JPH04838B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザビームによつて高密度に情報を
記録し、読み出す装置の記録媒体に関するもので
ある。
記録し、読み出す装置の記録媒体に関するもので
ある。
金属や色素材料をデイスク面に薄膜状に塗布し
この塗布面上にレーザビームを集光照射すること
によつて金属や色素を加熱蒸発させて情報を記録
し、またこの情報を読み出す方式の記録技術は、
高密度の記録が可能であること、現像等の処理を
必要としないことなどの特長を有し、ビデオ再生
装置や大容量光メモリへの適用が行われている。
この塗布面上にレーザビームを集光照射すること
によつて金属や色素を加熱蒸発させて情報を記録
し、またこの情報を読み出す方式の記録技術は、
高密度の記録が可能であること、現像等の処理を
必要としないことなどの特長を有し、ビデオ再生
装置や大容量光メモリへの適用が行われている。
このような記録媒体として金属と色素材料を較
べたとき、金属薄膜は色素薄膜に較べて耐薬品性
長期安定性に優れている。金属薄膜として用いら
れている代表的な材料はビスマス（Bi）やテル
ル（Te）などである。これらの材料は、金属材
料のうちでも熱伝導率が低いために、照射吸収さ
れ熱エネルギーに変換されるレーザビームのエネ
ルギーを、媒体の局所的な温度上昇に有効な利用
できる特長がある。しかしながら、融点が高い
（ビスマスで1271℃）ため、融点に達するまでに
要するエネルギーを余計に必要とするという欠点
を有している。
べたとき、金属薄膜は色素薄膜に較べて耐薬品性
長期安定性に優れている。金属薄膜として用いら
れている代表的な材料はビスマス（Bi）やテル
ル（Te）などである。これらの材料は、金属材
料のうちでも熱伝導率が低いために、照射吸収さ
れ熱エネルギーに変換されるレーザビームのエネ
ルギーを、媒体の局所的な温度上昇に有効な利用
できる特長がある。しかしながら、融点が高い
（ビスマスで1271℃）ため、融点に達するまでに
要するエネルギーを余計に必要とするという欠点
を有している。
本発明は、このような欠点のない低い光照射エ
ネルギーで記録することができる、レーザビーム
記録方法を提供することを目的とする。
ネルギーで記録することができる、レーザビーム
記録方法を提供することを目的とする。
本発明の原理は、誘電体基板の上に設けた第１
層の薄膜金属の上に更に低融点の薄膜金属膜の第
２層を設け、この積層された薄膜に光ビームを照
射し吸収させて生ずる局部的な温度上昇によつて
２つの金属間に拡散による固相反応を生じさせ、
反応の前後による光の反射率の違いを用いて情報
の記録を実現するものである。固相反応を生ずる
温度は、第２層の低融点の金属が溶融する温度よ
りも低い。このため金属膜を溶融蒸発させる場合
よりも低いエネルギーで情報の書込みを実現する
ことができる。
層の薄膜金属の上に更に低融点の薄膜金属膜の第
２層を設け、この積層された薄膜に光ビームを照
射し吸収させて生ずる局部的な温度上昇によつて
２つの金属間に拡散による固相反応を生じさせ、
反応の前後による光の反射率の違いを用いて情報
の記録を実現するものである。固相反応を生ずる
温度は、第２層の低融点の金属が溶融する温度よ
りも低い。このため金属膜を溶融蒸発させる場合
よりも低いエネルギーで情報の書込みを実現する
ことができる。
本発明の詳細を更に図面を用いて説明する。第
１図は本発明の一実施例を示す構成の概略断面図
で、１はプラステイツクやガラスのような誘電体
の基板、２は該誘電体基板の面に蒸着等によつて
薄膜状に一様に形成された金（Au）、３は同様な
方法で金属薄膜２の上に一様に設けたインジウム
（In）の膜である。この膜の表面に光ビーム４を
集光する。光ビームを吸収し、温度が上昇した部
位５ではインジウムと金とが固相の状態で反応す
る。
１図は本発明の一実施例を示す構成の概略断面図
で、１はプラステイツクやガラスのような誘電体
の基板、２は該誘電体基板の面に蒸着等によつて
薄膜状に一様に形成された金（Au）、３は同様な
方法で金属薄膜２の上に一様に設けたインジウム
（In）の膜である。この膜の表面に光ビーム４を
集光する。光ビームを吸収し、温度が上昇した部
位５ではインジウムと金とが固相の状態で反応す
る。
第２図は、反応の過程における薄膜表面での光
の反射光強度の変化を示した図で、２層の薄膜を
設けた時点では、インジウム膜面によつて光は反
射される。インジウム膜面は光の反射率が低く、
第２図中Ａ点で示す反射率を示す。レーザ光の照
射によつて薄膜の温度が上昇する。温度がインジ
ウムの融点156℃より低い125℃付近まで上昇する
とインジウムと金との固相反応が急激に進み、膜
表面は金色を帯びて来て、光の反射率が増大する
（第２図中Ｃ点）。レーザ光の照射を取り去つて薄
膜の温度が下がつても、２層の金属は反応したた
め、表面の光反射率は低下しない（第２図中Ｂ
点）。
の反射光強度の変化を示した図で、２層の薄膜を
設けた時点では、インジウム膜面によつて光は反
射される。インジウム膜面は光の反射率が低く、
第２図中Ａ点で示す反射率を示す。レーザ光の照
射によつて薄膜の温度が上昇する。温度がインジ
ウムの融点156℃より低い125℃付近まで上昇する
とインジウムと金との固相反応が急激に進み、膜
表面は金色を帯びて来て、光の反射率が増大する
（第２図中Ｃ点）。レーザ光の照射を取り去つて薄
膜の温度が下がつても、２層の金属は反応したた
め、表面の光反射率は低下しない（第２図中Ｂ
点）。
大面積の円盤にこの積層膜を設けることは容易
であり、従来の光デイスク装置と組み合せること
によつて大容量の光メモリを構成することができ
る。
であり、従来の光デイスク装置と組み合せること
によつて大容量の光メモリを構成することができ
る。
本実施例では、金、インジウムの単なる２層膜
について述べたが、従来の金属薄膜光デイスク記
録媒体に用いられているように、この２層膜の上
に光に対して透明で機械的に膜を保護する保護膜
を設けたり、またこの２層膜の下に入射光を有効
に利用するための反射多層膜を設けることも出来
る。また、反応を起こさせる金属もインジウムの
代りにスズを用いてもよい。この場合には反応温
度は180℃程度とインジウムの場合よりも少し高
くなるが、やはり光記録に有効な材料である。ま
た第１層に用いる材料はここでは金について述べ
たが、拡散による固相反応を生ずる別な、例えば
銀のような材料を用いても可能である。
について述べたが、従来の金属薄膜光デイスク記
録媒体に用いられているように、この２層膜の上
に光に対して透明で機械的に膜を保護する保護膜
を設けたり、またこの２層膜の下に入射光を有効
に利用するための反射多層膜を設けることも出来
る。また、反応を起こさせる金属もインジウムの
代りにスズを用いてもよい。この場合には反応温
度は180℃程度とインジウムの場合よりも少し高
くなるが、やはり光記録に有効な材料である。ま
た第１層に用いる材料はここでは金について述べ
たが、拡散による固相反応を生ずる別な、例えば
銀のような材料を用いても可能である。
本発明によれば、金属の溶融蒸発によらず、融
点以下で生ずる固相反応を用いているために低い
光エネルギーで記録ができ、また反射形であるた
め両面に記録することができる大容量高密度の光
デイスクを構成することができる。
点以下で生ずる固相反応を用いているために低い
光エネルギーで記録ができ、また反射形であるた
め両面に記録することができる大容量高密度の光
デイスクを構成することができる。
第１図は本発明の一実施例で、１は基板、２は
金薄膜、３はインジウム薄膜、４は集束光ビーム
である。第２図は書込み光照射によつて複合膜中
で上昇する温度に対する膜の表面光反射率の変化
を示す図である。
金薄膜、３はインジウム薄膜、４は集束光ビーム
である。第２図は書込み光照射によつて複合膜中
で上昇する温度に対する膜の表面光反射率の変化
を示す図である。
Claims (1)
- １ 誘電体基板上に低温で低融点金属と固相反応
を起こす第１の金属膜と低融点金属を主成分とす
る第２の金属膜を積層したレーザビーム記録材料
の表面に、光ビームを集光することによつて、前
記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを固相で反
応させることを特徴とするレーザビーム記録方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9670980A JPS5722095A (en) | 1980-07-15 | 1980-07-15 | Laser beam recording material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9670980A JPS5722095A (en) | 1980-07-15 | 1980-07-15 | Laser beam recording material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5722095A JPS5722095A (en) | 1982-02-04 |
| JPH04838B2 true JPH04838B2 (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14172267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9670980A Granted JPS5722095A (en) | 1980-07-15 | 1980-07-15 | Laser beam recording material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5722095A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160036A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-21 | Toshiba Corp | 光デイスク |
| JPH07101514B2 (ja) * | 1986-07-25 | 1995-11-01 | 富士写真フイルム株式会社 | 記録再生方法 |
| KR0146152B1 (ko) * | 1989-12-21 | 1998-10-15 | 이헌조 | 광기록매체 및 그 제조방법 |
| US6033752A (en) * | 1997-05-22 | 2000-03-07 | Kao Corporation | Optical recording medium and method for recording optical information |
| CN1220195C (zh) | 2002-04-30 | 2005-09-21 | Tdk股份有限公司 | 光学记录媒体以及在其上光学记录数据的方法 |
| US7231649B2 (en) * | 2002-05-31 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| JP4059714B2 (ja) | 2002-07-04 | 2008-03-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2005044395A (ja) | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Tdk Corp | 光情報記録媒体 |
| JP2005071402A (ja) | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Tdk Corp | 光情報記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346019A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-25 | Canon Inc | Recoading medium |
| JPS53125001A (en) * | 1977-04-08 | 1978-11-01 | Hitachi Ltd | Member for recording of information |
| JPS545446A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Information recording medium |
-
1980
- 1980-07-15 JP JP9670980A patent/JPS5722095A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5346019A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-25 | Canon Inc | Recoading medium |
| JPS53125001A (en) * | 1977-04-08 | 1978-11-01 | Hitachi Ltd | Member for recording of information |
| JPS545446A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5722095A (en) | 1982-02-04 |
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