JPS63111635A - 半導体装置用ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
半導体装置用ワイヤボンデイング装置Info
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- JPS63111635A JPS63111635A JP61256833A JP25683386A JPS63111635A JP S63111635 A JPS63111635 A JP S63111635A JP 61256833 A JP61256833 A JP 61256833A JP 25683386 A JP25683386 A JP 25683386A JP S63111635 A JPS63111635 A JP S63111635A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置用ワイヤボンディング装置にかか
り、特にそのキャピラリに適用される。
り、特にそのキャピラリに適用される。
（従来の技術）
半導体装置用ワイヤボンディング装置においては、その
ボンディングステージ上に半導体装置の被接続部材が設
置される一方、このステージの上方にボンディングワイ
ヤを貫通させ、かつ、加熱されたキャピラリがステージ
に対して相対的に平行移動するとともに上下動して上記
被接続部材の第１接点と第２接点間にワイヤボンディン
グを施すようになっている。この動作を第４図ａ ”
Ｑによって説明する。まず、ワイヤボンディングステー
ジの上方においてキャピラリ本体１１１は軸心にボンデ
ィングワイヤ１０２（金線）を貫通させており、その先
端かられずか引き出されたボンディングワイヤ端にワイ
ヤボール成形トーチ１０３を近接させボール部１０２ａ
を形成する。その下方にはリードフレームに形成されて
いるアイランド部１０４上にチップ１０５がマウントさ
れており、このチップの電極（図示省略）はこれに上記
ボール部１０２ａがボンディングされ第１接点であり、
上記チップの側方にはリードフレームのインナリード部
１】４がある（第４図ａ）。次に、キャピラリ１０１が
下降してチップ１０５の電極にボール部をボンディング
したのち、上昇しインナリード部１１４上に移行する。
ボンディングステージ上に半導体装置の被接続部材が設
置される一方、このステージの上方にボンディングワイ
ヤを貫通させ、かつ、加熱されたキャピラリがステージ
に対して相対的に平行移動するとともに上下動して上記
被接続部材の第１接点と第２接点間にワイヤボンディン
グを施すようになっている。この動作を第４図ａ ”
Ｑによって説明する。まず、ワイヤボンディングステー
ジの上方においてキャピラリ本体１１１は軸心にボンデ
ィングワイヤ１０２（金線）を貫通させており、その先
端かられずか引き出されたボンディングワイヤ端にワイ
ヤボール成形トーチ１０３を近接させボール部１０２ａ
を形成する。その下方にはリードフレームに形成されて
いるアイランド部１０４上にチップ１０５がマウントさ
れており、このチップの電極（図示省略）はこれに上記
ボール部１０２ａがボンディングされ第１接点であり、
上記チップの側方にはリードフレームのインナリード部
１】４がある（第４図ａ）。次に、キャピラリ１０１が
下降してチップ１０５の電極にボール部をボンディング
したのち、上昇しインナリード部１１４上に移行する。
この動作によりボンディングワイヤ１０２は引き出され
る（第４図ｂ）。次に、下降してインナリード部１１４
の第２接点にボンディングを施す（第４図Ｃ）。
る（第４図ｂ）。次に、下降してインナリード部１１４
の第２接点にボンディングを施す（第４図Ｃ）。
叙上のワイヤボンディングに用いられるキャピラリの一
例を第３図に側面図で示す。第３図において、１１１は
キャピラリ本体で、セラミックで径が１．０−１．５ｍ
ｍ程度、長さが１０−２０ｍｍ程度の針状になり、その
軸心に一例の４０μｍ程度の貫通孔１１１ａを備える！
そして、リードフレームのＣｕに対しＡｕ、 Ｃｕ、
ＡΩなどのボンディングワイヤをボンディングする場合
の、上記第２接点のボンディング時にＣｕとＡｕ、 Ｃ
ｕ、 Ａｌ１等との相互拡散による接合においては、キ
ャピラリを４００℃に近づける加熱を施す必要から、そ
の外側面にコイル状ヒータ１１２（約１０ｖ）を巻回し
ている。
例を第３図に側面図で示す。第３図において、１１１は
キャピラリ本体で、セラミックで径が１．０−１．５ｍ
ｍ程度、長さが１０−２０ｍｍ程度の針状になり、その
軸心に一例の４０μｍ程度の貫通孔１１１ａを備える！
そして、リードフレームのＣｕに対しＡｕ、 Ｃｕ、
ＡΩなどのボンディングワイヤをボンディングする場合
の、上記第２接点のボンディング時にＣｕとＡｕ、 Ｃ
ｕ、 Ａｌ１等との相互拡散による接合においては、キ
ャピラリを４００℃に近づける加熱を施す必要から、そ
の外側面にコイル状ヒータ１１２（約１０ｖ）を巻回し
ている。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来のキャピラリの場合、ヒータの温度は４００〜
４５０℃に達するが、ヒータとキャピラリ本体が線接触
で伝熱効率が５０％以下で低く、キャピラリの先端の温
度は２００℃程度で充分な接合効果が得られないという
重大な問題がある。
４５０℃に達するが、ヒータとキャピラリ本体が線接触
で伝熱効率が５０％以下で低く、キャピラリの先端の温
度は２００℃程度で充分な接合効果が得られないという
重大な問題がある。
この発明は上記従来の問題点に鑑み、半導体装置用の改
良されたワイヤボンディング装置の特にそのキャピラリ
の昇温を良好ならしめる改良構造を提供する。
良されたワイヤボンディング装置の特にそのキャピラリ
の昇温を良好ならしめる改良構造を提供する。
（問題点を解決するための手段）
この発明にかかる半導体装置用ワイヤボンディング装置
は、ステージ上に半導体装置の被接続部材が設置され、
このステージの上方にボンディングワイヤを貫通させた
キャピラリがステージに対して相対的に平行移動すると
ともに上下動して上記被接続部材の第１接点と第２接点
間にワイヤボンディングを施すワイヤボンディング装置
において、キャピラリがヒータを内装してなることを特
徴とする。また、キャピラリがセラミックでなり、これ
へヒータの内装が埋込形成されても、キャピラリの外側
面に形成された溝に埋込形成されたものも含む。
は、ステージ上に半導体装置の被接続部材が設置され、
このステージの上方にボンディングワイヤを貫通させた
キャピラリがステージに対して相対的に平行移動すると
ともに上下動して上記被接続部材の第１接点と第２接点
間にワイヤボンディングを施すワイヤボンディング装置
において、キャピラリがヒータを内装してなることを特
徴とする。また、キャピラリがセラミックでなり、これ
へヒータの内装が埋込形成されても、キャピラリの外側
面に形成された溝に埋込形成されたものも含む。
（作 用）
この発明はワイヤボンディング装置にヒータが内装され
たキャピラリを適用することにより、ヒータとキャピラ
リとの接触面積を増大してキャピラリの所望の昇温を達
成し、良好な接合効果を得る。
たキャピラリを適用することにより、ヒータとキャピラ
リとの接触面積を増大してキャピラリの所望の昇温を達
成し、良好な接合効果を得る。
（実施例）
以下、この発明の実施例につき第１図および第２図を参
照して説明する。なお、説明において従来と変わらない
部分については説明を省略し、改良点についてのみ詳述
する。
照して説明する。なお、説明において従来と変わらない
部分については説明を省略し、改良点についてのみ詳述
する。
第１図は一実施例のキャピラリを断面図で示し、第２図
は別の実施例のキャピラリを側面図で示す。
は別の実施例のキャピラリを側面図で示す。
第１図において、１１はキャピラリ本体でその材質構成
、寸法、軸心に設けられた貫通孔１１１ａ等は従来と変
わらないが、キャピラリ本体１１内にコイル状のヒータ
１２、−例の１０１が埋込まれている。
、寸法、軸心に設けられた貫通孔１１１ａ等は従来と変
わらないが、キャピラリ本体１１内にコイル状のヒータ
１２、−例の１０１が埋込まれている。
このヒータ１２は例えばニクロムのような抵抗線でキャ
ピラリ本体の形成時に埋込み形成され、引出線部１２ａ
で導出されている。
ピラリ本体の形成時に埋込み形成され、引出線部１２ａ
で導出されている。
第２図に示す別の実施例はキャピラリ本体２１の外側面
にコイル状のヒータ２２を埋込む溝２３がらせん状に形
成されている。また、２２ａはヒータ２２の引出線部で
キャピラリの先端側の引出線はキャピラリの側面に耐熱
性絶縁材２４で被覆された他端の引出線に並設されてい
る。
にコイル状のヒータ２２を埋込む溝２３がらせん状に形
成されている。また、２２ａはヒータ２２の引出線部で
キャピラリの先端側の引出線はキャピラリの側面に耐熱
性絶縁材２４で被覆された他端の引出線に並設されてい
る。
この発明によれば、ヒータが埋込形成されているので、
ヒータとキャピラリ本体との接触が面接触で伝熱効率が
８０〜１００％と高く、キャピラリの先端温度を所望の
温度の４００〜４５０℃に保持できる。
ヒータとキャピラリ本体との接触が面接触で伝熱効率が
８０〜１００％と高く、キャピラリの先端温度を所望の
温度の４００〜４５０℃に保持できる。
これによりワイヤボンディングの接合効率が顕著に向上
する。
する。
第１図はこの発明の一実施例にかかるキャピラリの断面
図、第２図は別の実施例にかかるキャピラリの側面図、
第３図は従来例のキャピラリの側面図、第４図ａ −ａ
はワイヤボンディング工程を説明するためのいずれも側
面図である。
図、第２図は別の実施例にかかるキャピラリの側面図、
第３図は従来例のキャピラリの側面図、第４図ａ −ａ
はワイヤボンディング工程を説明するためのいずれも側
面図である。
Claims (3)
- （１）ステージ上に半導体装置の被接続部材が設置され
、このステージの上方にボンディングワイヤを貫通させ
たキャピラリがステージに対して相対的に平行移動する
とともに上下動して上記被接続部材の第１接点と第２接
点間にワイヤボンディングを施すワイヤボンディング装
置において、キャピラリがヒータを内装してなることを
特徴とする半導体装置用ワイヤボンディング装置。 - （２）ヒータがセラミックでなるキャピラリに埋込形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の半導体装置用ワイヤボンディング装置。 - （３）ヒータがセラミックでなるキャピラリの外側面に
形成された溝に埋込形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の半導体装置用ワイヤボンデ
ィング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61256833A JPS63111635A (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体装置用ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61256833A JPS63111635A (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体装置用ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111635A true JPS63111635A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17298061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61256833A Pending JPS63111635A (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 半導体装置用ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63111635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7938308B1 (en) * | 2009-04-24 | 2011-05-10 | Amkor Technology, Inc. | Wire bonder for improved bondability of a conductive wire and method therefor |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP61256833A patent/JPS63111635A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7938308B1 (en) * | 2009-04-24 | 2011-05-10 | Amkor Technology, Inc. | Wire bonder for improved bondability of a conductive wire and method therefor |
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