JPS63133329A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS63133329A JPS63133329A JP61278580A JP27858086A JPS63133329A JP S63133329 A JPS63133329 A JP S63133329A JP 61278580 A JP61278580 A JP 61278580A JP 27858086 A JP27858086 A JP 27858086A JP S63133329 A JPS63133329 A JP S63133329A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は記録材料として強誘電性高分子物質と550〜
900 ntaの波長域に吸収極大を有する二色性色素
とを用いた光記録媒体に関する。
900 ntaの波長域に吸収極大を有する二色性色素
とを用いた光記録媒体に関する。
[従来技術]
強誘電性メモリーとしてPLZTや
B14Ti301□などの無機系の強誘電性物質を用い
ることが知られているが(Pr1nciples an
d^pplications of Ferroele
ctrics and RelatedMateria
ls、 1977、0xford Universit
y Pressp、578−589)、これらの物質は
一般的に薄膜化、均一化が困難であることから記録密度
の高いメモリーを作製しにくいという問題がある。
ることが知られているが(Pr1nciples an
d^pplications of Ferroele
ctrics and RelatedMateria
ls、 1977、0xford Universit
y Pressp、578−589)、これらの物質は
一般的に薄膜化、均一化が困難であることから記録密度
の高いメモリーを作製しにくいという問題がある。
また、有機系の強誘電性物質を用いる例としてフッ化ビ
ニリデン系重合膜を用いた2次元メモリーが提案(特開
昭61−105792号公報)されているが読出し方法
に問題がある。すなわち、電気的検出方法では電極パタ
ーンの解像力に制限があり高密度化できない。光学的検
出方法では記録材料が可視部に吸収をもっていないこと
から光学系装置が大型になりまたコントラスト(S/N
比)が大きくとれない、その他、強誘電性メモリーに関
し記録方法、特性工種々の改良が検討されているが読出
し方法について依然問題が残っており実用化にあたって
障害となっていた。
ニリデン系重合膜を用いた2次元メモリーが提案(特開
昭61−105792号公報)されているが読出し方法
に問題がある。すなわち、電気的検出方法では電極パタ
ーンの解像力に制限があり高密度化できない。光学的検
出方法では記録材料が可視部に吸収をもっていないこと
から光学系装置が大型になりまたコントラスト(S/N
比)が大きくとれない、その他、強誘電性メモリーに関
し記録方法、特性工種々の改良が検討されているが読出
し方法について依然問題が残っており実用化にあたって
障害となっていた。
[目 的]
本発明は上記問題にかんがみてなされたものであって、
その目的は記録および再生を共に光で行うことができ、
感度が高くかつS/N比が良好な光記録媒体を提供する
ことにある。
その目的は記録および再生を共に光で行うことができ、
感度が高くかつS/N比が良好な光記録媒体を提供する
ことにある。
[格 成]
上記目的を達成するために本発明は光記録媒体における
記録層として強誘電性高分子物質に加えて550〜90
0 nAの波長域に吸収極大を有する二色性色素を用い
ることを特徴としている。
記録層として強誘電性高分子物質に加えて550〜90
0 nAの波長域に吸収極大を有する二色性色素を用い
ることを特徴としている。
本発明における強誘電性高分子物質は薄膜状に塗布する
ことができかつポーリングにより強誘電性を付与できる
ものであればよく、その代表的な例としてはフッ化ビニ
リデンとトリフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビニ
リデンとテトラフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビ
ニリデンとへキサフルオロプロピレンの共重合体、フッ
化ビニリデン、トリフルオロエチレンおよびトリクロロ
エチレンの共重合体、フッ化ビニリデン、トリフルオロ
エチレンおよびヘキサフルオロプロピレンの共重合体お
よびシアノビニリデンとビニルアセテートの共重合体な
どがあげられるが、フッ化ビニリデンとトリフルオロエ
チレンの共重合体が最も好ましい。
ことができかつポーリングにより強誘電性を付与できる
ものであればよく、その代表的な例としてはフッ化ビニ
リデンとトリフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビニ
リデンとテトラフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビ
ニリデンとへキサフルオロプロピレンの共重合体、フッ
化ビニリデン、トリフルオロエチレンおよびトリクロロ
エチレンの共重合体、フッ化ビニリデン、トリフルオロ
エチレンおよびヘキサフルオロプロピレンの共重合体お
よびシアノビニリデンとビニルアセテートの共重合体な
どがあげられるが、フッ化ビニリデンとトリフルオロエ
チレンの共重合体が最も好ましい。
また、本発明における二色性色素は従来の強請電性メモ
リーの読出し方法に改良をもたらすものであって、光に
よる読出しを容易にするために用いられる。かかる二色
性色素の例をあければ次の通りである。
リーの読出し方法に改良をもたらすものであって、光に
よる読出しを容易にするために用いられる。かかる二色
性色素の例をあければ次の通りである。
アントラ≧ノン系
(D−1) NH,、OHOHNH,。
(D−2) u n
(D−3)HHNH2N
5R6R7
今0C2H5HH
舎QC7H15H)(
アントラキノン系 (続き)
CD−5)ノl〃ツノ
CD−6) OHNH2NH20H
5R6R7
−coo()7H,5HH
H5ONa 5o3Na
HHH
その他
OO
○ 0
11i
その他
その他
本発明の記録層は第1図に示すようにその分極状態が印
加電界の変化に対応して変化しまた第2図に示すように
その分極状態が温度を高くすると消滅する。したがって
、記録は2つの方法によって行うことができる。第1の
方法は第1図の特性を利用し電界を使用して分極状態と
して書き込む方法であって例えば電界の印加を記録層の
上下に直接パターン状に配置して記録部にのみ電界を印
加する方法や記録層と光半導体膜を積層化しその上下全
面に電極を設は電界印加と光により記録する方法などが
ある。第2の方法は第2図の特性を利用したもので分極
状態の記録層を局所的に加熱し分極を消失させ情報を記
録する方法である。加熱はレーザ等の光ビームとサーマ
ルヘッド等によって行なわれる。
加電界の変化に対応して変化しまた第2図に示すように
その分極状態が温度を高くすると消滅する。したがって
、記録は2つの方法によって行うことができる。第1の
方法は第1図の特性を利用し電界を使用して分極状態と
して書き込む方法であって例えば電界の印加を記録層の
上下に直接パターン状に配置して記録部にのみ電界を印
加する方法や記録層と光半導体膜を積層化しその上下全
面に電極を設は電界印加と光により記録する方法などが
ある。第2の方法は第2図の特性を利用したもので分極
状態の記録層を局所的に加熱し分極を消失させ情報を記
録する方法である。加熱はレーザ等の光ビームとサーマ
ルヘッド等によって行なわれる。
一方、読出しは既に知られているような強誘電特性の焦
電効果を利用して光または熱による焦電電流を検出して
行ってもよいが本発明の特徴は前述したように二色性色
素を用いて光による読出しが容易になった点にある0本
発明の二色性色素はそのマトリックス(!!誘電性高分
子物質)の分子集合状態に依存した分子配向をとりその
結果色素の吸引波長で二色性を示す特徴を有する。した
がって、マトリックスの分子集合状態の変化(分極状態
の反転もしくは消失)に伴い二色性色素の配向状態も変
化しその結果偏光に対する光学濃度の変化またはカー回
転角の変化としてあられれ検知できる。つまり、信号の
読出しはより微弱な偏光したレーザスポットを照射し記
録部の透過または反射光量差あるいはその偏光面の変化
として検出できる。もちろん、レーザ以外の偏光した非
単色光でも可能である。また、本発明の記録層は書込み
後になんらかの処理を施すことにより未記録時の状態に
戻すことが可能である4例えば、上記第2の記録方法で
は記録後加熱および反転分極処理により未記録時の状態
にすることが可能で上記第1の記録方法では加熱急冷す
ることにより可能である。つまり、本発明の記録層は可
逆メモリー材料としての使用が期待できる。
電効果を利用して光または熱による焦電電流を検出して
行ってもよいが本発明の特徴は前述したように二色性色
素を用いて光による読出しが容易になった点にある0本
発明の二色性色素はそのマトリックス(!!誘電性高分
子物質)の分子集合状態に依存した分子配向をとりその
結果色素の吸引波長で二色性を示す特徴を有する。した
がって、マトリックスの分子集合状態の変化(分極状態
の反転もしくは消失)に伴い二色性色素の配向状態も変
化しその結果偏光に対する光学濃度の変化またはカー回
転角の変化としてあられれ検知できる。つまり、信号の
読出しはより微弱な偏光したレーザスポットを照射し記
録部の透過または反射光量差あるいはその偏光面の変化
として検出できる。もちろん、レーザ以外の偏光した非
単色光でも可能である。また、本発明の記録層は書込み
後になんらかの処理を施すことにより未記録時の状態に
戻すことが可能である4例えば、上記第2の記録方法で
は記録後加熱および反転分極処理により未記録時の状態
にすることが可能で上記第1の記録方法では加熱急冷す
ることにより可能である。つまり、本発明の記録層は可
逆メモリー材料としての使用が期待できる。
次に、図面について本発明による光記録媒体の構成を説
明する。
明する。
第3図に示すように、光記録媒体の1例は基板1の表面
に設けられた電極2の上に記録層3を形成しさらにその
上に電極2′を設けたものである。
に設けられた電極2の上に記録層3を形成しさらにその
上に電極2′を設けたものである。
また、光記録媒体の別の例は第4図に示すように記録層
3の下に下引き層4を設けたものである。
3の下に下引き層4を設けたものである。
さらに、図示していないが記録層3の上に保護層を設け
てもよいしあるいは空間を介して他の基板と貼合せたエ
アーサンドイッチ構造としてもよい。
てもよいしあるいは空間を介して他の基板と貼合せたエ
アーサンドイッチ構造としてもよい。
基板としては有機、無機のガラス、セラミック、プラス
チック例えばポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、
ポリエチレン、ポリカーボネートなどが用いられる。電
極は上述した記録方法に従い全面電極としてもよくある
いは記録層をはさんだマトリックス構造としてもよい、
ただし電極は光ビームで記録再生する方向側にあるもの
は透明電極でなければならない、なお、基板の表面に設
けられる電極の形成手段としては蒸着法、スパッタリン
グ、電気的・化学的メッキ、銀ベーストなどの塗布、プ
リント印刷、Ni 、AfJ、Cr 、Auなどの金属
箔を基板に接着または融着するなど通常の方法を採用す
ることができる。
チック例えばポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、
ポリエチレン、ポリカーボネートなどが用いられる。電
極は上述した記録方法に従い全面電極としてもよくある
いは記録層をはさんだマトリックス構造としてもよい、
ただし電極は光ビームで記録再生する方向側にあるもの
は透明電極でなければならない、なお、基板の表面に設
けられる電極の形成手段としては蒸着法、スパッタリン
グ、電気的・化学的メッキ、銀ベーストなどの塗布、プ
リント印刷、Ni 、AfJ、Cr 、Auなどの金属
箔を基板に接着または融着するなど通常の方法を採用す
ることができる。
本発明における記録層は強誘電性高分子物質と二色性色
素とを例えばジメチルホルムアミドのような溶媒に溶解
した溶液を例えば予め電極が設けられた基板に塗布して
形成される。塗布法としてはスピナー法、浸漬引き上げ
法、スプレー法、エアーナイフ法、ロールコータ−法な
どを用いることができる。記録層の膜厚は500人〜1
0μm好ましくは1000人〜1μmの範囲にある。な
お、記録層の形成にあたっては強誘電性高分子物質対二
色性色素の重量比は99:1〜50:50好ましくは9
5:5〜70 : 30とする必要がある。また、記録
層には上記成分の他に安定剤、分散剤、界面活性剤など
が含有されていてもよい。
素とを例えばジメチルホルムアミドのような溶媒に溶解
した溶液を例えば予め電極が設けられた基板に塗布して
形成される。塗布法としてはスピナー法、浸漬引き上げ
法、スプレー法、エアーナイフ法、ロールコータ−法な
どを用いることができる。記録層の膜厚は500人〜1
0μm好ましくは1000人〜1μmの範囲にある。な
お、記録層の形成にあたっては強誘電性高分子物質対二
色性色素の重量比は99:1〜50:50好ましくは9
5:5〜70 : 30とする必要がある。また、記録
層には上記成分の他に安定剤、分散剤、界面活性剤など
が含有されていてもよい。
下引き眉は接着性の向上、水またはガスなどのバリヤー
、記録層の保存安定性の向上および反射率の向上、溶剤
からの基板の保護、プレグルーブの形成などを目的とし
て使用される。、下引き層の材料としては目的に応じて
高分子材料(ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂など)、無
機化合物(SiO、MgF 、TiO、Ti N。
、記録層の保存安定性の向上および反射率の向上、溶剤
からの基板の保護、プレグルーブの形成などを目的とし
て使用される。、下引き層の材料としては目的に応じて
高分子材料(ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂など)、無
機化合物(SiO、MgF 、TiO、Ti N。
SiNなど)、金属または半金Q(Zn、Cu。
S、Ni 、Cr 、Ge 、Ajなど)などを用いる
ことができる。下引き層の膜厚は0.1〜30μm好ま
しくは0.2〜10μmが適当である。
ことができる。下引き層の膜厚は0.1〜30μm好ま
しくは0.2〜10μmが適当である。
保護層は記録層をキズ、ホコリ、汚れなどから保護する
こと、記録層の保存安定性および反射率の向上を目的と
して設けられ、その材料としては下引き層と同じ材料を
使用することができる。保護層の膜厚は005μm以上
好ましくは5μm以下が適当である。
こと、記録層の保存安定性および反射率の向上を目的と
して設けられ、その材料としては下引き層と同じ材料を
使用することができる。保護層の膜厚は005μm以上
好ましくは5μm以下が適当である。
[効 果〕
本発明の記録層は従来のフッ化ビニリデン共重合体のみ
を含む記録層に比べて、可視部に大きな分子吸光係数を
有する二色性色素を含むために高感度化し、また近赤外
部に吸収を有する色素を使用すれば半導体レーザが使用
でき装置の小型化も可能である。また、情報の書込みと
読出しを共に光(同一光源でもよい)でできるので従来
の光読出しに比べてコントラストとS/N比を格段に高
めることができる。
を含む記録層に比べて、可視部に大きな分子吸光係数を
有する二色性色素を含むために高感度化し、また近赤外
部に吸収を有する色素を使用すれば半導体レーザが使用
でき装置の小型化も可能である。また、情報の書込みと
読出しを共に光(同一光源でもよい)でできるので従来
の光読出しに比べてコントラストとS/N比を格段に高
めることができる。
[実 施 例]
以下に実施例をあげて本発明をさらに説明するが本発明
はこれらのみに限定されるものではない。
はこれらのみに限定されるものではない。
実施例 1
ガラス板上にlを真空蒸着して第1の電極を設けた上に
75/25モル比のフッ化ビニリデン/トリフルオロエ
チレン共重合体と前掲例示の二色性色素(D−2>とを
8/2重量比の組成でジメチルホルムアミドに溶解させ
てスピナー塗布し乾燥後膜J¥ 3000人の記録層を
形成させた。その上に■n203を真空蒸着して第2の
電極を設けた後150°Cで1時間熱処理した後この両
電極間に30Vの電圧を数回反転分極処理して記録媒体
を作製した。
75/25モル比のフッ化ビニリデン/トリフルオロエ
チレン共重合体と前掲例示の二色性色素(D−2>とを
8/2重量比の組成でジメチルホルムアミドに溶解させ
てスピナー塗布し乾燥後膜J¥ 3000人の記録層を
形成させた。その上に■n203を真空蒸着して第2の
電極を設けた後150°Cで1時間熱処理した後この両
電極間に30Vの電圧を数回反転分極処理して記録媒体
を作製した。
この記録媒体を回転させながら偏光したヘリウムネオン
レーザ(媒体面パワー6mW、ビーム径1.6μm)で
第2の電極面上より記録層にフォーカシングし0.5
MH2のパルス状に照射した。線速1.5 m/sec
、次に上記レーザの出力を1mWとし連続発振して記
録部に照射し反射光差をフォトダイオードで検出し読出
した結果47dBのC/Nが得られた。この信号は上述
した前処理により完全に消失し再書込みの結果C/Nは
44dBであった。
レーザ(媒体面パワー6mW、ビーム径1.6μm)で
第2の電極面上より記録層にフォーカシングし0.5
MH2のパルス状に照射した。線速1.5 m/sec
、次に上記レーザの出力を1mWとし連続発振して記
録部に照射し反射光差をフォトダイオードで検出し読出
した結果47dBのC/Nが得られた。この信号は上述
した前処理により完全に消失し再書込みの結果C/Nは
44dBであった。
実施例 2
実施例1で作製した記録媒体を180°Cで均一加熱し
急冷した。この記録媒体に15Vの電圧を印加しながら
実施例1と同様にして記録再生した結果45dBのC/
Nが得られた。
急冷した。この記録媒体に15Vの電圧を印加しながら
実施例1と同様にして記録再生した結果45dBのC/
Nが得られた。
実施例 3
実施例1における二色性色素の代りに前掲例示色素D−
14を用いた以外には実施例1と同様にして記録媒体を
作製した。記録再生条件を半導体レーザ(790間)、
媒体面パワー4mW、ビーム径1.6 μm 、 0.
5 MHz 、 1.2 m/ SeCとして同様に評
価したところ、46dBのC/Nを得た。
14を用いた以外には実施例1と同様にして記録媒体を
作製した。記録再生条件を半導体レーザ(790間)、
媒体面パワー4mW、ビーム径1.6 μm 、 0.
5 MHz 、 1.2 m/ SeCとして同様に評
価したところ、46dBのC/Nを得た。
実施例 4
実施例1における二色性色素の代りに前掲例示色素D−
17を用いた以外には実施例1と同様にして記録媒体を
作製したところ45dBのC/Nを得た。
17を用いた以外には実施例1と同様にして記録媒体を
作製したところ45dBのC/Nを得た。
実施例 5
実施例1における第2の電極上へアクリル系フォトポリ
マーを3μm塗布した後光硬化させたところIn2O3
電極が保護されC/Nは実施例1のものと同じであった
がさつ偶作が向上した。
マーを3μm塗布した後光硬化させたところIn2O3
電極が保護されC/Nは実施例1のものと同じであった
がさつ偶作が向上した。
比較例 1
実施例1において二色性色素を添加しない以外には実施
例1と同様にして記録媒体を作製したが、反射光で信号
は再生できなかった。
例1と同様にして記録媒体を作製したが、反射光で信号
は再生できなかった。
比較例 2
実施例3において二色性色素を添加しない以外には実施
例3と同様にして記録媒体を作製したが、反射光で信号
は再生できなかった。
例3と同様にして記録媒体を作製したが、反射光で信号
は再生できなかった。
第1図および第2図は本発明に係る記録媒体の記録の原
理を示す図であり、第3図および第4図は本発明に係る
記録媒体の構成を示す図である。 1・・・基板 2,2′・・・電極3・・・記録層
4・・・下引き層第1図 分槽CP) 第2図 イ?14屯(Pン
理を示す図であり、第3図および第4図は本発明に係る
記録媒体の構成を示す図である。 1・・・基板 2,2′・・・電極3・・・記録層
4・・・下引き層第1図 分槽CP) 第2図 イ?14屯(Pン
Claims (1)
- 強誘電性高分子物質と550〜900nmの波長域に吸
収極大を有する二色性色素とを主体とする記録層を有す
ることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61278580A JPS63133329A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61278580A JPS63133329A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63133329A true JPS63133329A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17599242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61278580A Pending JPS63133329A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63133329A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02155690A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-14 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光記録媒体 |
KR960030149A (ko) * | 1995-01-28 | 1996-08-17 | 김광호 | 유기광기록매체 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61278580A patent/JPS63133329A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02155690A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-14 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光記録媒体 |
KR960030149A (ko) * | 1995-01-28 | 1996-08-17 | 김광호 | 유기광기록매체 |
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