JPS63126384A - 高輝度ｃｒｔデイスプレイ - Google Patents
高輝度ｃｒｔデイスプレイInfo
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- JPS63126384A JPS63126384A JP27315586A JP27315586A JPS63126384A JP S63126384 A JPS63126384 A JP S63126384A JP 27315586 A JP27315586 A JP 27315586A JP 27315586 A JP27315586 A JP 27315586A JP S63126384 A JPS63126384 A JP S63126384A
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- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 13
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Video Image Reproduction Devices For Color Tv Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高輝度が得られるＣＲＴディスプレイに関する
。
。
（発明の概要〕
３ビームと色選別用細孔を有するマスクとを用い、マス
クに付したインデックス信号源によりビーム走査位置を
検出して、細孔を通過する一本のビームを除いて他をカ
ットオフすることにより、ビームエネルギーを増強して
高輝度にしてもマスクの熱負担が増大しないようにした
ものである。
クに付したインデックス信号源によりビーム走査位置を
検出して、細孔を通過する一本のビームを除いて他をカ
ットオフすることにより、ビームエネルギーを増強して
高輝度にしてもマスクの熱負担が増大しないようにした
ものである。
高輝度ＣＲＴに対する市場の要望は強く、各方面で高輝
度化への努力は続けられている。螢光体の改良、含浸カ
ソードの採用、アパーチャグリル、シャドーマスク、電
子銃の改良等、種々な試みがなされている。この内、現
在高輝度化を阻む最大の要因は色選別機構であるアパー
チャグリル又はシャドーマスクの熱による変形、ドーミ
ング現象である。
度化への努力は続けられている。螢光体の改良、含浸カ
ソードの採用、アパーチャグリル、シャドーマスク、電
子銃の改良等、種々な試みがなされている。この内、現
在高輝度化を阻む最大の要因は色選別機構であるアパー
チャグリル又はシャドーマスクの熱による変形、ドーミ
ング現象である。
第５図はアパーチャグリルを持つＣＲＴ （）リニトロ
ン管）の要部拡大断面図で、ＲＧＢの各電子ビーム１ａ
〜ＩＣは螢光面２上の一点に集束するように制御されて
いる。水平偏向によって時間経過と共に第５図ｋｎ、■
のようにビーム位置が変化し、これに伴ってアパーチャ
グリル３の細孔３ａでもってｌ Ｇ、Ｂの各ビーム１ａ
〜１ｃが順次に目的のドツト状又はストライブ状の色替
光体４に当たるように色選択が行われる。このとき３本
のビーム１ａ〜１ｃのうちの選択されてない２本のビー
ム（第５図Ｉでは１ｂとｉｃ、Ｉｔでは１ａとｌｃ、ｎ
［では１ａとｌｂ）が、アパーチャグリル３によって遮
られる。
ン管）の要部拡大断面図で、ＲＧＢの各電子ビーム１ａ
〜ＩＣは螢光面２上の一点に集束するように制御されて
いる。水平偏向によって時間経過と共に第５図ｋｎ、■
のようにビーム位置が変化し、これに伴ってアパーチャ
グリル３の細孔３ａでもってｌ Ｇ、Ｂの各ビーム１ａ
〜１ｃが順次に目的のドツト状又はストライブ状の色替
光体４に当たるように色選択が行われる。このとき３本
のビーム１ａ〜１ｃのうちの選択されてない２本のビー
ム（第５図Ｉでは１ｂとｉｃ、Ｉｔでは１ａとｌｃ、ｎ
［では１ａとｌｂ）が、アパーチャグリル３によって遮
られる。
このような従来のＣＲＴでは、アパーチャグリルによっ
て遮られたビームは熱となってアパーチャグリルを変形
させる原因となる。つまりビームの２／３は無駄な熱と
して消費されるので、ビーム増強（高輝度化）の障害及
び消費電力の増加原因となっている。
て遮られたビームは熱となってアパーチャグリルを変形
させる原因となる。つまりビームの２／３は無駄な熱と
して消費されるので、ビーム増強（高輝度化）の障害及
び消費電力の増加原因となっている。
一方、アパーチャグリルやシャドーマスクを使用しない
で螢光体の色選別を行うビームインデ・ノクス管が種々
提案されている。ビームインデックス管は原理的にビー
ムの利用率が高く高輝度であるが、ビーム径を絞り込ま
ないと、色の混濁が生じるので、高精細化が困難である
欠点を持つ。
で螢光体の色選別を行うビームインデ・ノクス管が種々
提案されている。ビームインデックス管は原理的にビー
ムの利用率が高く高輝度であるが、ビーム径を絞り込ま
ないと、色の混濁が生じるので、高精細化が困難である
欠点を持つ。
本発明はこの間硬にかんがみ、ビームが無駄な熱として
消費されるのを少なくして、より高エネルギーのビーム
を使用することを可能とし、しかも色選択機構としてア
パーチャグリル又はシャドーマスク部材を使用しても、
その熱変形による諸問題が生じないようにすることを目
的とする。
消費されるのを少なくして、より高エネルギーのビーム
を使用することを可能とし、しかも色選択機構としてア
パーチャグリル又はシャドーマスク部材を使用しても、
その熱変形による諸問題が生じないようにすることを目
的とする。
３ビームの発生源と、螢光面上で螢光体の色選別を行う
ための細孔を有するマスク部材とを使用するＣＲＴであ
る。ビーム走査位置を検出するために上記マスク部材上
にインデックス信号発生源を設けである。検出されたイ
ンデックス信号に基いて上記細孔を通過し得る一本のビ
ームを除いて他をカットオフする手段を具備する。
ための細孔を有するマスク部材とを使用するＣＲＴであ
る。ビーム走査位置を検出するために上記マスク部材上
にインデックス信号発生源を設けである。検出されたイ
ンデックス信号に基いて上記細孔を通過し得る一本のビ
ームを除いて他をカットオフする手段を具備する。
色選別のためにマスク部材によって遮られるビームをカ
ットオフすることで、マスク部材上で熱となって消費さ
れるビームを減らすことが可能となる。マスク部材の熱
負荷が軽減されるので、その分ビームエネルギーを増強
して高輝度にできる。
ットオフすることで、マスク部材上で熱となって消費さ
れるビームを減らすことが可能となる。マスク部材の熱
負荷が軽減されるので、その分ビームエネルギーを増強
して高輝度にできる。
第１図は本発明のＣＲＴの原理を示す水平断面の要部拡
大図である。従来（第５図）と同様に、螢光面２０色選
択機構としてアパーチャグリル３（又はシャドーマスク
）のような多数のスリット形、スロット形、円形の細孔
を持ったマスク部材を使用する。３色のビーム１ａ〜Ｉ
Ｃを螢光面２の一つ色替光体４に集束させるように制御
し、且つ偏量系によって水平及び垂直方向に偏向させる
。
大図である。従来（第５図）と同様に、螢光面２０色選
択機構としてアパーチャグリル３（又はシャドーマスク
）のような多数のスリット形、スロット形、円形の細孔
を持ったマスク部材を使用する。３色のビーム１ａ〜Ｉ
Ｃを螢光面２の一つ色替光体４に集束させるように制御
し、且つ偏量系によって水平及び垂直方向に偏向させる
。
水平偏向により、ビームは第１図１．ＩＩ、■のように
各対応した色の螢光体４に当たるようになる。
各対応した色の螢光体４に当たるようになる。
本発明の特徴によれば、アパーチャグリル３にはインデ
ックス用螢光体５が塗布されている。好ましくはグリル
３の一本置きにこの螢光体５を塗布しである。ビーム１
ａ〜１ｃがこの螢光体５に当たったときの発光を検出し
て各ビームの走査位置を検知し、図の点線のように選択
されずにアパーチャグリル３に当たる走査位置の２つの
ビーム（ＩではＩｂ−，１ｃ１１１ではＩａ、Ｉｃ、Ｉ
［Ｉではｌａ、ｌｂ）をカットオフにする。従ってアパ
ーチャグリル３の細孔３ａを通る色選択されたビーム（
Ｉでは１ａ、ｎではｌｂ、ＩＩＩではｌｃ）のみが、カ
ットオフにされずに、螢光面２に達する。
ックス用螢光体５が塗布されている。好ましくはグリル
３の一本置きにこの螢光体５を塗布しである。ビーム１
ａ〜１ｃがこの螢光体５に当たったときの発光を検出し
て各ビームの走査位置を検知し、図の点線のように選択
されずにアパーチャグリル３に当たる走査位置の２つの
ビーム（ＩではＩｂ−，１ｃ１１１ではＩａ、Ｉｃ、Ｉ
［Ｉではｌａ、ｌｂ）をカットオフにする。従ってアパ
ーチャグリル３の細孔３ａを通る色選択されたビーム（
Ｉでは１ａ、ｎではｌｂ、ＩＩＩではｌｃ）のみが、カ
ットオフにされずに、螢光面２に達する。
なお非選択のビームがカットオフされてアパーチャグリ
ル３のインデックス用螢光体５に当たらないので、イン
デックス信号が検出できないと考えられるが、実際には
、細孔３ａを通る選択された１本のビームが細孔３ａよ
りも広い径を持っているので、インデックス信号は第１
図Ｉ〜■のどの場合でも得られる。
ル３のインデックス用螢光体５に当たらないので、イン
デックス信号が検出できないと考えられるが、実際には
、細孔３ａを通る選択された１本のビームが細孔３ａよ
りも広い径を持っているので、インデックス信号は第１
図Ｉ〜■のどの場合でも得られる。
以上の原理によれば、アパーチャグリル３に当たって熱
として消費されるビームが大巾に少ないので、アパーチ
ャグリル３の熱変形を考慮してビーム強度を定める必要
が無くなり、理論的には陽極高圧に比例して輝度をいく
らでも上げることができる。なお輝度を同じにするなら
ば、ビームの導通量が１／３となるので、高圧回路の電
力容量が１／３になる。
として消費されるビームが大巾に少ないので、アパーチ
ャグリル３の熱変形を考慮してビーム強度を定める必要
が無くなり、理論的には陽極高圧に比例して輝度をいく
らでも上げることができる。なお輝度を同じにするなら
ば、ビームの導通量が１／３となるので、高圧回路の電
力容量が１／３になる。
第２図は実施例のＣＲＴ制御系で、ＣＲＴ６は第１図の
原理に基いて第３図Ａに示すようにアパーチャグリル３
にインデックス用螢光体５を一本おきに塗布したもので
ある。従来のインテ・ンクス管と同様にＣＲＴ６の螢光
面２はフラットにできる。入力のコンポジットカラービ
デオ信号はＲＧＢ処理回路７で３色にデコードされ、各
色のカソードＫに供給される。インデックス螢光体５の
発光はフォトセンサ８によって検出される。検出された
インデックス信号は第３図Ｂに示すようにアパーチャグ
リル３のマスクピッチの２倍の周期であり、それをアン
プ９で増幅、整形することにより、第３図Ｃのインデッ
クスパルス（１／２ｆｐ・ｆｐ：マスクピッチに対応し
た周波数）が得られる。
原理に基いて第３図Ａに示すようにアパーチャグリル３
にインデックス用螢光体５を一本おきに塗布したもので
ある。従来のインテ・ンクス管と同様にＣＲＴ６の螢光
面２はフラットにできる。入力のコンポジットカラービ
デオ信号はＲＧＢ処理回路７で３色にデコードされ、各
色のカソードＫに供給される。インデックス螢光体５の
発光はフォトセンサ８によって検出される。検出された
インデックス信号は第３図Ｂに示すようにアパーチャグ
リル３のマスクピッチの２倍の周期であり、それをアン
プ９で増幅、整形することにより、第３図Ｃのインデッ
クスパルス（１／２ｆｐ・ｆｐ：マスクピッチに対応し
た周波数）が得られる。
このパルスでＰＬＬ回路をたたくことにより、ＶＣＯＩ
Ｏから３／２ｆｐ（７）パルス（第３図Ｄ）が得られる
。
Ｏから３／２ｆｐ（７）パルス（第３図Ｄ）が得られる
。
ｖｃｏｉｏの出力はリングカウンタ１１で２／３に分周
され、第３図Ｅ、Ｆ、Ｇに示す各色ビームのゲートパル
ス（ｆｐ）が形成される。このゲートパルスの１つとイ
ンデックスパルス（１／２ｆｐ）とが位相比較器１２で
比較され、その誤差出力をローパスフィルタ１３を介し
てｖｃｏｉｏの制御入力に与えることにより、ＰＬＬ回
路が口・ツクされる。
され、第３図Ｅ、Ｆ、Ｇに示す各色ビームのゲートパル
ス（ｆｐ）が形成される。このゲートパルスの１つとイ
ンデックスパルス（１／２ｆｐ）とが位相比較器１２で
比較され、その誤差出力をローパスフィルタ１３を介し
てｖｃｏｉｏの制御入力に与えることにより、ＰＬＬ回
路が口・ツクされる。
リングカウンタ１１の出力のゲートパルスはＣＲＴ６の
各色のＧ１グリッドに与えられ、夫々の高レベル部分で
ビームを通過させ、低レベル部分でビームをカットオフ
にする。即ち、第３図ＥのＢ用ゲートパルスが高レベル
のとき、Ｇ１グリッドによって選択されたＢビームがグ
リル３の細孔３ａを通過して螢光面２に当たる。次に３
／ｆｐに相当する時間後には第３図下のＧ用ゲートパル
スの高レベルでＧビームが選択され、このときＧビーム
は細孔３ａに位置しているので、そこを通過して螢光面
２に当たる。Ｒビームについても同様であり、以下この
繰り返しとなる。
各色のＧ１グリッドに与えられ、夫々の高レベル部分で
ビームを通過させ、低レベル部分でビームをカットオフ
にする。即ち、第３図ＥのＢ用ゲートパルスが高レベル
のとき、Ｇ１グリッドによって選択されたＢビームがグ
リル３の細孔３ａを通過して螢光面２に当たる。次に３
／ｆｐに相当する時間後には第３図下のＧ用ゲートパル
スの高レベルでＧビームが選択され、このときＧビーム
は細孔３ａに位置しているので、そこを通過して螢光面
２に当たる。Ｒビームについても同様であり、以下この
繰り返しとなる。
第４図はビームとアパーチャグリルとの関係を示し、従
来方式の（Ａ）では３色のビーム１ａ〜ＩＣが連続的に
管面を走査するのに対し、本発明のビーム選択式では（
Ｂ）のようにビーム１ａ〜ＩＣが細孔部分においてのみ
発射され、アパーチャグリル３による遮へい量が出来る
だけ少なくなるようにしである。ビーム遮へい量を更に
少なくするために、（Ｃ）のように縦長ビームを用いる
と良い。
来方式の（Ａ）では３色のビーム１ａ〜ＩＣが連続的に
管面を走査するのに対し、本発明のビーム選択式では（
Ｂ）のようにビーム１ａ〜ＩＣが細孔部分においてのみ
発射され、アパーチャグリル３による遮へい量が出来る
だけ少なくなるようにしである。ビーム遮へい量を更に
少なくするために、（Ｃ）のように縦長ビームを用いる
と良い。
なおアパーチャグリル３に塗布したインデックス用螢光
体５は各グリルごとに塗布してもよく、またグリルの数
本おきに塗布してもよい。グリル３の一本おきに塗布し
た場合には、第４図から分るようにインデックス信号（
Ｃ）が基準の一本のビーム（例えばＢ）の位置を示すの
で、ビームのゲート操作とマスクによる色選別動作とを
関連させることが容易である。
体５は各グリルごとに塗布してもよく、またグリルの数
本おきに塗布してもよい。グリル３の一本おきに塗布し
た場合には、第４図から分るようにインデックス信号（
Ｃ）が基準の一本のビーム（例えばＢ）の位置を示すの
で、ビームのゲート操作とマスクによる色選別動作とを
関連させることが容易である。
本発明は上述の如く、色選別用細孔を有するマスク部材
で３ビームの選択を行う際に、インデックス信号に基い
て細孔を通過し得る一本のビームを除いて他をカットオ
フにしたので、マスク部材上で熱となって消費されるビ
ーム量を大巾に低減することができる。従ってマスク部
材の熱負荷条件が緩和されるので、ビームエネルギーを
増強して高輝度にすることが容易である。またマスク部
材を用いているから、高輝度形のビームインデックス管
のように色混濁が生じるおそれが無く、原理的に高精細
な表示が得られる。また輝度を従来と同一にするならば
、ビームの導通期間が１／３となっているため、高圧回
路の負担が軽くなり、低消費電力、小型化が可能である
。
で３ビームの選択を行う際に、インデックス信号に基い
て細孔を通過し得る一本のビームを除いて他をカットオ
フにしたので、マスク部材上で熱となって消費されるビ
ーム量を大巾に低減することができる。従ってマスク部
材の熱負荷条件が緩和されるので、ビームエネルギーを
増強して高輝度にすることが容易である。またマスク部
材を用いているから、高輝度形のビームインデックス管
のように色混濁が生じるおそれが無く、原理的に高精細
な表示が得られる。また輝度を従来と同一にするならば
、ビームの導通期間が１／３となっているため、高圧回
路の負担が軽くなり、低消費電力、小型化が可能である
。
第１図は本発明の実施例の高輝度ＣＲＴの原理を示す要
部拡大図、第２図はＣＲＴＩＩＩ御回路図、第３図は第
２図の動作タイムチャート、第４図はビームの走査状態
を示すアパーチャグリルの部分正面図、第５図は従来の
ＣＲＴの動作原理を示す要部拡大図である。 なお、図面に用いた符号において、 １ａ〜１ｃ・・・・・−・−・−・電子ビーム２・・・
・・・−・・・−・・−螢光面３−・−・−・・−・・
−・・・−アパーチャグリル３ａ−・−・・・−・・−
・−細孔 ４・−・−・−・・・−−−−−−−−一色螢光体５・
・・・・・・・・・−・・・・・・・・インデックス６
・−・・・・・・・・・・・・・・−・・ＣＲＴ８−・
−・−・−・・・・・−・−・フォトセンサである。
部拡大図、第２図はＣＲＴＩＩＩ御回路図、第３図は第
２図の動作タイムチャート、第４図はビームの走査状態
を示すアパーチャグリルの部分正面図、第５図は従来の
ＣＲＴの動作原理を示す要部拡大図である。 なお、図面に用いた符号において、 １ａ〜１ｃ・・・・・−・−・−・電子ビーム２・・・
・・・−・・・−・・−螢光面３−・−・−・・−・・
−・・・−アパーチャグリル３ａ−・−・・・−・・−
・−細孔 ４・−・−・−・・・−−−−−−−−一色螢光体５・
・・・・・・・・・−・・・・・・・・インデックス６
・−・・・・・・・・・・・・・・−・・ＣＲＴ８−・
−・−・−・・・・・−・−・フォトセンサである。
Claims (1)
- ３ビームの発生源と、螢光面上で螢光体の色選別を行う
ための細孔を有するマスク部材と、ビーム走査位置を検
出するために上記マスク部材上に形成されたインデック
ス信号発生源と、検出されたインデックス信号に基いて
上記細孔を通過し得る一本のビームを除いて他をカット
オフする手段とを具備する高輝度ＣＲＴディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273155A JP2565171B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 高輝度ｃｒｔデイスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273155A JP2565171B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 高輝度ｃｒｔデイスプレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126384A true JPS63126384A (ja) | 1988-05-30 |
| JP2565171B2 JP2565171B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=17523875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61273155A Expired - Fee Related JP2565171B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 高輝度ｃｒｔデイスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565171B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453357U (ja) * | 1977-09-20 | 1979-04-13 | ||
| JPS60113149U (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-31 | 石川島播磨重工業株式会社 | 連鋳機用ロ−ル |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61273155A patent/JP2565171B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453357U (ja) * | 1977-09-20 | 1979-04-13 | ||
| JPS60113149U (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-31 | 石川島播磨重工業株式会社 | 連鋳機用ロ−ル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2565171B2 (ja) | 1996-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |