JPS63143811A - 縦型ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、気相反応により基板ウェーハ上面に反応生成
物を堆積（生成・被着）させる縦型ＣＶＯ＜化学的気相
生成被着）装置（縦型ＶＰＥ　：気相エピタキシャル装
置を含む）に関する。

［従来の技術］ 従来、縦型ＣｖＤ装置は、チャンバー内で基板ウェーハ
を水平に支持するサセプターと、サセプター上の基板ウ
ェーハ上面に反応生成物を堆積させる原料ガスを供給す
る原料ガス供給部と、サセプターを介して基板ウェーハ
を加熱する加熱源とを備えてなり、基板ウェーハ上面に
気相反応により反応生成物を堆積させるものである。

［発明が解決しようとする問題点］ しかし、上記従来の縦型ｃｖｏＶｉｔ置によれば、基板
ウェーへのＣＶＤ加工（ＶＰＥ加工を含む）を行うごと
にサセプターを所要温度（例えばＳｌのＶＰＥ加工にお
いては１１５０℃）に昇温し、このサセプターの上面に
付着した反応生成物をエツチングガス（例えばＳｉのＶ
ＰＥ加工においてはＨ２とＨＩＪの混合ガス）により除
去する必要があり、そのために、昇温→サセプターへの
付着反応生成物エツチング→降温という工程を必要とす
る問題がある。

そこで、本発明は、サセプターに付着した反応生成物除
去用の特別の工程を必要としない縦型ＣＶＤ装置を提供
しようとするものである。

［問題点を解決するための手段１ 前記問題点を解決するため、本発明は、チャンバー内で
基板ウェーハを支持するサセプターと、基板ウェーハ上
面に反応生成物を堆積させる原料ガスを供給する原料ガ
ス供給部と、サセプターを介して基板ウェーハを加熱す
る加熱源とを備えてなる縦型ＣＶＤ装置において、前記
サセプターを反転使用可能に設け、かつサセプターの下
面にこの下面に付着した反応生成物の除去用エツチング
ガスを供給するエツチングガス供給部を設けたものであ
る。

［作　用］ 上記手段によれば、サセプターを反転使用することによ
り、サセプター上の基板ウェーハ上面に対する反応生成
物の堆積と同時に、前回の反応生成物の堆積によって付
着したサセプター下面の反応生成物の除去が同一チャン
バー内で行われる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は第１実施例の縦型ＣＶＤ装置を示す半裁縦断面
図である。

同図において１は石英ベルジャ２と共にチャンバー３を
構成するベースプレートで、ベースプレート１の中央部
には、反転使用可能に設けた円板状のサセプター４をチ
ャンバー３内において水平に支持する円筒状のサセプタ
ー支え５が立設されている。サセプター支え５内には、
原料ガス源（図示せず）と適宜に接続される原料ガス供
給管６が同心に嵌挿されており、この原料ガス供給管６
の上端には、サセプター４上に載置される基板ウェーハ
（図示せず）の上面に原料ガスを供給するノズル７がノ
ズル支え８を介して支持されている。

一方、チャンバー３内におけるサセプター４の下方には
、サセプター４を介゛して基板ウェーハなどを加熱する
ワークコイル９が配設されている。

ワークコイル９　Ｇ３、このワークコイル９による基板
ウェーハの汚染を防止するシールド１０によって覆われ
ており、このシールド１０によりサセプター支え５の外
側方及びサセプター４の下方に断面り字状のエツチング
ガス通路１１が形成されている。

そして、エツチングガス通路１１におけるサセプター支
え５の外側方下部には、エツチングガス源（゛図示せず
）と適宜に接線されるエツチングガス供給管１２の供給
口が配設されている。

なお、原料ガスは、基板ウェーハ上面に反応生成物を堆
積させ、又、エツチングガスは前回のＣＶＤ加工により
サセプター４に付着した反応生成物を除去するものであ
り、いずれのガスもベースプレート１の外周辺部に設け
た排気孔１３からチャンバー３外へ排気される。

上記構成の装置をＳｉ／Ｓｉエピタキシィに用い、ワー
クコイル９により１１３０〜１２２０℃に保持しながら
、ノズル７よりＨ２ガス２５０１／ｌｌ１ｎと５ｉ（Ｊ
ｓガス３０　ｇ／ｍｉｎとを原料ガスとしてＳｉ基板ウ
ェーハ上面に供給すると同時に、エツチングガス供給管
１２よりＨ２ガス５　Ｒ／１ｌｉｎとＨＣＪ！ガス１１
　／ｍｉｎとを除去用エツチングガスとしてサセプタ−
４下面に供給したところ、サセプタ−４上面では５ｉ（
ＤＶＰＥ成長（成長速度：　　１，１ｔ！Ｉ１１／ｍ１
ｎ）が起こり、サセプタ−４下面では前回のＶＰＥ加工
によって付着し７：Ｓｉの除去（除去速度：１．３ＩＪ
ＩＲ／ｍ１ｎ）が起こった。

従って、サセプター４の上面、下面を交互に反転するこ
とにより、基板ウェーハに対するＣＶＤ加工と、サセプ
ター４に付着した反応生成物の除去とが同一チャンバー
３内で同時に行われる。

第２図は第２実施例の縦型ＣＶＤ装置を示す半裁縦断面
図で、第２実施例の縦型ＣＶＤ装置は、第１実施例のも
のが、サセプタ−４下面に対する除去用エツチングガス
の供給をエツチングガス供給路１１におけるサセプター
支え５の外側方下部から行うのに対し、エツチングガス
通路１１におけるサセプター４の外周辺下部に、エツチ
ングガス源と適宜に接続されるエツチングガス供給管１
４の供給口を配設し、かつエツチングガス通路１１にお
けるサセプター支え５の外側方下部に排気管１５の吸見
目を配設し、サセプタ−４下面に対するエツチングガス
の供給方向を逆にしたものである。

他の構成及び作用などは第１実施例のものとほぼ同様で
あるので、同一の構成部材には同一の符号を付してその
説明を省略する。

なお、第２実施例の装置においては、エツチングガス供
給管１４の供給口を円周方向の多数個所に設けることが
望ましい。

又、いずれの装置においても、サセプタ−４下面の除去
速度をサセプタ−４上面の成長速度と同等以上の速度に
することが肝要である。

［発明の効果］ 以上のように本発明によれば、サセプターを反転使用す
ることにより、サセプター上の基板ウェーハ上面に対す
るＣＶＤ加工と同時に、前回のＣＶＤ加工により付着し
たサセプター下面の反応生成物の除去が同一チャンバー
内で行われるので、従来のようにサセプターに付着した
反応生成物除去用の特別の工程を必要としない。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例を示すもので、第１図及び第２図は
それぞれ第１実施例及び第２実施例の縦型ＣＶＤ装置の
半裁縦断面図である。 １・・・ベースプレート　　２・・・石英ベルジャ３・
・・チャンバー　　　　４・・・サセプター６・・・原
料ガス供給管　　７・・・ノズル９・・・ワークコイル
　　　１０・・・シールド１１・・・エツチングガス通
路 １２・・・エツチングガス供給管 １３・・・排気孔 １４・・・エツチングガス供給管 １５・・・排気管 出　願　人　　東芝セラミックス株式会社第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. チャンバー内で基板ウェーハを支持するサセプターと、
   基板ウェーハ上面に反応生成物を堆積させる原料ガスを
   供給する原料ガス供給部と、サセプターを介して基板ウ
   ェーハを加熱する加熱源とを備えてなる縦型ＣＶＤ装置
   において、前記サセプターを反転使用可能に設け、かつ
   サセプターの下面にこの下面に付着した反応生成物の除
   去用エッチングガスを供給するエッチングガス供給部を
   設けたことを特徴とする縦型ＣＶＤ装置。