JPS63114968A - 多層膜作成装置 - Google Patents
多層膜作成装置Info
- Publication number
- JPS63114968A JPS63114968A JP25821986A JP25821986A JPS63114968A JP S63114968 A JPS63114968 A JP S63114968A JP 25821986 A JP25821986 A JP 25821986A JP 25821986 A JP25821986 A JP 25821986A JP S63114968 A JPS63114968 A JP S63114968A
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- JP
- Japan
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- shutter
- vapor deposition
- piezo element
- soft
- movable shutter
- Prior art date
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- Granted
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- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表面に斜めに膜を積層する多層膜作成装置に係
り、特に軟Ｘ線（数人〜数１００人）領域において非対
称反射を利用した像の拡大・縮小を行うのに好適な多層
膜作成法に関する。
り、特に軟Ｘ線（数人〜数１００人）領域において非対
称反射を利用した像の拡大・縮小を行うのに好適な多層
膜作成法に関する。
従来、非対称反射を用いた像の拡大・縮小は、シリコン
等の単結晶を用い、ブラッグ反射面に対して斜めに表面
を出して用いていた。これについてはたとえば、ニュー
クリヤ・インストルメンツ０アンドーメソッド（Ｎｕｃ
ｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄＭｅｔｈｏ
ｄｓ ）第１７７巻（１９８０）第１１７頁から第１２
６頁において論じられており、適用できる光の波長域は
格子面間隔より短い範囲（すなわち数Å以下）にかぎら
れている。
等の単結晶を用い、ブラッグ反射面に対して斜めに表面
を出して用いていた。これについてはたとえば、ニュー
クリヤ・インストルメンツ０アンドーメソッド（Ｎｕｃ
ｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄＭｅｔｈｏ
ｄｓ ）第１７７巻（１９８０）第１１７頁から第１２
６頁において論じられており、適用できる光の波長域は
格子面間隔より短い範囲（すなわち数Å以下）にかぎら
れている。
上記従来技術は、非対称反射による像の拡大・縮小を行
える光の波長が単結晶の格子面間隔程度以下の領域であ
り、軟Ｘ線領域（数人〜数百人）では原理的にブラッグ
反射が利用できず、従って像の拡大・縮小を非対称反射
で行う事は不可能であった。
える光の波長が単結晶の格子面間隔程度以下の領域であ
り、軟Ｘ線領域（数人〜数百人）では原理的にブラッグ
反射が利用できず、従って像の拡大・縮小を非対称反射
で行う事は不可能であった。
本発明の目的は、表面に斜めに膜を積層した多層膜を作
成して、軟Ｘ線の領域で非対称反射が可能な様に膜厚を
制御し、像の拡大・縮小が出来る様な素子を実現するこ
とにある。
成して、軟Ｘ線の領域で非対称反射が可能な様に膜厚を
制御し、像の拡大・縮小が出来る様な素子を実現するこ
とにある。
上記目的は、２元素を交互に蒸着可能な蒸着源から元素
を蒸発させ、膜厚計にて膜厚と蒸着速度をモニターしな
がら、ピエゾ素子で駆動する移動シャッタを蒸着速度に
よるフィードバックをきかせながら移動させつつ蒸着す
る事により達成される。移動シャッタは試料表面の近傍
に平行に置き、蒸着量にリニアに移動させて１層を形成
するものである。
を蒸発させ、膜厚計にて膜厚と蒸着速度をモニターしな
がら、ピエゾ素子で駆動する移動シャッタを蒸着速度に
よるフィードバックをきかせながら移動させつつ蒸着す
る事により達成される。移動シャッタは試料表面の近傍
に平行に置き、蒸着量にリニアに移動させて１層を形成
するものである。
問題を解決するためのピエゾ素子駆動による移動シャッ
タは人のオーダで移動すると同時に、ピエゾ素子の最高
変位量（く数百μｍ）までシャッタが移動すると、再度
ピエゾ索子の変位量をゼロにもどし、それを繰り返す、
これによりいかなる広い面積への斜め蒸着も可能となる
。
タは人のオーダで移動すると同時に、ピエゾ素子の最高
変位量（く数百μｍ）までシャッタが移動すると、再度
ピエゾ索子の変位量をゼロにもどし、それを繰り返す、
これによりいかなる広い面積への斜め蒸着も可能となる
。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。全体構成は第１図に示した通り、全体が超高真空空
器１中にある。試料基板２を図の様にセットする０図で
はすでに膜が斜めに数層蒸着されている。ここでは蒸着
源６，６′を２つ用意し、２種類の元素を蒸着可能とす
る。交互に蒸着するためそれぞれに通常シャッタ５，５
′がついている。
る。全体構成は第１図に示した通り、全体が超高真空空
器１中にある。試料基板２を図の様にセットする０図で
はすでに膜が斜めに数層蒸着されている。ここでは蒸着
源６，６′を２つ用意し、２種類の元素を蒸着可能とす
る。交互に蒸着するためそれぞれに通常シャッタ５，５
′がついている。
斜めに多層膜を形成する方法は次の通りである。
移動シャッタ３を試料基板の左端の位置に合わせる。移
動シャッタの構成を第２図に示す。移動シャッタはスラ
イド用台１２上を矢印の向きに移動する。まずピエゾ素
子１１のうち左側のものに電圧をかけて伸長させスライ
ド用台１２に固定し右側のものは電圧をゼロにしてスラ
イド用台１２に対しフリーにする。次に蒸着源６からビ
ームを出し膜厚計４で蒸着速度・膜厚をモニタしながら
一定の蒸着速度になる様蒸着制御器８で蒸着用電源９を
制御する。シャッタ５を開にし片方の蒸着源６からビー
ムを試料基板に照射する。このとき後述する斜め蒸着の
条件をみたす様に移動シャッタ３を右側に移動させて行
く。移動は第２図に示すピエゾ素子１０の両方の電圧を
徐々に増加する事により制御する。移動速度はピエゾ素
子コントローラ７に蒸着速度のフィードバック信号を加
える事により制御する０次の元素を蒸着するときは前の
蒸着源６のシャッタ５を閉じ、他方の蒸着源６′のシャ
ッタ５′を開き、移動シャッタを移動させて行う。
動シャッタの構成を第２図に示す。移動シャッタはスラ
イド用台１２上を矢印の向きに移動する。まずピエゾ素
子１１のうち左側のものに電圧をかけて伸長させスライ
ド用台１２に固定し右側のものは電圧をゼロにしてスラ
イド用台１２に対しフリーにする。次に蒸着源６からビ
ームを出し膜厚計４で蒸着速度・膜厚をモニタしながら
一定の蒸着速度になる様蒸着制御器８で蒸着用電源９を
制御する。シャッタ５を開にし片方の蒸着源６からビー
ムを試料基板に照射する。このとき後述する斜め蒸着の
条件をみたす様に移動シャッタ３を右側に移動させて行
く。移動は第２図に示すピエゾ素子１０の両方の電圧を
徐々に増加する事により制御する。移動速度はピエゾ素
子コントローラ７に蒸着速度のフィードバック信号を加
える事により制御する０次の元素を蒸着するときは前の
蒸着源６のシャッタ５を閉じ、他方の蒸着源６′のシャ
ッタ５′を開き、移動シャッタを移動させて行う。
通常ピエゾ素子の最大伸長量は数百μｍ以下であるから
、ピエゾ素子１０が伸びきった状態になった時点で以下
の操作を行う、即ち、ピエゾ素子１１の右側のものを伸
長してスライド用台１２に固定し、ピエゾ索子１１の左
側のものの電圧をゼロにし、スライド用台１２に対して
フリーにする。
、ピエゾ素子１０が伸びきった状態になった時点で以下
の操作を行う、即ち、ピエゾ素子１１の右側のものを伸
長してスライド用台１２に固定し、ピエゾ索子１１の左
側のものの電圧をゼロにし、スライド用台１２に対して
フリーにする。
つぎにピエゾ索子１０の電圧をゼロにして縮め、ピエゾ
素子１１の左側に電圧をかけてスライド用台に固定する
。ピエゾ素子１１の右側の電圧をゼロにしスライド用台
に対してフリーにする。以上の操作をくり返せば、移動
シャッタは原理的に人のオーダで移動しながら、全移動
量を容易にセンチメートルのオーダとする事ができる。
素子１１の左側に電圧をかけてスライド用台に固定する
。ピエゾ素子１１の右側の電圧をゼロにしスライド用台
に対してフリーにする。以上の操作をくり返せば、移動
シャッタは原理的に人のオーダで移動しながら、全移動
量を容易にセンチメートルのオーダとする事ができる。
上記操作により多層膜を形成すれば断面第３図に示す様
な形状の多層膜が得られる。そこで第３図をもとにして
具体的な数値を示す。元素Ａの膜８と元素Ｂの膜９が交
互に積層されているとする。
な形状の多層膜が得られる。そこで第３図をもとにして
具体的な数値を示す。元素Ａの膜８と元素Ｂの膜９が交
互に積層されているとする。
１ペアの膜厚をｄ、ブラッグ反射角をθ、入射角をα９
反射面Ｓ、入射ビーム径をａｌ、反射ビーム径を８２，
１ペアの膜の水平距離をｂとする。
反射面Ｓ、入射ビーム径をａｌ、反射ビーム径を８２，
１ペアの膜の水平距離をｂとする。
層Ａの元素は例えばＭＯ層、Ｂの元素はＳｉとする。使
用する光の波長を４０人と仮定する。ブラλ ラグの式から２ｄｓｉｎθ＝λである。（ｄ＞−＝２０
人）、ｄ＝４０人と仮定するとθ＝３０ｄｅｇとなる。
用する光の波長を４０人と仮定する。ブラλ ラグの式から２ｄｓｉｎθ＝λである。（ｄ＞−＝２０
人）、ｄ＝４０人と仮定するとθ＝３０ｄｅｇとなる。
つぎにａｔとａｌの比はａｔ／ａｔ＝ｓｉｎ（２θ−α
）／ｓｉｎαできまり入射角αが小さいほどａｘ／ａ１
の比は大きい。すなわち拡大倍率は増す。５倍に拡大す
るとすればα＝８．９ｄｅｇとなる。従ってこの斜め多
層膜の傾斜角度はθ−α＝２１．１ｄｅｇとする必要が
ある。このとき１ペアの水平距離ｂ＝１０３．７ 人
である。
）／ｓｉｎαできまり入射角αが小さいほどａｘ／ａ１
の比は大きい。すなわち拡大倍率は増す。５倍に拡大す
るとすればα＝８．９ｄｅｇとなる。従ってこの斜め多
層膜の傾斜角度はθ−α＝２１．１ｄｅｇとする必要が
ある。このとき１ペアの水平距離ｂ＝１０３．７ 人
である。
実際に蒸着する場合、層ＡとＢの膜厚が等しいときには
、１層蒸着する毎に第１図の移動シャッタをｂ／２＝５
１．８ 人移動させれば良い。ピエゾ素子１０におい
て１００ＯＶで１００μｍ移動するものを使用した場合
、５１．８ｍＶ の電圧で所要の移動量を得る。この様
なピエゾ素子は容易に入手できる。つぎに、第３図での
反射表面の長さを５ＣＩ１１とすれば、水平距離は５
Ｘｃｏｓ２１ 、１ｄｅｇ ＝４．６６ｃｍとなり、１
００ＯＶで１００μｍ移動するピエゾ素子１０は、４．
６６Ｘ１０’／１０”＝４６６回最大伸長量に達する操
作をくり返す事により４．６６ｃ＋ｏを移動させる事が
できる。これらの操作はすべて蒸着制御器にマイクロコ
ンピュータを付加する事により自動的に行える。
、１層蒸着する毎に第１図の移動シャッタをｂ／２＝５
１．８ 人移動させれば良い。ピエゾ素子１０におい
て１００ＯＶで１００μｍ移動するものを使用した場合
、５１．８ｍＶ の電圧で所要の移動量を得る。この様
なピエゾ素子は容易に入手できる。つぎに、第３図での
反射表面の長さを５ＣＩ１１とすれば、水平距離は５
Ｘｃｏｓ２１ 、１ｄｅｇ ＝４．６６ｃｍとなり、１
００ＯＶで１００μｍ移動するピエゾ素子１０は、４．
６６Ｘ１０’／１０”＝４６６回最大伸長量に達する操
作をくり返す事により４．６６ｃ＋ｏを移動させる事が
できる。これらの操作はすべて蒸着制御器にマイクロコ
ンピュータを付加する事により自動的に行える。
本発明によれば１表面に対して斜めに積層した多層膜を
形成できるので、軟Ｘａ領域（数人〜数百人）において
、像の拡大・縮小を行う光学素子を実現する事ができる
。
形成できるので、軟Ｘａ領域（数人〜数百人）において
、像の拡大・縮小を行う光学素子を実現する事ができる
。
第１図は本発明の全体構成を示す模式図、第２図は第１
図に示した移動シャッタの原理的構成を示す平面図およ
び側面図、第３図は斜めに積層した多層膜の断面および
像の拡大・縮小の原理説明図である。 １・・・超高真空容器、２・・・試料基板、３・・・移
動シャッタ、４・・・膜厚計、５・・・通常シャッタ、
６・・・蒸着源、７・・・ピエゾ素子コントローラ、８
・・・蒸着制御器、９・・・蒸着源制御器、１０・・・
ピエゾ素子Ａ。 １１・・・ピエゾ素子Ｂ、１２・・・スライド用台、１
３・・・シャツタ板。
図に示した移動シャッタの原理的構成を示す平面図およ
び側面図、第３図は斜めに積層した多層膜の断面および
像の拡大・縮小の原理説明図である。 １・・・超高真空容器、２・・・試料基板、３・・・移
動シャッタ、４・・・膜厚計、５・・・通常シャッタ、
６・・・蒸着源、７・・・ピエゾ素子コントローラ、８
・・・蒸着制御器、９・・・蒸着源制御器、１０・・・
ピエゾ素子Ａ。 １１・・・ピエゾ素子Ｂ、１２・・・スライド用台、１
３・・・シャツタ板。
Claims (1)
- １、蒸着源、蒸着速度をモニタする手段、試料、および
それらをセットした超高真空容器において、ピエゾ素子
を利用した移動シャッタを設けたことを特徴とする多層
膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25821986A JPH0684540B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 多層膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25821986A JPH0684540B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 多層膜作成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114968A true JPS63114968A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0684540B2 JPH0684540B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=17317169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25821986A Expired - Lifetime JPH0684540B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 多層膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684540B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0734230A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-02-03 | Nec Corp | シャッター機構 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP25821986A patent/JPH0684540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0734230A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-02-03 | Nec Corp | シャッター機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684540B2 (ja) | 1994-10-26 |
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