JPS6298285A

JPS6298285A - 放射線検出装置

Info

Publication number: JPS6298285A
Application number: JP23888485A
Authority: JP
Inventors: Shinji Nagamachi; 信治長町
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 1985-10-24
Filing date: 1985-10-24
Publication date: 1987-05-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は放射線を検出し、放射線の強度及び線源の強度
の評価を行なう放射線検出装置に関するものである。

このような放射線検出装置は、例えば短寿命ＲＩ　（放
射性同位光Ｍ）標識化合物自動合成装置（ＣＢＢ）に組
み込まれてＲＩセンサとして使用される。

（従来の技術）従来はＲＩセンサとしてはγ線を計測するものが用いら
れてきた。

（発明が解決しようとする問題点） γ線は透過力が大きい。そのため、ＲＩがいくつかの部
分に分布しているときに特定の場所のＲＩからのγ線強
度のみを検出したい場合、その他の場所のＲＩから発生
するγ線を遮蔽するために厚い鉛等の遮蔽体が必要であ
った。

本発明の目的は、薄い遮蔽体のみで特定の場所における
ＲＩの量を、その他の場所のＲＩからのノイズを受ける
ことなく測定しうる放射線検出器を実現することにある
。

（問題点を解決するための手段）本発明では、チューブを通る放射線源を検出するために
β線（β線及びβ“線を総称してβ線と称している）を
検出する。そのため、検出素子がβ線に対して高感度で
γ線に対して低感度になるように、薄い検出素子を用い
る。

用いられる検出素子の種類としては、シリコンやゲルマ
ニウムにてなる半導体検出素子、又はシンチレータがあ
る。

（作用） β線は透過力が小さいため薄い検出素子によっても高感
度に検出されるのに対し、γ線は透過力が大きいため薄
い検出素子を透過してしまい、γ線検出の感度が低くな
る。そのため、外部のγ線が遮蔽部材を透過して検出素
子に入射したとしても、γ線に対する感度が低いので、
γ線バックグランドの影響は小さい。β線は薄い遮蔽部
材によっても有効に遮蔽される。

（実施例１）第１図に第１の実施例を示す。

２は一端が薄いフォイル３により封じられたケースであ
り、このケース２内にはフォイル３に接近して半導体検
出素子１が納められている。半導体検出素子１はフォイ
ル３を通過して入射するβ線を検出する。

半導体検出素子１としては、例えばシリコン製のＰＩＮ
型又は低容量プレーナ拡散型のダイオードが好ましい。

これらのダイオードはフｙＰ　トダイオードとして使用
されているものと同じ摺造である。

フォイル３はβ線の入射に大きな妨げとならす、光の入
射を防ぐことのできる程度の薄いものである。フォイル
３として、例えばアルミニウム済や樹脂フィルムを使用
することができる。

４は半導体検出素子１の出力を増幅し、外部へ出力する
増幅器である。

フォイル３の前面にはチューブ６が通り、容器５中にた
まったβ線源を含む液体がこのチューブ６を通る。容器
５と半導体検出素子１との間には遮蔽機構としてβ線を
遮蔽するのに十分な厚みをもつ遮蔽体７が設けられてい
るので、チューブ６内のＲＩ量が容器５内のＲＩ量と比
べて小さくても計測の妨げにはならない。

遮蔽体７としては、例えば厚さ数ｍｍの鉛板を使用する
。遮蔽体７は外部のβ線を有効に遮蔽できるだけの厚み
をもっておればよい。５１１　ＫｅＶのγ線は約１５ｍ
ｍの厚みの鉛板でも１／１゜程度にしか減衰しないが、
β線は１〜３ｍｍの鉛板で完全に遮蔽されるので、γ線
計測と比べて極めて薄い遮蔽板でよい。

（実施例２）第２図に第２の実施例を示す。

これは気体状のＲＩ計測に適用したものである。

パイプライン１１の途中にケース１０がおかれ、そのケ
ース１０中に半導体検出素子１が納められている。半導
体検出素子１はケース１０内のＲ１気体に直接さらされ
、β線を検出する。ケース１０の壁厚は外部からのβ線
の侵入を完全に止めるだけの厚さをもっている。半導体
検出素子１の出力は増幅器４により増幅され、出力され
る。

ＲＩ低気体通るパイプ１１の上流（あるいは下流）にガ
スタンク１２が接続されている。ガスタンクからの放射
線はケース１０の壁で遮蔽され、ａｌｆｆ定の妨げには
ならない。

第２図では半導体検出素子１はＲＩ低気体直接接触して
いるが、半導体検出素子１がＲＩ低気体より腐食される
虞れがあるような場合、半導体検出素子１とＲＩ低気体
間に薄いフォイルを介在させてもよい。

（発明の効果） γ線を検出する従来の放射線検出器では、γ線バックグ
ラウンド低減のために厚いｔ（＋板等の遮蔽機構が必要
であったのに対し、本発明では放射線源を検出するのに
β線を検出するようにしたので、遮ｔｉ、機構が極めて
薄いもの、あるいは簡？Ｆなものですむようになり、放
射線検出装置Ｉ￥を小型化、低コスト化することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は第１の実施例を示す断面図、第２図は第２の実
施例を示す断面図である。１・・・・・半導体検出素子。３・・・・フォイル、６　・−チューブ、７　・・・遮蔽体。１０・・・・・・遮蔽機構を兼ねるケース、１１・・・
・・・パイプライン。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）チューブ体を通る放射線源を検出する装置であっ
て、チューブ体に沿って配置され、β線に高感度、γ線に低
感度となる程度の薄い検出素子と、この検出素子を外部
からのβ線から遮蔽する遮蔽機構とからなる放射線検出
装置。
（２）前記検出素子は半導体素子又はシンチレータであ
る特許請求の範囲第１項に記載の放射線検出装置。