JPH0734230A - シャッター機構 - Google Patents
シャッター機構Info
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- JPH0734230A JPH0734230A JP5156492A JP15649293A JPH0734230A JP H0734230 A JPH0734230 A JP H0734230A JP 5156492 A JP5156492 A JP 5156492A JP 15649293 A JP15649293 A JP 15649293A JP H0734230 A JPH0734230 A JP H0734230A
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- shutter
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- vapor deposition
- molecular layer
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
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- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】可動部の質量を最小限にしてシャッターの開閉
時間を短縮すると同時に機械的に摺動する部分を無くす
ことにより真空中の潤滑による問題の発生を回避する。 【構成】真空槽１内に設けられ所定の物質を加熱するこ
とによって発生する分子線２をその分子線２の経路を規
制して所定の面積及び形状の分子層を形成するマスク５
を通過させ基板３上に当てて蒸着源４で分子層を形成す
る。ここで、蒸着源４とマスク５の間に板状のバイモフ
ル型ピエゾアクチュエータ８に取り付けらたシャッター
９を設け、このバイモフル型ピエゾアクチュエータ８は
電極ａ６と電極ｂ７に電圧を印加しない場合はそのまま
な位置にあってシャッター９を定常位置にし、印加する
と反って変形してシャッター９を開らき、分子線２の経
路を開閉する。
時間を短縮すると同時に機械的に摺動する部分を無くす
ことにより真空中の潤滑による問題の発生を回避する。 【構成】真空槽１内に設けられ所定の物質を加熱するこ
とによって発生する分子線２をその分子線２の経路を規
制して所定の面積及び形状の分子層を形成するマスク５
を通過させ基板３上に当てて蒸着源４で分子層を形成す
る。ここで、蒸着源４とマスク５の間に板状のバイモフ
ル型ピエゾアクチュエータ８に取り付けらたシャッター
９を設け、このバイモフル型ピエゾアクチュエータ８は
電極ａ６と電極ｂ７に電圧を印加しない場合はそのまま
な位置にあってシャッター９を定常位置にし、印加する
と反って変形してシャッター９を開らき、分子線２の経
路を開閉する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シャッター機構、特
に、真空蒸着装置の構成要素となるシャッター機構に関
する。
に、真空蒸着装置の構成要素となるシャッター機構に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、例えば、特開平０
１−１３２１１９号公報に示されているように真空蒸着
装置がある。
１−１３２１１９号公報に示されているように真空蒸着
装置がある。
【０００３】この従来の真空蒸着装置においては、所定
の物質の分子層を所定の基板に蒸着する場合、分子層を
厚さを制御するシャッターの開閉にソレノイド等の機械
的な手段を使用している。
の物質の分子層を所定の基板に蒸着する場合、分子層を
厚さを制御するシャッターの開閉にソレノイド等の機械
的な手段を使用している。
【０００４】従来のシャッター機構の一例について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【０００５】図３は従来例のシャッター機構を示す斜視
図である。このシャッター機構は、真空槽１内に設けら
れ所定の物質の分子線２を放出して所定の基板３上に分
子層を蒸着させる蒸着源４と、分子線２の放出経路を開
閉し基板３上に蒸着される分子層の厚さを制御するシャ
ッター９と真空槽１内に設けられ一端にシャッター９を
取り付けた磁芯１０とその磁芯１０を軸方向に動かすソ
レノイド１１と、磁芯１０の他端に設けられシャッター
９との荷重のバランスをとり磁芯１０をソレノイド１１
に対し均一の力で摺動させるバランス荷重１２を含んで
構成される。
図である。このシャッター機構は、真空槽１内に設けら
れ所定の物質の分子線２を放出して所定の基板３上に分
子層を蒸着させる蒸着源４と、分子線２の放出経路を開
閉し基板３上に蒸着される分子層の厚さを制御するシャ
ッター９と真空槽１内に設けられ一端にシャッター９を
取り付けた磁芯１０とその磁芯１０を軸方向に動かすソ
レノイド１１と、磁芯１０の他端に設けられシャッター
９との荷重のバランスをとり磁芯１０をソレノイド１１
に対し均一の力で摺動させるバランス荷重１２を含んで
構成される。
【０００６】すなわち、真空槽１内に設けられ所定の物
質を加熱することによって発生する分子線２をその分子
線２の経路を規制して所定の面積及び形状の分子層を形
成するマスク５を通過させ基板３上に当てて蒸着源４で
分子層を形成する。ここで、上記に説明したように、蒸
着源４とマスク５との間にソレノイド１１の磁芯１０に
取り付けらたシャッター９を設け、この磁芯１０はソレ
ノイド１１に電圧を印加するとバランス荷重１２と釣り
合ってそのままと位置にあってシャッター９を定常位置
にし、ソレノイド１１に電圧を印加しない場合はバラン
ス荷重１２により下降してシャッター９を開らき、分子
線２の経路を開閉する。
質を加熱することによって発生する分子線２をその分子
線２の経路を規制して所定の面積及び形状の分子層を形
成するマスク５を通過させ基板３上に当てて蒸着源４で
分子層を形成する。ここで、上記に説明したように、蒸
着源４とマスク５との間にソレノイド１１の磁芯１０に
取り付けらたシャッター９を設け、この磁芯１０はソレ
ノイド１１に電圧を印加するとバランス荷重１２と釣り
合ってそのままと位置にあってシャッター９を定常位置
にし、ソレノイド１１に電圧を印加しない場合はバラン
ス荷重１２により下降してシャッター９を開らき、分子
線２の経路を開閉する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のシャッ
ター機構は、シャッターの駆動をソレノイドで行うため
に磁芯とバランス荷重の合計質量を駆動しなければなら
ないので、シャッターの開閉時間を短くするためには推
力の大きなソレノイドを使わなければならず効率が悪
く、また駆動する質量が大きいことがシャッターの開閉
動作時の衝撃を大きくするという欠点があった。またソ
レノイドを使用すると通電による発熱でガスが放出され
真空が汚染される恐れがあるという欠点があった。
ター機構は、シャッターの駆動をソレノイドで行うため
に磁芯とバランス荷重の合計質量を駆動しなければなら
ないので、シャッターの開閉時間を短くするためには推
力の大きなソレノイドを使わなければならず効率が悪
く、また駆動する質量が大きいことがシャッターの開閉
動作時の衝撃を大きくするという欠点があった。またソ
レノイドを使用すると通電による発熱でガスが放出され
真空が汚染される恐れがあるという欠点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のシャッター機構
は、真空槽内に設けられ、所定の物質を加熱することに
よって発生する分子線を基板上に当てて分子層を形成す
る蒸着源と、分子線の経路を規制して所定の面積及び形
状の分子層を形成するマスクと、電極ａと電極ｂに電圧
を印加することによって変位するバイモフル型ピエゾア
クチュエータと、このバイモフル型ピエゾアクチュエー
タの最大変位する先端部に固定されて一体で移動するこ
とによって分子線の経路を開閉し基板上に蒸着される分
子層の厚さを制御するシャッターとを含んで構成され
る。
は、真空槽内に設けられ、所定の物質を加熱することに
よって発生する分子線を基板上に当てて分子層を形成す
る蒸着源と、分子線の経路を規制して所定の面積及び形
状の分子層を形成するマスクと、電極ａと電極ｂに電圧
を印加することによって変位するバイモフル型ピエゾア
クチュエータと、このバイモフル型ピエゾアクチュエー
タの最大変位する先端部に固定されて一体で移動するこ
とによって分子線の経路を開閉し基板上に蒸着される分
子層の厚さを制御するシャッターとを含んで構成され
る。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１は本発明によるシャッター機構の一実
施例を示す斜視図、図２は本実施例のシャッター機構の
動作を示す側面図、図２（ａ）はシャッターが定常位置
にある場合を示す側面図、図２（ｂ）は電圧印加時のシ
ャッターの位置を示す側面図である。
施例を示す斜視図、図２は本実施例のシャッター機構の
動作を示す側面図、図２（ａ）はシャッターが定常位置
にある場合を示す側面図、図２（ｂ）は電圧印加時のシ
ャッターの位置を示す側面図である。
【００１１】本実施例のシャッター機構は、真空槽１内
に設けられ所定の物質を加熱することによって発生する
分子線２を基板３上に当てて分子層を形成する蒸着源４
と、分子線２の経路を規制して所定の面積及び形状の分
子層を形成するマスク５と、電極ａ６と電極ｂ７に電圧
を印加することによって変位するバイモフル型ピエゾア
クチュエータ８と、このバイモフル型ピエゾアクチュエ
ータ８の最大変位する先端部に固定されて一体で移動す
ることによって分子線２の経路を開閉し基板３上に蒸着
される分子層の厚さを制御するシャッター９とを含んで
構成される。
に設けられ所定の物質を加熱することによって発生する
分子線２を基板３上に当てて分子層を形成する蒸着源４
と、分子線２の経路を規制して所定の面積及び形状の分
子層を形成するマスク５と、電極ａ６と電極ｂ７に電圧
を印加することによって変位するバイモフル型ピエゾア
クチュエータ８と、このバイモフル型ピエゾアクチュエ
ータ８の最大変位する先端部に固定されて一体で移動す
ることによって分子線２の経路を開閉し基板３上に蒸着
される分子層の厚さを制御するシャッター９とを含んで
構成される。
【００１２】ここで、バイモフル型ピエゾアクチュエー
タ８は圧電素子を２層重ねた板状の構造をしている。こ
の二層の圧電素子に各々逆方向の電圧を印加すると各々
の圧電素子の伸縮によって曲げ応力が発生する。つまり
板状のバイモフル型ピエゾアクチュエータ８は電極ａ６
と電極ｂ７に電圧を印加しない場合は図２（ａ）のよう
にそのままな位置にあってシャッター９は定常位置にあ
り、印加すると反って図２（ｂ）の様に変形し、シャッ
ター９は開らく。このようにバイモフル型ピエゾアクチ
ュエータ８の最大変位する先端部でシャッター９を直接
駆動することによって分子線２の経路を開閉する。
タ８は圧電素子を２層重ねた板状の構造をしている。こ
の二層の圧電素子に各々逆方向の電圧を印加すると各々
の圧電素子の伸縮によって曲げ応力が発生する。つまり
板状のバイモフル型ピエゾアクチュエータ８は電極ａ６
と電極ｂ７に電圧を印加しない場合は図２（ａ）のよう
にそのままな位置にあってシャッター９は定常位置にあ
り、印加すると反って図２（ｂ）の様に変形し、シャッ
ター９は開らく。このようにバイモフル型ピエゾアクチ
ュエータ８の最大変位する先端部でシャッター９を直接
駆動することによって分子線２の経路を開閉する。
【００１３】すなわち、真空槽１内に設けられ所定の物
質を加熱することによって発生する分子線２をその分子
線２の経路を規制して所定の面積及び形状の分子層を形
成するマスク５を通過させ基板３上に当てて蒸着源４で
分子層を形成する。ここで、上記に説明したように、蒸
着源４とマスク５との間にバイモフル型ピエゾアクチュ
エータ８に取り付けらたシャッター９を設け、このバイ
モフル型ピエゾアクチュエータ８は電極ａ６と電極ｂ７
に電圧を印加しない場合はそのままの位置にあってシャ
ッター９を定常位置にし、印加すると反って変形してシ
ャッター９を開らき、分子線２の経路を開閉する。
質を加熱することによって発生する分子線２をその分子
線２の経路を規制して所定の面積及び形状の分子層を形
成するマスク５を通過させ基板３上に当てて蒸着源４で
分子層を形成する。ここで、上記に説明したように、蒸
着源４とマスク５との間にバイモフル型ピエゾアクチュ
エータ８に取り付けらたシャッター９を設け、このバイ
モフル型ピエゾアクチュエータ８は電極ａ６と電極ｂ７
に電圧を印加しない場合はそのままの位置にあってシャ
ッター９を定常位置にし、印加すると反って変形してシ
ャッター９を開らき、分子線２の経路を開閉する。
【００１４】また、バイモフル型ピエゾアクチュエータ
８に印加する電圧を制御することによってシャッター９
の開閉量を可変する。
８に印加する電圧を制御することによってシャッター９
の開閉量を可変する。
【００１５】したがって従来技術で説明したソレノイド
のような機械的なシャッター構造を持たない。
のような機械的なシャッター構造を持たない。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシャッタ
ー機構は、真空槽内に設けられ所定の物質を加熱するこ
とによって発生する分子線を基板上に当てて分子層を形
成する蒸着源と、分子線の経路を規制して所定の面積及
び形状の分子層を形成するマスクと、電極ａと電極ｂに
電圧を印加することによって変位するバイモフル型ピエ
ゾアクチュエータと、このバイモフル型ピエゾアクチュ
エータの最大変位する先端部に固定されて一体で移動す
ることによって分子線の経路を開閉し基板上に蒸着され
る分子層の厚さを制御するシャッターとを含んで構成す
ることによって、可動部の質量を最小限にしてシャッタ
ーの開閉時間を短縮すると同時に機械的に摺動する部分
を無くすことにより真空中の潤滑による問題の発生を回
避することができるという効果がある。
ー機構は、真空槽内に設けられ所定の物質を加熱するこ
とによって発生する分子線を基板上に当てて分子層を形
成する蒸着源と、分子線の経路を規制して所定の面積及
び形状の分子層を形成するマスクと、電極ａと電極ｂに
電圧を印加することによって変位するバイモフル型ピエ
ゾアクチュエータと、このバイモフル型ピエゾアクチュ
エータの最大変位する先端部に固定されて一体で移動す
ることによって分子線の経路を開閉し基板上に蒸着され
る分子層の厚さを制御するシャッターとを含んで構成す
ることによって、可動部の質量を最小限にしてシャッタ
ーの開閉時間を短縮すると同時に機械的に摺動する部分
を無くすことにより真空中の潤滑による問題の発生を回
避することができるという効果がある。
【図１】本発明によるシャッター機構の一実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本実施例のシャッター機構の動作を示す側面図
である。図２（ａ）はシャッターが定常位置にある場合
を示す側面図である。図２（ｂ）は電圧印加時のシャッ
ターの位置を示す側面図である。
である。図２（ａ）はシャッターが定常位置にある場合
を示す側面図である。図２（ｂ）は電圧印加時のシャッ
ターの位置を示す側面図である。
【図３】従来例のシャッター機構を示す斜視図である。
１ 真空槽 ２ 分子線 ３ 基板 ４ 蒸着源 ５ マスク ６ 電極ａ ７ 電極ｂ ８ バイモフル型ピエゾアクチュエータ ９ シャッター １０ 磁芯 １１ ソレノイド １２ バランス荷重
Claims (2)
- 【請求項１】 真空槽内に設けられ、所定の物質を加熱
することによって発生する分子線を基板上に当てて分子
層を形成する蒸着源と、前記分子線の経路を規制して所
定の面積及び形状の分子層を形成するマスクと、電極ａ
と電極ｂに電圧を印加することによって変位するバイモ
フル型ピエゾアクチュエータと、このバイモフル型ピエ
ゾアクチュエータの最大変位する先端部に固定されて一
体で移動することによって前記分子線の経路を開閉し基
板上に蒸着される分子層の厚さを制御するシャッターと
を含むことを特徴とするシャッター機構。 - 【請求項２】 前記バイモフル型ピエゾアクチュエータ
に印加する電圧を制御することによって前記シャッター
の開閉量を可変し、蒸着する範囲を制御する手段を有す
ることを特徴とするシャッター機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156492A JPH0734230A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | シャッター機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5156492A JPH0734230A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | シャッター機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0734230A true JPH0734230A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=15628943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5156492A Pending JPH0734230A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | シャッター機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018092946A1 (ko) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 한국표준과학연구원 | 벤딩 피에조 액추에이터를 이용한 원자빔 셔터 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5985695A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-17 | 松下電器産業株式会社 | ドラム式衣類乾燥機 |
| JPS63114968A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Hitachi Ltd | 多層膜作成装置 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5156492A patent/JPH0734230A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5985695A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-17 | 松下電器産業株式会社 | ドラム式衣類乾燥機 |
| JPS63114968A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Hitachi Ltd | 多層膜作成装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018092946A1 (ko) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 한국표준과학연구원 | 벤딩 피에조 액추에이터를 이용한 원자빔 셔터 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960402 |