡７゜８で反射された後、先導波層２内に
入射されることにより、光ファイバ１０のある側の端面
から光出力１□として出力される。
すなわち、光ファイバ１０のある側の端面では、活性層
４からそのまま出射された光出力１゜と、第１および第
２の反射鏡７．８で出射された光出力１２が出力される
ので光出力が増し、これに伴なって光フアイバ１０内に
入射される光出力も増大するものである。
４からそのまま出射された光出力１゜と、第１および第
２の反射鏡７．８で出射された光出力１２が出力される
ので光出力が増し、これに伴なって光フアイバ１０内に
入射される光出力も増大するものである。
なお、上記実施例では発光ダイオードを例として説明し
たが、この発明はこれに限定されるものではなく、ＤＦ
Ｂレーザ等に適用しても同様の効果が得られる。
たが、この発明はこれに限定されるものではなく、ＤＦ
Ｂレーザ等に適用しても同様の効果が得られる。
また、上記実施例では先導波層２を発光領域となる活性
層４の下部に設けた構造について説明したが、活性層４
の上部に設けても同様の効果が得られることはいうまで
もない。
層４の下部に設けた構造について説明したが、活性層４
の上部に設けても同様の効果が得られることはいうまで
もない。
（発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、光出力を取り出すべき
一方の端面と反対側の端面に導波された光を光出力を取
り出すべき一方の端面側に反射させるための反射鏡を活
性層の延長上にある反対側の端面に設けるとともに、反
射鏡によって反射された光を光出力を取り出すべき一方
の端面まで導波する光導波層を活性層と平行に設けたの
で、一方の端面からのみ高い光出力が得られるという効
果がある。
一方の端面と反対側の端面に導波された光を光出力を取
り出すべき一方の端面側に反射させるための反射鏡を活
性層の延長上にある反対側の端面に設けるとともに、反
射鏡によって反射された光を光出力を取り出すべき一方
の端面まで導波する光導波層を活性層と平行に設けたの
で、一方の端面からのみ高い光出力が得られるという効
果がある。
第１図はこの発明の半導体発光装置の一実施例の構造を
示す側断面図、第２図はこの発明の半導体発光装置の動
作を説明するための側面図、第３図は従来の半導体発光
装置の構造を示す側断面図である。 図において、１は基板、２は先導波層、３．５はクラッ
ド層、４は活性層、６はコンタクト層、７．８は第１お
よび第２の反射鏡、９はミラーコート、１０は光ファイ
バ、Ｉｌｌ、 ｌ１２は光出力で。ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 り、又２゛光二カ
示す側断面図、第２図はこの発明の半導体発光装置の動
作を説明するための側面図、第３図は従来の半導体発光
装置の構造を示す側断面図である。 図において、１は基板、２は先導波層、３．５はクラッ
ド層、４は活性層、６はコンタクト層、７．８は第１お
よび第２の反射鏡、９はミラーコート、１０は光ファイ
バ、Ｉｌｌ、 ｌ１２は光出力で。ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 り、又２゛光二カ
Claims (1)
- 光を発生する活性層を有し、その端面から光出力が得ら
れる半導体発光装置において、光出力を取り出すべき一
方の端面と反対側の端面に導波された光を前記光出力を
取り出すべき一方の端面側に反射させるための反射鏡を
前記活性層の延長上にある前記反対側の端面に設けると
ともに、前記反射鏡によって反射された光を前記光出力
を取り出すべき一方の端面まで導波する光導波層を前記
活性層と平行に設けたことを特徴とする半導体発光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61292716A JPS63144586A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61292716A JPS63144586A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144586A true JPS63144586A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17785386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61292716A Pending JPS63144586A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144586A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661478U (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-30 | レーザーテクノ株式会社 | 墨出し用レーザー装置 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61292716A patent/JPS63144586A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0661478U (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-30 | レーザーテクノ株式会社 | 墨出し用レーザー装置 |
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