JPS63114319A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

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JPS63114319A
JPS63114319A JP61259867A JP25986786A JPS63114319A JP S63114319 A JPS63114319 A JP S63114319A JP 61259867 A JP61259867 A JP 61259867A JP 25986786 A JP25986786 A JP 25986786A JP S63114319 A JPS63114319 A JP S63114319A
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input
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input signal
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Michiya Nakamura
中村 道也
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/173Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
    • H03K19/1733Controllable logic circuits

Abstract

PURPOSE:To revise the output form through the designation of a control signal by controlling a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET by a control circuit comprising a 2-input NAND gate and an inverter. CONSTITUTION:With a control signal 102 at An H level, an input signal 101 is outputted in push-pull form at an output terminal 107. With the control signal 102 at an L level, the input signal 101 is outputted in an N-channel open drain form at the output terminal 107. Since either the push-pull or one channel open drain output is supplied by the designation of the control signal, in using a microcomputer built in the output circuit, the output form most suited to the peripheral circuit constitution and its circuit state is set easily and the peripheral circuit of the microcomputer is simplified and the number of components is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路に関し、特に、マイクロコン
ピュータに内蔵される出力回路の構成の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and particularly to improvements in the configuration of output circuits built into microcomputers.

従来の技術 従来において、マイクロコンピュータに内蔵すれる出力
回路には、プッシュプル型式や片チャネルオープンドレ
イン型式などがある。以下に、このような従来の出力回
路について図面を用いて、説明する。第3図は、プッシ
ュプル型の出力回路の一構成例である。
2. Description of the Related Art Conventionally, output circuits built into microcomputers include push-pull type and single channel open drain type. Below, such a conventional output circuit will be explained with reference to the drawings. FIG. 3 shows a configuration example of a push-pull type output circuit.

第3図の出力回路は、高電位電源308と低電位電源3
09との間にPチャネルMOS型F E TaO2とN
チャネルM OS型FET306とが直列に接続さ、れ
、Pチャネル及びNチャネルMOS型FETの間には出
力端子307が接続されている。かかる出力回路は入力
信号301及び制御信号302を入力とし、該入力は、
2入力NORゲート304.2入力NORゲート304
、インバータ312を通りをそれぞれのMOS型FET
305.306へ入力され出力端子307から出力する
ように構成されている。
The output circuit in FIG. 3 includes a high potential power supply 308 and a low potential power supply 3.
09 between P channel MOS type F E TaO2 and N
A channel MOS type FET 306 is connected in series, and an output terminal 307 is connected between the P channel and N channel MOS type FET. Such an output circuit receives an input signal 301 and a control signal 302, and the inputs are:
2-input NOR gate 304. 2-input NOR gate 304
, each MOS type FET passes through the inverter 312.
305 and 306 and output from an output terminal 307.

以上のような構成の出力回路において、まず制御信号3
02がハイレベル(以下“H”と略す)である場合につ
いて説明する。
In the output circuit configured as above, first, the control signal 3
The case where 02 is at a high level (hereinafter abbreviated as "H") will be explained.

この時入力信号301が“H”であれば、NANDゲー
ト303はローレベル(以下、“L”と略す)を出力す
ることによりPチャネルMOS型FET305は導通状
態となる。また、NORゲート304は′L”を出力す
ることによりNチャネルM OS型FET3Q5は非導
通状態となる。従って、出力端子307は、Pチャネル
MOS型FETを通じ高電位電源308とのみ接続され
、入力信号3旧と同じ“H”が出力端子307から出力
される。
At this time, if the input signal 301 is "H", the NAND gate 303 outputs a low level (hereinafter abbreviated as "L"), and the P-channel MOS type FET 305 becomes conductive. Furthermore, the NOR gate 304 outputs 'L', thereby rendering the N-channel MOS FET 3Q5 non-conductive. Therefore, the output terminal 307 is connected only to the high potential power supply 308 through the P-channel MOS FET, and the input The same "H" as signal 3 old is output from output terminal 307.

また入力信号3旧が“L”であればNΔNDゲート30
3は“H”を出力することによりPチャネルMOS型F
ET305は非導通状態となる。また、NORゲート3
04は“H”を出力しNチャネルMOS型FET306
は導通状態となる。従って、出力端子307ハ、Nチャ
ネルMoS型FET306を通じ低電位電源309との
み接続され入力信号301と同じ“L″が出力端子30
7がら出力される。
Also, if the input signal 3 old is “L”, the NΔAND gate 30
3 is a P-channel MOS type F by outputting “H”.
ET305 becomes non-conductive. Also, NOR gate 3
04 outputs “H” and N-channel MOS type FET306
becomes conductive. Therefore, the output terminal 307c is connected only to the low potential power supply 309 through the N-channel MoS type FET 306, and the same "L" as the input signal 301 is output to the output terminal 307.
7 are output.

次に、制御信号302力PL”である場合について説明
する。
Next, the case where the control signal 302 is the force PL'' will be explained.

N A N Dケ−) 303ハ、入力信号301が“
H”、41 L #いずれの時も“H″′を出力するこ
とによりPチャネルMOS型FET305は非導通状態
となる。また、NORゲー) 304は入力信号301
が“Ho”、“L”いずれの時も“L”を出力すること
によりNチャネルMOS型FET3Q5も非導通状態と
なる。従って、出力端子307は、高電位電源308と
低電位電源309のいずれとも接続されず“浮き”の状
態となり出力信号はない。
N A N D K) 303 C, input signal 301 is “
304 is the input signal 301
By outputting "L" when is "Ho" or "L", N-channel MOS type FET 3Q5 also becomes non-conductive. Therefore, the output terminal 307 is not connected to either the high potential power source 308 or the low potential power source 309 and is in a "floating" state, with no output signal.

以上、第3図に示す出力回路の真理値表を第1表に示す
The truth table of the output circuit shown in FIG. 3 is shown in Table 1.

第1表 第1表によれば、かかる出力回路は、制御信号302が
“H”である場合にのみ出力端子307から出力信号を
出力するようになっている。
According to Table 1, this output circuit outputs an output signal from the output terminal 307 only when the control signal 302 is "H".

すなわち、かかる出力回路の出力端子307はプッシュ
プル型式に固定されているということが言える。
That is, it can be said that the output terminal 307 of this output circuit is fixed in a push-pull type.

発明が解決しようとする問題点 しかし、マイクロコンピュータにおける出力端子に最適
な回路形式は、そのマイクロコンビ二一夕を使用する場
合の周辺の回路構成及び回路状態によって異なる。
Problems to be Solved by the Invention However, the optimal circuit format for the output terminal in a microcomputer varies depending on the peripheral circuit configuration and circuit state when the microcomputer is used.

そのため、従来、マイクロコンピュータにおける出力回
路の型式は、最も多くの使用法に適するように考えられ
決定されている。
Therefore, conventionally, the type of output circuit in a microcomputer has been considered and determined to be suitable for the most uses.

、 しかしながら、従来は、その回路型式は固定された
ものであるため、全ての使用法について最適である事は
不可能であった。
However, in the past, the circuit type was fixed, so it was impossible to make it optimal for all uses.

この事は、マイクロコンビ二一夕を使用する場合にその
周辺に余分な部品や回路的対応を必要とするばかりでな
く、最悪の場合、マイクロコンピュータの用途を狭める
という欠点があった。
This not only necessitates extra parts and circuitry around the microcomputer when it is used, but also has the drawback of narrowing the uses of the microcomputer in the worst case.

そこで、本発明は、このような欠点を解消し、マイクロ
コンピュータを使用する場合の周辺の回路構成及び回路
状態などさまざまな使用法について適合可能とするべく
、プッシュプル型式の出力と片チャネルオープンドレイ
ン形式の出力とのいずれの形式でも出力することができ
る出力回路の構成を提供せんとするものである。
Therefore, the present invention solves these drawbacks and provides push-pull type output and single channel open drain in order to be adaptable to various uses such as peripheral circuit configurations and circuit conditions when using a microcomputer. The present invention aims to provide an output circuit configuration capable of outputting in any format.

問題点を解決するための手段 すなわち、本発明によれば、第1の電位と第2の電位と
の間に第1及び第2のMOS型FETが直列に接続し、
前記第1及び第2のMOS型FETとの間には出力端子
が接続され、制御信号と入力信号を入力とする半導体集
積回路の出力回路において、前記制御信号が第1の制御
レベルである時に、前記入力信号が第1の入力レベルで
あれば、前記第1のMOS型FETを導通させ、前記入
力信号が第2の入力レベルであれば、前記第1のMOS
型FETを非導通とさせるべく前記第1のMOS型FE
Tにゲート信号を発生し、前記制御信号が第2の制御レ
ベルである時には、前記入力信号のいかんにかかわらず
、前記第1のMOS型FETを非導通とさせるべく、前
記第1のMOS型FETにゲート信号を発生する第1の
制御手段と、前記入力信号を入力とし、該入力信号が第
1の入力レベルであれば、前記第2のMOS型FETを
非導通させるべく前記第2のMOS型FETにゲート信
号を発生する第2の制御手段とが設けられる。
Means for solving the problem, ie, according to the present invention, first and second MOS type FETs are connected in series between a first potential and a second potential,
An output terminal is connected between the first and second MOS FETs, and in an output circuit of a semiconductor integrated circuit that receives a control signal and an input signal, when the control signal is at a first control level, , if the input signal is at a first input level, the first MOS FET is made conductive; if the input signal is at a second input level, the first MOS FET is made conductive;
said first MOS type FE to make the type FET non-conductive.
generates a gate signal at T, and when the control signal is at a second control level, the first MOS type FET is made non-conductive regardless of the input signal. a first control means for generating a gate signal to the FET; and second control means for generating a gate signal to the MOS FET.

1乍用 前記本発明の出力回路によれば、制御信号が第1の制御
レベルである場合、出力回路はプツシニブル型式の出力
状態となり、第2の制御レベルである場合、出力回路は
片チャネルオープンドレイン形式の出力状態となる。
According to the output circuit of the present invention, when the control signal is at the first control level, the output circuit is in a push-nible type output state, and when it is at the second control level, the output circuit is in one channel open state. It becomes a drain type output state.

すなわち、制御信号の指定により出力型式を変更するこ
とができる。
That is, the output type can be changed by specifying the control signal.

実施例 次に、本発明について図面を参照して説明する。Example Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は、本発明による出力回路の一実施例である。FIG. 1 shows an embodiment of an output circuit according to the present invention.

第1図の出力回路は、高電位電源108と低電位電源1
09との間にPチャネルMOS型FぜT105とNチャ
ネルMOS型FET106とが直列に接続され、Pチャ
ネル及びNチャネルMOS型FETとの間には出力端子
107が接続されている。かかる出力回路は入力信号1
01及び制御信号102を入力とし、該入力は、2入力
NANDゲート103から成る第1の制御手段110と
、インバータ104から成る第2の制御手段111を通
りそれぞれのMOS型FET105.106へ入力され
出力端子107から出力されるように構成されている。
The output circuit in FIG. 1 includes a high potential power supply 108 and a low potential power supply 1.
09, a P-channel MOS type FET 105 and an N-channel MOS type FET 106 are connected in series, and an output terminal 107 is connected between the P-channel and N-channel MOS type FET. Such an output circuit receives input signal 1
01 and a control signal 102 as inputs, and the inputs are input to respective MOS type FETs 105 and 106 through a first control means 110 consisting of a two-input NAND gate 103 and a second control means 111 consisting of an inverter 104. The signal is configured to be output from an output terminal 107.

かかる構成の出力回路において、まず制御信号102“
H”である場合について説明する。
In the output circuit having such a configuration, first, the control signal 102"
The case where it is "H" will be explained.

この時、入力信号101が11811であれば、NAN
Dゲート103は、“L”を出力する事により、Pチャ
ネルMOS型FET105は導通状態となる。また、イ
ンバータ104は、“L″を出力する事により、Nチャ
ネルトランジスタ106は、非導通状態となる。従って
、出力端子107は、PチャネルMOS型FET105
を通じ高電位電源108とのみ接続され、入力信号10
1と同じ“H″が出力端子107から出力される。
At this time, if the input signal 101 is 11811, the NAN
When the D gate 103 outputs "L", the P channel MOS type FET 105 becomes conductive. Further, the inverter 104 outputs "L", so that the N-channel transistor 106 becomes non-conductive. Therefore, the output terminal 107 is connected to the P-channel MOS FET 105.
is connected only to the high potential power supply 108 through the input signal 10
“H”, which is the same as 1, is output from the output terminal 107.

また、入力信号101が“L”であればNANDゲート
103が“H”を出力する事によりPチャネルMOS型
FET105は非導通状態となるが、インバータ104
が゛Hパを出力する事により、NチャネルMOS型FE
T106は、導通状態となる。
Furthermore, if the input signal 101 is "L", the NAND gate 103 outputs "H", so that the P-channel MOS type FET 105 becomes non-conductive, but the inverter 104
By outputting H power, N-channel MOS type FE
T106 becomes conductive.

従って、出力端子107はNチャネルMO5型FET1
06を通じ低電位電源109とのみ接続され、入力信号
101と同じ“L”が出力端子107から出力される。
Therefore, the output terminal 107 is an N-channel MO5 type FET1.
It is connected only to the low potential power supply 109 through 06, and the same "L" as the input signal 101 is output from the output terminal 107.

すなわち制御信号102が“H′″の場合、入力信号1
01は、出力端子107にプッシュプル形式で出力され
る。
That is, when the control signal 102 is "H'", the input signal 1
01 is output to the output terminal 107 in a push-pull format.

次に、制御信号102が“L”である場合について説明
する。
Next, a case where the control signal 102 is "L" will be explained.

この時、NANDゲート103は、入力信号101の“
H”、″L”いずれの時も“H”を出力する事により、
PチャネルMOS型FET105は、常に非導通状態と
なる。ここで、入力信号101が“H”の時、インパー
ク104が“L”を出力する事により、Nチャネ″ルM
OS型FET106も非導通状態となる。従って、出力
端子107は高電位電源および低電位電源のいずれとも
接続されず、“浮き”の状態となる。また、入力信号1
01が“L”の時、インバータ104が“H”を出力す
る事によりNチャネルMOS型FET106は導通状態
となり、出力端子107はNチャネルMOS型FET1
06を通じ低電位電源109とのみ接続され、入力信号
101と同じ“L”が、出力端子107から出力される
At this time, the NAND gate 103 inputs the input signal 101 “
By outputting “H” at both “H” and “L”,
P-channel MOS type FET 105 is always in a non-conductive state. Here, when the input signal 101 is "H", the impark 104 outputs "L", so that the N channel "M"
The OS type FET 106 also becomes non-conductive. Therefore, the output terminal 107 is not connected to either the high potential power source or the low potential power source, and is in a "floating" state. Also, input signal 1
When 01 is "L", the inverter 104 outputs "H", which makes the N-channel MOS type FET 106 conductive, and the output terminal 107 becomes the N-channel MOS type FET1.
It is connected only to the low potential power supply 109 through 06, and the same "L" as the input signal 101 is output from the output terminal 107.

すなわち、制御信号102が“、L”の場合、入力信号
101は出力端子107にNチャネルオープンド、レイ
ン形式で出力される。
That is, when the control signal 102 is "L", the input signal 101 is outputted to the output terminal 107 in an N-channel open-drain format.

以上、第1図に示す出力回路の真理値表を第2表に示す
The truth table of the output circuit shown in FIG. 1 is shown in Table 2.

第2表 以上説明した様に、本実施例による出力回路は、制御信
号102の指定により、プツシニブル形式とNチャネル
オープンドレイン形式のいずれの出力形式としても使用
することができる。
As explained above in Table 2, the output circuit according to this embodiment can be used as either the push-nable format or the N-channel open drain format by specifying the control signal 102.

第2図も本発明の一実施例であり、その真理値表を第3
表に示す。
Figure 2 is also an embodiment of the present invention, and its truth table is shown in Figure 3.
Shown in the table.

第3表 第2図の出力回路は、第1の制御手段210にNORゲ
ート204、第2の制御手段211にインバータ203
を使用している。その他の構成は、第1図の出力回路と
基本的に同一であるから、100番台の参照番号の代わ
りに、下2桁が同じ200番台の参照番号を付してその
説明を省略する。第1の制御手段210がNチャネルM
OS型F E T2O6に、第2の制御手段211がP
チャネルMOS型FET205に接続していることから
、第3表で示される通り、制御信号202が“H”の時
、入力信号201をPチャネルオーブンドレイン形式で
出力端子207へ出力し、制御信号202が“L”の時
、入力信号201をプッシュプル形式で出力端子207
へ出力する。
The output circuit of Table 3 and FIG. 2 has a NOR gate 204 in the first control means 210 and an inverter 203 in the second control means 211.
are using. The other configurations are basically the same as the output circuit shown in FIG. 1, so instead of the reference numbers in the 100s, reference numbers in the 200s with the same last two digits are given, and the explanation thereof will be omitted. The first control means 210 has N channels M
In the OS type F E T2O6, the second control means 211 is
Since it is connected to the channel MOS type FET 205, as shown in Table 3, when the control signal 202 is "H", the input signal 201 is outputted to the output terminal 207 in P channel oven drain format, and the control signal 202 When is “L”, input signal 201 is output to output terminal 207 in push-pull format.
Output to.

第4図は、出力端子407に、入力バッファ413を接
続することで入力回路を追加した一実施例である。この
点を除く他の構成は、第1図の出力回路と基本的に同一
であることから、100番台の参照番号の代わりに、下
2桁が同じ400番台の同様に参照番号を付してその説
明を省略する。本実施例によれば、本発明が入出力回路
の出力回路部分としても使用可能な事を示している。
FIG. 4 shows an embodiment in which an input circuit is added by connecting an input buffer 413 to the output terminal 407. Other than this point, the configuration is basically the same as the output circuit in Figure 1, so instead of the reference number in the 100s, we have given the same reference number in the 400s with the same last two digits. The explanation will be omitted. This embodiment shows that the present invention can also be used as an output circuit portion of an input/output circuit.

発明の効果 以上の説明から明らかな様に本発明による出力回路は、
制御信号の指定によりプッシュプル形式の出力と、片チ
ャネルオープンドレイン形式の出力とのいずれの出力形
式でも出力することができる。よって、出力回路を内蔵
したマイクロコンピュータを使用する場合、周辺の回路
構成及びその回路状態に最も適した出力形式を容易に設
定する事が可能となり、マイクロコンピュータの周辺回
路の簡素化及び部品の削減を可能とし、ひいては、マイ
クロコンピュータの用途を拡大する事にもつながる。
Effects of the Invention As is clear from the above explanation, the output circuit according to the present invention has the following effects:
Depending on the designation of the control signal, it is possible to output in either a push-pull format or a single channel open drain format. Therefore, when using a microcomputer with a built-in output circuit, it is possible to easily set the most suitable output format for the peripheral circuit configuration and its circuit state, simplifying the peripheral circuitry of the microcomputer and reducing the number of components. This will in turn lead to expanding the uses of microcomputers.

更に、本発明による出力回路によれば、浮き状態設定可
能なプッシュプル形式出力回路という点にのみ着目して
も、第3図に示す従来の出力回路と比較して第1図及び
第2図の実施例の様に構成回路の削減も可能である。
Furthermore, according to the output circuit according to the present invention, even if we focus only on the fact that it is a push-pull type output circuit that can be set to a floating state, the output circuit shown in FIGS. 1 and 2 is better than the conventional output circuit shown in FIG. It is also possible to reduce the number of constituent circuits as in the embodiment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明を実施した出力回路の実施例を示す構
成図であり、Nチャネルオープンドレイン型式の出力を
可能にするものである。 第2図は、本発明を実施した出力回路の別の実施例を示
す構成図であり、Pチャネルオープンドレイン型式の出
力を可能にするものである。 第3図は、従来の出力回路の構成例であり、浮き状態設
定可能なプッシュプル型式の出力回路である。 第4図は、第1図の出力回路の実施例の構成図に入力回
路を付加したものである。 (主な参照番号) 101.201.401・・入力信号、102、302
.402・・制御信号、103、303.403・・2
入力NANDゲート、104、203.312. 40
4  ・・インバータ、105、205.305.40
5 ・・PチャネルMOS型FET。 106、206.306.406  ・・NチャネルM
OS型FET。 107、207.307・・出力端子、108、208
.308.408  ・・°高電位電源、109、20
9.309.409  ・・低電位電源、110、21
0.410・・第1の制御手段、111、211.41
1・・第2の制御手段、204、304  ・・2入力
NORゲート、407・・入出力端子、 413・・入力バッファ 特許出願人  日本電気株式会社 第2図
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an output circuit embodying the present invention, which enables N-channel open drain type output. FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of an output circuit embodying the present invention, which enables P-channel open-drain type output. FIG. 3 shows a configuration example of a conventional output circuit, which is a push-pull type output circuit that can be set to a floating state. FIG. 4 is a block diagram of the embodiment of the output circuit shown in FIG. 1 with an input circuit added thereto. (Main reference numbers) 101.201.401...Input signal, 102, 302
.. 402...control signal, 103, 303.403...2
Input NAND gates, 104, 203.312. 40
4...Inverter, 105, 205.305.40
5...P-channel MOS type FET. 106, 206.306.406...N channel M
OS type FET. 107, 207.307...output terminal, 108, 208
.. 308.408 ...°High potential power supply, 109, 20
9.309.409 ・Low potential power supply, 110, 21
0.410...first control means, 111, 211.41
1... Second control means, 204, 304... 2-input NOR gate, 407... Input/output terminal, 413... Input buffer Patent applicant NEC Corporation Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 第1の電位と第2の電位との間に第1及び第2のMOS
型電界効果トランジスタが直列に接続し、前記第1及び
第2のMOS型電界効果トランジスタとの間には出力端
子が接続され、制御信号と入力信号とを入力とする半導
体集積回路の出力回路において、 前記制御信号が第1の制御レベルである時に、前記入力
信号が第1の入力レベルであれば、前記第1のMOS型
電界効果トランジスタを導通させ、前記入力信号が第2
の入力レベルであれば、前記第1のMOS型電界効果ト
ランジスタを非導通とさせるべく前記第1のMOS型電
界効果トランジスタにゲート信号を出力し、前記制御信
号が第2の制御レベルである時には、前記入力信号のい
かんにかかわらず、前記第1のMOS型電界効果トラン
ジスタを非導通とさせるべく、前記第1のMOS型電界
効果トランジスタにゲート信号を出力する第1の制御手
段と、前記入力信号を入力とし、該入力信号が第一の入
力レベルであれば、前記第2のMOS型電界効果トラン
ジスタを非導通させるべく前記第2のMOS型電界効果
トランジスタにゲート信号を出力する第2の制御手段と
を備えていることを特徴とする出力回路。
[Claims] First and second MOS transistors are connected between the first potential and the second potential.
In an output circuit of a semiconductor integrated circuit, MOS type field effect transistors are connected in series, an output terminal is connected between the first and second MOS type field effect transistors, and a control signal and an input signal are input. , when the control signal is at a first control level, if the input signal is at the first input level, the first MOS field effect transistor is made conductive, and the input signal is at the second input level.
If the input level is at a second control level, a gate signal is output to the first MOS field effect transistor to make the first MOS field effect transistor non-conductive, and when the control signal is at a second control level, , a first control means for outputting a gate signal to the first MOS field effect transistor in order to make the first MOS field effect transistor non-conductive regardless of the input signal; a second input signal, and outputs a gate signal to the second MOS field effect transistor to make the second MOS field effect transistor non-conductive if the input signal is at a first input level; An output circuit comprising a control means.
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