JPS63112822A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気的記憶装置（主として磁気ディスク装置）
に用いられる磁気記憶体に関し、詳しくは磁気記憶体の
金属磁性媒体上に形成される耐食性、耐摩耗性に優れた
保護膜に関する。

〔従来の技術〕

従来より金属磁性薄膜媒体の保護膜としてＳ１０、など
の酸化物を、湿式法、あるいはスパッタリングなどで形
成して用いることが提案されているが、特に固定式磁気
ディスクの場合には、電磁変換特性の劣化を抑えるため
に、保護膜の膜厚を１ｏｏｏｉ以下にするとピンホール
の発生が多く、耐食性が不十分になってしまい、長期的
な信頼性を維持することが困難であった。また、防錆剤
の併用も効果を認めることができなかった。

他方、固定式磁気ディスクの場合、一般に、磁気ヘッド
との接触において、Ｃ８５（コンタクト・スタート・ス
トップ）方式を用いるが、このＯＳＳにおいて、記憶体
保護膜は耐摩耗性、潤滑性、耐衝撃性をもつことが必須
である。従来より１、金属磁性媒体上に形成された、酸
化物保護膜上に、高級アルコールや７ツ累系潤滑剤を塗
布することが提案されているが、高級アルコールの場合
、固体であるため、磁気ヘッドでこすり取られると効果
が消失してしまうという欠点があり、また、フッ素系潤
滑剤などは液体であるため、磁気記憶体の回転にともな
い遠心力により外周部に移動してしまうという欠点があ
った。

さらに公知の技術として知られている炭素質膜は優れた
ｇ！滑性を示すが、高湿度下で結露すると、下層の金属
媒体層と直接、あるいは、保護膜として設けられた中間
層のピンホールを介して局部電池を形成し、このとき、
導電体である炭素質膜は全体がカソードとして作用する
ため、金属磁性媒体は、局部的な腐食が進みやすくなる
。すなわち、炭素質膜は、耐食性を低下させるという欠
点があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述のように従来の技術では、磁気記憶体の耐食性およ
び耐摩耗性、潤滑性を十分に確保できないという問題点
を有していた。

そこで本発明はこのような問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは、金属磁性媒体上に保護層
を積層化して、第一層にあるピンホールを第二層にじゃ
閉させピンホールを低減化することにより耐食性を向上
させ、さらに保護層第二層に固体潤滑剤を含有させるこ
とにより１保護層表面が摩耗しても潤滑作用が持続して
、長期的な機械的信頼性を確保できるような金属磁性媒
体を有する磁気記憶体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の磁気記憶体は、金属磁性薄膜媒体表面に第１層
保護膜として少なくとも一種の酸化物が被覆されてなり
、第２層保護膜として前記酸化物上にシリコン系あるい
はチタニウム系化合物と潤滑作用を有する有機化合物と
の混合物が塗布されたことを特徴とする。最表面の潤滑
性をより向上させるために、潤滑性を有する有機化合物
を第二層保護膜上に塗布して−もよい。

第−層保護膜である酸化物はＳｉ、Ｏｒ、Ｚｒ、Ｔｉ　
、Ｔａ　、Ｎｂの酸化物から選ばれるものとし、膜厚は
２００〜５００Ｘ形成する。被覆方法は真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンブレーティング法およびＯＶＤ
法で形成可能である。

第二層目の保護膜において、シリコン系化合物は、チー
トラメトキシシラン（ＴＭ８と略記）やアミノシランが
よく、チタニウム系化合物としてはテトラブトキシシラ
ン（ＴＢＴと略記）などがよい。これらと混合する潤滑
性を有するを機化合物は、常温で固体の極性基を有する
炭素数８以上のもので、脂肪酸や高級アルコールなどが
よくとくに脂肪酸の金属塩が優れている。これらは一定
量溶剤に溶解し、ディッピング法あるいはスピンコード
で塗布する。塗布後は１００〜２００　”Ｏで１０〜６
０分焼成し、シリコン系およびチタニウム化合物を脱水
縮合させる。膜厚は５００又以下が好ましい。

さらに、第二層保護膜表面の潤滑性をより改善するため
に最表面に塗布する潤滑層は、比較的、脂肪酸の金属？
＝好ましいが、フッ素系の液体潤滑剤でもよい。ただし
、この潤滑層の有無はあまり重髪ではない。膜厚は数又
〜数１ｏＸが適当である。

〔実施例１〕 五５インチサイズのアルミニウム合金円板上に無電解Ｎ
１−Ｐ非磁性メッキを約２０μｍの厚みで形成し、研磨
により約１７μｍとし、表面粗度もα０３μｍ以下とし
た。

次に金属磁性媒体媒″体としてＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ磁
性メツ平膜を約６ｏｏｉ形成した。

次に′マグネｔｔ７ンスパツタによりＳ１０．膜を’ｓ
　ｏ　ｏ　ｉ形成し第１層保護膜とした。

さらに、ＴＭＳ（日本曹達製）４ｆ、’ｒＢ’ｒ（日本
曹達製）１ｔおよび潤滑剤としてステアリン酸ナトリウ
ム５２をダイフロン５−３（ダイキン族）９Ｌとメタノ
ール１ｔの混合液に溶解し、これに上述の第１層保護膜
形成後のディスクをディッピングし、１０ｃＩｎ／ｉの
速度で引き上げ、第１層保護膜表面にＴＭＳ−）Ｔ、Ｂ
Ｔ＋ステアリン酸すトリウムの混合膜を形成し、さらに
１８０℃で５０分焼成して、ＴＭＳ＋ＴＢＴ＋ステアリ
ン酸ナトリウム膜をＳ　ｉ　Ｏ２＋Ｔ　ｉ　Ｏ，＋ステ
アリン酸ナトリウム膜に脱水縮合させこれを第２層保護
膜とした。

さらに、表面の潤滑性をより改善する意味で、ステアリ
ン酸ナトリウム５１をダイフロンＳ　−５９ｔとメタノ
ール１ｔの混合液に溶解し、これに上記ディスクを浸漬
し、引き上げを行ない、最表面にステアリン酸ナトリウ
ムの潤滑層を形成した。

〔実施例２〕 実施例１と同様にＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ磁性膜を形成後
第１層保護膜としてマグネトロンスパッタによりＴｉＯ
□を５００Ｘの膜厚で形成した。

次に第２層保護膜の形成は、ダイフロン９ｔとメタノー
ル１ｔの混合液にアミノシラン（東し製５Ｈ６０２０）
５Ｆと潤滑剤であるステアリン酸リチウム５１を溶解し
、この液中に、第１Ｎ保護膜形成記のディスクを浸漬し
、１０ｃｍ／ｍの速度で引き上げ、さらに、１２０℃で
３０分加熱して、アミノシランを脱水縮合させた。膜厚
は約３０ＯＡであった。

〔実施例５〕 実施例１と同様にＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ磁性膜を形成後
第１層保護膜としてマグネトロンスパッタにより、Ｔａ
、Ｏ，を　２００Ｘ形成し、第２層保護膜として実施例
１と同様の方法により、ＴＭＥＩ−）−ＴＢＴ＋ステア
リン酸リチウす膜を５００＾形成した。

〔実施例４〕 実施例１と同様にＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ磁性膜を形成後
第１層保護膜としてマグネトロンスパッタによりＮ　ｂ
、Ｏ，を４００Ｘの膜厚で形成し、第２Ｗｊ保ＷＩ膜と
して、実施例２と同様の方法により、アミノシラン＋リ
グノセリン酸膜を約３００Ｘ形成した。

〔実施例５〕 実施例１と同様にＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ磁性膜を形成後
第１層保護膜として、マグネトロンスパッタによりＳ　
ｉ　Ｏ，膜を４ｏｏｉＯ膜厚で形成した。第２層保護膜
として５−（実施例２と同様の方法により、アミノシラ
ン＋トリアコンタノールＨ２ｏｏＸを形成した。さらに
、フッ素系潤滑剤であるクライトックス１５７ＶＭ／Ｓ
（デュポン社製）の０、０２　ｗ　／　ｖ％グイフロン
Ｓ−５＋メタノール（９：１）溶液を用い、スピンコー
ドにより、最表面に潤滑層を形成した。

また、比較サンプルとして次の５点を作製した〔比較例
１〕 実施例１において、第１層保護膜のないもの。

〔比較例２〕 実施例１において第２Ｊ＠保護膜のないもの。

〔比較例３〕 実施例１と同様にＯｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ磁性膜形成後、
第１層保護膜として５１０２膜５００　Ａ、第２層保護
膜として炭素質膜を３００＾をいずれもマグネトロンス
パッタにより形成した。

上記実施例と比較例の品質評価は耐湿試験とＯＳＳ試験
により行なった。

耐湿試験は８０℃、８０％ＲＨの環境に作製ディスクを
放置し、放置時間の経過を追って、ミッシングピット数
を確認し、その増加時点な痔命とした。

ａＳＳ試験はａＳＳ前後の外観変化、静摩擦係数と出力
低下率を求めた。使用ヘッドは３３７０タイプ、ミニモ
ノリシックタイプヘッドを用いた評価結果を表１に示し
た。

表１．　品質評価結果（ａＳＳは３万回後）表１．　品
質評価結果（Ｏ８Ｓは３万回後）〔発明の効果〕 以上述べたように本発明により耐食性と耐摩耗性、潤滑
性にすぐれ、長期的な信頼性の十分確保された、磁気記
憶媒体の提供が可能になった。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）金属磁性薄膜媒体表面に、第１層保護膜として少
   なくとも一種の酸化物が被覆されてなり、第２層保護膜
   として前記酸化物上にシリコン系あるいはチタニウム系
   化合物と潤滑作用を有する有機化合物との混合物が塗布
   されたことを特徴とする磁気記憶体。
2. （２）最表面にさらに潤滑作用を有する有機化合物を塗
   布したことを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の磁
   気記憶体。