JPS631278B2 - - Google Patents
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- JPS631278B2 JPS631278B2 JP57056897A JP5689782A JPS631278B2 JP S631278 B2 JPS631278 B2 JP S631278B2 JP 57056897 A JP57056897 A JP 57056897A JP 5689782 A JP5689782 A JP 5689782A JP S631278 B2 JPS631278 B2 JP S631278B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5031—Alumina
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- Materials Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に鋼、鋳鉄を高速切削するに適し
たスローアウエイ型切削用チツプに関する。
たスローアウエイ型切削用チツプに関する。
近年、鋼、鋳鉄の高速切削にAl2O3を主体とし
た切削用チツプが用いられ200〜1000m／minの
切削速度で用いられている。しかしながらAl2O3
を主体とした高速切削用チツプは耐衝撃性に劣る
ため、切り込みや送りの大きい切削や断続切削で
は欠損しやすく使えない。そこでセラミツク材料
の中で耐衝撃性に優れたSi3N4を切削用チツプに
用いる試みが行われているが（特開昭55―
47276）、Al2O3に比べてSi3N4の耐摩耗性は格段
に劣るため実用化されていない。又、ホツトプレ
スしたSi3N4主体の焼結体の表面にAl2O3及び／
又はAlONをコーテイングした切削チツプをも提
案されており（特開昭55―85481）、これは高速切
削でかつ断続切削にも使用できるが、ホツトプレ
ス工程、切断、研磨工程の製造コストが高く、こ
の基体にAl2O3を被覆した切削用チツプは普及、
実用に難がある。更にSi3N4とAl2O3の熱膨脹係
数は前者が3.2×10-61／℃後者が7.8×10- 61／℃
と大きく異なり切削条件によつては被覆のハクリ
を生じる欠点があつた。
た切削用チツプが用いられ200〜1000m／minの
切削速度で用いられている。しかしながらAl2O3
を主体とした高速切削用チツプは耐衝撃性に劣る
ため、切り込みや送りの大きい切削や断続切削で
は欠損しやすく使えない。そこでセラミツク材料
の中で耐衝撃性に優れたSi3N4を切削用チツプに
用いる試みが行われているが（特開昭55―
47276）、Al2O3に比べてSi3N4の耐摩耗性は格段
に劣るため実用化されていない。又、ホツトプレ
スしたSi3N4主体の焼結体の表面にAl2O3及び／
又はAlONをコーテイングした切削チツプをも提
案されており（特開昭55―85481）、これは高速切
削でかつ断続切削にも使用できるが、ホツトプレ
ス工程、切断、研磨工程の製造コストが高く、こ
の基体にAl2O3を被覆した切削用チツプは普及、
実用に難がある。更にSi3N4とAl2O3の熱膨脹係
数は前者が3.2×10-61／℃後者が7.8×10- 61／℃
と大きく異なり切削条件によつては被覆のハクリ
を生じる欠点があつた。
そこで本発明者らはこれらの欠点を解消するた
めに実験を行い、工業的に安価に出来かつ被覆層
のハクリを生じにくく、耐衝撃性に優れたSi3N4
を主体とし、Al2O3を被覆した切削用チツプの開
発に成功したものである。
めに実験を行い、工業的に安価に出来かつ被覆層
のハクリを生じにくく、耐衝撃性に優れたSi3N4
を主体とし、Al2O3を被覆した切削用チツプの開
発に成功したものである。
即ち、第１発明の要旨は、Al2O3と、Y2O3及
び／又はDy2O3とを含んだSi3N4を主成分とする
基体上に、AlONとAl2O3とからなる薄層を被覆
してなるとともに、この薄層が基体側でAlONに
基づくＮの濃度が25〜１重量％であり、外表面付
近でＯ重量％である濃度勾配に構成されているこ
とを特徴とする高速切削用チツプにある。
び／又はDy2O3とを含んだSi3N4を主成分とする
基体上に、AlONとAl2O3とからなる薄層を被覆
してなるとともに、この薄層が基体側でAlONに
基づくＮの濃度が25〜１重量％であり、外表面付
近でＯ重量％である濃度勾配に構成されているこ
とを特徴とする高速切削用チツプにある。
又、第２発明の要旨は、Al2O35〜15重量％、
Y2O3及び／又はDy2O35〜15重量％、残部が
Si3N4である配合物を混合し、冷間成形後焼結
し、得られた焼結体上に気相蒸着法によりAlON
とAl2O3とからなる薄層を被覆する高速切削用チ
ツプの製法であつて、気相蒸着法によりAlONと
Al2O3とからなる薄層を被覆するに際して気相中
のN2ガス成分を次第に減少させることにより
AlONとAl2O3とからなる薄層中のAlONに基づ
くＮの濃度を焼結体側より外部に向かつて減少さ
せることを特徴とする高速切削用チツプの製法に
ある。
Y2O3及び／又はDy2O35〜15重量％、残部が
Si3N4である配合物を混合し、冷間成形後焼結
し、得られた焼結体上に気相蒸着法によりAlON
とAl2O3とからなる薄層を被覆する高速切削用チ
ツプの製法であつて、気相蒸着法によりAlONと
Al2O3とからなる薄層を被覆するに際して気相中
のN2ガス成分を次第に減少させることにより
AlONとAl2O3とからなる薄層中のAlONに基づ
くＮの濃度を焼結体側より外部に向かつて減少さ
せることを特徴とする高速切削用チツプの製法に
ある。
以下に本発明を詳細に説明するに、第１発明の
高速切削用チツプは第１図のように２層構造から
なり、基体１の表面には薄層２が被覆されてい
る。基体１の成分はSi3N4を主成分とし、Si3N4
中にはAl2O3と、Y2O3及び／又はDy2O3等とを含
んでいる。これら成分の量比はAl2O3が５〜15重
量％、Y2O3及び／又はDy2O3等が５〜15重量％、
残部がSi3N4であることが好ましい。その理由
は、Al2O3とY2O3及び／又はDy2O3等とが５重量
％未満では後記するようにコールドプレス法、即
ち、冷間成形後焼結する方法によつた場合、冷間
成形後の焼結が不十分となり、Al2O3が15重量％
を超えると強度の低下が生じ、Y2O3及び／又は
Dy2O3が15重量％を超えると粒界相が多くなり、
強度熱伝導度の低下を招き、いずれも切削用チツ
プとして難があるためである。
高速切削用チツプは第１図のように２層構造から
なり、基体１の表面には薄層２が被覆されてい
る。基体１の成分はSi3N4を主成分とし、Si3N4
中にはAl2O3と、Y2O3及び／又はDy2O3等とを含
んでいる。これら成分の量比はAl2O3が５〜15重
量％、Y2O3及び／又はDy2O3等が５〜15重量％、
残部がSi3N4であることが好ましい。その理由
は、Al2O3とY2O3及び／又はDy2O3等とが５重量
％未満では後記するようにコールドプレス法、即
ち、冷間成形後焼結する方法によつた場合、冷間
成形後の焼結が不十分となり、Al2O3が15重量％
を超えると強度の低下が生じ、Y2O3及び／又は
Dy2O3が15重量％を超えると粒界相が多くなり、
強度熱伝導度の低下を招き、いずれも切削用チツ
プとして難があるためである。
尚、基体１中にY2O3及び／又はDy2O3を含む
理由は、Y2O3又はDy2O3のどちらか一方含んで
おれば、その効果が発揮されるが、Y2O3と
Dy2O3の両者共に含んでいても同様の効果が得ら
れるからである。
理由は、Y2O3又はDy2O3のどちらか一方含んで
おれば、その効果が発揮されるが、Y2O3と
Dy2O3の両者共に含んでいても同様の効果が得ら
れるからである。
基体１の表面の薄層２は、AlONとAl2O3とか
ら成るが、本発明高速切削用チツプの性能を損わ
ない限り、他の成分が混入していても差し支えな
い。AlONをＮの濃度で表すと、薄層２内部の基
体１に接している付近は25〜１重量％、外表面付
近は０重量％となつている。このように、薄層２
の厚み方向において、基体１側から外表面に向か
つてAlONに基づくＮの濃度が減少することによ
り、薄層２内部の特性が連続的に移行しているの
で、局部的応力が生じにくい。薄層２の厚みは
0.5μ〜5μ、望ましくは1μ〜4μである。ホツトプレ
スしたSi3N4主体の焼結体にAl2O3を被覆した場
合には、特開昭55―85481によれば３〜20μで効
果があるが、本発明では基体１表面も硬度の高い
層を形成し切削時の摩耗の進行を防ぐため薄層で
十分効果がある。逆に5μを超えると湿式重切削
の如き熱衝撃の大きい切削では基体と被覆層の熱
膨脹差によりクラツクを生じ易くなる。上記のよ
うな構成の本発明高速切削用チツプは、例えば次
のような第２発明の製法により製造することがで
きる。
ら成るが、本発明高速切削用チツプの性能を損わ
ない限り、他の成分が混入していても差し支えな
い。AlONをＮの濃度で表すと、薄層２内部の基
体１に接している付近は25〜１重量％、外表面付
近は０重量％となつている。このように、薄層２
の厚み方向において、基体１側から外表面に向か
つてAlONに基づくＮの濃度が減少することによ
り、薄層２内部の特性が連続的に移行しているの
で、局部的応力が生じにくい。薄層２の厚みは
0.5μ〜5μ、望ましくは1μ〜4μである。ホツトプレ
スしたSi3N4主体の焼結体にAl2O3を被覆した場
合には、特開昭55―85481によれば３〜20μで効
果があるが、本発明では基体１表面も硬度の高い
層を形成し切削時の摩耗の進行を防ぐため薄層で
十分効果がある。逆に5μを超えると湿式重切削
の如き熱衝撃の大きい切削では基体と被覆層の熱
膨脹差によりクラツクを生じ易くなる。上記のよ
うな構成の本発明高速切削用チツプは、例えば次
のような第２発明の製法により製造することがで
きる。
まずAl2O35〜15重量％、Y2O3及び／又は
Dy2O35〜15重量％、残部がSi3N4である配合物を
混合して調製する。これらの出発原料の純度は95
％以上であることが好ましいが、それに限定され
ることはない。
Dy2O35〜15重量％、残部がSi3N4である配合物を
混合して調製する。これらの出発原料の純度は95
％以上であることが好ましいが、それに限定され
ることはない。
配合された原料は、コールドプレス法により冷
間成形後焼結される。例えばアルコールと共に湿
式ボールミルを行うことによつて原料を混合し、
乾燥後プレス助剤として例えばパラフインを添加
した後金型を用いて成形する。その後N2雰囲気
炉にて1650℃〜1750℃の温度で焼結する。得られ
る焼結体の密度は対理論密度98％以上、抗折力70
Kg／mm以上、硬度HRA92.5、熱膨脹係数3.81×
10-61／℃となり、Ｘ線回折で同定するβ−Si3N4
が示される。得られた焼結体に次に薄層を被覆す
る。表面被覆は例えば気相蒸着装置を用いて行わ
れる。Al2O3を被覆するには温度を320℃に保つ
たAlチツプにHClを通して発生したAlCl3を含む
HClガス、CO2ガス、H2ガス及びN2ガスを反応
容器に流し、900〜1100℃に保つことにより行う。
更に望ましくは、被覆初期はCO2ガスを少なく
し、N2ガスを流してＮを多量に含んだAlON層
を形成させ、コーテイング層の厚さが増すにつれ
てＮ成分を次第に減少させ、表面層はAl2O3とす
る方法により連続的にＮの勾配をもつAlON〜
Al2O3を生成するのが良い。更に被覆後減圧又は
中性雰囲気で900〜1300℃で熱処理すると、基体
と薄層の結合をより強固にでき好ましい。
間成形後焼結される。例えばアルコールと共に湿
式ボールミルを行うことによつて原料を混合し、
乾燥後プレス助剤として例えばパラフインを添加
した後金型を用いて成形する。その後N2雰囲気
炉にて1650℃〜1750℃の温度で焼結する。得られ
る焼結体の密度は対理論密度98％以上、抗折力70
Kg／mm以上、硬度HRA92.5、熱膨脹係数3.81×
10-61／℃となり、Ｘ線回折で同定するβ−Si3N4
が示される。得られた焼結体に次に薄層を被覆す
る。表面被覆は例えば気相蒸着装置を用いて行わ
れる。Al2O3を被覆するには温度を320℃に保つ
たAlチツプにHClを通して発生したAlCl3を含む
HClガス、CO2ガス、H2ガス及びN2ガスを反応
容器に流し、900〜1100℃に保つことにより行う。
更に望ましくは、被覆初期はCO2ガスを少なく
し、N2ガスを流してＮを多量に含んだAlON層
を形成させ、コーテイング層の厚さが増すにつれ
てＮ成分を次第に減少させ、表面層はAl2O3とす
る方法により連続的にＮの勾配をもつAlON〜
Al2O3を生成するのが良い。更に被覆後減圧又は
中性雰囲気で900〜1300℃で熱処理すると、基体
と薄層の結合をより強固にでき好ましい。
以上詳述したように第１発明の高速切削用チツ
プは、Si3N4を主成分として、Al2O3とY2O3及
び／又はDy2O3とを含有する基体上にAlONに基
づくＮの所定濃度勾配の、AlONとAl2O3とから
なる薄層を設けたものである。そのため従来用い
られていたいずれの切削工具よりも、高速・重切
削性能に優れており、特に従来公知のSi3N4を主
体とする切削用チツプに比べ耐摩耗性の点で格段
に向上したものとなる。
プは、Si3N4を主成分として、Al2O3とY2O3及
び／又はDy2O3とを含有する基体上にAlONに基
づくＮの所定濃度勾配の、AlONとAl2O3とから
なる薄層を設けたものである。そのため従来用い
られていたいずれの切削工具よりも、高速・重切
削性能に優れており、特に従来公知のSi3N4を主
体とする切削用チツプに比べ耐摩耗性の点で格段
に向上したものとなる。
又、第２発明の高速切削用チツプの製法は、
Si3N4にAl2O3とY2O3及び／又はDy2O3とを所定
量添加しコールドプレス法により冷間成形後焼結
し、気相蒸着法によりN2ガスを次第に減少させ
ながら薄層を形成するものであるので、製造コス
トが低く、特開昭55―85481に開示の基体に較べ、
耐摩耗性に優れている。
Si3N4にAl2O3とY2O3及び／又はDy2O3とを所定
量添加しコールドプレス法により冷間成形後焼結
し、気相蒸着法によりN2ガスを次第に減少させ
ながら薄層を形成するものであるので、製造コス
トが低く、特開昭55―85481に開示の基体に較べ、
耐摩耗性に優れている。
以下に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実
施例により限定されるものではない。
るが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実
施例により限定されるものではない。
実施例 １
純度96.5％、平均粒子径0.5μのSi3N480重量％、
純度99.9％、平均粒子径1.2μのY2O310重量％、純
度99.9％、平均粒子径1.0μのAl2O310重量％を
Al2O3製ボール、アルコールと共にAl2O3製ボー
ルミルに入れ、20時間混合し、乾燥した。その後
パラフインを４重量％添加し、焼結体寸法が13×
13×５mmとなるよう金型にてプレス成形を行つ
た。焼結はN2雰囲気で1750℃1hr行つた。この焼
結体から抗折試片を切り出し、スパン長さ10mmで
抗折力を測定したところ95Kg／mm2であつた。この
試片をSNGN433、チヤンフアー0.05mm×25゜に加
工し、CVD反応容器に入れ、1050℃に加熱した
後、温度を320℃に保つたAlチツプ中に、HClガ
スを通過させて発生したAlCl4とHCl混合ガス17
容量％、CO2ガス５容量％、H2ガス71容量％、
N2ガス17容量％を流し、５時間保持した。N2ガ
スは１時間毎に流量を減じ、最終的にはN2ガス
は停止した。これにより得られた薄層の厚みは
2.4μであり、Ｎは内部から外部へと濃度勾配のあ
ることが確認された。
純度99.9％、平均粒子径1.2μのY2O310重量％、純
度99.9％、平均粒子径1.0μのAl2O310重量％を
Al2O3製ボール、アルコールと共にAl2O3製ボー
ルミルに入れ、20時間混合し、乾燥した。その後
パラフインを４重量％添加し、焼結体寸法が13×
13×５mmとなるよう金型にてプレス成形を行つ
た。焼結はN2雰囲気で1750℃1hr行つた。この焼
結体から抗折試片を切り出し、スパン長さ10mmで
抗折力を測定したところ95Kg／mm2であつた。この
試片をSNGN433、チヤンフアー0.05mm×25゜に加
工し、CVD反応容器に入れ、1050℃に加熱した
後、温度を320℃に保つたAlチツプ中に、HClガ
スを通過させて発生したAlCl4とHCl混合ガス17
容量％、CO2ガス５容量％、H2ガス71容量％、
N2ガス17容量％を流し、５時間保持した。N2ガ
スは１時間毎に流量を減じ、最終的にはN2ガス
は停止した。これにより得られた薄層の厚みは
2.4μであり、Ｎは内部から外部へと濃度勾配のあ
ることが確認された。
このチツプを用いて極めて難削材とされている
高ニツケル合金（インコネル718）の切削を行つ
た。切削条件は、切削速度（Ｖ）＝200m／min、
切り込み（ｄ）＝1.5mm、送り速度（ｆ）＝0.15
mm／revの条件で刃先が欠損するまで切削した。
その結果、本発明チツプは８分間切削可能であつ
たが比較に用いた同一基体で薄層のない切削チツ
プは２分、市販のAl2O3系セラミツク工具は１
分、市販のAl2O3を被覆した超硬チツプは30秒で
それぞれ破損した。
高ニツケル合金（インコネル718）の切削を行つ
た。切削条件は、切削速度（Ｖ）＝200m／min、
切り込み（ｄ）＝1.5mm、送り速度（ｆ）＝0.15
mm／revの条件で刃先が欠損するまで切削した。
その結果、本発明チツプは８分間切削可能であつ
たが比較に用いた同一基体で薄層のない切削チツ
プは２分、市販のAl2O3系セラミツク工具は１
分、市販のAl2O3を被覆した超硬チツプは30秒で
それぞれ破損した。
尚、上記薄層内のAlONに基づくＮ濃度及びＮ
濃度の勾配は、EPMA（Electron Probe Micro
Analyser）とESCA（Electron Spectroscope
Chemical Analyser）とにより確認した。まず
AlON薄層内のＮ濃度は薄層表面のESCAによる
光電子のエネルギー測定により概算した。AlON
内のＮ濃度はCVD気相化学反応時の反応ガス中
のCO2ガスとN2ガスとの比率により決まるので、
N2／CO2比とＮ濃度との関係をESCAで測定して
おけば任意のＮ濃度のAlON薄層が得られる。ま
た、Ｎ濃度の勾配はAlON被覆したチツプの断面
をEPMAによるＮの特性Ｘ線で被覆膜と垂直方
向に線分析することによりＮ濃度を確認した。
濃度の勾配は、EPMA（Electron Probe Micro
Analyser）とESCA（Electron Spectroscope
Chemical Analyser）とにより確認した。まず
AlON薄層内のＮ濃度は薄層表面のESCAによる
光電子のエネルギー測定により概算した。AlON
内のＮ濃度はCVD気相化学反応時の反応ガス中
のCO2ガスとN2ガスとの比率により決まるので、
N2／CO2比とＮ濃度との関係をESCAで測定して
おけば任意のＮ濃度のAlON薄層が得られる。ま
た、Ｎ濃度の勾配はAlON被覆したチツプの断面
をEPMAによるＮの特性Ｘ線で被覆膜と垂直方
向に線分析することによりＮ濃度を確認した。
実施例 ２
実施例１に用いた基体に実施例１と同じ方法で
時間のみを変化させて、厚みの異なる薄層を有す
る高速切削用チツプを製作した。実施例１と同じ
条件で切削した場合の欠損に至る寿命と薄層の厚
さの関係は第２図のようになつた。
時間のみを変化させて、厚みの異なる薄層を有す
る高速切削用チツプを製作した。実施例１と同じ
条件で切削した場合の欠損に至る寿命と薄層の厚
さの関係は第２図のようになつた。
第２図より薄層の厚みは0.5〜5μの範囲が好ま
しいことが判つた。
しいことが判つた。
第１図は本発明高速切削用チツプの一部断面
図、第２図は実施例２における薄層厚みと切削時
間との関係を示すグラフである。 １…基体、２…薄層。
図、第２図は実施例２における薄層厚みと切削時
間との関係を示すグラフである。 １…基体、２…薄層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Al2O3と、Y2O3及び／又はDy2O3とを含んだ
Si3N4を主成分とする基体上に、AlONとAl2O3
とからなる薄層を被覆してなるとともに、この薄
層が基体側でAlONに基づくＮの濃度が25〜１重
量％であり、外表面付近で０重量％である濃度勾
配に構成されていることを特徴とする高速切削用
チツプ。 ２ 基体中、Al2O3が５〜15重量％、Y2O3及び／
又はDy2O3が５〜15重量％、残部がSi3N4である
特許請求の範囲第１項記載の高速切削用チツプ。 ３ 薄層の厚みが、0.5〜5μである特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の高速切削用チツプ。 ４ Al2O35〜15重量％、Y2O3及び／又はDy2O35
〜15重量％、残部がSi3N4である配合物を混合
し、冷間成形後焼結し、得られた焼結体上に気相
蒸着法によりAlONとAl2O3とからなる薄層を被
覆する高速切削用チツプの製法であつて、気相蒸
着法によりAlONとAl2O3とからなる薄層を被覆
するに際して気相中のN2ガス成分を次第に減少
させることによりAlONとAl2O3とからなる薄層
中のAlONに基づくＮの濃度を焼結体側より外部
に向かつて減少させることを特徴とする高速切削
用チツプの製法。 ５ 薄層の厚みが、0.5〜5μである特許請求の範
囲第４項記載の高速切削用チツプの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57056897A JPS58172278A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 高速切削用チツプとその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57056897A JPS58172278A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 高速切削用チツプとその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172278A JPS58172278A (ja) | 1983-10-11 |
| JPS631278B2 true JPS631278B2 (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=13040231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57056897A Granted JPS58172278A (ja) | 1982-04-05 | 1982-04-05 | 高速切削用チツプとその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172278A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3938879A1 (de) * | 1988-11-24 | 1990-06-28 | Ngk Spark Plug Co | Siliziumnitridgrundstoff-sinterkoerper |
| JPH03119280U (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-09 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162683A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-18 | 住友電気工業株式会社 | 被覆窒化硅素部品 |
| JPH0516031A (ja) * | 1991-10-28 | 1993-01-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高靱性高耐久性被覆セラミツク工具の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-05 JP JP57056897A patent/JPS58172278A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3938879A1 (de) * | 1988-11-24 | 1990-06-28 | Ngk Spark Plug Co | Siliziumnitridgrundstoff-sinterkoerper |
| DE3938879C2 (de) * | 1988-11-24 | 2000-07-13 | Ngk Spark Plug Co | Sinterkörper auf Siliziumnitridbasis |
| JPH03119280U (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58172278A (ja) | 1983-10-11 |
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