JPS63143790A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
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- JPS63143790A JPS63143790A JP61291259A JP29125986A JPS63143790A JP S63143790 A JPS63143790 A JP S63143790A JP 61291259 A JP61291259 A JP 61291259A JP 29125986 A JP29125986 A JP 29125986A JP S63143790 A JPS63143790 A JP S63143790A
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- thin film
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- Pending
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−の１
この発明は、各種の情報ディスプレイをＥＬ（電界発光
）で行う薄膜ＥＬパネル、詳しくは薄膜ＥＬマトリクス
型ディスプレイパネルの製造方法に関するものである。
）で行う薄膜ＥＬパネル、詳しくは薄膜ＥＬマトリクス
型ディスプレイパネルの製造方法に関するものである。
従】藏Ｕ支術−
薄膜ＥＬマトリクス型ディスプレイパネルの構造例を、
第３図を参照して説明する。なお、第３図の右半分はＸ
方向の断面図を示し、左手分はＸ方向と直交するＹ方向
の断面図を示す。図において、１は透明なガラス基板、
２はガラス基板１上に形成されたマトリクス型ＥＬ素子
、３はガラス基板１上でＥＬ素子２を気密封止する逆皿
状のカバーガラス、４はガラス基板１とカバーガラス３
とで構成される密閉容器、５は密閉容器４内に封入され
たＥＬ素子２の保護用のシリコンオイル等の絶縁性保護
流体である（特公昭５７−４７５５９号公報）。
第３図を参照して説明する。なお、第３図の右半分はＸ
方向の断面図を示し、左手分はＸ方向と直交するＹ方向
の断面図を示す。図において、１は透明なガラス基板、
２はガラス基板１上に形成されたマトリクス型ＥＬ素子
、３はガラス基板１上でＥＬ素子２を気密封止する逆皿
状のカバーガラス、４はガラス基板１とカバーガラス３
とで構成される密閉容器、５は密閉容器４内に封入され
たＥＬ素子２の保護用のシリコンオイル等の絶縁性保護
流体である（特公昭５７−４７５５９号公報）。
前記ＥＬ素子２は、ガラス基板１上にＩＴＯを蒸着法等
でＹ方向に所定ピッチで多数のストライプ状に形成した
透明電極６と透明電極６上を覆うＹ２Ｏ３等の透明な第
１絶縁層７と、第１絶縁層７上にそれよりも小面積に形
成されたＺｎＳ：Ｍｎ等の蛍光体よりなる発光層８と、
発光層８上にそれよりも大面積に形成された前記第１絶
縁層７と同一または異種材料よりなる第２絶縁層９と、
第２絶縁層９上に前記透明電極６と直交するＸ方向に所
定ピッチで多数のストライプ状に形成されたＡ１等より
なる背面電極ｌＯとで構成されている。
でＹ方向に所定ピッチで多数のストライプ状に形成した
透明電極６と透明電極６上を覆うＹ２Ｏ３等の透明な第
１絶縁層７と、第１絶縁層７上にそれよりも小面積に形
成されたＺｎＳ：Ｍｎ等の蛍光体よりなる発光層８と、
発光層８上にそれよりも大面積に形成された前記第１絶
縁層７と同一または異種材料よりなる第２絶縁層９と、
第２絶縁層９上に前記透明電極６と直交するＸ方向に所
定ピッチで多数のストライプ状に形成されたＡ１等より
なる背面電極ｌＯとで構成されている。
口（よ１．Ｉ＋
前記ＥＬ素子作製の際各層成膜工程においては、最初に
透明なガラス基板を洗浄するものの、以後真空成膜装置
で順次成膜した各層表簡に何ら処理（洗浄処理）を施す
ことなく、順次各層を重ねて成膜していく方法が一般的
であった。この方法では、真空成膜装置内において排気
やベント、装置内の汚れ等の影響により基板が汚染され
、異物等が成膜表面に付着したりすることがある。真空
成膜装置を使用する限り、この問題を回避することはで
きない。この様にして装置内で基板に付着した異物は窒
素等のブローでは取り除（ことはできない。基板に付着
した異物は、結局は素子（膜）中にとりこまれたりして
、ＥＬ素子の絶縁破壊の一因となったり、後工程の裏面
電極形成時においてパターニング不良の原因となったり
する問題点があった。
透明なガラス基板を洗浄するものの、以後真空成膜装置
で順次成膜した各層表簡に何ら処理（洗浄処理）を施す
ことなく、順次各層を重ねて成膜していく方法が一般的
であった。この方法では、真空成膜装置内において排気
やベント、装置内の汚れ等の影響により基板が汚染され
、異物等が成膜表面に付着したりすることがある。真空
成膜装置を使用する限り、この問題を回避することはで
きない。この様にして装置内で基板に付着した異物は窒
素等のブローでは取り除（ことはできない。基板に付着
した異物は、結局は素子（膜）中にとりこまれたりして
、ＥＬ素子の絶縁破壊の一因となったり、後工程の裏面
電極形成時においてパターニング不良の原因となったり
する問題点があった。
＋Ｊ
こ の本発明は上記問題点を解決するために提
案されたもので、少なくとも第１絶縁層成膜後に基板洗
浄処理を行い付着した異物をとり除くことを特徴とする
。
こ の本発明は上記問題点を解決するために提
案されたもので、少なくとも第１絶縁層成膜後に基板洗
浄処理を行い付着した異物をとり除くことを特徴とする
。
１皿
上記手段によれば作製した素子中の異物は激減する。よ
ってＥＬ素子の絶縁破壊や裏面電極形成時のパターニン
グ不良がなくなり、無欠陥の薄膜ＥＬマトリクス型ディ
スプレイパネルが得られる。
ってＥＬ素子の絶縁破壊や裏面電極形成時のパターニン
グ不良がなくなり、無欠陥の薄膜ＥＬマトリクス型ディ
スプレイパネルが得られる。
炎五阻
以下、この発明の実施例について、図面を茶類して説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例の薄膜ＥＬパネルの製造方法
の工程図を示し、第２図は同じく薄膜ＥＬ素子の断面図
である。図において２２は薄膜’Ｅ Ｌ素子でガラス基
板２１上に透明電極２６が形成され、その上に第１絶縁
層２７が積層されている。さらにその上に順次、発光層
２８．第２絶縁層２９さらに背面電極３０か形成されて
いる。
の工程図を示し、第２図は同じく薄膜ＥＬ素子の断面図
である。図において２２は薄膜’Ｅ Ｌ素子でガラス基
板２１上に透明電極２６が形成され、その上に第１絶縁
層２７が積層されている。さらにその上に順次、発光層
２８．第２絶縁層２９さらに背面電極３０か形成されて
いる。
以上のＥＬ素子を作製するために、まずガラス基板１を
第１図に示す方法で洗浄する。
第１図に示す方法で洗浄する。
すなわち、まずハイプレンシャー純水洗Ｔ９（Ａ）（Ｃ
）は、８００〜１３００ｐｓ４のハイプレッシャー純水
をノズルから、回転させた基板に掃射して行う。
）は、８００〜１３００ｐｓ４のハイプレッシャー純水
をノズルから、回転させた基板に掃射して行う。
次に、スピンブラシ洗１（Ｂ）は、ノニオン系界［ｍ活
性剤を使用して、ナイロン製のブラシ（０，１ｍｍφ）
を回転（１００〜３００ｒｐ■）させて基板をこすって
行う。純水リンス（Ｄ）は、回転させた基板上へ５０〜
１００ｐｓ＋の純水を吹きつけて行う。赤外線ランプ、
スピン乾燥（Ｅ）は、赤外線ランプによる熱線照射と、
基板を高速回転（２０００〜２５００ｒｐｍ ）するこ
とにより行う。
性剤を使用して、ナイロン製のブラシ（０，１ｍｍφ）
を回転（１００〜３００ｒｐ■）させて基板をこすって
行う。純水リンス（Ｄ）は、回転させた基板上へ５０〜
１００ｐｓ＋の純水を吹きつけて行う。赤外線ランプ、
スピン乾燥（Ｅ）は、赤外線ランプによる熱線照射と、
基板を高速回転（２０００〜２５００ｒｐｍ ）するこ
とにより行う。
なお、上記の純水、界面活性剤は０゜２２μｍのフィル
タを通して用いた。
タを通して用いた。
このようにして洗浄したガラス基板１の上に透明電極２
Ｂを形成する。透明電極２６成膜後、２回目の洗浄を行
い、この上に第１絶縁層２７を積層する。
Ｂを形成する。透明電極２６成膜後、２回目の洗浄を行
い、この上に第１絶縁層２７を積層する。
第１絶縁層形成後、３回目の洗浄を行い、この上形成す
る。
る。
上記の方法により、９０％を越える歩留りで無欠陥の薄
膜ＥＬパネルが得られた。また、第１絶縁層２７の成膜
後の洗浄工程を省略した場合は対向電極間で短絡が起こ
り。この洗浄工程は必須であることが判明した。これに
対し、従来の各層成膜工程間で洗浄を行わない方法では
無欠陥の薄膜ＥＬ素子が得られなかった（歩留り＝０．
６％）。
膜ＥＬパネルが得られた。また、第１絶縁層２７の成膜
後の洗浄工程を省略した場合は対向電極間で短絡が起こ
り。この洗浄工程は必須であることが判明した。これに
対し、従来の各層成膜工程間で洗浄を行わない方法では
無欠陥の薄膜ＥＬ素子が得られなかった（歩留り＝０．
６％）。
たたし、成膜面上に若干ブラシの跡等の洗浄度が見られ
ることがあり、実際に駆動する電圧以下で光らせた場合
洗浄度が見える。しかし、実際に駆動する電圧では全く
自立たな（なり実用上問題はない。
ることがあり、実際に駆動する電圧以下で光らせた場合
洗浄度が見える。しかし、実際に駆動する電圧では全く
自立たな（なり実用上問題はない。
また、上記方法で発光層成膜後洗浄を行わないのは、現
在発光層の膜の付着強度が低いことが多く、洗浄度が強
くなる傾向かあるからで、発光層の膜の付着強度を高め
れば同様の洗浄工程を付加することができる。
在発光層の膜の付着強度が低いことが多く、洗浄度が強
くなる傾向かあるからで、発光層の膜の付着強度を高め
れば同様の洗浄工程を付加することができる。
発朋！戚１Ｌ
本発明によれば製作した薄膜ＥＬ素子中の異物は激減し
、よって薄膜ＥＬ素子の絶縁破壊や裏面電極形成時のパ
ターニング不良がなくなり、容易に無欠陥の薄膜ＥＬパ
ネルを得ることができる。
、よって薄膜ＥＬ素子の絶縁破壊や裏面電極形成時のパ
ターニング不良がなくなり、容易に無欠陥の薄膜ＥＬパ
ネルを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の洗浄工程図、第２図は本発
明の製造方法の容量を説明するための薄膜ＥＬパネルの
断面図、第３図は薄膜ＥＬパネルの従来例を示す断面図
である。 （１）、（２１）・・・ガラス基板、 （２）、（２２）・・・薄膜ＥＬ素子、（３）・・・カ
バーガラス、 （４）・・・密閉容器、 （５）・・・絶縁性保護流体、 （Ｇ）、（２Ｇ）・・・透明電極、 （７）、（２７）・・・第１絶縁層、 （８）、（２８）・・・発光層、 （９）、（２９）・・・第２絶縁層、 （１０）、（３０）・・・背面電極。 茶１１図 洗第二托図 第 ２ 図 １１ＥＬマトソ７スをテ７スアしく７Ｑ＞ｌしの注）「
伍旧Ｚ第 ３ （ζ１
明の製造方法の容量を説明するための薄膜ＥＬパネルの
断面図、第３図は薄膜ＥＬパネルの従来例を示す断面図
である。 （１）、（２１）・・・ガラス基板、 （２）、（２２）・・・薄膜ＥＬ素子、（３）・・・カ
バーガラス、 （４）・・・密閉容器、 （５）・・・絶縁性保護流体、 （Ｇ）、（２Ｇ）・・・透明電極、 （７）、（２７）・・・第１絶縁層、 （８）、（２８）・・・発光層、 （９）、（２９）・・・第２絶縁層、 （１０）、（３０）・・・背面電極。 茶１１図 洗第二托図 第 ２ 図 １１ＥＬマトソ７スをテ７スアしく７Ｑ＞ｌしの注）「
伍旧Ｚ第 ３ （ζ１
Claims (2)
- （１）透光性基板上に、透明電極、第１絶縁層、発光層
、第２絶縁層及び背面電極を順次積層してなる薄膜ＥＬ
パネルの製造方法において、 少なくとも前記第１絶縁層成膜後に基板洗浄を行う工程
を含むことを特徴とする薄膜ＥＬパネルの製造方法。 - （２）上記基板洗浄工程は、高圧純水洗浄，スピンブラ
シ洗浄を含む、特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜Ｅ
Ｌパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291259A JPS63143790A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291259A JPS63143790A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143790A true JPS63143790A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17766549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61291259A Pending JPS63143790A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143790A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017159257A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 住友化学株式会社 | 電極付き基板の製造方法及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61291259A patent/JPS63143790A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017159257A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 住友化学株式会社 | 電極付き基板の製造方法及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
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