JP2535819B2 - Method of manufacturing thin film magnetic head - Google Patents
Method of manufacturing thin film magnetic headInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、PCM（Pulse Code Modulation）記録再生装
置等に使用される薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特
にギャップ膜の形成方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a thin film magnetic head used in a PCM (Pulse Code Modulation) recording / reproducing apparatus or the like, and more particularly to a method for forming a gap film.
本発明は、薄膜磁気ヘッドを製造する際に、 下部磁性体上に所定ギャップ長以下の厚みを有するCr
膜を形成し、次に、前記Cr膜上に絶縁膜を介してコイル
導体を形成し、さらに、反応性イオンエッチングにより
ギャップ膜形成面上に形成された前記絶縁膜を除去し、
続いて、前記ギャップ膜形成面上に前記Cr膜との合計膜
厚が所定ギャップ長となるようにギャップ膜を形成した
後、上部磁性膜を形成することにより、 前記ギャップ膜形成面に重合膜によりなる変質層が発
生せず、前記ギャップ膜形成面の平面性が優れ、記録再
生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを効率良く製造しようと
したものである。The present invention, when manufacturing a thin-film magnetic head, uses a Cr layer having a thickness of a predetermined gap length or less on the lower magnetic body.
A film is formed, then a coil conductor is formed on the Cr film via an insulating film, and further, the insulating film formed on the gap film formation surface is removed by reactive ion etching,
Then, a gap film is formed on the gap film formation surface so that the total film thickness with the Cr film becomes a predetermined gap length, and then an upper magnetic film is formed to form a polymer film on the gap film formation surface. The present invention is intended to efficiently manufacture a thin film magnetic head which does not generate an altered layer due to the above, has excellent flatness of the gap film forming surface, and has excellent recording and reproducing characteristics.
磁気記録の分野においては、高密度記録化に伴い磁気
記録媒体が高抗磁力化の方向にあり、記録再生波長も短
波長化の一途をたどっている。したがって、磁気ヘッド
においても高飽和磁束密度を有するコア材を用い、また
狭ギャップ化を進める等、上述の高密度記録化への対応
を図っている。In the field of magnetic recording, magnetic recording media are becoming higher in coercive force with higher recording density, and the recording / reproducing wavelength is becoming shorter. Therefore, in the magnetic head as well, a core material having a high saturation magnetic flux density is used, and a narrow gap is promoted to cope with the above high density recording.
かかる状況から、薄膜形成技術によって形成される薄
膜磁気ヘッドが開発され、実用化されていることは周知
のことである。Under such circumstances, it is well known that a thin film magnetic head formed by a thin film forming technique has been developed and put into practical use.
一般に薄膜磁気ヘッドは、磁気回路部を構成する磁性
薄膜やコイル導体等がスパッタリングに代表される真空
薄膜形成技術により形成されるために、量産性に優れる
とともに、狭トラック化や狭ギャップ化等の微小寸法化
が容易で高分解能記録が可能であるという特徴を有して
おり、高密度記録に対応した磁気ヘッドとして注目され
ている。In general, a thin film magnetic head is excellent in mass productivity because magnetic thin films and coil conductors forming a magnetic circuit section are formed by a vacuum thin film forming technique typified by sputtering. It has features that it can be micro-sized easily and high-resolution recording is possible, and it is attracting attention as a magnetic head compatible with high-density recording.
従来、上述の薄膜磁気ヘッドは、Mn−Znフェライト等
よりなる下部磁性体上に絶縁膜を介してコイル導体を形
成し、次いでフロントギャップ部及びバックギャップ部
上の上記絶縁膜を除去した後、上記フロントギャップ部
（ギャップ膜形成面）上にギャップ膜を形成し、さらに
上部磁性膜を形成することにより作製されている。Conventionally, the above-mentioned thin film magnetic head, after forming a coil conductor via an insulating film on the lower magnetic body made of Mn-Zn ferrite or the like, then after removing the insulating film on the front gap portion and the back gap portion, It is manufactured by forming a gap film on the front gap portion (gap film formation surface) and further forming an upper magnetic film.
ところで通常、ギャップ膜形成面上の絶縁膜の除去に
は、加工マスクパターンを忠実に再現できる反応性イオ
ンエッチング（Reactive Ion Etching）が用いられてい
る。この反応性イオンエッチングは、例えばCF4等の反
応ガス雰囲気中で試料をプラズマにさらした状態で反応
性イオンの入射に伴う化学反応を利用したものである。By the way, usually, in order to remove the insulating film on the gap film formation surface, reactive ion etching (Reactive Ion Etching) capable of faithfully reproducing the processed mask pattern is used. This reactive ion etching utilizes, for example, a chemical reaction accompanying the incidence of reactive ions in a state where a sample is exposed to plasma in a reaction gas atmosphere such as CF 4 .
ところが、上記反応性イオンエッチングにより上記パ
ターニングを行うと、ギャップ膜形成面となる下部磁性
体の露出面にポリマー（重合膜）が発生し、この結果、
変質層が形成されるという問題がある。この変質層は下
部磁性体とギャップ膜との界面を不明瞭なものとし、同
時にギャップ膜形成面を荒らし、実効ギャップ長の変動
の原因となっている。このため、記録再生特性に劣る薄
膜磁気ヘッドとなってしまうという欠点がある。However, when the patterning is performed by the reactive ion etching, a polymer (polymerized film) is generated on the exposed surface of the lower magnetic body that is the gap film forming surface, and as a result,
There is a problem that an altered layer is formed. This altered layer obscures the interface between the lower magnetic body and the gap film, and at the same time roughens the gap film formation surface, causing fluctuations in the effective gap length. Therefore, there is a drawback that the thin film magnetic head has poor recording and reproducing characteristics.
また、上記変質層は、パターニング直後には、さほど
目立たないが、時間の経過及び温度の上昇に伴って徐々
に拡大し、場合によっては600Å程度の突起を形成する
こともある。Further, the above-mentioned deteriorated layer is not so noticeable immediately after patterning, but gradually expands as time passes and the temperature rises, and in some cases, a protrusion of about 600 Å may be formed.
このような変質層を除去するために、従来、反応性イ
オンエッチングにてパターニングした後、イオンエッチ
ング等の物理的手段により上記変質層を除去している。
この場合、上記変質層は除去できるものの、上記重合膜
により荒らされた下部磁性体の界面は、ギャップ膜形成
面にそのまま転写される。したがって、ギャップ膜形成
面の平面性は改善されないという欠点がある。しかも、
この方法ではギャップ膜形成面を露出させるために２回
のエッチング工程（反応性イオンエッチング及びイオン
エッチング）を必要とし、生産効率の点でも不利であ
る。In order to remove such an altered layer, conventionally, after patterning by reactive ion etching, the altered layer is removed by a physical means such as ion etching.
In this case, although the altered layer can be removed, the interface of the lower magnetic body, which is roughened by the polymer film, is directly transferred to the gap film formation surface. Therefore, there is a drawback that the flatness of the gap film formation surface is not improved. Moreover,
This method requires two etching steps (reactive ion etching and ion etching) to expose the gap film formation surface, which is also disadvantageous in terms of production efficiency.
そこで、本発明は上述の実情に鑑みて提案されたもの
であり、反応性イオンエッチングの手法でギャップ膜形
成面を露出させても、重合膜による変質層が発生せず、
ギャップ膜形成めの平面性に優れ、記録再生特性に優れ
た薄膜磁気ヘッドを効率良く製造できる薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of the above circumstances, even if the gap film formation surface is exposed by the method of reactive ion etching, an altered layer due to the polymer film does not occur,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, which can efficiently manufacture a thin film magnetic head having excellent flatness for forming a gap film and excellent recording / reproducing characteristics.
上述の目的を達成するために、本発明は、下部磁性体
上に所定ギャップ長未満の厚みを有するCr膜を形成し、
次に、前記Cr膜上に絶縁膜及びコイル導体を順次形成
し、さらに、フロントギャップ部及びバックギャップ部
において、反応性イオンエッチングによりCr膜上に形成
された前記絶縁膜を除去し、続いて、絶縁膜が除去され
た前記フロントギャップ部のCr膜上のみに当該Cr膜との
合計膜厚が所定のギャップ長となるような厚みを有する
ギャップ膜を形成した後、上部磁性膜を形成することを
特徴とするものである。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention forms a Cr film having a thickness less than a predetermined gap length on a lower magnetic body,
Next, an insulating film and a coil conductor are sequentially formed on the Cr film, and further, in the front gap part and the back gap part, the insulating film formed on the Cr film is removed by reactive ion etching. After forming a gap film having a thickness such that the total film thickness with the Cr film becomes a predetermined gap length only on the Cr film in the front gap portion from which the insulating film has been removed, the upper magnetic film is formed. It is characterized by that.
予め下部磁性体上に絶縁膜との選択比が大きいCr膜を
形成しているので、反応性イオンエッチングでギャップ
膜形成面を露出させても、上記Cr膜により上記エッチン
グは遮断される。また、上記Cr膜よりなるギャップ膜形
成面には前記集合膜が発生しない。Since the Cr film having a large selection ratio to the insulating film is formed on the lower magnetic body in advance, even if the gap film formation surface is exposed by the reactive ion etching, the Cr film blocks the etching. Further, the aggregate film does not occur on the gap film formation surface made of the Cr film.
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明においては、第１図に示すように、予め下部磁
性体（１）の一平面上にスパッタリング法や真空蒸着法
等の真空薄膜形成技術によりCr膜（２）を形成する。In the present invention, as shown in FIG. 1, a Cr film (2) is previously formed on one plane of the lower magnetic body (1) by a vacuum thin film forming technique such as a sputtering method or a vacuum deposition method.
ここで、上記Cr膜（２）の膜厚ａは所定ギャップ長以
下に設定する必要があり、本実施例ではこの膜厚ａを50
0Åに設定した。また、上記Cr膜（２）は下部磁性体
（１）との密着性が良好であり、下部磁性体（１）に強
固に固定されるため、ギャップ膜の剥離等による実効ギ
ャップ長の変動がなくなる。なお、上記Cr膜（２）の膜
厚ａについての詳細は後述する。Here, the film thickness a of the Cr film (2) needs to be set to a predetermined gap length or less, and in this embodiment, the film thickness a is 50
Set to 0Å. Further, since the Cr film (2) has good adhesion to the lower magnetic body (1) and is firmly fixed to the lower magnetic body (1), fluctuations in the effective gap length due to peeling of the gap film or the like occur. Disappear. The details of the film thickness a of the Cr film (2) will be described later.
上記下部磁性体（１）としては、Mn−Znフェライトや
Ni−Znフェライト等の強磁性酸化物材料や、セラミック
等の非時制材料上にFe−Al−Si系合金等の強磁性金属材
料を積層した複合材料、あるいは上記強磁性酸化物材上
に上記強磁性金属材料を積層した複合材料、等が使用さ
れる。As the lower magnetic body (1), Mn-Zn ferrite or
A ferromagnetic oxide material such as Ni-Zn ferrite, a composite material in which a ferromagnetic metal material such as Fe-Al-Si alloy is laminated on a non-temporal material such as ceramic, or the above-mentioned ferromagnetic oxide material A composite material in which ferromagnetic metal materials are laminated is used.
次に、第２図に示すように、上記Cr膜（２）上に、第
１絶縁膜（３），第１コイル導体（４），第２絶縁膜
（５），第２コイル導体（６），第３絶縁膜（７）をフ
ォトリソグラフィ技術等の半導体製造プロセスを用いて
順次積層形成する。Next, as shown in FIG. 2, a first insulating film (3), a first coil conductor (4), a second insulating film (5), and a second coil conductor (6) are formed on the Cr film (2). ), And a third insulating film (7) is sequentially laminated using a semiconductor manufacturing process such as a photolithography technique.
すなわち、上記第１コイル導体（４）及び第２コイル
導体（６）は、CuやAl等の導電金属材料をスパッタリン
グ法等で被着した後、所定形状（スパイラル３ターン巻
線とスパイラル２ターン巻線の積層構造）にパターンエ
ッチングして形成する。そして、上記第１コイル導体
（４）と第２コイル導体（６）とをこれら導体（４），
（６）間に配した第２絶縁膜（５）に形成されたコンタ
クト窓（８）を介して電気的に接続する。That is, the first coil conductor (4) and the second coil conductor (6) are coated with a conductive metal material such as Cu or Al by a sputtering method or the like and then formed into a predetermined shape (spiral 3 turns winding and spiral 2 turns). It is formed by pattern etching on the laminated structure of the winding. The first coil conductor (4) and the second coil conductor (6) are connected to the conductors (4),
Electrical connection is made through the contact window (8) formed in the second insulating film (5) disposed between (6).
なお、本実施例では上記コイル導体（４），（６）の
巻線構造をスパイラル多層巻線構造としたが、本発明は
これに限定されず、スパイラル型，積層ヘリカル型，ジ
グザグ型等如何なる巻線構造であっても良いことは言う
までもない。In this embodiment, the winding structure of the coil conductors (4) and (6) is a spiral multi-layer winding structure, but the present invention is not limited to this, and any spiral type, laminated helical type, zigzag type or the like may be used. It goes without saying that a winding structure may be used.
次いで、第３図に示すように、フロントギャップ部及
びバックギャップ部上に積層された各絶縁膜（３），
（５），（７）を反応性イオンエッチングにより除去
し、ギャップ膜形成面（10）を露出させる。Next, as shown in FIG. 3, each insulating film (3) laminated on the front gap part and the back gap part,
(5) and (7) are removed by reactive ion etching to expose the gap film forming surface (10).
上記反応性イオンエッチングは、CF4等の反応性ガス
雰囲気中でプラズマ中のイオンの方向性を利用したもの
で、イオン入射に伴う化学反応によりエッチングを行う
ものである。ここで、反応性イオンエッチングによるCr
膜（２）のエッチング速度Ａと絶縁膜（３），（５），
（７）（本実施例ではSiO2）のエッチング速度Ｂの選択
比は、A/B≒1/50である。したがって、フロントギャッ
プ部のギャップ膜形成面（10）、上記Cr膜（２）のみが
露出し平面性に優れたものとなる。このように、予め下
部磁性体（１）上にCr膜（２）を形成しておくことによ
り、ギャップ膜形成面（10）に前記重合膜による変質層
が生じなくなる。したがって、従来、変質層を除去する
ためにイオンエッチング等の物理的手段を導入していた
が、この工程が不要となり、製造工程の簡略化が図れ
る。The reactive ion etching utilizes the directionality of ions in plasma in an atmosphere of a reactive gas such as CF 4 , and performs etching by a chemical reaction associated with ion incidence. Here, Cr by reactive ion etching
Etching rate A of the film (2) and insulating films (3), (5),
(7) The selection ratio of the etching rate B of (SiO 2 in this embodiment) is A / B≈1 / 50. Therefore, only the gap film forming surface (10) of the front gap portion and the Cr film (2) are exposed, and the flatness is excellent. Thus, by forming the Cr film (2) on the lower magnetic body (1) in advance, the deteriorated layer due to the polymerized film does not occur on the gap film forming surface (10). Therefore, conventionally, a physical means such as ion etching was introduced to remove the deteriorated layer, but this step is unnecessary and the manufacturing process can be simplified.
続いて、第４図に示すように、上記ギャップ膜形成面
（10）上にギャップ膜（11）を膜付けした後、上部磁性
膜（12）を被着し、所定形状となるようにパターニング
を施す。さらに、各ヘッドチップに切り出し、磁気記録
媒体との当たりを良好なものとするために磁気記録媒体
対接面（13）を切削研磨し薄膜磁気ヘッドを完成する。
なお、図示してないが、通常は、上記コイル導体
（４），（６）や上部磁性膜（12）等により構成される
磁気回路部を保護し、磁気記録媒体に対する当たりを確
保するために、セラミック等よりなる保護板をガラス等
の接着材で融着接合する。Subsequently, as shown in FIG. 4, after forming a gap film (11) on the gap film formation surface (10), an upper magnetic film (12) is deposited and patterned to have a predetermined shape. Give. Further, each head chip is cut out, and the contact surface (13) of the magnetic recording medium is cut and polished so as to make a good contact with the magnetic recording medium, thereby completing a thin film magnetic head.
Although not shown, usually, in order to protect the magnetic circuit portion composed of the coil conductors (4) and (6), the upper magnetic film (12), etc., and to secure contact with the magnetic recording medium. , A protective plate made of ceramic or the like is fusion-bonded with an adhesive such as glass.
ここで、上記ギャップ膜（11）の膜厚は、上記Cr膜
（２）との合計膜厚Ｇが所定のギャップ長となるように
膜付けし、この膜付け方法としては、フラッシュ蒸着
法，真空蒸着法，イオンプレーティング法，スパッタリ
ング法，クラスター・イオンビーム法等に代表される真
空薄膜形成技術が採用される。また、本実施例では上記
ギャップ膜（11）として上記Cr膜（２）上にSiO2膜,Ti
膜をこの順に順次積層した複合材料を使用した。なお、
このギャップ膜（11）の材料は本実施例に限定されるも
のではなく、通常ギャップ膜として使用されるものであ
れば如何なるものであっても良く、例えばSiO2,Ta2O5等
の非磁性材料、あるいはTi膜,Cr膜等の高融点金属材料
と上記非磁性材料とを交互に積層した複合材料、等が使
用できる。Here, the film thickness of the gap film (11) is such that the total film thickness G together with the Cr film (2) becomes a predetermined gap length. A vacuum thin film forming technology typified by a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, a cluster ion beam method, etc. is adopted. In addition, in this embodiment, as the gap film (11), a SiO 2 film and a Ti film are formed on the Cr film (2).
A composite material was used in which the films were sequentially laminated in this order. In addition,
The material of the gap film (11) is not limited to this embodiment, and any material that is normally used as a gap film may be used, such as SiO 2 , Ta 2 O 5 and the like. A magnetic material or a composite material in which a refractory metal material such as a Ti film or a Cr film and the above non-magnetic material are alternately laminated can be used.
また、上記上部磁性膜（12）の材料としては、強磁性
非晶質金属合金いわゆるアモルファス合金、Fe−Al−Si
系合金,Fe−Ni系合金,Fe−Al系合金,Fe−Si系合金,Fe−
Si−Co系合金等の強磁性金属材料が使用可能であり、上
記真空薄膜形成技術により膜付けする。The material of the upper magnetic film (12) is a ferromagnetic amorphous metal alloy, so-called amorphous alloy, Fe-Al-Si.
Alloys, Fe-Ni alloys, Fe-Al alloys, Fe-Si alloys, Fe-
Ferromagnetic metal materials such as Si-Co alloys can be used, and they are deposited by the above vacuum thin film forming technique.
ここで、上記Cr膜（２）の最適膜厚ａを決定するため
に、Cr膜（２）の膜厚ａを変え重合膜の発生及び表面粗
さを調査した。結果を第１表に示す。Here, in order to determine the optimum film thickness a of the Cr film (2), the film thickness a of the Cr film (2) was changed and the generation of the polymer film and the surface roughness were investigated. The results are shown in Table 1.
この第１表より、Cr膜（２）の膜厚ａは、400Å以上
が最適であることが分かる。すなわち、この膜厚ａが20
0Åの場合には、反応性イオンエッチングによるオーバ
ーエッチング、あるいはピンホール等により重合膜が発
生し、また膜厚ａが300Åでは、ギャップ膜形成面の平
面性が劣る。なお、上記膜厚ａの上限は、所定ギャップ
長を考慮して適宜選択すれば良い。 It can be seen from Table 1 that the film thickness a of the Cr film (2) is optimally 400 Å or more. That is, this film thickness a is 20
In the case of 0Å, a polymerized film is generated due to over-etching by reactive ion etching, pinholes, or the like, and when the film thickness a is 300Å, the flatness of the gap film forming surface is poor. The upper limit of the film thickness a may be appropriately selected in consideration of the predetermined gap length.
以上により、本実施例では上記膜厚ａを100Åの余裕
をもたせ500Åに設定した。As described above, in the present embodiment, the film thickness a was set to 500Å with a margin of 100Å.
次に、以上で作製された薄膜磁気ヘッドに対して、ギ
ャップ膜形成面（10）の前記重合膜の発生状態及び表面
粗さ等を調査した。結果を第２表に示す。なお、比較の
ためにCr膜（２）を形成せず、下部磁性体上に直接（Ti
/SiO2/Ti）の三層膜よりなるギャップ膜を形成した薄膜
磁気ヘッドについても同様の調査を行った。Next, with respect to the thin film magnetic head manufactured as described above, the generation state and surface roughness of the polymer film on the gap film formation surface (10) were investigated. The results are shown in Table 2. For comparison, the Cr film (2) was not formed, but it was formed directly on the lower magnetic body (Ti
The same investigation was conducted for a thin film magnetic head having a gap film composed of a three-layer film of / SiO 2 / Ti).
この第２表から明らかなように、Cr膜が無い薄膜磁気
ヘッドでは、下部磁性体とギャップ膜との界面に重合膜
よりなる変質層が発生し易く、特に時間の経過や温度変
化（温度の上昇）により、上記変質層は増大する傾向に
あることが確認された。 As is clear from Table 2, in a thin film magnetic head without a Cr film, an altered layer composed of a polymerized film is apt to occur at the interface between the lower magnetic body and the gap film, and especially with the passage of time or temperature change (temperature change). As a result, it was confirmed that the above deteriorated layer tends to increase.
これに対して、本発明のように予め下部磁性体（１）
上にCr膜（２）を形成することにより、上記重合膜の発
生が解消され、時間の経過や温度変化に対しても安定と
なることがわかる。On the other hand, as in the present invention, the lower magnetic body (1) is previously
It can be seen that by forming the Cr film (2) on the top, the formation of the above-mentioned polymer film is eliminated, and it becomes stable with respect to the passage of time and temperature changes.
また、本発明によれば、イオンエッチング等の物理的
手法を用いず反応性イオンエッチングのみの手法により
ギャップ膜形成面を露出させているので、上記ギャップ
膜形成面はエッチングによるダメージを受けることなく
なり、この表面粗さを20Å程度に抑えることができる。
したがって、上記ギャップ膜形成面は平面性に優れたも
のとなる。Further, according to the present invention, since the gap film forming surface is exposed only by the reactive ion etching method without using a physical method such as ion etching, the gap film forming surface is not damaged by etching. , The surface roughness can be suppressed to about 20Å.
Therefore, the gap film formation surface is excellent in flatness.
このように、本発明により作製される薄膜磁気ヘッド
は、実効ギャップ長の変動が極めて小さなものとなり、
記録再生特性に優れたものとなる。特に、本発明は高密
度記録化等のギャップ形成面に厳しい要求（平面性等）
のある薄膜磁気ヘッドには好適である。As described above, in the thin film magnetic head manufactured according to the present invention, the fluctuation of the effective gap length becomes extremely small,
It has excellent recording and reproducing characteristics. In particular, the present invention has strict requirements for the gap forming surface such as high density recording (flatness etc.)
It is suitable for a thin film magnetic head having a certain amount.
また、本発明によれば、重合膜を除去するためのイオ
ンエッチング工程が不要となり、製造工程が簡略化でき
るという利点もある。Further, according to the present invention, there is an advantage that the ion etching step for removing the polymerized film is not necessary and the manufacturing process can be simplified.
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、下
部磁性体上にCr膜を形成しているので、ギャップ膜形成
面を反応性イオンエッチングの手法で露出させても、こ
のエッチング作用は上記Cr膜により遮断され、重合膜に
よる変質層の発生もなくなる。このため、上記ギャップ
膜形成面の平面性が大幅に向上する。したがって、実効
ギャップ長が常に一定となり、記録再生特性に優れたも
のとなる。As is clear from the above description, according to the present invention, since the Cr film is formed on the lower magnetic body, even if the gap film formation surface is exposed by the method of reactive ion etching, this etching action is It is blocked by the Cr film and the generation of an altered layer due to the polymerized film is eliminated. Therefore, the flatness of the gap film formation surface is significantly improved. Therefore, the effective gap length is always constant and the recording / reproducing characteristics are excellent.
また、上記重合膜を除去するためのイオンエッチング
を施す必要がなくなり、製造工程が簡略化されるという
利点もある。Further, there is also an advantage that it is not necessary to perform ion etching for removing the polymer film, and the manufacturing process is simplified.
第１図ないし第４図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法をその工程に従って示す概略的な要部拡大断面図であ
り、第１図はCr膜形成工程、第２図はコイル導体形成工
程、第３図はギャップ膜形成面露出工程、第４図はギャ
ップ膜及び上部磁性膜形成工程をそれぞれ示す。 １……下部磁性体 ２……Cr膜 4,6……コイル導体 10……ギャップ膜形成面 11……ギャップ膜 12……上部磁性膜1 to 4 are schematic enlarged cross-sectional views showing a method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention in accordance with the steps thereof. FIG. 1 is a Cr film forming step, and FIG. 2 is a coil conductor forming step. FIG. 3 shows the step of exposing the gap film forming surface, and FIG. 4 shows the step of forming the gap film and the upper magnetic film. 1 ... Lower magnetic body 2 ... Cr film 4, 6 ... Coil conductor 10 ... Gap film forming surface 11 ... Gap film 12 ... Upper magnetic film
Claims (1)
を有するCr膜を形成し、 次に、前記Cr膜上に絶縁膜及びコイル導体を順次形成
し、 さらに、フロントギャップ部及びバックギャップ部にお
いて、反応性イオンエッチングによりCr膜上に形成され
た前記絶縁膜を除去し、 続いて、絶縁膜が除去された前記フロントギャップ部の
Cr膜上のみに当該Cr膜との合計膜厚が所定のギャップ長
となるような厚みを有するギャップ膜を形成した後、 上部磁性膜を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。1. A Cr film having a thickness less than a predetermined gap length is formed on a lower magnetic body, an insulating film and a coil conductor are sequentially formed on the Cr film, and a front gap portion and a back gap are formed. Part, the insulating film formed on the Cr film by reactive ion etching is removed, and then the insulating film is removed from the front gap part.
A method of manufacturing a thin-film magnetic head, comprising forming a gap film having a thickness such that the total film thickness with the Cr film is a predetermined gap length only on the Cr film, and then forming the upper magnetic film.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61010903A JP2535819B2 (en) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | Method of manufacturing thin film magnetic head |
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| JP61010903A JP2535819B2 (en) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | Method of manufacturing thin film magnetic head |
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|---|---|
| JPS62170011A JPS62170011A (en) | 1987-07-27 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61010903A Expired - Fee Related JP2535819B2 (en) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | Method of manufacturing thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2535819B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-01-21 JP JP61010903A patent/JP2535819B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62170011A (en) | 1987-07-27 |
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