JPS6310920Y2 - - Google Patents

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JPS6310920Y2
JPS6310920Y2 JP11146085U JP11146085U JPS6310920Y2 JP S6310920 Y2 JPS6310920 Y2 JP S6310920Y2 JP 11146085 U JP11146085 U JP 11146085U JP 11146085 U JP11146085 U JP 11146085U JP S6310920 Y2 JPS6310920 Y2 JP S6310920Y2
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JP
Japan
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chips
chip
silicon nitride
main body
silicon carbide
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JP11146085U
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JPS6219161U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】
「産業上の利用分野」 本考案は、乾式研削における切り屑受けの改良
に関し、更に詳しくは切り屑が切り屑受けに強固
に付着して生ずる後処理の手間を未然に防止する
為に、切り屑の熔着、付着を極めて少なくするよ
うにしたものである。 「従来の技術」 従来、乾式研削を行う時に発生する切り屑は、
通常火花となつて研削点より砥石の接線方向へ高
速度で飛散する。この飛散した切屑は熔着又は拡
散して周囲を汚染し、時には火災の危険性を有す
る。したがつて切り屑の飛散防止として切り屑受
けが設置されている。この切り屑受けとしては、
金属板、鎖、耐然クロス等が使用されており、ス
インググライダー、ワゴングラインダーでは機上
又は床上に、卓上グラインダーでは安全カバーの
上端にスパークブレーカーとして使用されてい
る。 「考案の解決しようとする問題点」 これらの切り屑受けは、切り屑の飛散防止の点
では効果が見られるものの、その取り付け位置が
切り屑が火花状で高熱、高運動エネルギーを保有
している飛散途中に設けられているため熔着、付
着が起り易いこと、更に続けて飛散してくる切り
屑が熔着、付着し積もる結果山状となる。したが
つて作業に不都合を生じたり、安全性も阻害され
ることから熔着、付着した切り屑を落として再使
用しているのが現状である。しかし切り屑受けが
金属板の場合を考えて見ると、切り屑は切り屑受
けに強固に熔着、付着する場合が多く、切り屑を
落として再使用するには多大な時間と労力を必要
とすること、時には再使用が不可能な場合もあ
る。又鎖を使用した場合は、その屈曲性により作
業性は向上するものの、切り屑の熔着、付着に対
する効果という点では金属板の場合と同様であ
る。更には耐熱クロスを使用した場合は、使用す
るにつれて摩耗しついには摩耗穴が開き使用不能
となることが多い等の問題点があつた。 「問題点を解決するための手段」 上記に鑑み本考案は、切り屑受けの材質に着目
し、表面が滑らかな新モース硬度8以上の硬さを
持つ炭化ケイ素、窒化ケイ素等でなるセラミツク
ス層を一体的又は表面に設けたものである。即ち
セラミツクスは、金属、耐熱クロス等に比べ、硬
さ、耐摩耗性に優れ、とくに高温下での硬さ、耐
摩耗性は抜群であること、並びに高温で金属との
反応性が低い為、高温、高速で衝突する切り屑の
熔着、付着が防止できるという特長があることを
利用するものである。 尚セラミツクスは炭化ケイ素、窒化ケイ素等新
モース硬度8以上の硬度を持つものが良く、さら
に熱伝導性が良いものが望ましく、表面は滑らか
な程より切り屑の熔着、付着を防止することがで
きる。 「作用」 次に本考案の作用状態を説明すると、新モース
硬度8以上の炭化ケイ素、窒化ケイ素等でなるセ
ラミツクス層2を少なくとも本体1の表面に設け
てなる切り屑受けを機上又は床上に設置する。こ
れにより接線方向へ高速度で飛散する火花を確実
にキヤツチすることができるし、セラミツクスの
特性よりしてこの切り屑受けに切り屑が熔着、付
着することが極めて少ないものである。 「実施例」 図面は本考案の一実施例を示しており、1は金
属板、その他部材でなる本体で、この本体1は場
合により新モース硬度8以上の炭化ケイ素、窒化
ケイ素等でなるセラミツクスで構成される。そし
てこの本体1の少なくとも表面には新モース硬度
8以上の炭化ケイ素、窒化ケイ素等でなるセラミ
ツクス層2が設けられている。尚前記本体1がセ
ラミツクスでなるときは、セラミツクス層2はこ
れと一体的に構成されることが望ましい。 次に本考案と従来の切り屑受けとの比較実験例
を第4図に基づいて説明すると、外径455mm、厚
さ50mm、穴径50.8mmのスインググラインダーの回
転方向の延長線上200mmの位置に、本考案に係る
表面を滑らかにした新モース硬度8以上の炭化ケ
イ素板、窒化ケイ素板等を垂直に設置すると共
に、その他下の図表に示すガラス板、鉄鋼等を同
様に垂直に設置する。使用砥石はレジノイド砥石
とし周速度は3000m/minとし、被削材として
S45Cを使用し、その研削切り屑を切り屑受けに
あて熔着、付着度合を調べた結果は下記の図表の
とおりである。尚研削テスト時間10分間×10回で
ある。
【表】 「考案の効果」 本考案は以上詳述したように、研削時の切り屑
受けに表面が滑らかである炭化ケイ素、窒化ケイ
素等新モース硬度8以上のセラミツクスを使用す
る為、低温から高温域に亘る優れた硬度と、耐摩
耗と、高温下での金属との低い反応性とにより、
高温、高運動エネルギーを持つ火花状の切り屑の
熔着、付着を防止できる。この効果により熔着、
付着して山状となつた切り屑を排除したり、又は
切り屑受けを取替えたりする必要がなくなり、時
間と労力の節約により能率的な研削作業が可能と
なる。尚切り屑は集塵機により吸収する場合が多
く、このようにすれば捕集が適時に行われる為、
作業環境が良くなり、より安全な研削作業が可能
となる。
【図面の簡単な説明】
図面は本考案の一実施例を示しており、第1図
は断面図、第2図は他の一例を示す断面図、第3
図はその他の一例を示す断面図、第4図は実験例
を示す模式図である。 1……本体、2……セラミツクス層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 () 新モース硬度8以上の炭化ケイ素、窒化
    ケイ素等でなるセラミツクス層を少なくとも本
    体の表面に設けてなる研削盤の切り屑受け。 () 本体が新モース硬度8以上の炭化ケイ
    素、窒化ケイ素等のセラミツクスで構成されて
    いる実用新案登録請求の範囲第1項記載の研削
    盤の切り屑受け。 () セラミツクス層の表面が滑らかである実
    用新案登録請求の範囲第1項記載の研削盤の切
    り屑受け。
JP11146085U 1985-07-19 1985-07-19 Expired JPS6310920Y2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11146085U JPS6310920Y2 (ja) 1985-07-19 1985-07-19

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11146085U JPS6310920Y2 (ja) 1985-07-19 1985-07-19

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Publication Number Publication Date
JPS6219161U JPS6219161U (ja) 1987-02-04
JPS6310920Y2 true JPS6310920Y2 (ja) 1988-03-31

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JP11146085U Expired JPS6310920Y2 (ja) 1985-07-19 1985-07-19

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5405079B2 (ja) * 2008-10-08 2014-02-05 山陽特殊製鋼株式会社 回転式切断機カバー容器内砥粒堆積防止方法
JP2020062731A (ja) * 2018-10-19 2020-04-23 日本製鉄株式会社 研削装置及び研削方法

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JPS6219161U (ja) 1987-02-04

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