JPH03210506A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH03210506A JPH03210506A JP2007584A JP758490A JPH03210506A JP H03210506 A JPH03210506 A JP H03210506A JP 2007584 A JP2007584 A JP 2007584A JP 758490 A JP758490 A JP 758490A JP H03210506 A JPH03210506 A JP H03210506A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
光を基板に垂直方向に取り出す光半導体装置に関し。
導波路またはレーザから出射する光を集光して基板に垂
直な方向より取り出し、小接合径の受光素子又は光ファ
イバに受光して、高い外部量子効率、高速応答性を得る
ことを目的とし く１）基板に平行な光を基板に垂直な方向に取り出す装
置であって、該基板に平行に進行した入射光を反射ミラ
ー面で反射させて該基板の表面に形成された凹面鏡に受
け、該凹面鏡により反射集光して該基板の裏面より取り
出せるように構成する。
直な方向より取り出し、小接合径の受光素子又は光ファ
イバに受光して、高い外部量子効率、高速応答性を得る
ことを目的とし く１）基板に平行な光を基板に垂直な方向に取り出す装
置であって、該基板に平行に進行した入射光を反射ミラ
ー面で反射させて該基板の表面に形成された凹面鏡に受
け、該凹面鏡により反射集光して該基板の裏面より取り
出せるように構成する。
（２）前記入射光が該基板表面に形成されたレーザの発
振光であって、該入射光を該凹面鏡で反射させて該基板
に垂直な方向に取り出して面発光型レーザを構成する。
振光であって、該入射光を該凹面鏡で反射させて該基板
に垂直な方向に取り出して面発光型レーザを構成する。
（３）前記入射光が反射集光される該基板裏面に受光装
置が形成されているように構成する。
置が形成されているように構成する。
本発明は光を基板に垂直方向に取り出す光半導体装置に
関する。
関する。
光の周波数１位相を変調するコヒーレント光通信におい
ては、今までにない高性能の半導体装置が要求される。
ては、今までにない高性能の半導体装置が要求される。
本発明は１例えば光ファイバを用いたコヒーレント光通
信において、バランス型受光素子と方向性結合器との結
合等に利用することができる。そのためには、高い外部
量子効率、高速応答、高光入出力でバランスのとれた受
光素子と導波路とがモノリシックに集積される必要があ
る。
信において、バランス型受光素子と方向性結合器との結
合等に利用することができる。そのためには、高い外部
量子効率、高速応答、高光入出力でバランスのとれた受
光素子と導波路とがモノリシックに集積される必要があ
る。
従来の光導波路と受光素子（ＰＩＮ−ＰＤ ： ＰＩＮ
型フォトデテクタ）との結合方法として、■Ｅｖａｎｅ
ｓｃｅｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ” 、■Ｂｕｔｔ Ｃｏ
ｕｐｌｅｄ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ”■ 基板の片面に導波
路を他の面にＤｅｔｅｃｔｏｒを集積する方式３）があ
る。
型フォトデテクタ）との結合方法として、■Ｅｖａｎｅ
ｓｃｅｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ” 、■Ｂｕｔｔ Ｃｏ
ｕｐｌｅｄ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ”■ 基板の片面に導波
路を他の面にＤｅｔｅｃｔｏｒを集積する方式３）があ
る。
■の方式は光導波路と受光素子を違う面に作製するので
、■、■の作製方法に比べて容品であるので、従来例と
して採り上げ第◆図を用いて説明する。
、■、■の作製方法に比べて容品であるので、従来例と
して採り上げ第◆図を用いて説明する。
第５図は光を基板に垂直な方向より取り出す光半導体装
置の従来例として、光導波路と受光素子の集積化を説明
する断面図である。
置の従来例として、光導波路と受光素子の集積化を説明
する断面図である。
図において、１は厚さ２２０μｍのｎ′″−１ｎＰ基板
。
。
２．４は厚さ３．ＦＨｔｍのｎ−４ｎＰ層、３は厚さ３
゜５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ （＆ｌｌ成は波長表示
で７μｍ１．０３６ μｍ）層、５は厚さ３μｍのｎ−
−ＩｎＧａＡｓ層、６はＺｎ拡散層、７はＳｉ、Ｎ４膜
、８はｐ型コンタクト、９はｎ型コンタクトである。
゜５μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ （＆ｌｌ成は波長表示
で７μｍ１．０３６ μｍ）層、５は厚さ３μｍのｎ−
−ＩｎＧａＡｓ層、６はＺｎ拡散層、７はＳｉ、Ｎ４膜
、８はｐ型コンタクト、９はｎ型コンタクトである。
ｎ”−１ｎＰ基板ｌの片面に、コア層としてｎ−−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層３．この層を挟んでクラッド層としてｎ−
ＩｎＰ層３，４が形成されて導波路が構成されている。
ＧａＡｓＰ層３．この層を挟んでクラッド層としてｎ−
ＩｎＰ層３，４が形成されて導波路が構成されている。
基板の反対面にはｎ−ＩｎＧａＡｓ層５が被着され。
ここにＰ型のＺｎ拡散層６を形成して受光素子を構成し
ている。
ている。
光ｈνは導波路の右側より導波され、導波路に形成され
た■溝の表面で直角に反射されて、基板中を通って受光
素子に到達するように構成されている。
た■溝の表面で直角に反射されて、基板中を通って受光
素子に到達するように構成されている。
ところが、■溝の表面で反射された光は受光素子に至る
までに広がってしまうという欠点があった。
までに広がってしまうという欠点があった。
１） Ｐ、Ｓｉｎｇｕｉｎｏ ｅｔ、ａｌ、。
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 １（２１）、ｐ１５
１５（１９８７）。
１５（１９８７）。
２） Ｓ、Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ ｅｔ、ａｌ、
。
。
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５ＬＥＴＴＥＲＳ ２Ａ（２３）
ｐ１４５７（１９８Ｂ）。
ｐ１４５７（１９８Ｂ）。
３） Ｒ，Ｔｒｏｍｍｅｒ＋
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５ＬＥＴＴＥＲＳ ２Ｘ（９）ｐ
３８２（１９８５）。
３８２（１９８５）。
従来の先導波路と受光素子との集積方法では５受光素子
は外部量子効率をよくするために受光径が大きくなって
しまい高速応答性が阻害される。
は外部量子効率をよくするために受光径が大きくなって
しまい高速応答性が阻害される。
本発明は導波路またはレーザから出射する光を集光して
基板に垂直な方向より取り出し、受光径の小さい受光素
子又は光ファイバに受光して、高い外部量子効率、高速
応答性を得ることを目的とする。
基板に垂直な方向より取り出し、受光径の小さい受光素
子又は光ファイバに受光して、高い外部量子効率、高速
応答性を得ることを目的とする。
上記課題の解決は、基板に平行な光を基板に垂直な方向
に取り出す装置であって、該基板に平行に進行した入射
光を反射ミラー面で反射させて該基板の表面に形成され
た凹面鏡に受け、該凹面鏡により反射集光して該基板の
裏面より取り出せるように構成されている光半導体装置
により達成される。
に取り出す装置であって、該基板に平行に進行した入射
光を反射ミラー面で反射させて該基板の表面に形成され
た凹面鏡に受け、該凹面鏡により反射集光して該基板の
裏面より取り出せるように構成されている光半導体装置
により達成される。
又、前記入射光が該基板表面に形成されたレーザの発振
光であって、該入射光を該凹面鏡で反射させて該基板に
垂直な方向に取り出して面発光型レーザを構成する光半
導体装置、或いは前記入射光が反射集光される該基板裏
面に受光装置が形成されている光半導体装置によって達
成される。
光であって、該入射光を該凹面鏡で反射させて該基板に
垂直な方向に取り出して面発光型レーザを構成する光半
導体装置、或いは前記入射光が反射集光される該基板裏
面に受光装置が形成されている光半導体装置によって達
成される。
本発明はレジストパターンを加熱したときにできる凸面
を利用して基板上に凹面鏡を作製し、導波路端面より出
射した光をこの凹面鏡に反射させて基板に垂直の方向に
集光して取り出すようにしたものである。
を利用して基板上に凹面鏡を作製し、導波路端面より出
射した光をこの凹面鏡に反射させて基板に垂直の方向に
集光して取り出すようにしたものである。
〔実施例］
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例による光半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
図において、１は厚さ２２０ ｐ ｍのｎ”−１ｎＰ基
板。
板。
２．４は厚さ３．５μｍのｎ−ＩｎＰ層、３は厚さ３゜
５μｍのｎ−１１ＧａＡｓＰ （ａ成は波長表示で７μ
ｍ１．０３６ μｍ）層、１１は凹面鏡、１２はポリイ
ミド補強膜である。
５μｍのｎ−１１ＧａＡｓＰ （ａ成は波長表示で７μ
ｍ１．０３６ μｍ）層、１１は凹面鏡、１２はポリイ
ミド補強膜である。
ｎ”４ｎＰ蟇板１の片面に、コア層としてｎ−−１ｎＧ
ａＡｓＰ層３．この層を挾んでクラッド層としてｎ−１
ｎＰ層３．４が形成されて導波路が構成されている。
ａＡｓＰ層３．この層を挾んでクラッド層としてｎ−１
ｎＰ層３．４が形成されて導波路が構成されている。
第１図（ａ）は基板に垂直な端面より出射した光は基板
の斜面で反射されて凹面鏡１１で囲む空間を通り凹面鏡
１１で再び反射され、再び基板内に入射して基板裏面に
焦点を結ぶように構成されている。
の斜面で反射されて凹面鏡１１で囲む空間を通り凹面鏡
１１で再び反射され、再び基板内に入射して基板裏面に
焦点を結ぶように構成されている。
第１図ｂ）は基板に斜め下向きに形成された端面より反
射した光は凹面に形成された基板内を通り凹面鏡１１で
再び反射され、基板裏面に焦点を結ぶように構成されて
いる。
射した光は凹面に形成された基板内を通り凹面鏡１１で
再び反射され、基板裏面に焦点を結ぶように構成されて
いる。
集積する受光素子は、基板裏面の焦点を結んだ位置に第
４図に示した構造のＰＩＮ−ＰＤを形成すればよい。
４図に示した構造のＰＩＮ−ＰＤを形成すればよい。
ただし、受光径は従来例が１００μｍ程度であるが、実
施例では１０〜２０μｍの小受光径でよい。
施例では１０〜２０μｍの小受光径でよい。
又、レーザ光とファイバの結合の場合は、２はｎ−−１
ｎＰ層、３はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、４はｐ−ＩｎＰ層
で形成してレーザを構成し、光ファイバは図の点線の位
置に挿入される。
ｎＰ層、３はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、４はｐ−ＩｎＰ層
で形成してレーザを構成し、光ファイバは図の点線の位
置に挿入される。
次に、実施例の光半導体装置の製造プロセスについて説
明する。
明する。
第２図（１）〜（４）は第１図（ａ）の実施例の工程を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
第２図（１）において、ＬＤ（レーザダイオード）又は
光導波路の光出力面として、マイクロクリープ又はＣＩ
２ガスを用いたＲＩＢＥ （反応性イオンビームエツチ
ング）により基板に垂直なミラー面を形成した後、基板
上部に反射させるための斜面（傾斜角θ）を持つ溝加工
をＨＣＩ ＋ＣＨｚＣＯＯＨ＋ＨｚＯｚの混液で形成し
、斜面にスパッタ法等により５反射ミラー面として厚さ
５０００人のＡｇ（又はＡＩ、 Ｐｔ等）膜を被着する
。
光導波路の光出力面として、マイクロクリープ又はＣＩ
２ガスを用いたＲＩＢＥ （反応性イオンビームエツチ
ング）により基板に垂直なミラー面を形成した後、基板
上部に反射させるための斜面（傾斜角θ）を持つ溝加工
をＨＣＩ ＋ＣＨｚＣＯＯＨ＋ＨｚＯｚの混液で形成し
、斜面にスパッタ法等により５反射ミラー面として厚さ
５０００人のＡｇ（又はＡＩ、 Ｐｔ等）膜を被着する
。
ここで、基板は主面を（１００）面とし、溝は＜０１１
＞方向（導波方向に垂直な方向）に形成する。
＞方向（導波方向に垂直な方向）に形成する。
溝は例えば、深さｄは１０μｍ１幅Ｗは３０μｍ、傾斜
角θは４５°に形成する。
角θは４５°に形成する。
次に、溝を覆って基板上にレジスト膜１３を形成する。
レジスト膜は例えば、八Ｚ４３５０ （Ｈｏｅｃｈｓｔ
社製）を用い直径１００μｍのパターンを形成する。
社製）を用い直径１００μｍのパターンを形成する。
第２図（２）において、基板を２００°Ｃでベーキング
し７．レジスト膜１３を高さｈ＝約８μｍとした凸面状
にする。
し７．レジスト膜１３を高さｈ＝約８μｍとした凸面状
にする。
第２図（３）において、凸面状のレジストＷＩ１１３の
上に、凹面鏡１１として厚さ数μｍのＡｇ（又はＡ１．
Ｐｔ等）膜を被着する。
上に、凹面鏡１１として厚さ数μｍのＡｇ（又はＡ１．
Ｐｔ等）膜を被着する。
第２図（４）において、凹面鏡１１の上に補強膜１２と
して厚さ５μｍのポリイミド膜を被着する。
して厚さ５μｍのポリイミド膜を被着する。
次いで、基板をレジスト剥離液Ｊ１００で煮沸してレジ
ストパターン１３を溶解除去して、溝内部を空洞とする
。
ストパターン１３を溶解除去して、溝内部を空洞とする
。
次に、第２図（１）の溝形成の詳細について第３図を用
いて説明する。
いて説明する。
第３図（１）〜（４）は溝形成工程の詳細を説明する断
面図である。
面図である。
第３図（１）において、二酸化珪素（ＳｉＯｚ）膜１６
をマスクにして、光導波路の光出力面として９例えばＣ
Ｉ、ガスを用いたＩ？ＴＢＨにより基板に垂直なミラー
面を形成する。
をマスクにして、光導波路の光出力面として９例えばＣ
Ｉ、ガスを用いたＩ？ＴＢＨにより基板に垂直なミラー
面を形成する。
第３図（２）において、基板の開口部を覆って、基板の
開口部に隣接した領域が開口したレジスト膜１７を形成
する。
開口部に隣接した領域が開口したレジスト膜１７を形成
する。
レジスト膜１７をマスクにしてＳｉＯ□膜１６膜部６で
エツチングする。
エツチングする。
第３図（３）において、レジスト膜１７をマスクにして
、基板をＨＣＩ ＋ＣＨ３ＣＯ０Ｈ＋Ｈ！Ｏｆの混液で
エツチングして斜面を形成する。
、基板をＨＣＩ ＋ＣＨ３ＣＯ０Ｈ＋Ｈ！Ｏｆの混液で
エツチングして斜面を形成する。
第３図（４）において、剥離液でレジスト膜１７を除去
し９次いでＳｉＯ□膜１６をエツチング除去する。
し９次いでＳｉＯ□膜１６をエツチング除去する。
この後は、溝内斜面に反射ミラー面として八ｇ（又はＡ
Ｉ、 Ｐｔ等）膜を被着して、第２図（２）の工程につ
ながる。
Ｉ、 Ｐｔ等）膜を被着して、第２図（２）の工程につ
ながる。
第４図（１）〜（３）は第１図℃）の実施例の工程を説
明する断面図である。
明する断面図である。
第４図（１）において、 ＬＤ又は光導波路の上に厚さ
１２μｍの凸面形成用のＩｎＰ層１４を堆積し、その上
にレジスト膜１３を形成する。
１２μｍの凸面形成用のＩｎＰ層１４を堆積し、その上
にレジスト膜１３を形成する。
レジスト膜は１例えばＡＺ４１７０を用い、直径１４０
μｍのパターンを形成する。
μｍのパターンを形成する。
次いで、基板を２００°Ｃでヘーキングし、レジスト膜
１３を高さｈ＝５μｍとした凸面状にする。
１３を高さｈ＝５μｍとした凸面状にする。
第４図（２）において、基板をＩＢＥ（イオンビームエ
ツチング）により、凸面状のレジストパターン１３が消
滅するまでエツチングして、 ＩｎＰ層１４を高さｈ’
＝約１１ μｍとした凸面状にレンズ加工を行う。
ツチング）により、凸面状のレジストパターン１３が消
滅するまでエツチングして、 ＩｎＰ層１４を高さｈ’
＝約１１ μｍとした凸面状にレンズ加工を行う。
第４図（３）において、凸面状のＩｎＰ層１４の上に。
凹面鏡１１として厚さ数μｍのＡｇ（又はＡＩ、 Ｐｔ
等）膜を被着する。
等）膜を被着する。
次に、凸面状のＩｎＰ層１４の上をレジスト膜１５で覆
い、 Ｃ１！を用いたアングルＲＩＥ（傾斜イオンエツ
チング）法４）により基板に斜面エツチングを行い。
い、 Ｃ１！を用いたアングルＲＩＥ（傾斜イオンエツ
チング）法４）により基板に斜面エツチングを行い。
傾斜角θの逆斜面のミラー面を形成する。
逆斜面は例えば、深さｄは約１０μｍ、傾斜角θは４５
°に形成する。
°に形成する。
４） Ｔａｋａｍｏｒｉ ｅｔ、ａｌ、＋Ａｐｐ１．Ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ５５（１１）ｐ１０５４（１９８
９）。
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ５５（１１）ｐ１０５４（１９８
９）。
以上説明したように本発明によれば、導波路またはレー
ザから出射する光を集光して基板に垂直な方向より取り
出すことができ、受光径の小さい受光素子又は光ファイ
バに受光して、高い外部量子効率、高速応答性を得るこ
とができる。
ザから出射する光を集光して基板に垂直な方向より取り
出すことができ、受光径の小さい受光素子又は光ファイ
バに受光して、高い外部量子効率、高速応答性を得るこ
とができる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例による光半
導体装置の断面図。 第２図（１）〜（４）は第１図（ａ）の実施例の工程を
説明する断面図。 第３図（１）〜（４）は溝形成工程の詳細を説明する断
面図。 第４図（１）〜（３）は第１図（ｂ）の実施例の工程を
説明する断面図。 第５図は光を基板に垂直な方向より取り出す光半導体装
置の従来例として、先導波路と受光素子の集積化を説明
する断面図である。 図において。 １はｎ”−１ｎＰ基板。 ２はｎ−ＩｎＰ層。 ３はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層。 ４はｎ−ＩｎＰ層又はｐ−ＩｎＰ層。 １１は凹面鏡。 １２はポリイミド補強膜 １３、１５．１７はレジスト膜。 １４は凸面形成用］ｎＰ 層 １６は５ｉＯ１膜 Ｊ 藁先例のＲ面図 第１図 第１図（ｃｔ）の二■説明断僅図 第 閃 シ１噛１〒ｒジ賎ζζン１詳イ（奪モＥ１Ｒでｉ５【７
］第３図 第１図（ｂ）の二程睨Ｆ３Ａ断ｉ図 第４図
導体装置の断面図。 第２図（１）〜（４）は第１図（ａ）の実施例の工程を
説明する断面図。 第３図（１）〜（４）は溝形成工程の詳細を説明する断
面図。 第４図（１）〜（３）は第１図（ｂ）の実施例の工程を
説明する断面図。 第５図は光を基板に垂直な方向より取り出す光半導体装
置の従来例として、先導波路と受光素子の集積化を説明
する断面図である。 図において。 １はｎ”−１ｎＰ基板。 ２はｎ−ＩｎＰ層。 ３はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層。 ４はｎ−ＩｎＰ層又はｐ−ＩｎＰ層。 １１は凹面鏡。 １２はポリイミド補強膜 １３、１５．１７はレジスト膜。 １４は凸面形成用］ｎＰ 層 １６は５ｉＯ１膜 Ｊ 藁先例のＲ面図 第１図 第１図（ｃｔ）の二■説明断僅図 第 閃 シ１噛１〒ｒジ賎ζζン１詳イ（奪モＥ１Ｒでｉ５【７
］第３図 第１図（ｂ）の二程睨Ｆ３Ａ断ｉ図 第４図
Claims (3)
- （１）基板に平行な光を基板に垂直な方向に取り出す装
置であって、該基板に平行に進行した入射光を反射ミラ
ー面で反射させて該基板の表面に形成された凹面鏡に受
け、該凹面鏡により反射集光して該基板の裏面より取り
出せるように構成されていることを特徴とする光半導体
装置。 - （２）前記入射光が該基板表面に形成されたレーザの発
振光であって、該入射光を該凹面鏡で反射させて該基板
に垂直な方向に取り出して面発光型レーザを構成するこ
とを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - （３）前記入射光が反射集光される該基板裏面に受光装
置が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007584A JPH03210506A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007584A JPH03210506A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210506A true JPH03210506A (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=11669860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007584A Pending JPH03210506A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03210506A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07234345A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Nec Corp | 導波路型光デバイスの受光構造 |
| WO2001093385A3 (en) * | 2000-05-31 | 2003-11-06 | Nova Crystals Inc | Surface-emitting laser devices with integrated beam-shaping optics and power-monitoring detectors |
| JP2013211403A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体面の加工方法 |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP2007584A patent/JPH03210506A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07234345A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Nec Corp | 導波路型光デバイスの受光構造 |
| WO2001093385A3 (en) * | 2000-05-31 | 2003-11-06 | Nova Crystals Inc | Surface-emitting laser devices with integrated beam-shaping optics and power-monitoring detectors |
| JP2013211403A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体面の加工方法 |
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