JPS63113812A - Manufacture of thin film magnetic head - Google Patents

Manufacture of thin film magnetic head

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JPS63113812A
JPS63113812A JP25919886A JP25919886A JPS63113812A JP S63113812 A JPS63113812 A JP S63113812A JP 25919886 A JP25919886 A JP 25919886A JP 25919886 A JP25919886 A JP 25919886A JP S63113812 A JPS63113812 A JP S63113812A
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insulating film
pattern
film
groove
forming
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Makoto Morijiri
誠 森尻
Shinichi Hara
原 眞一
Eiji Ashida
栄次 芦田
Takashi Kawabe
川辺 隆
Tsuneo Yoshinari
吉成 恒男
Masanobu Hanazono
雅信 華園
Saburo Suzuki
三郎 鈴木
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Abstract

PURPOSE:To raise the reliability, and also, to obtain the high density by forming a conductor coil by embedding a metallic film into the groove of an insulating film which is formed in advance, so that insulating layer can be filled exactly between coil wires. CONSTITUTION:An insulating film 2 is formed by a prescribed film thickness on a substrate 1, and a photoresist pattern 3 is formed thereon. Subsequently, by using the photoresist pattern 3 as a mask material, a groove 20 is formed on the insulating film 2 by dry method. This groove 20 is the same pattern as a pattern of a conductor coil. Thereafter, the photoresist is eliminated by etching, and on the whole surface of the insulating film 2, a plating surface 4 is formed. A metallic film 5 which becomes the conductor coil is formed on its whole surface by a plating method, and thereafter, its whole surface is eliminated to the insulating layer formed part by an etch-back method, and a coil pattern is formed. In such a way, the metallic film 5 is formed in the groove 20 without filling a resin between the coils, thereafter, the generation of an air-foam, based on the fluidity failure of the resin can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造法に係り、特に薄膜磁気
ヘッドのコイル及び絶縁膜の形成に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a thin film magnetic head, and particularly to the formation of a coil and an insulating film of a thin film magnetic head.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の磁気ディスク装置用薄膜磁気ヘッドは、日経エレ
クトロニクス、1980年7月7日号。
A conventional thin film magnetic head for magnetic disk drives is described in Nikkei Electronics, July 7, 1980 issue.

]10頁から111頁に記述されているように、導体コ
イルをめっき法により形成し、絶縁膜を、有機樹脂であ
るフォトレジストを熱硬化したもので形成している。こ
のような磁気ディスク装置用薄膜磁気ヘッドにおいて、
高密度磁気記録を達成するためには、限られた部分に高
密度なコイルを形成する必要がある。コイルの高密度を
達成するには、たとえば、多巻のコイルの各巻のスペー
ス部の距離が2μm以下となるような微細な構造が必要
である。この構成の場合、絶縁膜としてフォトレジスト
を硬化させたものを使用しているため、その樹脂の熱流
動性等の性質により、コイル各巻間に形成されたスペー
ス部に樹脂が充填され、薄膜磁気ヘッドが構成されてい
る。
] As described on pages 10 to 111, the conductor coil is formed by a plating method, and the insulating film is formed from a thermoset photoresist, which is an organic resin. In such a thin film magnetic head for a magnetic disk device,
In order to achieve high-density magnetic recording, it is necessary to form high-density coils in limited areas. In order to achieve high coil density, a fine structure is required, for example, such that the distance between the spaces between each turn of a multi-turn coil is 2 μm or less. In this configuration, since a hardened photoresist is used as the insulating film, due to the thermal fluidity of the resin, the space formed between each winding of the coil is filled with the resin, and the thin film magnetic The head is configured.

しかしながら、フォトレジストを硬化した膜は耐熱性が
悪いという問題がある。
However, there is a problem in that a film made of hardened photoresist has poor heat resistance.

耐熱性を向上させた絶縁膜としてポリイミド系樹脂を用
いた例が、アイ・イー・イー・イー、トランザクション
 オン マグネチツクス、エムエージ−15,第161
6頁〜第1618頁(1979年)  (IEEE T
rans、Magn 、 MAG−15゜1616〜1
618 (1979))に示されている。
An example of using polyimide resin as an insulating film with improved heat resistance is IE, Transaction on Magnetics, MAGE-15, No. 161.
Pages 6 to 1618 (1979) (IEEE T
rans, Magn, MAG-15゜1616~1
618 (1979)).

【発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention attempts to solve]

しかし、本発明者らが検討したところ上記従来技術は、
コイルの高密度化に対する配慮がされておらず、コイル
のスペース間に気泡なく絶縁層であるポリイミド系樹脂
を充填することは困難となる。樹脂の流動性が悪いため
である。したがって。
However, according to the present inventors' study, the above-mentioned conventional technology
No consideration has been given to increasing the density of the coil, making it difficult to fill the spaces between the coils with polyimide resin, which serves as an insulating layer, without air bubbles. This is because the fluidity of the resin is poor. therefore.

充填残りによる絶縁層内の気泡により、磁気ヘッドの信
頼性を低下するという問題があった。
There is a problem in that the reliability of the magnetic head is reduced due to air bubbles in the insulating layer due to the remaining filling.

また、コイル及びコイル間に絶縁層を形成するため、形
成した絶縁層の表面にコイルの段差を原因とする絶縁層
の凹凸が生じ、そのままでは、その上部に形成する磁性
膜の磁気特性の劣化を引き起こす、したがって、上記従
来技術では表面を平坦化する工程が必要となり、工程が
複雑となるという問題がある。
In addition, since an insulating layer is formed between the coils and the coils, unevenness of the insulating layer occurs on the surface of the formed insulating layer due to the step of the coil, and if left as is, the magnetic properties of the magnetic film formed on top of the insulating layer will deteriorate. Therefore, the above-mentioned conventional technique requires a step of flattening the surface, making the process complicated.

本発明の目的は、コイル線間に絶縁層が確実に充填でき
ることにより信頼性が高く、かつ、高密度化された薄膜
磁気ヘッドを簡易な工程で製造することができる方法を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a highly reliable thin-film magnetic head with high density through a simple process by reliably filling an insulating layer between coil wires. .

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記目的を達成するために本発明は、基板上に絶縁膜を
積層して形成し、所定形状の導体コイルが絶縁部を介し
て交互に所定間隔で配設されたパターンを有する導体コ
イルパターンを前記絶縁膜中に形成することによりなる
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、あらかじめ前記絶
縁膜に前記導体コイル形状に相当する溝を前記パターン
と同一パターンで形成する溝パターン形成工程と、前記
導体コイルパターンのコイル相互間が絶縁されるように
前記溝内に当該導体コイルとなる金属を充填して前記導
体コイルパターンを形成するコイルパターン形成工程と
、当該導体コイルパターンを有する絶縁膜上に第2の絶
縁膜を形成する絶縁膜形成工程とを備えてなることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法である。
In order to achieve the above object, the present invention has a conductor coil pattern formed by laminating an insulating film on a substrate, and having a pattern in which conductor coils of a predetermined shape are arranged alternately at a predetermined interval through an insulating part. In the method of manufacturing a thin film magnetic head by forming a thin film magnetic head in the insulating film, a groove pattern forming step of forming in advance a groove corresponding to the shape of the conductor coil in the insulating film in the same pattern as the conductor coil pattern; a coil pattern forming step of forming the conductor coil pattern by filling the groove with a metal that will become the conductor coil so that the coils are insulated from each other; This method of manufacturing a thin film magnetic head is characterized by comprising an insulating film forming step of forming an insulating film.

〔作用〕[Effect]

上記本発明によれば、あらかじめ形成しである絶縁膜の
溝の中へ金属膜を埋め込んで導体コイルを形成すること
により、コイル間の絶縁膜中に気泡のない薄膜磁気ヘッ
ドを作成することができろ。
According to the present invention, a thin film magnetic head without air bubbles in the insulating film between the coils can be created by embedding a metal film into the grooves of the insulating film that has been previously formed to form a conductive coil. You can do it.

また、導体コイルを形成した後、その上に絶縁膜を形成
する場合に、その面を平坦化できるので、塗布した絶縁
膜の表面の凹凸を小さくすることができ、次工程でその
上に形成される磁性膜の特性を良好なものに保つことが
できる。
In addition, when forming an insulating film on top of the conductor coil after forming the conductor coil, the surface can be flattened, so unevenness on the surface of the applied insulating film can be reduced, and the insulating film can be formed on top of it in the next step. It is possible to maintain good characteristics of the magnetic film.

〔実施例〕〔Example〕

図面を用いて1本発明に係る実施例について説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明における導体コイルの形成に関する工
程の概略を示したものである。図においては、a気ヘッ
ドの断面図を示す、なお、説明上、基板上に形成されて
いる磁性膜等は、図面上の基板1に含まれるものとし、
導体コイル及び導体コイルの埋め込まれろ絶縁層を示し
である。
FIG. 1 schematically shows the steps involved in forming a conductor coil in the present invention. The figure shows a cross-sectional view of the a-air head. For the purpose of explanation, it is assumed that the magnetic film etc. formed on the substrate are included in the substrate 1 in the drawing.
3 shows a conductor coil and an insulating layer embedded in the conductor coil.

工程は次の順序に従う。The steps follow the following order:

(1)基板1上に絶縁膜2を所定膜厚形成する(第1図
(1))。
(1) An insulating film 2 is formed to a predetermined thickness on a substrate 1 (FIG. 1 (1)).

(2)絶縁膜2上にフォトレジストパターン3を形成す
る。この絶縁膜として有機樹脂又は無機膜を使用するこ
とができる(第1図(2,))。
(2) Form a photoresist pattern 3 on the insulating film 2. An organic resin or an inorganic film can be used as this insulating film ((2,) in FIG. 1).

(3)フォトレジストパターン3をマスク材にしてドラ
イ法で絶縁膜2上に溝20を形成する(第1図(3))
。この溝は導体コイルのパターンと同一のパターンとな
るように形成する。
(3) Using the photoresist pattern 3 as a mask material, a groove 20 is formed on the insulating film 2 by a dry method (FIG. 1 (3))
. The grooves are formed in the same pattern as the conductor coil.

フォトレジストとそのエツチングにより溝20を所望の
形態(大きさ、高さ、厚さ等)にすることができる。機
械的加工により溝20を形成することもできるが、それ
では微細なパターンを形成する上で十分でない。よって
通常はエツチング加工が望ましい。
The groove 20 can be formed into a desired shape (size, height, thickness, etc.) by using photoresist and its etching. Although the grooves 20 can be formed by mechanical processing, this is not sufficient to form a fine pattern. Therefore, etching is usually preferable.

(4)フォトレジストをエツチング除去する(第1図(
4))。
(4) Etch and remove the photoresist (see Figure 1 (
4)).

(5)絶縁膜2表面全面にめっき下地膜4を形成する(
第1図(5))。
(5) Form a plating base film 4 on the entire surface of the insulating film 2 (
Figure 1 (5)).

(6)全面にめっき法で導体コイルとなる金属膜5を形
成する(第1図(6))。これにより、溝20中を含み
絶縁膜上すべてに金属膜が形成されるとともに、その表
面の凹凸は絶縁膜の凹凸に比較して小さくなり、平坦に
なる。全面に金属膜5を形成するのは、次の理由による
。120内に限定して金属膜を形成することもできるが
、それは通常難しい。そこで、後述するように全面に金
属膜を形成し、この金属膜をいわゆるエッチバック法に
より除去して、コイルパターンを形成するようにした。
(6) A metal film 5 that will become a conductor coil is formed by plating on the entire surface (FIG. 1 (6)). As a result, a metal film is formed all over the insulating film including the inside of the groove 20, and the unevenness of the surface becomes smaller and flat compared to the unevenness of the insulating film. The reason why the metal film 5 is formed on the entire surface is as follows. Although it is possible to form a metal film only within the area 120, this is usually difficult. Therefore, as will be described later, a metal film was formed on the entire surface, and this metal film was removed by a so-called etch-back method to form a coil pattern.

(7)この全面をエッチバック法で絶縁層形成部分まで
除去する。かつ溝の上部に形成されている導体の接続部
分を除去して各導体間が金属膜でつながっていないよう
にし、コイルパターンを形成する(第1図(7))。
(7) This entire surface is removed by an etch-back method up to the portion where the insulating layer will be formed. Then, the connection portions of the conductors formed above the grooves are removed so that the conductors are not connected by the metal film, and a coil pattern is formed (FIG. 1 (7)).

(8)このようにして形成した導体コイル上に絶縁膜2
1を形成して、導体コイル形成工程を終了する(第1図
(8))。
(8) An insulating film 2 is placed on the conductor coil thus formed.
1 is formed, and the conductor coil forming process is completed (FIG. 1 (8)).

以上の工程によれば、めっきした金属膜間(コイル間)
に樹脂を充填させず、溝20内に金属膜を形成している
ために、樹脂の流動性不良に基づく気泡の巻き込み等を
防止できる。
According to the above process, between the plated metal films (between the coils)
Since the groove 20 is not filled with resin and a metal film is formed inside the groove 20, it is possible to prevent air bubbles from being entrained due to poor fluidity of the resin.

次に具体的な実施例について説明する。Next, specific examples will be described.

第2図は、基板1上に絶縁膜2として有機樹脂であるポ
リイミド系樹脂を形成した実施例を示す(第2図(2)
)。ポリイミド系樹脂として、PIQ(ポリイミドイソ
インドロキナゾリンジオン 商品名、F1立化成株式会
社)を用いた。次いで、ドライ法を用いてコイルを形成
する溝を形成する。ここで、ドライ法とは、プラズマエ
ツチング法やイオンビームエツチング法などの手法があ
げられる。いずれの方法についても、溶液を用いてエツ
チングする化学エツチング法の場合よりもパターン幅を
狭く、また、深く形成することができるので、高密度に
コイルを形成することができるという特徴がある。
Figure 2 shows an example in which polyimide resin, which is an organic resin, is formed as an insulating film 2 on a substrate 1 (Figure 2 (2)
). As the polyimide resin, PIQ (polyimide isoindoquinazolinedione, trade name, manufactured by F1 Tatekasei Co., Ltd.) was used. Next, a groove for forming a coil is formed using a dry method. Here, the dry method includes methods such as plasma etching method and ion beam etching method. In either method, the pattern width can be narrower and the pattern can be formed deeper than in the chemical etching method using a solution, so that coils can be formed with high density.

第2図(1)は、基板1−ヒにP I Qからなる絶縁
膜を形成している。次に、(2)に示すようにフォトレ
ジストパターン3を形成する。ここに用いられるフォト
レジストとしては、パターン精度の良いことから、ノボ
ラック系ポジ型のフォトレジストであるマイクロポジッ
ト1.300(商品名。
In FIG. 2(1), an insulating film made of P IQ is formed on the substrate 1-A. Next, a photoresist pattern 3 is formed as shown in (2). The photoresist used here is Microposit 1.300 (trade name), which is a novolac positive type photoresist because of its good pattern accuracy.

シブレイファースト株式会社)を使用することができる
が、このフォトレジストパターンの断面形状では絶縁膜
2表面に近い方が幅の広い台形になる。
(Sibley Fast Co., Ltd.) can be used, but the cross-sectional shape of this photoresist pattern is a trapezoid with a wider width closer to the surface of the insulating film 2.

このようにして形成したフォトレジストパターンコうを
マスクとして、ドライ法でPIQをエツチングする。こ
の時のエツチング法としては、02ガスを用いたイオン
ビームエツチングがパターン精度が良く、安定してエツ
チングできる。この時、PIQ膜がエツチングされると
同時にマスク材として用いられるフォトレジストもエツ
チングされるので、高さ及び幅が減少する(第2図(3
))。
Using the thus formed photoresist pattern as a mask, PIQ is etched by a dry method. As for the etching method at this time, ion beam etching using 02 gas has good pattern accuracy and allows stable etching. At this time, since the photoresist used as a mask material is also etched at the same time as the PIQ film is etched, the height and width are reduced (see Figure 2 (3).
)).

フォトレジストもPTQも同時にエツチングされるので
、フォトレジストの肖初の膜厚を、絶縁膜の溝20の深
さよりも厚く形成して、イオンビームエツチング後にも
フォトレジストが絶縁膜2上に残存させる膜厚とする。
Since the photoresist and PTQ are etched at the same time, the initial film thickness of the photoresist is formed to be thicker than the depth of the groove 20 in the insulating film so that the photoresist remains on the insulating film 2 even after ion beam etching. Film thickness.

続いて、フォトレジスト22だけをフォトレジスト剥離
液で除去し、絶縁膜2−ヒにコイルを形成する溝20を
形成する(第2図(4))。
Subsequently, only the photoresist 22 is removed using a photoresist stripping solution, and a groove 20 for forming a coil is formed in the insulating film 2-1 (FIG. 2 (4)).

この時、マスク材としてフォトレジストのみを使うと、
エツチング中にフォトレジストの側壁も同時にエツチン
グされるため、絶縁膜2中の溝20の断面形状は第2図
(4)に示すようにテーバのついた形状となる。したが
って、高密度のコイルを形成するには回着である場合を
生じる。すなわち、高密度コイルパターンを形成する場
合は、隣接する溝どおしがつながってしまうこともある
At this time, if only photoresist is used as the mask material,
During etching, the side walls of the photoresist are also etched at the same time, so the cross-sectional shape of the groove 20 in the insulating film 2 becomes tapered as shown in FIG. 2(4). Therefore, in order to form a high-density coil, it may be necessary to rotate the coil. That is, when forming a high-density coil pattern, adjacent grooves may be connected.

そこで、絶縁膜の断面形状のテーパ角を立てることによ
り、高密度コイルを形成するためには、フォトレジスト
をマスクとするだけでなく、金属膜をマスクとして絶縁
膜2をエツチングする方法が良い。第3図にその一例を
示す、第3図(1)の絶縁膜上に金属膜14を形成し、
その上にフォトレジストパターン3を形成する。第3図
(2)に示すようにこのフォトレジストパターンをマス
クとじて、最初にマスクとする金属膜14をエツチング
する。絶縁膜2をドライ法でエツチングする場合、有機
膜であるP、IQをエツチングするための、Ozガスを
用いたイオンビームエツチング法を用いることが、パタ
ーン精度を良くするために有効な方法である。この時の
マスク材としての金属膜14としては、耐酸素イオンビ
ームエツチング性の高いクロム、モリブデン、ニッケル
等。
Therefore, in order to form a high-density coil by increasing the taper angle of the cross-sectional shape of the insulating film, it is preferable to etch the insulating film 2 not only using a photoresist as a mask but also using a metal film as a mask. A metal film 14 is formed on the insulating film shown in FIG. 3(1), an example of which is shown in FIG.
A photoresist pattern 3 is formed thereon. As shown in FIG. 3(2), this photoresist pattern is used as a mask, and the metal film 14 used as a mask is first etched. When etching the insulating film 2 by a dry method, an effective method for improving pattern accuracy is to use an ion beam etching method using Oz gas to etch the organic films P and IQ. . The metal film 14 used as a mask material at this time is chromium, molybdenum, nickel, etc., which have high resistance to oxygen ion beam etching.

各種の金属を用いることができる。Various metals can be used.

このように金属膜パターンを形成した後、第:3図(3
)のように02ガスイオンビーノNエツチング法を用い
て、絶縁膜に溝20を形成し、その後。
After forming the metal film pattern in this way,
), the grooves 20 are formed in the insulating film using the 02 gas ion vino N etching method, and then.

残存したフォトレジスト及びマスク材の金属膜を除去す
ることにより、第3図(4)に示すように絶縁膜上に溝
を形成する。
By removing the remaining photoresist and the metal film of the mask material, a groove is formed on the insulating film as shown in FIG. 3(4).

次に、第4図に示すように、PIQ上に形成された溝の
中にコイルを形成する。
Next, as shown in FIG. 4, a coil is formed in the groove formed on the PIQ.

電気めっき法でコイルの金属膜を形成する方法について
述べる。第4図(1)に示すように、溝を形成したPI
Qから絶縁膜上全面にめっき下地膜4を形成する。
A method for forming the metal film of the coil by electroplating will be described. As shown in Figure 4 (1), the PI with grooves formed
A plating base film 4 is formed on the entire surface of the insulating film starting from Q.

めっき下地膜はPIQと、導体コイルとなる金属膜との
密着性が悪いため、金属膜をめっき下地膜を介してPI
Qに接着させるために設けるものである。このめっき下
地膜は1例えば、CrをPIQ(基板)上に蒸着法であ
る例えばスパッタリング法を用いて蒸着し、続いて、C
uをCrの上に蒸着法である例えばスパッタリング法を
用いて蒸着することにより形成する。この時Crは、P
IQとCuとを接着させ、また、CuはCrと導体コイ
ルとなる金属膜とを接着させるためのものである。めっ
き下地膜の内、前者のものとして。
The plating base film has poor adhesion between the PIQ and the metal film that will become the conductor coil, so the metal film is not connected to the PI through the plating base film.
This is provided for adhesion to Q. This plating base film is made by depositing, for example, Cr on PIQ (substrate) using a vapor deposition method such as sputtering, and then
It is formed by depositing u on Cr using a vapor deposition method, for example, a sputtering method. At this time, Cr is P
The IQ and Cu are bonded together, and the Cu is used to bond Cr and the metal film that will become the conductor coil. Among plating base films, the former is used.

Crの他、Ti、Ni、Mo、Ta等を用いることがで
きる。また、めっき下地膜の内、後者のものとして、C
uの他、Ni、Au等を用いることができる。
Besides Cr, Ti, Ni, Mo, Ta, etc. can be used. Also, as the latter of the plating base films, C
In addition to u, Ni, Au, etc. can be used.

この下地膜上の導体金属例えばCuを電気めっきする。A conductive metal such as Cu is electroplated on this base film.

Cuの他、Au、Niであっても良い。In addition to Cu, Au and Ni may be used.

金属膜5形成の時、このめっき膜4(Cu膜)のつきま
わりによりPIQの溝20の段差に比較してめっき膜表
面5の凹凸を小さくすることができる。次に、このめっ
き膜全体をエッチバックする。すなわち、第4図(3)
に示すように、絶縁層表面23が現われるまで金属全面
をエツチングし、コイルの相互間が絶縁され、また1表
面が平坦化されるようにする。最後にPIQ膜を表面に
形成し、コイルパターンの形成を終わる。この時、コイ
ル上面の絶縁膜23との間が平坦化されているので、上
部に形成したPIQの表面は平坦に形成され、後工程で
その上に形成される磁性膜の磁気特性の劣化を防止する
ことができる。
When forming the metal film 5, the thickness of the plating film 4 (Cu film) makes it possible to reduce the unevenness of the plating film surface 5 compared to the step of the PIQ groove 20. Next, this entire plating film is etched back. In other words, Figure 4 (3)
As shown in FIG. 2, the entire surface of the metal is etched until an insulating layer surface 23 is exposed, so that the coils are insulated from each other and one surface is planarized. Finally, a PIQ film is formed on the surface to complete the formation of the coil pattern. At this time, since the space between the top surface of the coil and the insulating film 23 is flattened, the surface of the PIQ formed on the top is formed flat, which prevents deterioration of the magnetic properties of the magnetic film formed on it in a later process. It can be prevented.

第4図(3)に示したエッチバック法について以下に説
明する。
The etch-back method shown in FIG. 4(3) will be explained below.

ドライ法によるエッチバックとしては、スパッタエツチ
ング法あるいは、イオンビームエツチング法が用いられ
る。エッチバック法は、第4図に説明したように、金属
膜表面を平坦になるまで形成した上で、全面をエツチン
グして後退させることである。しかしながら、金属膜5
表面が平坦になるまで金属膜を形成するには、金属膜を
厚く形成する必要がある。金属膜を厚くしないですむ方
法としては、第5図に示す方法がある。すなわち第5図
(1)に示すように金属膜5表面の凹凸があっても、そ
の上に流動性の良い有機樹脂17を精層形成して、第5
図(2)に示すように全面を平坦化し、その後、全面を
エッチバックすることにより第5図(3)に示すように
絶縁膜に埋め込まれたコイルの表面を平坦に作ることが
できる。
As the dry etchback method, a sputter etching method or an ion beam etching method is used. As explained in FIG. 4, the etch-back method involves forming a metal film surface until it becomes flat, and then etching the entire surface to set it back. However, the metal film 5
In order to form a metal film until the surface becomes flat, it is necessary to form the metal film thickly. As a method that does not require making the metal film thick, there is a method shown in FIG. That is, even if there are irregularities on the surface of the metal film 5, as shown in FIG.
By flattening the entire surface as shown in FIG. 5(2) and then etching back the entire surface, the surface of the coil embedded in the insulating film can be made flat as shown in FIG. 5(3).

この時、塗布した有機樹脂の平坦性をそのままコイル形
成まで転写するには、有機樹脂と金属膜とのエツチング
速度を同等にすることが良い。
At this time, in order to directly transfer the flatness of the applied organic resin to the formation of the coil, it is preferable to make the etching speed of the organic resin and the metal film the same.

例えば、金属膜としてC11を用い、絶縁膜としてPI
Qを用いたエツチング速度について説明する。第6図に
は、イオンビームエツチング法、反応ガスとしてアルゴ
ンと酸素の混合ガスを用いた場合のCuとPIQのエツ
チング速度の差を示す。
For example, C11 is used as the metal film and PI is used as the insulating film.
The etching rate using Q will be explained. FIG. 6 shows the difference in etching rate between Cu and PIQ in the ion beam etching method using a mixed gas of argon and oxygen as the reaction gas.

第6図によれば、酸素量が増すに従い、PTQのエツチ
ング速度が増加し、Cuのエツチング速度が低下して、
CuとPIQのエツチング速度とを一定とすることがで
きる。このような条件を選定することにより、エッチバ
ッグ後の表面を平坦にすることができる。
According to FIG. 6, as the amount of oxygen increases, the etching rate of PTQ increases, the etching rate of Cu decreases,
The etching rates of Cu and PIQ can be kept constant. By selecting such conditions, the surface after the etch bag can be made flat.

エッチバック法以外の他の方法として、機械的に研摩す
る方法も考えることができる。例えば。
As a method other than the etch-back method, a method of mechanical polishing can also be considered. for example.

第7図(1)に示すように、表面の凹凸のある金属面で
も、基板表面を研摩することにより、第7図(2)に示
すように金属膜表面を平坦にでき。
As shown in FIG. 7(1), even if the metal surface has an uneven surface, by polishing the substrate surface, the metal film surface can be made flat as shown in FIG. 7(2).

さらに第7図に3)に示すように、絶縁膜23が表面に
現われるまで研摩することにより、コイルパターン24
を完成することができろ。この方法によれば、ドライ法
等の真空装置を用いることによる工程数の増加及び製造
コスト高をさけることができるという効果がある。
Furthermore, as shown in 3) in FIG. 7, the coil pattern 24 is polished until the insulating film 23 appears on the surface.
Be able to complete. This method has the effect of avoiding an increase in the number of steps and high manufacturing costs due to the use of a vacuum device such as a dry method.

以−ヒ述べた本実施例では、絶縁膜2として有機樹脂を
用いた例を述べたが、同様に溝を形成するエツチング条
件及びエッチバックに用いられるエツチング方法を選定
することにより無機膜を用いることができる。
In this embodiment described below, an example was described in which an organic resin was used as the insulating film 2, but an inorganic film could also be used by similarly selecting the etching conditions for forming the grooves and the etching method used for etchback. be able to.

第4図に示したように、金属膜5の形成法としては電気
めっき法を用いたが、他の方法も可能である。例えば、
第8図に示すように、化学めっき法で金属膜5を形成し
て、導体コイル24を形成することが可能である。
As shown in FIG. 4, electroplating was used as the method for forming the metal film 5, but other methods are also possible. for example,
As shown in FIG. 8, it is possible to form the conductor coil 24 by forming the metal film 5 by chemical plating.

第8図(1)に示すように、溝2oを形成した絶縁膜2
の表面全体に化学めっき膜を形成するための活性化処理
をほどこす。この処理の一例を次に示す。
As shown in FIG. 8(1), an insulating film 2 with grooves 2o formed therein.
An activation treatment is applied to form a chemical plating film on the entire surface of the plate. An example of this process is shown below.

S n CQ2.・ 2Hz0         40
 g/ QHCQ、                
   20 m Q / Qの溶液に2分間浸した後、 PdCQx・2HzOO,4g/Q HCQ              4 m Q / 
Qの溶液に2分間浸すことにより、絶縁膜2の表面全面
にPd25を析出させる。ここでは、Pdを析出させる
活性化処理をしたが、他にAu、Ag。
S n CQ2.・2Hz0 40
g/QHCQ,
After soaking in a solution of 20 m Q / Q for 2 minutes, PdCQx 2Hz OO, 4 g / Q HCQ 4 m Q /
Pd25 is deposited on the entire surface of the insulating film 2 by immersing it in the Q solution for 2 minutes. Here, activation treatment was performed to precipitate Pd, but Au and Ag were also deposited.

ptなどの金属を用いることができる。Metals such as PT can be used.

このようにして活性化処理をほどこした基板を化学鋼め
っき液中に浸すことにより、活性化処理のほどこされた
絶縁膜表面全面に鋼めっき膜5を形成することが可能で
ある。もちろん化学鋼めっきだけでなく、化学めっきで
きる金属であれば、銅に限らず金、ニッケル等のどんな
金属を用いることも可能である。
By immersing the substrate that has been activated in this way in a chemical steel plating solution, it is possible to form the steel plating film 5 on the entire surface of the insulating film that has been activated. Of course, it is possible to use not only chemical steel plating but also any metal that can be chemically plated, such as gold, nickel, etc. in addition to copper.

この方法によれば、電気めっきのように基板上に電気を
与えるための端子を形成する必要がなく活性化処理をす
れば、どんな部分にでも導体コイルを形成することが可
能である。
According to this method, unlike electroplating, there is no need to form a terminal for applying electricity on the substrate, and a conductor coil can be formed on any part by performing an activation process.

また、他の方法として、前記したとおり、真空 j蒸着
法やスパッタリング法を用いる方法がある。
In addition, as other methods, as described above, there is a method using a vacuum evaporation method or a sputtering method.

この方法を用いた場合、絶縁膜表面の凹凸は、上記した
めつき法の場合のようには小さくならないので、エッチ
バック法としては、第5図で示したように有機樹脂で平
坦化する方法を採ることが望ましい。
When this method is used, the unevenness on the surface of the insulating film does not become as small as in the case of the tightening method described above, so as an etch-back method, a method of flattening with an organic resin as shown in Figure 5 is recommended. It is desirable to adopt

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの高密度の導体コイル
を形成する際に、絶縁膜中にコイル間に気泡が取り込ま
れるのを防止することによる磁気ヘッドの信頼性の低下
を防止することによって。
According to the present invention, when forming high-density conductor coils of a thin-film magnetic head, by preventing air bubbles from being trapped between the coils in the insulating film, deterioration in the reliability of the magnetic head is prevented. .

磁気ヘッドの信頼性の低下を防止することができる。さ
らに、コイル上に形成する絶縁膜の表面の凹凸をも小さ
くすることかで′きるので、後工程でその上に形成する
磁性膜の磁気特性の劣化を防止するとともに、薄膜磁気
ヘッドの特性の向−ヒと信頼性の向上を達成できるとい
う効果を有する。
Deterioration in reliability of the magnetic head can be prevented. Furthermore, since it is possible to reduce the unevenness on the surface of the insulating film formed on the coil, it is possible to prevent deterioration of the magnetic properties of the magnetic film formed thereon in the subsequent process, and also to improve the characteristics of the thin-film magnetic head. This has the effect of improving customer support and reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明にかがる薄膜磁気ヘッドの製造方法の一
実施例を示す概略工程図、第2図ないし第5図は本発明
にかかる薄膜磁気ヘッドの製造方法の具体的実施例を示
す工程図、第6図はAr−0zの混合割合と絶縁膜のエ
ツチング速度との関係を示すグラフ、第7図は本発明に
かかる薄膜磁気ヘッドの製造方法の具体的実施例を示す
工程図。 第8図は他の具体的実施例を示す工程図である。 1・・・基板、2・・・絶縁膜、:3・・・フォトレジ
スト、4・・・めっき下地膜、5・・・金属膜。
FIG. 1 is a schematic process diagram showing one embodiment of the method for manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention, and FIGS. 2 to 5 show a specific example of the method for manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention. 6 is a graph showing the relationship between the mixing ratio of Ar-0z and the etching rate of the insulating film, and FIG. 7 is a process chart showing a specific example of the method for manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention. . FIG. 8 is a process diagram showing another specific example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Substrate, 2... Insulating film, 3... Photoresist, 4... Plating base film, 5... Metal film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、基板上に絶縁膜を積層して形成し、所定形状の導体
コルクが絶縁部を介して交互に所定間隔で配設されたパ
ターンを有する導体コイルパターンを前記絶縁膜中に形
成することによりなる薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、 あらかじめ前記絶縁膜に前記導体コイル形状に相当する
溝を前記パターンと同一パターンで形成する溝パターン
形成工程と、 前記導体コイルパターンのコイル相互間が絶縁されるよ
うに前記溝内に当該導体コイルとなる金属を充填して前
記導体コイルパターンを形成するコイルパターン形成工
程と、 当該導体コイルパターンを有する絶縁膜上に第2の絶縁
膜を形成する絶縁膜形成工程と、を備えてなることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 2、特許請求の範囲第1項において、上記溝パターン形
成工程における溝の中及び当該溝が設けられていない絶
縁膜上に導体コイルとなる金属の膜を積層して形成し、
次いで上記導体コイルパターンのコイル相互間が絶縁さ
れるように、前記金属膜を切削またはエッチングして導
体コイルパターンを形成することにより、 前記溝内に導体コイルとなる金属を充填して上記導体コ
イルパターンを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 3、特許請求の範囲第1項において、上記溝パターン形
成工程における溝の形成を、上記絶縁膜上にフォトレジ
ストのパターンを形成し、該フォトレジストパターンを
マスク材にして、当該絶縁膜上に溝を形成することによ
り行うものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
[Claims] 1. An insulating film is laminated on a substrate, and a conductor coil pattern having a pattern in which conductive corks of a predetermined shape are alternately arranged at a predetermined interval via an insulating part is formed on the insulating film. A method for manufacturing a thin film magnetic head by forming a groove in the insulating film in advance, the step of forming a groove corresponding to the shape of the conductor coil in the same pattern as the pattern, and forming a groove between the coils of the conductor coil pattern. a coil pattern forming step of forming the conductor coil pattern by filling the groove with metal that will become the conductor coil so as to insulate the conductor coil pattern; and forming a second insulating film on the insulating film having the conductor coil pattern. 1. A method of manufacturing a thin film magnetic head, comprising: a step of forming an insulating film. 2. In claim 1, a metal film serving as a conductor coil is laminated and formed in the groove in the groove pattern forming step and on the insulating film where the groove is not provided,
Next, the metal film is cut or etched to form a conductor coil pattern so that the coils of the conductor coil pattern are insulated from each other, and the groove is filled with metal that will become the conductor coil. A method of manufacturing a thin-film magnetic head, the method comprising forming a pattern. 3. In claim 1, the grooves are formed in the groove pattern forming step by forming a photoresist pattern on the insulating film, using the photoresist pattern as a mask material, and forming the grooves on the insulating film. A method for manufacturing a thin film magnetic head, characterized in that the method is performed by forming grooves.
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