JPS6298787A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS6298787A JPS6298787A JP23892185A JP23892185A JPS6298787A JP S6298787 A JPS6298787 A JP S6298787A JP 23892185 A JP23892185 A JP 23892185A JP 23892185 A JP23892185 A JP 23892185A JP S6298787 A JPS6298787 A JP S6298787A
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- JP
- Japan
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- resist pattern
- semiconductor substrate
- resonator
- ridge
- face
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
従来、半導体基板にエツチングで共振器端面を作る際、
リッジ導波路の段差のために共振器端面に凹凸を生じ、
レーザのしきい値電流を大きくする。この欠点を除去す
るため、最初に共振器端面を形成し、つぎにリッジ導波
路をつ（りつけることによって、レーザ発光領域周辺に
平滑なエツチング端面を持つ半導体レーザの製造方法を
提起する。
リッジ導波路の段差のために共振器端面に凹凸を生じ、
レーザのしきい値電流を大きくする。この欠点を除去す
るため、最初に共振器端面を形成し、つぎにリッジ導波
路をつ（りつけることによって、レーザ発光領域周辺に
平滑なエツチング端面を持つ半導体レーザの製造方法を
提起する。
本発明はリッジ導波路構造半導体レーザの製造方法に関
する。
する。
単体の半導体レーザの共振器端面ば、結晶の襞間により
形成できるが、集積化された場合はこれを用いることは
できなくなる。
形成できるが、集積化された場合はこれを用いることは
できなくなる。
従って、半導体レーザの共振器端面をエツチングで形成
する技術は、光集積回路の高集積化、多機能化にとって
重要な技術であり、種々の構造の半導体レーザに対して
試みられ、通常の襞間により形成された半導体レーザに
匹敵する特性が得られるようになった。
する技術は、光集積回路の高集積化、多機能化にとって
重要な技術であり、種々の構造の半導体レーザに対して
試みられ、通常の襞間により形成された半導体レーザに
匹敵する特性が得られるようになった。
一方、リッジ導波路構造半導体レーザは、１回の分子線
エピタキシャル（ＭＢＥ）成長によって作製できる屈折
率導波型のレーザであり、簡単な製造工程で単−横モー
ドの低しきい値電流動作を実現できる利点をもっている
。
エピタキシャル（ＭＢＥ）成長によって作製できる屈折
率導波型のレーザであり、簡単な製造工程で単−横モー
ドの低しきい値電流動作を実現できる利点をもっている
。
しかしながら、エツチングで共振器端面を作る際には、
リッジ導波路の段差のために共振器端面に凹凸を生じ、
端面における光の反射率が下がり、共振器中の光増幅率
が低下することにより、レーザの低しきい値電流動作を
行うことが困難であり、これに対する改善対策が要望さ
れている。
リッジ導波路の段差のために共振器端面に凹凸を生じ、
端面における光の反射率が下がり、共振器中の光増幅率
が低下することにより、レーザの低しきい値電流動作を
行うことが困難であり、これに対する改善対策が要望さ
れている。
第２図（１）〜（４）は従来例にょろりソジ導波路構造
半導体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図であ
る。
半導体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図であ
る。
第２図（１）において、通常のフォトリソグラフィによ
り、多層構造を有する半導体基板２１上のリッジ形成部
にレジストパターン２２を形成する。
り、多層構造を有する半導体基板２１上のリッジ形成部
にレジストパターン２２を形成する。
！２図（２＋において、レジストパターン２２をマスク
にして半導体基板２１をエツチングしてリッジ導波路２
３を形成し、レジストパターン２２を除去する。
にして半導体基板２１をエツチングしてリッジ導波路２
３を形成し、レジストパターン２２を除去する。
第２図（３）において、共振器長に等しい長さを持つレ
ジストパターン２４を形成する。
ジストパターン２４を形成する。
この場合、リッジ２３０段差部でのレジストパターン２
４の側壁の垂直度、ならびにレジスト端の直線性を実現
することは困難であり、共振器端面の鏡面性が損なわれ
やすい。
４の側壁の垂直度、ならびにレジスト端の直線性を実現
することは困難であり、共振器端面の鏡面性が損なわれ
やすい。
１２１Ｎ（４）において、レジストパターン２４をマス
クにして半導体基板２１をエツチングして共振器端面２
５．２６を形成し、レジストパターン２４を除去する。
クにして半導体基板２１をエツチングして共振器端面２
５．２６を形成し、レジストパターン２４を除去する。
この場合、共振器端面の２５Ａで示した部分に突起物が
生じやすく、良好なエツチング端面を得ることが難しい
。
生じやすく、良好なエツチング端面を得ることが難しい
。
従来の半導体レーザの製造方法では、良好なエツチング
鏡面を持つ共振器端面を得ることは困難であった。
鏡面を持つ共振器端面を得ることは困難であった。
上記問題点の解決は、多層構造を有する半導体基板（１
）に、２つの共振器端面（３）、（４）を形成した後、
（必要ならば該共振器端面（３）、（４）を保護膜で覆
って、）該共振器端面（３）、（４）のいずれかに垂直
に該半導体基板（１）に’Ｊ ソジ冴波路（７）を形成
する工程を含む本発明による半導体レーザの製造方法に
より達成される。
）に、２つの共振器端面（３）、（４）を形成した後、
（必要ならば該共振器端面（３）、（４）を保護膜で覆
って、）該共振器端面（３）、（４）のいずれかに垂直
に該半導体基板（１）に’Ｊ ソジ冴波路（７）を形成
する工程を含む本発明による半導体レーザの製造方法に
より達成される。
本発明はリッジによる段差のない状態でエツチングを行
うため、平滑で鏡面に近いエツチング端面を得ることが
できる。
うため、平滑で鏡面に近いエツチング端面を得ることが
できる。
第１図（１）〜（５）は本発明にょろりソジ導波路構造
半導体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図であ
る。
半導体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図であ
る。
第１図（１）において、通常のフォトリソグラフィによ
り、多層構造を存する半導体基板１上の共振器形成部に
共振器長に等しい長さを持つレジストパターン２を形成
する。
り、多層構造を存する半導体基板１上の共振器形成部に
共振器長に等しい長さを持つレジストパターン２を形成
する。
半導体基板１は、例えば半絶縁性、またはｎ゛型ガリウ
ム砒素（ＳＩ−ＧａＡｓ、ｏｒ ｎ”−ＧａＡｓ）基板
上にアルミニウムガリウム砒素（ＡＩＧａＡｓ） ／ガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）の多層構造を積層したものを用
いる。
ム砒素（ＳＩ−ＧａＡｓ、ｏｒ ｎ”−ＧａＡｓ）基板
上にアルミニウムガリウム砒素（ＡＩＧａＡｓ） ／ガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）の多層構造を積層したものを用
いる。
その層構造は
５ｌ−ＧａＡｓ、またはｎ ”−ＧａＡｓ基板上に下か
ら順次、 ハソファ層として、ｎ ＋−ＧａＡｓ層、クラッド層と
して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、活性層として、無添加−Ｇ
ａＡｓ層、 クラッド層として、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、コンタクト層
として、ｐ ’−ＧａＡｓ層を成長して形成される。
ら順次、 ハソファ層として、ｎ ＋−ＧａＡｓ層、クラッド層と
して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、活性層として、無添加−Ｇ
ａＡｓ層、 クラッド層として、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、コンタクト層
として、ｐ ’−ＧａＡｓ層を成長して形成される。
第１図（２）において、レジスＩ・パターン２をマスク
にして半導体基板１をエツチングして共振器端面３．４
を形成し、レジストパターン２を除去する。
にして半導体基板１をエツチングして共振器端面３．４
を形成し、レジストパターン２を除去する。
エツチングは、塩素（ＣＩ２）を用いたりアクティブイ
オンエツチング（ＲＩＥ） 、あるいはりアクティブイ
オンビームエソチング（ＲＩＢＥ）法により行う。
オンエツチング（ＲＩＥ） 、あるいはりアクティブイ
オンビームエソチング（ＲＩＢＥ）法により行う。
この場合、第１図（１）に示されるように、平坦な基板
にエツチング端面が形成されるので、平坦で鏡面に近い
エツチング端面が得られる。
にエツチング端面が形成されるので、平坦で鏡面に近い
エツチング端面が得られる。
第１図（３）において、共振器端面３．４を覆って、レ
ジスト５を埋め込んで基板を平坦化する。
ジスト５を埋め込んで基板を平坦化する。
平坦化方法は、例えば共振器端面３．４の段差を覆って
基板全面にレジストを表面が平坦になるように塗布し、
酸素（０□）を用いたＲＩＥ法によりエッチハックして
、半導体基板１の表面を露出させる。
基板全面にレジストを表面が平坦になるように塗布し、
酸素（０□）を用いたＲＩＥ法によりエッチハックして
、半導体基板１の表面を露出させる。
第１図（４）において、半導体基板１上のリッジ形成部
に、レジストパターン６を形成する。
に、レジストパターン６を形成する。
第１図（５）において、レジストパターン６をマスクに
して半導体基板ｌをエツチングしてリッジ７を形成し、
レジストパターン６を除去する。
して半導体基板ｌをエツチングしてリッジ７を形成し、
レジストパターン６を除去する。
以上のようにしてエツチングによる共振器端面を有する
、リッジ導波路構造の半導体レーザを得ることができる
。
、リッジ導波路構造の半導体レーザを得ることができる
。
（発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によるリッジ鹿波路構
造半導体レーザの製造方法により、良好なエツチング端
面を持つ共振器端面が得られ、低しきい値電流動作を行
うことができるレーザが得られる。
造半導体レーザの製造方法により、良好なエツチング端
面を持つ共振器端面が得られ、低しきい値電流動作を行
うことができるレーザが得られる。
さらに、本発明はレーザ草体だけでなく光・電子集積回
路（ＯＥＩＣ）に適用すると効果が大きい。
路（ＯＥＩＣ）に適用すると効果が大きい。
第１図（１）〜（５）は本発明にょろりソジ導波路構造
半導体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図、 第２図（１）〜（４）は従来例によるリッジ導波路構造
半専体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図であ
る。 図において、 １は多層構造を有する半導体基板、 ２．６はレジストパターン、 ３．４は共振器端面、 ５はレジスト、 ７はリッジ導波路 である。 従−、Ａ辷王蛭Ｐ示■］例硯！ 茗２ｆｆｉ
半導体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図、 第２図（１）〜（４）は従来例によるリッジ導波路構造
半専体レーザの製造方法を工程順に説明する斜視図であ
る。 図において、 １は多層構造を有する半導体基板、 ２．６はレジストパターン、 ３．４は共振器端面、 ５はレジスト、 ７はリッジ導波路 である。 従−、Ａ辷王蛭Ｐ示■］例硯！ 茗２ｆｆｉ
Claims (1)
- 多層構造を有する半導体基板（１）に、その両側を除去
して２つの共振器端面（３）、（４）を形成した後、該
共振器端面（３）、（４）のいずれかに垂直に該半導体
基板（１）の両側を除去してリッジ導波路（７）を形成
する工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23892185A JPS6298787A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23892185A JPS6298787A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298787A true JPS6298787A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17037249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23892185A Pending JPS6298787A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6298787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115792A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| US4933302A (en) * | 1989-04-19 | 1990-06-12 | International Business Machines Corporation | Formation of laser mirror facets and integration of optoelectronics |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP23892185A patent/JPS6298787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115792A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| US4933302A (en) * | 1989-04-19 | 1990-06-12 | International Business Machines Corporation | Formation of laser mirror facets and integration of optoelectronics |
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