JPS6314319A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置などの磁気的記憶装置に用い
られる磁気記憶体に関する。

〔従来の技術〕

磁気ディスク装置では、強磁性の金属薄膜を媒体として
有する磁気記憶体（磁気ディスク）が用いられ始めてい
るが、該磁気記憶体は磁気ヘッドとの繰り返しの接触、
すなわちａＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）に
耐えられるだけの機械的耐久性と腐食環境における十分
な耐食性を維持するための保護膜を持つことが必要であ
る。

従来、保護膜としてＳ　ｉ　Ｏ２にフッ素系有機化合物
などの潤滑剤を塗布したものが提案されているが、単に
Ｓ　ｉ　０２層上に潤滑剤を塗布しただけでは、ａＳＳ
の繰り返しにより、その表面にクラックが生じる場合が
多く、また、電磁変換特性のスペーシングロスを抑える
ためにＳｉｎ、膜厚を１ｏｏｏＸ以下にすると、ピンホ
ールが多発するため、耐食性が不十分になってしまうと
いう問題があった。

他方、公知の技°術である炭素質膜は、優れた潤滑性を
持つが、導電体であるため、金属磁性媒体上に直接被覆
された場合はもとより、８１０２などの酸化物上に被覆
された場合でも、水分が吸着するとそれらの・酸化物の
ピンホールを介して金属磁性媒体と局部電池を形成する
ため腐食を助長してしまうという欠点かあった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述のように従来の技術では金属磁性媒体をもつ磁気記
憶体の長期的な機械的信頼性および耐食性を十分に確保
できないという問題点を有していた０ そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは、金属磁性媒体上に酸化物
膜、ケイ酸微粒子と有機高分子の混合物膜、潤滑性有機
化合物膜を積層することにより、長期的な機械的信頼性
と耐食性に優れた磁気記憶体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の磁気記憶体は、基体上に金属磁性媒体を形成し
た後、５１０２、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｔｉｅ、　、
Ｔａ２Ｏ，、Ｎｂ２Ｏ３、から選ばれる少なくとも一種
の酸化物を被覆する。膜厚は２００〜５ｏｏＸでよく、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法およびＣＶＤ法で形成可能である。

次に形成するケイ酸微粒子と有機高分子の混合物層は、
アルコールに分散させた粒径７０〜２００次のケイ酸ゾ
ルと、ポリアミド樹脂、エボキン樹脂、アクリル樹脂、
ポリプロピレンなどから選ばれる８０℃以斗で軟化を示
さない有機高分子材料とを、一定量有機溶剤に溶解し、
ディッピングやスピンフート法、スプレー法などで形成
する。

膜厚は５００Ｘ以下が好ましく、耐量の硬化形態に応じ
て、適当時間、常温放置、紫外線照射、加熱などを行な
う。

さらに最上部に被覆する潤滑性を有する有機化合物は融
点８０℃以上で、炭素数８以上の極性基を有するものが
好ましく、特にカルボン酸の金属塩がよい。膜厚は３０
〜２００χが最もよい。被覆は有機溶剤に溶解し、ディ
ッピング法、スピンフート法、スプレー法により行うこ
とができる。

ここで使用する溶剤は、下層に形成した樹脂を溶解しな
いものとする。

ここで被覆する潤滑性有機化合物は融点が８０℃以下で
あると、高温下で気化したり、下の樹脂層に含浸したり
するので、効果を発揮し難くなる口〔作　用〕 本発明による金属磁性媒体上の保護膜構成によれば、酸
化物層上に設けた適度の硬度をもつケイ酸微粒子と有機
高分子の混合物層が磁気ヘッドの繰り返しの接触で与え
られる衝撃を効果的に吸収し、かつ、該混合物層は潤滑
剤も保持し易いため、従来、Ｓ　ｉ　Ｏ２＋潤滑剤など
の膜構成では成し得なかった。耐衝撃性耐摩耗性の飛躍
的な向上を実現し、長期的な機械的信頼性を高めろこと
ができた〇 一方、酸化物膜を１０００Ｘ以下の膜厚にするとピンホ
ールが多数発生するが、そのピンホールの大半はその上
層に設けたケイ酸微粒子と有機高分子の混合物層により
カバーされる。すなわち、そのピンホール遮へい効果が
、耐食性も飛躍的に高める結果となった。

〔実施例〕

；直径９５　ｍのアルミニウム合金ディスク基板上７′
に無電解Ｎ　ｉ　−Ｐ非磁性メッキを約２０μｍの膜厚
で形成し、ポリツシングにより約３μｍ研摩し表面粗さ
も００３μｍ以下にした。

次に金属磁性媒体とて、表１中の実施例１〜３について
は、上述の研摩後のＮ１−Ｐ上に・マグネトロンスパッ
タ法により、ＯｒをａｏｏＸ形成後、連続的にｃｏ　−
Ｎ　ｉ　−Ｃ！　ｒ合金（Ｏｏ　−３０ａｔｍ％Ｎ　ｉ
　−ｚ５　ａｔｍ％ｃｒ）を７００Ｘ形成した。実施例
４〜７については、金属磁性媒体として、該Ｎ１−Ｐ上
に無電解メッキによりｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金皮膜を７００
久形成した・以下表中の実施例において、酸化物層はマ
グネトロンスパッタにより形成し、ケイ酸微粒子と有機
高分子の混合物層においては、ケイ酸微粒子はイソプロ
ピルアルコールにケイ酸ゾルを分散させたいわゆるオル
ガノゾル（触媒化成工業製０ＳＣＡＬ、ケイ酸ゾル粒径
１０〜２０　ｎｍ　）を用い、これを表に示すような有
機高分子とともに、それぞれ０．０２　ｗ／ｖ％の割合
で、イソプロピルアルコールとトルエンの混合溶剤、も
しくは、イソプロピルアルコールと塩化メチレンの混合
溶剤に溶解し・スピンコード法もしくはディピング法に
より被覆し、適当な方法で硬化さぞた。膜厚はスピンコ
ードでは液量と回転速度により、ディッピング法では引
き上げ速度により調整した。

次に最上層の潤滑性有機化合物層は、それぞれメタノー
ルとエタノールの１：１混合溶剤に００２　ｗ／ｖ％で
溶解したものをスピンコード法で塗布した。

実施例で作製したディスクの品質評価はａＳＳ試験と耐
湿試験により行なった（表３）。

ａＳＳ試験はａＳＳ前後の外観変化、静摩擦係数μ３と
出力低下率を求めた。

耐湿試験は８０℃、８０％ＲＨの環境にディスクを放置
し、放置時間の経過を追って、ミクシングピット数を確
認し、その増加時点を寿命とした。

表１．　実施例 ※１　ケイ酸すルと一緒に用いた有機高分子のみ記載 ×２　ポリマイド５−４０に、三洋化成工業製※３　マ
ラルダイトＡ’Ｖ１３８、チバガイギー社製×４　ダイ
ヤナールＢＲレジン、三菱レイヨン社製 ※５　徳山曹達製 表２　比較例 表′Ｊ５　　品質評価結果 °〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明の保護膜により金属磁性媒体
を有する磁気記憶体について、耐機械的衝撃性、耐摩耗
性、および耐食性を飛躍的に向上させることができ、長
期信頼性に優れた製品の供給が可能になった。また、本
発明の膜構成のうち、ケイ酸微粒子と有機高分子の混合
物膜と潤滑層の積層構造はγ−Ｆ０２０３などの酸化物
磁性体を用いた磁気記憶体の保護膜としても有効である
。

以　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に金属磁性媒体を被覆した後、この金属磁性媒体
   上に少なくとも一種の酸化物を被覆し、さらに該酸化物
   層上に、ケイ酸微粒子と有機高分子からなる層が形成さ
   れ、さらにその上部に潤滑性を有する融点８０℃以上の
   有機化合物が被覆されたことを特徴とする磁気記憶体。