JPS63126239A - ピングリツドアレイ - Google Patents

ピングリツドアレイ

Info

Publication number
JPS63126239A
JPS63126239A JP61272190A JP27219086A JPS63126239A JP S63126239 A JPS63126239 A JP S63126239A JP 61272190 A JP61272190 A JP 61272190A JP 27219086 A JP27219086 A JP 27219086A JP S63126239 A JPS63126239 A JP S63126239A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
pins
pin
semiconductor chip
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61272190A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsumi Hirata
平田 篤臣
Kensaku Morii
森井 賢作
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP61272190A priority Critical patent/JPS63126239A/ja
Priority to DE8787116524T priority patent/DE3780764T2/de
Priority to EP87116524A priority patent/EP0268181B1/en
Priority to US07/121,506 priority patent/US4868638A/en
Publication of JPS63126239A publication Critical patent/JPS63126239A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4823Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、ICパフケーノなどにおける成形品のピング
リッドアレイに関するものである。
[背景技術] ICなど半導体のバッケーノにおいて素子の高機能化、
高密度化に伴うI10数増加や、高速度化に従ってのリ
ード長の短縮化などの対応として、チップを実装する基
板の裏面に外部への電気接続用ピンとなるピンを股(す
たピングリッドアレイ(PGAと略称される)が実用化
されている。このピングリッドアレイは基板の裏面の全
面を利用して多数のピンを突設するようにしたもので、
ピンを機器の実装基板(マザーボード)に設けたソケッ
トやスルーホール等に差し込むことによって、マザーボ
ードへの取り付けをおこなうことができる。
そして第4図は基板1をtA箔張りのプラス基材エポキ
シ樹脂積層板やガラス基材ポリイミドLM N積層板な
どで形成するようにした従来のピングリッドアレイAを
示すものであり、銅箔をエツチングして放射状の回路1
2を基板1の表面に設けると共に回路12のランド部分
で基板1にスルーホールとしてピン孔13をドリルなど
で穿孔加工し、直径0 、5 mm程度のピン2の頭部
14をピン孔13内に圧入することによって、多数のピ
ン2を各回路12と接続させた状態で基板1から突出さ
せて設けて、ピングリッドアレイ八を作成するようにし
たものである。そしてこのものでは基板1に実装した半
導体チップ3と放射状の各回路12のインナーリード部
との間にワイヤーボンディング20を施して、各回路1
2を介して半導体チップ3とピン2とを電気的に接続さ
せるようにしである。
しかしこのものでは、基板1に実装した半導体チップ3
とピン2を電気的に接続するものとして基板1に回路1
2を放射状に形成する必要があり、回路形成という工数
が増加する問題があると共に絶縁間隔を確保しつつ放射
状に多数本の回路12を形成するために基板1はある程
度大きな面積を有するものとして形成する必要があり、
ピングリッドアレイ八を小形化する上で限界があるとい
う問題があった。さらにこのものでは、半導体チップ3
と回路12とのボンディング接続及び回路12とピン2
との接触接続の二箇所の接続で半導体チップ3とピン2
とは電気的に接続されているものであって、接続箇所が
このように二箇所必要であるために接続の工数が増加す
ると共に接続の信頼性が低下することになるという問題
もあった。
[発明の目的] 本発明は、上記の点に鑑みて為されたものであり、基板
に回路形成する必要なく半導体チップとピンとを電気的
に接続することができ、しかも半導体チップとピンとの
接続の信頼性を高めることができると共に接続工数を少
なくすることができるピングリッドアレイを提供するこ
とを目的とするものである。
[発明の開示1 しかして本発明に係るピングリッドアレイは、基板1に
基部を埋入して固定した複数本のピン2を基板1から突
出させて設けると共にピン2の基端面を基板1から露出
させ、基板1に実装した半導体チップ3と各ピン2の基
端面とをボンディング接続して成ることを特徴とするも
のであり、半導体チップ3と各ピン2とを直接ボンディ
ング接続することができるようにすることによって、基
板1に回路形成する必要なく半導体チップ3とピン2と
を電気的に接続できるようにし、さらに半導体チップ3
とピン2との接続の信頼性を高めることがでさると共に
接続工数を少なくすることができるようにしたものであ
って、以下本発明を実施例により詳述する。
第1図(勿論実物大を示すものではない)は本発明の一
実施例を示すものであって、基板1は合成樹脂成形材料
を射出成形やトランス77−成形などで成形することに
よって成形品として作成することができるものであり、
そしてこのように基板1を成形する際にピン2の基部を
基板1内に埋入させるようインサート成形することによ
って、基板1に多数本のピン2を平行に突出するように
取り付けることができる。基板1を構成する合成樹脂と
しては、フェノール、エポキシ、シリコン、ポリイミド
などの熱硬化性樹脂や、ポリフェニレンサルファイド、
ポリサル7オン、ポリエーテルスルホン、ボリアリール
スルホンなどの熱可塑性樹脂を用いることができる。実
績的に信頼性のある面ではエポキシ樹脂を、また可撓性
や機械的強度、耐熱性の点からは後者の熱可塑性樹脂を
用いるのが好ましい。ピン2は紬方向全長に亘って断面
円形に形成されるものであって、その頭部となる基部に
はピン2の全周から突出される一対の円形の鍔11が設
けである。
第1図の実施例では放熱体17が基板1へのインサート
成形で埋入固着してあり、基板1の一部を構成すること
になるこの放熱体17の表面にICチップなどの半導体
チップ3を実装するようにしである。放熱体17として
は熱伝導性に優れた銅、鉄、アルミニウム、セラミック
などで形成したものを用いることがでさる。そしてピン
2はその基端面2aが基板1の表面から露出するように
基部を基板1にインサートして取り付けられているもの
であり、第3図に示すように放熱体17の周囲に沿って
二列で基板1に取り付けるようにし、内側の列のピン2
と外側の列のピン2とが互い違いにずれる配列になるよ
うにしである。また第1図の実施例のように内側のピン
2と外側のピン2の各基端面2 a、 2 aが同一平
面内に位置するようにする他、第2図の実施例のように
外側のピン2の基端面2aが内側のピン2の基端面2a
よりも高くなるようにしてもよい。
そして上記のようにして形成されるピングリッドアレイ
Aにあって、基板1の表面に実装された半導体チップ3
と各ピン2とを電気的に接続するにあたっては、半導体
チップ3のパッド部と各ピン2の基端面2aとの間にワ
イヤー20をボンディングすることによっておこなうこ
とができる。このように半導体チフブ3と各ピン2とは
ボンディングで直接接続されるために、基板1に回路を
形成するような必要はなく、従って回路形成の工程が不
要になると共に回路形成のための面積を基板1に確保す
る必要がなくなって基板1を小型化することが可能にな
り、基板の面積は第4図の従来のものの173〜1/4
になる。また基板1に回路を設けて半導体チップ3とピ
ン2とを電気的に接続するようにした場合には、ピン2
−の本数の増加による回路の本数の増加に対応するため
に回路を基板に多層構成で設けなければならないことが
あり、この場合には基板1の作成に非常に多くの手間を
要することになるが、本発明′では回路が不要であるた
めにこのような問題はない。ここで、第2図の実施例の
ように外側のピン2の基端面2aを内側のピン2の基端
面2aよりも一段高(なるようにしておけば、内側のピ
ン2と外側のピン2にそれぞれ施したワイヤー20が交
差したり、外側のピン2に施したワイヤー20が内側の
ピン2にかかったりすることを防止することができるこ
とになる。また半導体チップ3とピン2との間のボンデ
ィングは、可撓性フィルムに回路を放射状に設けてフレ
キシブル配線板として形成したテープキャリア(Tap
e Automated Bonding:TAB)を
用い、テープキャリアをヒートシールさせることによっ
てテープキャリアの各回路を半導体チップのパッド部と
ピン2の基端面2aとの間に接続させることで、一括し
てボンディングをおこなうようにすることもできる。こ
のテープキャリアを用いたボンディングの適用は、MS
1図の実施例に示すような内側のピン2と外側のピン2
の各基端面2aが同一平面に位置するものの場合に容易
である。
[発明の効果] 上述のように本発明は、基板に基部を埋入して固定した
複数本のピンを基板から突出させて設けると共にピンの
基端面を基板から露出させ、基板に実装した半導体チッ
プと各ピンの基端面とをボンディング接続するようにし
たので、半導体チップと各ピンとは直接接続されること
になって基板に回路を形成するような必要はなく、回路
形成の工程が不要になると共に回路形成のための面積を
基板に確保する必要がな(なって基板を小型化すること
が可能になるものであり、また半導体チップと各ピンと
は直接接続されるために接続の工数を低減することがで
きると共に接続の箇所を少なくして半導体チップとピン
との接続信頼性を高めることができるものである。
【図面の簡単な説明】
tJSi図は本発明の一実施例の断面図、第2図は同上
の他の実施例の断面図、第3図は同上の平面図、第4図
は従来例の断面図である。 1は基板、2はピン、3は半導体チップである。 代理人 弁理士 石 1)艮 七 1・・・基板 2・・・ピン 3・・・半導体チップ 第1図 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発) 昭和62年2月6日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板に基部を埋入して固定した複数本のピンを基
    板から突出させて設けると共にピンの基端面を基板から
    露出させ、基板に実装した半導体チップのパッド部と各
    ピンの基端面とをボンディング接続して成ることを特徴
    とするピングリッドアレイ。
JP61272190A 1986-11-15 1986-11-15 ピングリツドアレイ Pending JPS63126239A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61272190A JPS63126239A (ja) 1986-11-15 1986-11-15 ピングリツドアレイ
DE8787116524T DE3780764T2 (de) 1986-11-15 1987-11-09 Gegossenes kunststoff-chip-gehaeuse mit steckermuster.
EP87116524A EP0268181B1 (en) 1986-11-15 1987-11-09 Plastic molded pin grid chip carrier package
US07/121,506 US4868638A (en) 1986-11-15 1987-11-13 Plastic molded pin grid chip carrier package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61272190A JPS63126239A (ja) 1986-11-15 1986-11-15 ピングリツドアレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63126239A true JPS63126239A (ja) 1988-05-30

Family

ID=17510341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61272190A Pending JPS63126239A (ja) 1986-11-15 1986-11-15 ピングリツドアレイ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63126239A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6920688B2 (en) Method for a semiconductor assembly having a semiconductor die with dual heat spreaders
US6028358A (en) Package for a semiconductor device and a semiconductor device
US5557150A (en) Overmolded semiconductor package
JP3432982B2 (ja) 表面実装型半導体装置の製造方法
US5773884A (en) Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto
JPH0992752A (ja) 半導体装置
GB2286084A (en) Electronic package with thermally conductive support
US6101098A (en) Structure and method for mounting an electric part
JPS63126239A (ja) ピングリツドアレイ
JPH05175407A (ja) 半導体搭載基板
JPS63174344A (ja) ピングリツドアレイ
JPH0219982Y2 (ja)
JP2538937B2 (ja) 半導体パッケ―ジ
JPS63126253A (ja) ピングリツドアレイ
JPS63226043A (ja) 半導体装置
KR19980063740A (ko) 몰딩된 패키지용 다층 리드프레임
JP2652223B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JP2734625B2 (ja) 多層配線基板の製造方法
JPS62256461A (ja) ピングリツドアレイ
JP3903025B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2603101B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JPS63126256A (ja) ピングリツドアレイ
JPS62179794A (ja) 電気回路配線板
JP3099767B2 (ja) 電子部品組立体およびその製造方法
JPH02271544A (ja) 配線基板およびこれを用いた半導体装置