JPS6310492A - 異種基板の回路接続構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ガラス基板とフィルム基板のように熱変形
量が異なる異種基板どうしの回路結合のための接続構造
に関する。

〔従来の技術〕

例えばエレクトロルミネセンスを構成するガラス基板と
、制御回路を実装したフィルム基板との回路を結合する
について、それぞれの基板上に形成した接続リードどう
しを直接半田付けすることが従来から行われている。詳
しくは、フィルム基板側の接続リードに結合用の半田層
を形成しておき、この半田層がガラス基板側の接続リー
ドに外接する状態で側基板を重ねた後、フィルム基板を
ヒータで加熱押圧することにより、半田層を溶融させて
接続リードどうしを結合している。

前記ヒータには、各接続リードに設けられた多数個の半
田層を一度で加熱溶融させる長寸のものと、半田層の列
を数回に分けて加熱溶融させる短寸のものとがある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、ガラス基板とフィルム基板の熱膨張率には大
きな差がある。そのため、半田層の加熱溶融時に、フィ
ルム基板自体が熱変形して接続リードが配列方向にズし
てしまうことがある。とくに、長寸のヒータを用いる場
合には、その押圧面の熱分布が長平方向に一様でなく、
長平方向の両端付近で加熱温度が低下する傾向があるこ
とから。

接続リードの接続位置にズレを生じやすい。また。

接続リードの幅あるいは隣接間隔が狭くなればなるほど
、フィルム基板の熱変形の影響が大きくあられれ、リー
ド幅および隣接ピッチが一定値以下になると、たとえ短
寸のヒータで数回に分けて接続を行ったとしても接続リ
ードがズして適正な結線を行えなかった。

〔発明の目的］ この発明は、熱変形しやすい基板の半田溶融時の変形を
阻止することにより、対応する接続リードの位置ズレを
解消し、異種基板の回路結合を適正に行えるようにする
ことを目的とする。

この発明の他の目的は、接続リードの幅および隣接間隔
が微小値に設定される場合でも、接続リードどうしの接
続を確実に行えるようにすることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明では、接続リード３・４が配設される各回路基
板１・２の接合面１ａ・２ａのそれぞれに、熱変形しや
すい回路基板２を機械的に拘束して変形を阻止するダミ
ーリード６・７を設け、これらダミーリード６・７の一
方に半田層−５を形成して、ダミーリード６・７の接続
固定を行った後に、接続リード３・４の接続を行うこと
により。

接続リード３・４どうしの位置ズレを解消するものであ
る。

具体的には１例えば第１図に示すように、ガラス基板か
らなる回路基板１とフィルム基板からなる回路基板２の
それぞれの接合面１ａ・２ａに接続リード３・４を配列
し、各接続リード３・４の列の両端にダミーリード６・
７を配設する。ダミーリード６・７および接続リード３
・４は銅、クロム、ニッケル、アルミニウム等の良導体
を蒸着。

メッキ、エツチング等によって形成する。好ましくは、
ヒータ９の加熱に伴う回路基板２の変形応力に充分耐え
られるよう、ダミーリード６・７の幅は接続リード３・
４の幅より大きく設定しておく。ヒータ９は短寸仕様の
ものが好ましく、半田層５の列を数回に分けて加熱溶融
すると、より正確に接続リード３・４どうしの接続を行
うことができる。

〔作用〕

接続リード３・４の加熱接続に先行してダミーリード６
・７を接続固定することにより、−組の回路基板１・２
が位置決め固定され、接続リード３・４の半田層５を加
熱溶融させる際の回路基板２の熱変形が阻止される。従
って、対応する接続リード３・４どうしは位置ズレを生
じることなく正しく接続される。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明では一組の回路基板１・
２の接合面１ａ・１ｂのそれぞれにダミーリード６・７
を設け、接続リード３・４の接続に先行してダミーリー
ド６・７の接続固定を行うことにより２回路基板１・２
どうしを位置決めし。

とくに熱変形しやすい回路基板２を熱変形不能に固定で
きるようにしたので、熱変形量の異なる回　。

路基板１・２どうしの接続リード３・４の接続を適正か
つ確実に行うことができるものとなった。

ダミーリード６・７の接続により対応する接続リード３
・４の位置精度を高精度に維持できるので、たとえ接続
リード３・４の幅および隣接間隔が微少値に設定される
場合でも、接続リード３・４どうしの接続を正確に行う
ことができる。

［第１実施例〕 第１図ないし第３図は本発明の第１実施例を示しており
、−組の回路基板１・２のうち、一方の回路基板１はエ
レクトロルミネセンスを構成するガラス基板であり、他
方の回路基板２はエレクトロルミネセンス用の制御回路
を実装したフィルム基板である。

両回路基板１・２の側端の接合面１ａ・２ａのそれぞれ
には、双方の電気回路を接続するための接続リード３・
４が列状に形成しである。回路基板１例の接続リード３
は、銅、クロム、ニッケル。

アルミニウムなどの良導体を蒸着固定して形成しである
。フィルム基板からなる回路基板２は、ポリイミドある
いはポリエステル等のプラスチックフィルムをベースに
して形成され、その表面に露光後エツチング処理を行う
ことにより、配線パターンおよび接続リード４が形成し
である。この接続リード４の外面に半田層５を形成する
。

前記の両回路基板１・２の熱変形防止のために。

各回路基板ｌ・２の接続リード３・４の列の両端にダミ
ーリード６・７が設けられる。第３図に示すように、ダ
ミーリード６・７は半田層５の加熱に伴う回路基板２の
変形応力に充分に耐えられるよう、接続リード３・４の
リード幅を０．３鶴とするとき、これより大きく１鶴の
幅寸法に設定する。

ダミーリード６は回路基板１の接続リード３と同じ要領
で、さらにダミーリード７は回路基板２の接続リード４
と同じ要領で、それぞれ接続リード３・４と同時に形成
する。回路基板２側のダミーリード７には接続リード４
と同様に半田層５が形成される。

以上のようにした一組の回路基板１・２の接続は次の手
順により行う。

まず両回路基板１・２をそれぞれの接続リード３・４ど
うじが半田層５を介して対向し合うよう重ねる。

第２図のように幅狭のヒータ９を回路基板２の上面から
押し当て、順にダミーリード６・７の半田層５を溶融さ
せて、ダミーリード６・７どうしを接続する。

次いで、接続リード３・４の列の中央部、左側端、右側
端、残りの中途部の左方および右方の順にヒータ９で加
熱押圧して半田層５を溶融させ。

接続リード３・４どうしを接続する。

〔第２実施例〕 第１実施例ではダミーリード６・７を接続り−ド３・４
とは別に設けたが必ずしもその必要はない。例えば、第
４図に示すように接続り一１’　３・４の左右側端に位
置する接続リード３ａ・４ａの幅を広幅に形成して、ダ
ミーリード６・７と接続リード３ａ・４ａを一体的に形
成することもてきる。場合によっては、接続リード３・
４の列の中途部にダミーリード６・７を設けることもよ
い。

〔別実施態様例〕

ダミーリード６・７の外形は必ずしも短冊形にする必要
はなく１円形９点列、線形等必要に応じて任意形に設定
することができる。

実施例１において、熱膨張率および熱変形量が異なる代
表例として、ガイド基板とフィルム基板を接続する場合
を例示したが、熱膨張率が近（以していながら接続時の
熱変形量が異なる回路基板どうしの接続を行う場合にも
本発明は適用できる。

例えば、一方の回路基板１が積層基板などの熱負荷の大
きな硬質板状体で形成され、他方の回路基板２がフィル
ム基板で形成される場合等である。

第１図は接続前の状態を示す斜視図、第２図は接続部構
造を示す断面図、第３図は回路基板の接続リードおよび
ダミーリードの配置関係を示す平面図である。

第４図は本発明の第２実施例を示す回路基板要部の平面
図である。

ｌ・２・・・・回路基板。

１ａ・２ａ・・接合面。

３　・　４　・　・　・　・接続リード。

５・・・・・・半田層。

６・７・　・　・　・ダミーリード。

９・−・・・・・ヒータ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）熱変形量の異なる一組の回路基板１・２の接合面
   １ａ・２ａのそれぞれに、ダミーリード６・７および接
   続リード３・４をそれぞれ形成し、互いに対応し合うダ
   ミーリード６・７と接続リード３・４の一方に半田層５
   を形成し、 ダミーリード６・７どうしの接続で回路基板１・２どう
   しを熱変形不能に固定することを特徴とする異種基板の
   回路接続構造。
2. （２）一方の回路基板１がエレクトロルミネセンスを構
   成するガラス基板で、他方の回路基板２が前記基板１用
   の制御回路を実装したフィルム基板である特許請求の範
   囲第（１）項記載の異種基板の回路接続構造。