JPS63115027A - 光周波数ネツトワ−ク・アナライザ - Google Patents
光周波数ネツトワ−ク・アナライザInfo
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- JPS63115027A JPS63115027A JP61260338A JP26033886A JPS63115027A JP S63115027 A JPS63115027 A JP S63115027A JP 61260338 A JP61260338 A JP 61260338A JP 26033886 A JP26033886 A JP 26033886A JP S63115027 A JPS63115027 A JP S63115027A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G01J3/28—Investigating the spectrum
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- H01S3/1303—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by using a passive reference, e.g. absorption cell
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光ファイバ、光導波路、波長分波器。
光スィッチ、080などの光部品の光伝送特性や光反射
特性等を測定する光周波数ネットワーク・アナライザに
関する。
特性等を測定する光周波数ネットワーク・アナライザに
関する。
(従来の技術)
第12図は従来の光フアイバ損失波長特性測定器を示す
構成ブロック図である。可変波長光源VLの出力光は被
測定ファイバMFに入射し、その出射光を光検出器PD
で検出した後増幅・表示手段DPに出力する。可変波長
光源VLの出力波長を局引したときの光パワーの変化か
ら光フアイバ損失の波長特性を測定する。
構成ブロック図である。可変波長光源VLの出力光は被
測定ファイバMFに入射し、その出射光を光検出器PD
で検出した後増幅・表示手段DPに出力する。可変波長
光源VLの出力波長を局引したときの光パワーの変化か
ら光フアイバ損失の波長特性を測定する。
第13図は従来の光ファイバ波長分数特性測定器を示づ
構成プ1コック図である。可変波長光gAvLおよび基
準波長光源8mを周波数fの変調信号源Efで1辰幅変
調する。可変波長光源V1−の出力光が加わる被測定フ
ァイバMFおよび基準波長光源SLの出力光が加わる基
準ファイバSFの出力光パワーを光検出部PDでそれぞ
れ検出し、両者の周波数f成分の位相差を位相測定部P
Sで検出することにより、被測定ファイバMFの波長に
対する伝搬遅延時間を測定する。
構成プ1コック図である。可変波長光gAvLおよび基
準波長光源8mを周波数fの変調信号源Efで1辰幅変
調する。可変波長光源V1−の出力光が加わる被測定フ
ァイバMFおよび基準波長光源SLの出力光が加わる基
準ファイバSFの出力光パワーを光検出部PDでそれぞ
れ検出し、両者の周波数f成分の位相差を位相測定部P
Sで検出することにより、被測定ファイバMFの波長に
対する伝搬遅延時間を測定する。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記のような構成の測定器では、高精度
に光の位相伝搬特性を測定できないという欠点がある。
に光の位相伝搬特性を測定できないという欠点がある。
またファイバのように光路の長いものは測定できるが、
短い導波路などは測定できない。将来の]ヒーレント光
応用技術の重要部品である光ファイバ、光導波路、波長
分波器、光スィッチ、0EICなどの性能テスト、には
伝搬特性(損失、ゲイン、位相、遅延)や反射特性など
の測定が重要であるが、上記の測定器では不十分である
。
短い導波路などは測定できない。将来の]ヒーレント光
応用技術の重要部品である光ファイバ、光導波路、波長
分波器、光スィッチ、0EICなどの性能テスト、には
伝搬特性(損失、ゲイン、位相、遅延)や反射特性など
の測定が重要であるが、上記の測定器では不十分である
。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、高精度に振幅1位相特性などが測定できる光周波
数ネッ1−ワーク・アナライザを実現することを目的と
する。
ので、高精度に振幅1位相特性などが測定できる光周波
数ネッ1−ワーク・アナライザを実現することを目的と
する。
(問題点を解決ツるための手段)
本発明に係る光周波数ネットワーク・アナライザは、周
波数釦用する第1の光出力およびこの第1の光出力に関
連する第2の光出力を発生し第1の光出力を測定対象に
出射する可変周波数光源と、前記第1または第2の光出
力を入力し特定の周波数間隔でマーカ信号を出力する光
周波数マーカと、前記第1の光出力に基づく前記測定対
象の出射光に関連する光および前記第2の光出力を入力
する第1の光ヘテロダイン検波部と、この第1の光ヘテ
ロダイン検波部の電気出力を入力する第1のフィルタ部
と、前記第1のフィルタ部の電気出力と前記第1および
第2の光出力の周波数差に関連する電気信号とを比較す
る比較手段と、この比較手段の電気出力と前記光周波数
マーカの電気出力とを入力して信号処理する信号処理手
段とを備えたことを特徴とする。
波数釦用する第1の光出力およびこの第1の光出力に関
連する第2の光出力を発生し第1の光出力を測定対象に
出射する可変周波数光源と、前記第1または第2の光出
力を入力し特定の周波数間隔でマーカ信号を出力する光
周波数マーカと、前記第1の光出力に基づく前記測定対
象の出射光に関連する光および前記第2の光出力を入力
する第1の光ヘテロダイン検波部と、この第1の光ヘテ
ロダイン検波部の電気出力を入力する第1のフィルタ部
と、前記第1のフィルタ部の電気出力と前記第1および
第2の光出力の周波数差に関連する電気信号とを比較す
る比較手段と、この比較手段の電気出力と前記光周波数
マーカの電気出力とを入力して信号処理する信号処理手
段とを備えたことを特徴とする。
(実施例)
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第1図は本発明に係る光周波数ネットワーク・アナライ
ザの一実施例を示す構成ブロック図である。1は周波数
掃引する光出力を発生する後述の可変周波数光源、23
はPINフォトダイオードやアバランシェフォトダイオ
ードなどからなりこの可変周波数光源1の第1および第
2の出力光を入力する光ヘテロダイン検波部、24はこ
の光ヘテロダイン検波部23の電気出力を入力するバン
ドパスフィルタからなるフィルタ部、2は前記可変周波
数光g11の第1の出力光を入力する光方向性結合器、
3はこの光方向性結合器2からの出力光を出射する出射
端、10はこの出射端3からの出力光を入射する測定対
象、4はこの測定対象10からの出射光を入射する入射
端、41はこの入射端4からの入射光を入力する磁気光
学効果結晶(YIG、鉛ガラス他)等を用いた偏光制御
部、42はこの偏光制御部41の出力光を入力する光増
幅部、43は前記光!!!j幅部42およびηl記可変
周波数光源1の第2の出力光を入力する光ヘテロダイン
検波部、44はこの光ヘテロダイン検波部43の電気出
力を入力して増幅するバンドパスフィルタからなるフィ
ルタ部、45は前記フィルタ部44および24からの電
気出力を入力する振幅比較部、46は前記フィルタ部4
4および24からの電気出力を入力する位相比較部、3
つは前記測定対象10からの反射光が光方向性結合器2
を介して入力する41と同様の偏光制御部、32はこの
偏光II、11御部31の出力光を入力する42と同様
の光増幅部、33はこの光増幅部32および前記可変周
波数光源1の第2の出力光を入力する43と同様の光ヘ
テロダイン検波部、34はこの光ヘテロダイン検波部3
3の電気出力を入力する44と同様のバンドパスフィル
タからなるフィルタ部、35は前記フィルタ部34およ
び24からの電気出力を入力する45と同様の振幅比較
部、36は前記フィルタ部34および24からの電気出
力を入力する46と同様の位相比較部、20は前記可変
周波数光源1の第1の出力光を入力しその光周波数に対
応したマーカ信号を発生する後述の光周波数マーカ、5
0は前記振幅比較部35.45、位相比較部36.46
および光周波数マーカ20の電気出力を入力する信号処
理・表示部である。33.43は第1の光ヘテロダイン
検波部を、34.44は第1のフィルタ部を、23は第
2の光ヘテロダイン検波部を、24は第2のフィルタ部
を、35.36.45.46は比較手段を、50は信号
処理手段をそれぞれ構成している。光増幅部32.42
はG a A I A sレーザ(780nm帯)や1
uGaAsPレーザ(1500nm帯)などで構成され
、下記の3方式のものを用いることができる。
ザの一実施例を示す構成ブロック図である。1は周波数
掃引する光出力を発生する後述の可変周波数光源、23
はPINフォトダイオードやアバランシェフォトダイオ
ードなどからなりこの可変周波数光源1の第1および第
2の出力光を入力する光ヘテロダイン検波部、24はこ
の光ヘテロダイン検波部23の電気出力を入力するバン
ドパスフィルタからなるフィルタ部、2は前記可変周波
数光g11の第1の出力光を入力する光方向性結合器、
3はこの光方向性結合器2からの出力光を出射する出射
端、10はこの出射端3からの出力光を入射する測定対
象、4はこの測定対象10からの出射光を入射する入射
端、41はこの入射端4からの入射光を入力する磁気光
学効果結晶(YIG、鉛ガラス他)等を用いた偏光制御
部、42はこの偏光制御部41の出力光を入力する光増
幅部、43は前記光!!!j幅部42およびηl記可変
周波数光源1の第2の出力光を入力する光ヘテロダイン
検波部、44はこの光ヘテロダイン検波部43の電気出
力を入力して増幅するバンドパスフィルタからなるフィ
ルタ部、45は前記フィルタ部44および24からの電
気出力を入力する振幅比較部、46は前記フィルタ部4
4および24からの電気出力を入力する位相比較部、3
つは前記測定対象10からの反射光が光方向性結合器2
を介して入力する41と同様の偏光制御部、32はこの
偏光II、11御部31の出力光を入力する42と同様
の光増幅部、33はこの光増幅部32および前記可変周
波数光源1の第2の出力光を入力する43と同様の光ヘ
テロダイン検波部、34はこの光ヘテロダイン検波部3
3の電気出力を入力する44と同様のバンドパスフィル
タからなるフィルタ部、35は前記フィルタ部34およ
び24からの電気出力を入力する45と同様の振幅比較
部、36は前記フィルタ部34および24からの電気出
力を入力する46と同様の位相比較部、20は前記可変
周波数光源1の第1の出力光を入力しその光周波数に対
応したマーカ信号を発生する後述の光周波数マーカ、5
0は前記振幅比較部35.45、位相比較部36.46
および光周波数マーカ20の電気出力を入力する信号処
理・表示部である。33.43は第1の光ヘテロダイン
検波部を、34.44は第1のフィルタ部を、23は第
2の光ヘテロダイン検波部を、24は第2のフィルタ部
を、35.36.45.46は比較手段を、50は信号
処理手段をそれぞれ構成している。光増幅部32.42
はG a A I A sレーザ(780nm帯)や1
uGaAsPレーザ(1500nm帯)などで構成され
、下記の3方式のものを用いることができる。
(イ)共娠器形半導体レーザ増幅器と呼ばれ、発撮間値
近傍のバイアス電流を流し、レーザダイオードに信号光
を入射して誘導放出により線形光増幅を行うもの。
近傍のバイアス電流を流し、レーザダイオードに信号光
を入射して誘導放出により線形光増幅を行うもの。
(ロ)光注入同期増幅器と呼ばれ、発振しているレーザ
ダイオードに信号光を入射して発振光の光周波数および
位相をIQ御するもの。
ダイオードに信号光を入射して発振光の光周波数および
位相をIQ御するもの。
(ハ)進行波形レーザ増幅器と呼ばれ、レーザダイオー
ド・チップの両端口を無反射=1−トし、信号光の通過
のみで光増幅するもの。
ド・チップの両端口を無反射=1−トし、信号光の通過
のみで光増幅するもの。
上記のような構成の光周波数ネットワーク・アナライザ
の動作を次に詳しく説明する。
の動作を次に詳しく説明する。
可変周波数光源1は光出力を周波数掃引して高安定、高
スペクトル純度に出力する(詳細は後述〉。可変周波数
光源1の周波数ω0の第1の光出力は光方向性結合器2
.出tA端3を介して測定対象10に入射し、この測定
対象1oがらの出射光は入射端4を介して偏光制御部4
1に入力する。偏光制御部41は磁気光学効果結晶の旋
光性を利用して印加磁界を制御することにより、入力光
の偏光面を局部発振光(前記第2の光出力)と同じ偏光
面となるように制御する。偏光制御部41の光出力は光
増幅部42で増幅された後ハーフミラ−等(図では省略
)で可変周波数光源1からの局部発振光と合成され、光
ヘテロダイン検波部43で画周波数の差(ω0+Δω)
−ω0−Δωの周波数をもつ電気信号に変換される。光
ヘテロダイン検波部43の電気出力はフィルタ44のバ
ンドパス特性を一部が通過する。また可変周波数光源1
からの第1の出力光(周波数ω0)はハーフミラ−等で
直接局部発振光(周波数ω0+Δω)と合成され、光ヘ
テロダイン検波部23で画周波数の差Δωの周波数をも
つ電気信号に変換される。光ヘテロダイン検波部23の
電気出力はフィルタ24のバンドパス特性を一部が通過
してリファレンス信号となる。フィルタ44の測定対象
の特性の影響を交番プだ電気信号出力とフィルタ24の
測定対象の特性の影響を受けていないリファレンス信号
出力とは振幅比較部45で両者の振幅が比較され、位相
比較部46で両名の位相が比較される。
スペクトル純度に出力する(詳細は後述〉。可変周波数
光源1の周波数ω0の第1の光出力は光方向性結合器2
.出tA端3を介して測定対象10に入射し、この測定
対象1oがらの出射光は入射端4を介して偏光制御部4
1に入力する。偏光制御部41は磁気光学効果結晶の旋
光性を利用して印加磁界を制御することにより、入力光
の偏光面を局部発振光(前記第2の光出力)と同じ偏光
面となるように制御する。偏光制御部41の光出力は光
増幅部42で増幅された後ハーフミラ−等(図では省略
)で可変周波数光源1からの局部発振光と合成され、光
ヘテロダイン検波部43で画周波数の差(ω0+Δω)
−ω0−Δωの周波数をもつ電気信号に変換される。光
ヘテロダイン検波部43の電気出力はフィルタ44のバ
ンドパス特性を一部が通過する。また可変周波数光源1
からの第1の出力光(周波数ω0)はハーフミラ−等で
直接局部発振光(周波数ω0+Δω)と合成され、光ヘ
テロダイン検波部23で画周波数の差Δωの周波数をも
つ電気信号に変換される。光ヘテロダイン検波部23の
電気出力はフィルタ24のバンドパス特性を一部が通過
してリファレンス信号となる。フィルタ44の測定対象
の特性の影響を交番プだ電気信号出力とフィルタ24の
測定対象の特性の影響を受けていないリファレンス信号
出力とは振幅比較部45で両者の振幅が比較され、位相
比較部46で両名の位相が比較される。
振幅比較部45および位相比較部46の電気出力は信号
処理・表示部50で信号処理され、その結果として測定
対象の伝搬特性が表示される。測定対象10から出Oi
J端3を介して光結合器2から出力される反射光も偏光
制御部31.光増幅部32゜光ヘテロダイン検波部33
.フィルタ34.@幅比較部359位相比較部3Gおよ
び信号処理・表示部50において同様に処理され、その
結果として測定対象の反射特性が表示される。光周波数
マーカ20は前記可変周波数光源1の光出力ω0を入力
して特定の周波数において高精度のマーカ信号を発生し
、信号処理・表示部に入力して上記各特性とともにマー
カを表示する。
処理・表示部50で信号処理され、その結果として測定
対象の伝搬特性が表示される。測定対象10から出Oi
J端3を介して光結合器2から出力される反射光も偏光
制御部31.光増幅部32゜光ヘテロダイン検波部33
.フィルタ34.@幅比較部359位相比較部3Gおよ
び信号処理・表示部50において同様に処理され、その
結果として測定対象の反射特性が表示される。光周波数
マーカ20は前記可変周波数光源1の光出力ω0を入力
して特定の周波数において高精度のマーカ信号を発生し
、信号処理・表示部に入力して上記各特性とともにマー
カを表示する。
光導波路を測定対象とする場合には、導波路の伝搬損失
や位相差の波長特性等を測定できる。光ファイバを測定
対象とする場合には、伝搬損失。
や位相差の波長特性等を測定できる。光ファイバを測定
対象とする場合には、伝搬損失。
遅延の波長特性等が短いファイバを用いて測定できる。
レーザダイオード光増幅器を測定対象とする場合には、
増幅ゲインの波長特性1位相遅れ等を測定できる。また
反射光の特性からは光接続点の反射損失が測定できる。
増幅ゲインの波長特性1位相遅れ等を測定できる。また
反射光の特性からは光接続点の反射損失が測定できる。
ここで可変周波数光源1としては、レーザダイオードチ
ップ内に作り込んだ回折格子からの反射を利用して共振
器が構成され回折格子のビッヂで発掘周波数が決まるた
め比較的波長が安定なりFB([)istribute
d Feedback)レーザや0BR(()ist
ributed Bragg Reflector
)レーザ(7)−WでADFB (△coustic
DFB)レーザ(Yamanishi M、et、
at、:GaAsΔcoustic Distrib
utedFeedback 1−asers、Jpn
、J。
ップ内に作り込んだ回折格子からの反射を利用して共振
器が構成され回折格子のビッヂで発掘周波数が決まるた
め比較的波長が安定なりFB([)istribute
d Feedback)レーザや0BR(()ist
ributed Bragg Reflector
)レーザ(7)−WでADFB (△coustic
DFB)レーザ(Yamanishi M、et、
at、:GaAsΔcoustic Distrib
utedFeedback 1−asers、Jpn
、J。
App 1.Phys、、5upp1.1s−1゜p、
355.1979>と呼ばれるものを用いている。AD
FBレーザはDBRレーザ内の回折格子と直交して表面
弾性波(SAW)を発生させ、チップ内に作りこんだ回
折格子とSAWとでブラッグ回折による光のリング共振
器を形成する。SAWの波長を抑引すると、リング共振
器の共振波長が変化し、発振波長を掃引することができ
る。
355.1979>と呼ばれるものを用いている。AD
FBレーザはDBRレーザ内の回折格子と直交して表面
弾性波(SAW)を発生させ、チップ内に作りこんだ回
折格子とSAWとでブラッグ回折による光のリング共振
器を形成する。SAWの波長を抑引すると、リング共振
器の共振波長が変化し、発振波長を掃引することができ
る。
共蚕器長の長いDFB、DBRや△DF8レーザは発振
スペクトルが狭く、スペクトル純度が良いという利点も
ある。
スペクトルが狭く、スペクトル純度が良いという利点も
ある。
このDFB、DBRやADFBレーザの出力が第1の光
出力となる。またこの第1の光出力は超音波変調器等か
らなる光周波数シフタ(図は省略、以下同様)により出
力周波数がΔωシフトし、周波数ω0+Δωの第2の光
出力すなわち局部発振光として出力される。
出力となる。またこの第1の光出力は超音波変調器等か
らなる光周波数シフタ(図は省略、以下同様)により出
力周波数がΔωシフトし、周波数ω0+Δωの第2の光
出力すなわち局部発振光として出力される。
また可変周波数光源1としては上記の構成例のようなA
DFBなどに限られず、レーザダイオードチップ外部に
回折格子を用いた外部共振器を付加し、回折格子を回転
させ、その波長選択性を利用して可変波長としたもので
もよい。外部共1辰器形レーザダイオードは狭スペクト
ルという優れた特長を持つ。
DFBなどに限られず、レーザダイオードチップ外部に
回折格子を用いた外部共振器を付加し、回折格子を回転
させ、その波長選択性を利用して可変波長としたもので
もよい。外部共1辰器形レーザダイオードは狭スペクト
ルという優れた特長を持つ。
また可変周波数光源1どして、第2図のように共振器内
に波長選択性の素子を挿入したーものを用いてもよい。
に波長選択性の素子を挿入したーものを用いてもよい。
図においてLDlは半導体レーザ、51.52はこの半
導体レーザLDIの両端に設けられた無反射コート部、
LSIはこの無反射コート部51から出射される光を平
行光とするレンズ、MlはこのレンズLS1を通過した
光が反射されるミラー、LS2は無反射コート部52か
ら出射される光を平行光とするレンズ、LJMlはこの
レンズLS2を通過する光が入射する第1の超音波変調
器、UM2はこの超音波変調器tJ M 1から出射す
る光が入射する第2の超音波変調器、M2はこの超音波
変調器UM2から出射した光を反射するミラー、DPI
は前記超音波変調器UMI。
導体レーザLDIの両端に設けられた無反射コート部、
LSIはこの無反射コート部51から出射される光を平
行光とするレンズ、MlはこのレンズLS1を通過した
光が反射されるミラー、LS2は無反射コート部52か
ら出射される光を平行光とするレンズ、LJMlはこの
レンズLS2を通過する光が入射する第1の超音波変調
器、UM2はこの超音波変調器tJ M 1から出射す
る光が入射する第2の超音波変調器、M2はこの超音波
変調器UM2から出射した光を反射するミラー、DPI
は前記超音波変調器UMI。
UM2を周波数Fで励振する発撮器である。第3図は第
2図装置における超音波変調器UM1.UM2による波
長選択および周波数掃引動作の様子を示すための動作説
明図である。半導体レーザしDlの無反射コート部51
から出射した光はレンズLS1で平行光とされ、ミラー
M1で反射される。ミラーM1からの反射光は光路を元
に戻って再び半導体レーザLD1に入射する。無反射コ
ート部52から出射した周波数1°o1の光はレンズL
S2で平行光とされ、第1の超音波変調器LIM1に入
射する。この際回折条件から、超音波61により生じる
回折格子63への入射角θ(I+回折後の出射角θOI
+光の波長λ0および超音波の波長Δ0の間には次式の
ような関係がある。
2図装置における超音波変調器UM1.UM2による波
長選択および周波数掃引動作の様子を示すための動作説
明図である。半導体レーザしDlの無反射コート部51
から出射した光はレンズLS1で平行光とされ、ミラー
M1で反射される。ミラーM1からの反射光は光路を元
に戻って再び半導体レーザLD1に入射する。無反射コ
ート部52から出射した周波数1°o1の光はレンズL
S2で平行光とされ、第1の超音波変調器LIM1に入
射する。この際回折条件から、超音波61により生じる
回折格子63への入射角θ(I+回折後の出射角θOI
+光の波長λ0および超音波の波長Δ0の間には次式の
ような関係がある。
sinθ(、+sinθo1−λ0/△0・・・(1)
すなわち特定の入射角θIIおよび出射角θ01を満足
するような光路を通る光の波長λ0は超音波の波長へ〇
が変われば変化する。出射光は超音波によるドツプラシ
フトを受け、この場合は+1次回折光(超音波の方向と
回折される方向が同じ)であるので、その周波数はfo
、+Fとなる。超音波変調器UM1からの出射光は超音
波変調器UM2で再び回折する。前記同様、超音波62
により生じる回折格子64への入射角θL21回折後の
出射角θ02+光の波長λ0および超音波の波長△0の
間には次式のような関係がある。
するような光路を通る光の波長λ0は超音波の波長へ〇
が変われば変化する。出射光は超音波によるドツプラシ
フトを受け、この場合は+1次回折光(超音波の方向と
回折される方向が同じ)であるので、その周波数はfo
、+Fとなる。超音波変調器UM1からの出射光は超音
波変調器UM2で再び回折する。前記同様、超音波62
により生じる回折格子64への入射角θL21回折後の
出射角θ02+光の波長λ0および超音波の波長△0の
間には次式のような関係がある。
sinθ(2+sin θo 2 =λ0 /△0・・
・ (2) ただしく2)式において超音波変調器UM1のドツプラ
シフトによるλ0の変化は小さいので無視している。こ
こでは超音波の進行波62と回折光の関係が超音波変調
器UM1における場合と逆で、−1次回折光となるので
、ドツプラシフト量は−Fとなり、超音波変調器J器L
JM2の出射光の周波数はfo + +F F=fo
+となる。超音波変調器UM2の出射光はミラーM2で
反射した後元の光路を逆行して、再び半導体レーザLD
1に入射する。逆行する際に、ドツプラシフトでUM2
の出射光の周波数はfo、−Fとなり、UMIの出射光
の周波数はfo r −F+F=fOIと元の周波数f
oI となって半導体レーザLD1に戻るので、共振状
態が持続する。なお回折効率を高めるためにブラッグ入
射条件を満足させ、超音波の波長へ〇のとき入射角θj
l+出則角θ01 +入射角θL2および出射角θo2
の間に次の関係が成立つようにしている。
・ (2) ただしく2)式において超音波変調器UM1のドツプラ
シフトによるλ0の変化は小さいので無視している。こ
こでは超音波の進行波62と回折光の関係が超音波変調
器UM1における場合と逆で、−1次回折光となるので
、ドツプラシフト量は−Fとなり、超音波変調器J器L
JM2の出射光の周波数はfo + +F F=fo
+となる。超音波変調器UM2の出射光はミラーM2で
反射した後元の光路を逆行して、再び半導体レーザLD
1に入射する。逆行する際に、ドツプラシフトでUM2
の出射光の周波数はfo、−Fとなり、UMIの出射光
の周波数はfo r −F+F=fOIと元の周波数f
oI となって半導体レーザLD1に戻るので、共振状
態が持続する。なお回折効率を高めるためにブラッグ入
射条件を満足させ、超音波の波長へ〇のとき入射角θj
l+出則角θ01 +入射角θL2および出射角θo2
の間に次の関係が成立つようにしている。
θ、1 =θo+”θ4 □ =θo2この様な構成で
超音波の波長へ〇を変えれば、θ1++ θO++ θ
t2+ θo2を満足して共振する光の波長λ0を次式
のように掃引できる。
超音波の波長へ〇を変えれば、θ1++ θO++ θ
t2+ θo2を満足して共振する光の波長λ0を次式
のように掃引できる。
sinθ(1+Stnθo+−(λ。+Δλ)/(△0
+Δ△) また可変周波数光源1として、第4図のように共振器内
に屈折率を制御できる素子を挿入したものを用いてもよ
い。第2図と同一の部分には同じ記号を付して説明を省
略する。EOlはLt NbO3にオプ酸リチウム)等
からなりレンズLS2の出力光を入)1する両面無反射
コートの電気光学素子、71はこの電気光学素子EO1
を制tilする電源である。半導体レーザLD1を出射
した光はレンズL S 2で平行光となった後電気光学
素子EO1を通過し、ミラーM2で反射した後元の光路
を逆行して、再び半導体レーザLDIに入射する。この
結果ミラーM1とミラーM2の間で共振器を構成できる
。ミラーM1とミラーM2の間の電気光学素子EO1の
光路に沿った長さeを除く距離をり、7!1気光学素子
EO1の屈折率をn、光速をC1pを整数とすると、発
振周波数f02はf’o 2−p−c/2 (L+n
(v) Q )・・・(3) となる。すなわち電源71により電気光学素子EO1の
電界強度を変えることにより屈折率nを変化させること
ができ、その結果発振周波数f02を掃引できる。
+Δ△) また可変周波数光源1として、第4図のように共振器内
に屈折率を制御できる素子を挿入したものを用いてもよ
い。第2図と同一の部分には同じ記号を付して説明を省
略する。EOlはLt NbO3にオプ酸リチウム)等
からなりレンズLS2の出力光を入)1する両面無反射
コートの電気光学素子、71はこの電気光学素子EO1
を制tilする電源である。半導体レーザLD1を出射
した光はレンズL S 2で平行光となった後電気光学
素子EO1を通過し、ミラーM2で反射した後元の光路
を逆行して、再び半導体レーザLDIに入射する。この
結果ミラーM1とミラーM2の間で共振器を構成できる
。ミラーM1とミラーM2の間の電気光学素子EO1の
光路に沿った長さeを除く距離をり、7!1気光学素子
EO1の屈折率をn、光速をC1pを整数とすると、発
振周波数f02はf’o 2−p−c/2 (L+n
(v) Q )・・・(3) となる。すなわち電源71により電気光学素子EO1の
電界強度を変えることにより屈折率nを変化させること
ができ、その結果発振周波数f02を掃引できる。
第5図は第4図の可変周波数光源1を2爪具祭器形とし
たものを示す構成ブロック図である。第4図と同一の部
分は同じ記号を付して説明を省略する。881はレンズ
LS2からの出射光を2方向に分離するビームスプリッ
タ、EO2はこのビームスプリッタBS1を透過した光
を入射する電気光学素子、M2はこの電気光学素子EO
2の出射光を反射するミラー、EO3は前記ビームスプ
リッタBS1で反射した光を入射する電気光学素子1M
3はこの電気光学素子EO3の出射光を反射するミラー
である。電気光学素子EO2,EO3の光路方向の長さ
をそれぞれflI*92、屈折率をそれぞれnI *
n2 、ミラーM1.M2間の光路に沿ったR+を除く
距離をL−+、ミラーM1゜M3間の光路に沿ったC2
を除く距離をL2、qを整数とすると、この場合の発振
周波数f03はf o コ =q−c/21 (L
+ +n+ (V+ )e+ )(12+n
2 (V2 )(12)l −(4)となる、<
4)式は(3)式よりも分母を小さくできるので、第4
図装置の場合よりも発振周波数の可変範囲を大きくでき
る。
たものを示す構成ブロック図である。第4図と同一の部
分は同じ記号を付して説明を省略する。881はレンズ
LS2からの出射光を2方向に分離するビームスプリッ
タ、EO2はこのビームスプリッタBS1を透過した光
を入射する電気光学素子、M2はこの電気光学素子EO
2の出射光を反射するミラー、EO3は前記ビームスプ
リッタBS1で反射した光を入射する電気光学素子1M
3はこの電気光学素子EO3の出射光を反射するミラー
である。電気光学素子EO2,EO3の光路方向の長さ
をそれぞれflI*92、屈折率をそれぞれnI *
n2 、ミラーM1.M2間の光路に沿ったR+を除く
距離をL−+、ミラーM1゜M3間の光路に沿ったC2
を除く距離をL2、qを整数とすると、この場合の発振
周波数f03はf o コ =q−c/21 (L
+ +n+ (V+ )e+ )(12+n
2 (V2 )(12)l −(4)となる、<
4)式は(3)式よりも分母を小さくできるので、第4
図装置の場合よりも発振周波数の可変範囲を大きくでき
る。
第6図は第4図の可変周波数光源1を1チツプ上に集積
形としたものを示す構成図である。91はGaARAs
、IuGaAsPなどから構成されるレーザダイオード
、92はこのレーザダイオード91の接合部に設番ノら
れた光増幅部、93は同じく導波路形外部共振器、94
.95はレーザダイオード91の両端にもうけられたミ
ラー、96は前記光増幅部92に対応してレーザダイオ
ード91の表面に設けられた電極、97は前記導波路形
外部共振器93に対応してレーザダイオード91の表面
に設けられた電極である。電極96を介して接合部に電
流rLoを注入して光増幅部92においてレーデ光を発
生させ、導波路形外部共振器93に電極97を介して電
流IFを流し導波路形外部共振器93の屈折率を変化さ
せて発振周波数を掃引する。光増幅部92および導波路
形外部共据器93の接合部に沿った長さをそれぞれC3
、C4、屈折率をそれぞれnコ、ni、rを整数とする
と、発振周波数foilは fon =r−C/2 (ni C3+na (IF
)ni) ・・・(5
)となる。
形としたものを示す構成図である。91はGaARAs
、IuGaAsPなどから構成されるレーザダイオード
、92はこのレーザダイオード91の接合部に設番ノら
れた光増幅部、93は同じく導波路形外部共振器、94
.95はレーザダイオード91の両端にもうけられたミ
ラー、96は前記光増幅部92に対応してレーザダイオ
ード91の表面に設けられた電極、97は前記導波路形
外部共振器93に対応してレーザダイオード91の表面
に設けられた電極である。電極96を介して接合部に電
流rLoを注入して光増幅部92においてレーデ光を発
生させ、導波路形外部共振器93に電極97を介して電
流IFを流し導波路形外部共振器93の屈折率を変化さ
せて発振周波数を掃引する。光増幅部92および導波路
形外部共据器93の接合部に沿った長さをそれぞれC3
、C4、屈折率をそれぞれnコ、ni、rを整数とする
と、発振周波数foilは fon =r−C/2 (ni C3+na (IF
)ni) ・・・(5
)となる。
以上説明したような可変周波数光源は共に器量の長いA
DFBや外部共振器形レーザダイオードを用いるため、
共振器のQが高く、発振スペクトル幅を狭くすることが
できる。
DFBや外部共振器形レーザダイオードを用いるため、
共振器のQが高く、発振スペクトル幅を狭くすることが
できる。
第7図は第1図の実施例における光周波数マーカの一員
体例を示す構成ブロック図である。光周波数マーカ20
において、CLIは可変周波数光源1の(第1の)光出
力が入射する標準物質を封入した吸収セル、PDIはこ
の吸収セルOL1の出力光Rmを入射して電気信号に変
換する受光素子、CPlはこの受光素子PD1の出力が
接続する比較器、201はこの比較FCP1の出力が接
続するマーカ信号出力端子である。標準物質としてはG
s <852nm付近に2本の吸収線)、Rb(780
r+m付近に4本、794nrn付近に4本の吸収線)
、NHi(多数の吸収線)、l−120(多数の吸収線
)などが使用される。
体例を示す構成ブロック図である。光周波数マーカ20
において、CLIは可変周波数光源1の(第1の)光出
力が入射する標準物質を封入した吸収セル、PDIはこ
の吸収セルOL1の出力光Rmを入射して電気信号に変
換する受光素子、CPlはこの受光素子PD1の出力が
接続する比較器、201はこの比較FCP1の出力が接
続するマーカ信号出力端子である。標準物質としてはG
s <852nm付近に2本の吸収線)、Rb(780
r+m付近に4本、794nrn付近に4本の吸収線)
、NHi(多数の吸収線)、l−120(多数の吸収線
)などが使用される。
可変周波数光源1の出力光が吸収セルCLIに入射スる
と、入射光は吸収セルCL1の内部に封入された標準物
質により特定の波長(前述)で吸収を受【ノ、前記波長
でピーク値(ffi下点)を有する透過光R@を出力す
る。受光素子PD1はこの出力光Rmを電気信号に変換
し、比較器CP1で波形整形した後マーカ信号Emとし
て端子201に出力する。
と、入射光は吸収セルCL1の内部に封入された標準物
質により特定の波長(前述)で吸収を受【ノ、前記波長
でピーク値(ffi下点)を有する透過光R@を出力す
る。受光素子PD1はこの出力光Rmを電気信号に変換
し、比較器CP1で波形整形した後マーカ信号Emとし
て端子201に出力する。
第8図は光周波数マーカの第2の具体例を示す構成ブロ
ック図である。光周波数マーカ20において、FPIは
可変周波数光源1の出力光を入射するファブリ・ペロー
・共振器、EO4はこの共′Et器FPi内の光軸上に
設けられた電気光学素子、Elはこの電気光学素子EO
4を駆動する信号源、PDIは前記共振器FP1の出力
光を入射して電気信号に変換する受光素子である。
ック図である。光周波数マーカ20において、FPIは
可変周波数光源1の出力光を入射するファブリ・ペロー
・共振器、EO4はこの共′Et器FPi内の光軸上に
設けられた電気光学素子、Elはこの電気光学素子EO
4を駆動する信号源、PDIは前記共振器FP1の出力
光を入射して電気信号に変換する受光素子である。
上記のような構成の光周波数マーカの動作を次に説明す
る。可変周波数光源1の出力光は共振器FP1に入力す
る。共振器FPIは光路上に存在する電気光学素子EO
4の作用により等価的な共振器間隔を変えることができ
る。したがって共振器FP1の出力光Riは信号源E1
の出力(電圧)に対応する波長間隔でピーク値を有する
。受光素子PD1はこの出力光RT11を電気信号に変
換してマーカ信号「虱を端子201から出力する。第9
図はこのマーカ信号Emを周波数領域で示したスペクト
ラム・チャートである。
る。可変周波数光源1の出力光は共振器FP1に入力す
る。共振器FPIは光路上に存在する電気光学素子EO
4の作用により等価的な共振器間隔を変えることができ
る。したがって共振器FP1の出力光Riは信号源E1
の出力(電圧)に対応する波長間隔でピーク値を有する
。受光素子PD1はこの出力光RT11を電気信号に変
換してマーカ信号「虱を端子201から出力する。第9
図はこのマーカ信号Emを周波数領域で示したスペクト
ラム・チャートである。
第10図は第8図装置の変形例を示す要部構成ブロック
図である。第8図と同じ部分は同一の記号を付して説明
を省略する。M4は基準波長レーザ光源202の出力光
路に設けられこれを反射するミラー、BS2はこの反射
光と可変周波数光源1の出力光を入射してその合成光を
ファプリ・ベロー共j辰器に入射するビームスプリッタ
、LAlは受光素子PD1の出力を入力するロックイン
アンプ、E2はこのロックインアンプL△1の出力と加
算して電気光学素子EO4に印加されるバイアス信り源
である。基準波長レーザ光源202の出力光の一部はミ
ラーM4で反射し、ビームスプリッタ[382を介して
共振器FP1に入射プる。
図である。第8図と同じ部分は同一の記号を付して説明
を省略する。M4は基準波長レーザ光源202の出力光
路に設けられこれを反射するミラー、BS2はこの反射
光と可変周波数光源1の出力光を入射してその合成光を
ファプリ・ベロー共j辰器に入射するビームスプリッタ
、LAlは受光素子PD1の出力を入力するロックイン
アンプ、E2はこのロックインアンプL△1の出力と加
算して電気光学素子EO4に印加されるバイアス信り源
である。基準波長レーザ光源202の出力光の一部はミ
ラーM4で反射し、ビームスプリッタ[382を介して
共振器FP1に入射プる。
ロックインアンプLA1を含む帰還ループでMl波長成
分が最大となるように共振器FP1の共振器間隔を制御
することにより、マーカ光と基準波長とを一致させるこ
とができる。
分が最大となるように共振器FP1の共振器間隔を制御
することにより、マーカ光と基準波長とを一致させるこ
とができる。
第11図は第10図の基準波長レーザ光源202の一具
体例を示す構成ブロック図である。図において、L[1
2は半導体レーデ、[3S3はこの単導体レーザLD2
の出力光が入射するビームスプリッタ、C10はこのビ
ームスプリッタBS3の反射光を入射する標準物質が封
入された吸収セル、PD2はこの吸収セルCL2の出力
光・が入射する受光素子、LA2はこの受光素子PD2
の電気出力を入力しこれに対応する出力で前記半導体レ
ーV L D 2の電流を制aするロックインアンプ、
DBPは前記半導体レーザLD2の電流を周波数変調す
るとともに前記ロックインアンプLA2の位相検波周波
数を供給する発振器である。ビームスプリッタ883の
透過光がこの基準波長レーザ光源の出力光となる。標準
物質としてはCs 、 Rh 。
体例を示す構成ブロック図である。図において、L[1
2は半導体レーデ、[3S3はこの単導体レーザLD2
の出力光が入射するビームスプリッタ、C10はこのビ
ームスプリッタBS3の反射光を入射する標準物質が封
入された吸収セル、PD2はこの吸収セルCL2の出力
光・が入射する受光素子、LA2はこの受光素子PD2
の電気出力を入力しこれに対応する出力で前記半導体レ
ーV L D 2の電流を制aするロックインアンプ、
DBPは前記半導体レーザLD2の電流を周波数変調す
るとともに前記ロックインアンプLA2の位相検波周波
数を供給する発振器である。ビームスプリッタ883の
透過光がこの基準波長レーザ光源の出力光となる。標準
物質としてはCs 、 Rh 。
NH3,1120など任意の物質を用いることができる
。
。
半導体レーザLD2の出力光はビームスプリッタ[3S
3で反射されて吸収セルOL2に入射し、吸収セル内C
L2の標準物質による吸収を受ける。
3で反射されて吸収セルOL2に入射し、吸収セル内C
L2の標準物質による吸収を受ける。
吸収はを受光素子PD2で検出し、ロックインアンプL
A2を介して半導体レーザLD2の電流に帰還する。半
導体レーザLD2の出力波長は標準物質の吸収スペクト
ル線にロックされるので、高安定、高精度の基準波長光
源を実現できる。
A2を介して半導体レーザLD2の電流に帰還する。半
導体レーザLD2の出力波長は標準物質の吸収スペクト
ル線にロックされるので、高安定、高精度の基準波長光
源を実現できる。
なお基準波長レーザ光源202の具体例どして示した第
11図の方法は線形吸収法とよばれ、ドツプラシフトに
より吸収スペクトルが比較的太くなるが、飽和吸収法(
堀、門出、北野、藪崎、小川:飽和吸収分光を用いた半
導体レーザの周波数安定化、信学技報 0QE82−1
16)によりドツプラシフトで隠れている超微細構造の
吸収線を検出して、これに半導体レーザLD2の発振波
長を1コツクすればさらに高安定とダることができる。
11図の方法は線形吸収法とよばれ、ドツプラシフトに
より吸収スペクトルが比較的太くなるが、飽和吸収法(
堀、門出、北野、藪崎、小川:飽和吸収分光を用いた半
導体レーザの周波数安定化、信学技報 0QE82−1
16)によりドツプラシフトで隠れている超微細構造の
吸収線を検出して、これに半導体レーザLD2の発振波
長を1コツクすればさらに高安定とダることができる。
第1図の実施例に述べたような構成の光周波数ネットワ
ーク・アナライザにおける光周波数の動作例を次に示す
。
ーク・アナライザにおける光周波数の動作例を次に示す
。
ω0の波長:1560nm±50nm
Δωノ周波数: 100MHz
この動作例は測定光が光フアイバ通信の最適波長である
場合で、光通信用装置の測定には特に効果がある。
場合で、光通信用装置の測定には特に効果がある。
このような構成の光周波数ネットワーク・アナライザに
よれば、周波数マーカで波長を校正することにより、複
雑な構成の光周波数シンセサイザ・スィーパがなくても
、簡単な構成の可変周波数光源を用いて高精度に振幅1
位相の周波数特性等を測定できる。また測定対象の伝搬
特性(損失。
よれば、周波数マーカで波長を校正することにより、複
雑な構成の光周波数シンセサイザ・スィーパがなくても
、簡単な構成の可変周波数光源を用いて高精度に振幅1
位相の周波数特性等を測定できる。また測定対象の伝搬
特性(損失。
位相、遅延、ゲイン等)や反射特性を同時にかつ容易に
測定できる。
測定できる。
なお光ヘテロダイン検波部23.33.43にW−N+
(タングステン、ニッケル)点接触ダイオードやジョゼ
フソン素子を使うこともできる。
(タングステン、ニッケル)点接触ダイオードやジョゼ
フソン素子を使うこともできる。
また、上記の実施例ではフィルタ部24.34゜44と
してバンドパスフィルタを用いたが、これに限らず、ロ
ーパスフィルタを用いてもよい。その場合には△ω=O
となる。
してバンドパスフィルタを用いたが、これに限らず、ロ
ーパスフィルタを用いてもよい。その場合には△ω=O
となる。
また上記の実施例では比較手段のリファレンス信号を、
第2の光ヘテ■ダイン検波部23および第2のフィルタ
部24を用いて得ていたが、これに限らず、例えば可変
周波数光源1の光周波数シフタ(前述)に加ってシフト
周波数△ωを発生さける変調用電気信号を用いてもよい
。この場合には第2の光ヘテロダイン検波部および第2
のフィルタ部を省略して構成を簡単にすることができる
。
第2の光ヘテ■ダイン検波部23および第2のフィルタ
部24を用いて得ていたが、これに限らず、例えば可変
周波数光源1の光周波数シフタ(前述)に加ってシフト
周波数△ωを発生さける変調用電気信号を用いてもよい
。この場合には第2の光ヘテロダイン検波部および第2
のフィルタ部を省略して構成を簡単にすることができる
。
また光周波数ネットワーク・アナライザから測定対象へ
の出射光は連続光に限らず、パルス光を使用しこのパル
ス光と同期して光周波数をJM引することによりパルス
光に対する波長特性を測定Jることもできる。
の出射光は連続光に限らず、パルス光を使用しこのパル
ス光と同期して光周波数をJM引することによりパルス
光に対する波長特性を測定Jることもできる。
また光周波数マーカの入力光どして可変周波数光源1の
第2の光出力を用いることもできる。
第2の光出力を用いることもできる。
(発明の効果)
以上述べたように本発明によれば、高精度に振幅1位相
特性などが測定できる光周波数ネットワーク・アナライ
ザを実現することができる。
特性などが測定できる光周波数ネットワーク・アナライ
ザを実現することができる。
第1図は本発明に係る光周波数ネットワーク・アナライ
1rの一実施例を示す構成ブロック図、第2図および第
4図へ・第6図は第1図における可変周波数光源1の他
の構成例を示す構成説明図、第3図は第2図装置の動作
を説明するための動作説明図、第7図、第8図および第
10図は第1図装置にお番プる光周波数マーカ20の具
体的構成例を示す構成ブロック図、第9図は第8図装置
の動作を説明する出力信号図、第11図は第10図装置
の基準波長レーザの具体例を示すための構成ブロック図
、第12図は従来の光ファイバ損失波長特性測定器を示
す構成ブロック図、第13図は従来の光フアイバ波長分
散特性測定器を示す構成ブロック図である。 1・・・可変周波数光源、10・・・測定対象、20・
・・光周波数マーカ、23・・・第2の光ヘテロダイン
検波部、24・・・第2のフィルタ部、33.43・・
・第1の光ヘテロダイン検波部、34.44・・・第1
のフィルタ部、35.36.45.46・・・比較手段
、50・・・信号処理手段。 篇2図 M″) 篇3図 第6図 第7図 p M8図 第12図 第13図
1rの一実施例を示す構成ブロック図、第2図および第
4図へ・第6図は第1図における可変周波数光源1の他
の構成例を示す構成説明図、第3図は第2図装置の動作
を説明するための動作説明図、第7図、第8図および第
10図は第1図装置にお番プる光周波数マーカ20の具
体的構成例を示す構成ブロック図、第9図は第8図装置
の動作を説明する出力信号図、第11図は第10図装置
の基準波長レーザの具体例を示すための構成ブロック図
、第12図は従来の光ファイバ損失波長特性測定器を示
す構成ブロック図、第13図は従来の光フアイバ波長分
散特性測定器を示す構成ブロック図である。 1・・・可変周波数光源、10・・・測定対象、20・
・・光周波数マーカ、23・・・第2の光ヘテロダイン
検波部、24・・・第2のフィルタ部、33.43・・
・第1の光ヘテロダイン検波部、34.44・・・第1
のフィルタ部、35.36.45.46・・・比較手段
、50・・・信号処理手段。 篇2図 M″) 篇3図 第6図 第7図 p M8図 第12図 第13図
Claims (13)
- (1)周波数掃引する第1の光出力およびこの第1の光
出力に関連する第2の光出力を発生し第1の光出力を測
定対象に出射する可変周波数光源と、この可変周波数光
源の光出力を入力し特定の周波数間隔でマーカ信号を出
力する光周波数マーカと、前記第1の光出力に基づく前
記測定対象の出射光に関連する光および前記第2の光出
力を入力する第1の光ヘテロダイン検波部と、この第1
の光ヘテロダイン検波部の電気出力を入力する第1のフ
ィルタ部と、前記第1のフィルタ部の電気出力と前記第
1および第2の光出力の周波数差に関連する電気信号と
を比較する比較手段と、この比較手段の電気出力と前記
光周波数マーカの電気出力とを入力して信号処理する信
号処理手段とを備えたことを特徴とする光周波数ネット
ワーク・アナライザ。 - (2)前記第1および第2の光出力を入力する第2の光
ヘテロダイン検波部と、この第2の光ヘテロダイン検波
部の電気出力を入力する第2のフィルタ部とを備え、比
較手段で第2のフィルタ部の電気出力を第1のフィルタ
部の電気出力と比較する特許請求の範囲第1項記載の光
周波数ネットワーク・アナライザ。 - (3)測定対象の出射光を入力して偏光面を制御する偏
光制御部と、この偏光制御部の出力光を増幅してその出
力光が第1の光ヘテロダイン検波部に入力する光増幅部
とを備え、第1の光ヘテロダイン検波部が第2の光出力
と前記光増幅部の出力光の周波数の差に対応する周波数
の電気信号を出力するようにした特許請求の範囲第1項
記載の光周波数ネットワーク・アナライザ。 - (4)比較手段が振幅比較手段を備えた特許請求の範囲
第1項記載の光周波数ネットワーク・アナライザ。 - (5)比較手段が位相比較手段を備えた特許請求の範囲
第1項記載の光周波数ネットワーク・アナライザ。 - (6)フィルタ部を可変周波数光源の2つの出力周波数
の差に対応する透過周波数帯域を有するバンド・パス・
フィルタで構成した特許請求の範囲第1項記載の光周波
数ネットワーク・アナライザ。 - (7)光周波数マーカが標準物質を封入した吸収セルを
備え、可変周波数光源の出力光を前記吸収セルに入射し
て前記標準物質に対応する特定の波長で吸収を受けた透
過光を電気信号に変換しマーカ信号として出力する特許
請求の範囲第1項記載の光周波数ネットワーク・アナラ
イザ。 - (8)光周波数マーカが可変周波数光源の出力光を入力
するファブリ・ペロー共振器を備え、前記ファブリ・ペ
ロー共振器の出力光を電気信号に変換しマーカ信号とし
て出力する特許請求の範囲第1項記載の光周波数ネット
ワーク・アナライザ。 - (9)ファブリ・ペロー共振器内に電気光学素子を備え
、電気信号により等価的な共振器間隔を変えるように構
成した特許請求の範囲第8項記載の光周波数ネットワー
ク・アナライザ。 - (10)可変周波数光源がレーザ共振器内に超音波変調
器を備えた特許請求の範囲第1項記載の光周波数ネット
ワーク・アナライザ。 - (11)可変周波数光源がレーザ共振器内に電気光学素
子を備えた特許請求の範囲第1項記載の光周波数ネット
ワーク・アナライザ。 - (12)光周波数マーカが一定波長の光を出力する基準
波長レーザ光源を備えた特許請求の範囲第1項記載の光
周波数ネットワーク・アナライザ。 - (13)基準波長レーザ光源として原子の吸収スペクト
ルにレーザダイオードの発振波長を制御するものを用い
る特許請求の範囲第12項記載の光周波数ネットワーク
・アナライザ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61260338A JPS63115027A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 光周波数ネツトワ−ク・アナライザ |
US06/943,670 US4856899A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-18 | Optical frequency analyzer using a local oscillator heterodyne detection of incident light |
GB8630375A GB2185567B (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Optical frequency analyzer |
DE3643569A DE3643569C2 (de) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Analysator für optische Frequenzen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61260338A JPS63115027A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 光周波数ネツトワ−ク・アナライザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63115027A true JPS63115027A (ja) | 1988-05-19 |
JPH0521496B2 JPH0521496B2 (ja) | 1993-03-24 |
Family
ID=17346599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61260338A Granted JPS63115027A (ja) | 1985-12-20 | 1986-10-31 | 光周波数ネツトワ−ク・アナライザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63115027A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007086086A (ja) * | 1997-02-14 | 2007-04-05 | Jds Fitel Inc | 光学的構成要素を試験するためのシステムおよび方法 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61260338A patent/JPS63115027A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007086086A (ja) * | 1997-02-14 | 2007-04-05 | Jds Fitel Inc | 光学的構成要素を試験するためのシステムおよび方法 |
JP4567653B2 (ja) * | 1997-02-14 | 2010-10-20 | ジェイディーエス ファイテル インコーポレイテッド | 光学的構成要素を試験するためのシステムおよび方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0521496B2 (ja) | 1993-03-24 |
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