JPS6293391A - めつき方法 - Google Patents
めつき方法Info
- Publication number
- JPS6293391A JPS6293391A JP23137285A JP23137285A JPS6293391A JP S6293391 A JPS6293391 A JP S6293391A JP 23137285 A JP23137285 A JP 23137285A JP 23137285 A JP23137285 A JP 23137285A JP S6293391 A JPS6293391 A JP S6293391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- metallic layer
- plating
- magnesium alloy
- alloy
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
- C25D5/42—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated of light metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はめっき方法に関し、特にマグネシウム合金上に
好適なめっき皮膜を形成するためのめっき方法に関する
。
好適なめっき皮膜を形成するためのめっき方法に関する
。
軽合金としてアルミニウムよりも軽量なマグネシウム合
金は、電気機器や機械等の種々の分野において軽構造体
を構成する金属材料としてその用途が広がる傾向にある
。しかしながら、このマグネシウム合金は耐腐食性が劣
るために、有機皮膜塗装、化成皮膜形成及び金属めっき
皮膜形成等の耐腐食性の表面処理を施した状態で実用に
供する必要がある。
金は、電気機器や機械等の種々の分野において軽構造体
を構成する金属材料としてその用途が広がる傾向にある
。しかしながら、このマグネシウム合金は耐腐食性が劣
るために、有機皮膜塗装、化成皮膜形成及び金属めっき
皮膜形成等の耐腐食性の表面処理を施した状態で実用に
供する必要がある。
ところで、このマグネシウム合金を例えば電気機器等に
使用する場合に表面の電気伝導性が要求されることがあ
り、この場合にはマグネシウム合金の表面処理として前
記した表面処理方法の中の一つである金属めっき皮膜形
成法が用いられる。
使用する場合に表面の電気伝導性が要求されることがあ
り、この場合にはマグネシウム合金の表面処理として前
記した表面処理方法の中の一つである金属めっき皮膜形
成法が用いられる。
そして、このめっき皮膜を形成する際に、めっき最上層
に金、銀或いは銅等の比抵抗の小さな金属が要求される
ことがあるが、従来の金属めっき法では、これらの金属
を直接マグネシウム合金の表面にめっきを施すことは困
難である。このため、従来ではマグネシウム合金の表面
に酸化亜鉛のアルカリ溶液による亜鉛置換層を形成して
おき、その上に前記した金属をめっきする方法が用いら
れている。
に金、銀或いは銅等の比抵抗の小さな金属が要求される
ことがあるが、従来の金属めっき法では、これらの金属
を直接マグネシウム合金の表面にめっきを施すことは困
難である。このため、従来ではマグネシウム合金の表面
に酸化亜鉛のアルカリ溶液による亜鉛置換層を形成して
おき、その上に前記した金属をめっきする方法が用いら
れている。
上述した従来の表面処理方法について本発明が検討した
ところ、前記した金属のめっき仕上がり状態では形状的
に鋭角の部分に多数のピンホールが発生し、このピンホ
ールを通して水分等が内部マグネシウム層に到り、これ
を腐食させてしまう等の不其合が生じることが明らかと
なった。この原因としては、亜鉛置換層の形成時にマグ
ネシウム合金の表面を完全な状態で置換層を形成するこ
とが不可能なためであり、これはマグネシウム合金素材
に含まれる材料的欠陥と亜鉛置換層形成前の表面活性化
処理の不完全性が原因とされるものと考えられる。
ところ、前記した金属のめっき仕上がり状態では形状的
に鋭角の部分に多数のピンホールが発生し、このピンホ
ールを通して水分等が内部マグネシウム層に到り、これ
を腐食させてしまう等の不其合が生じることが明らかと
なった。この原因としては、亜鉛置換層の形成時にマグ
ネシウム合金の表面を完全な状態で置換層を形成するこ
とが不可能なためであり、これはマグネシウム合金素材
に含まれる材料的欠陥と亜鉛置換層形成前の表面活性化
処理の不完全性が原因とされるものと考えられる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のめっき方法は、マグネシウム合金上への金属め
っきをピンホール等が生ずることなく行ない、これによ
りマグネシウム合金を用いた各種機器の耐腐食性を向上
するものであり、マグネシウム合金の表面に真空蒸着、
スパッタリング又はイオンプレーテングのいずれかの手
段を用いて下部金属層を形成し、この下部金属層」−に
電解或いは無電解めっき法を用いて所要の上部金属層を
形成する方法である。
っきをピンホール等が生ずることなく行ない、これによ
りマグネシウム合金を用いた各種機器の耐腐食性を向上
するものであり、マグネシウム合金の表面に真空蒸着、
スパッタリング又はイオンプレーテングのいずれかの手
段を用いて下部金属層を形成し、この下部金属層」−に
電解或いは無電解めっき法を用いて所要の上部金属層を
形成する方法である。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
図は本発明をマグネシウム合金１の表面に既にめっき処
理を施した状態の断面ずである。
理を施した状態の断面ずである。
即ち、被めっき材であるマグネシウム合金１を有機溶剤
等で脱脂処理し、更にアルカリ性及び中性の液で洗浄処
理した後、これを低圧環境の処理装置内にセットシ、こ
こで真空蒸着法、スパッタリング法又はイオンプレーテ
ング法によって下部金属層２を所望の厚さに被着堆積さ
せる。この下部金属層２の材質は、マグネシウム合金１
及び後に形成する上部金属層と強固な結合力を有するも
のであれば、任意に選択できる。また、この場合、下部
金属層２は単層構造に限られず多種の金属を用いた多層
構造としてもよい。
等で脱脂処理し、更にアルカリ性及び中性の液で洗浄処
理した後、これを低圧環境の処理装置内にセットシ、こ
こで真空蒸着法、スパッタリング法又はイオンプレーテ
ング法によって下部金属層２を所望の厚さに被着堆積さ
せる。この下部金属層２の材質は、マグネシウム合金１
及び後に形成する上部金属層と強固な結合力を有するも
のであれば、任意に選択できる。また、この場合、下部
金属層２は単層構造に限られず多種の金属を用いた多層
構造としてもよい。
次いで、マグネシウム合金１の表面に形成した下部金属
層２に常法の電解めっき法或いは無電解めっき法を施し
、この下部金属層２上に金、銀又は銅等の比抵抗の小さ
い金属等の所望の金属めっき皮膜を形成し上部金属層３
を形成する。この場合でも、上部金属層３を多層構造に
することができるのは下部金属層２と同じである。
層２に常法の電解めっき法或いは無電解めっき法を施し
、この下部金属層２上に金、銀又は銅等の比抵抗の小さ
い金属等の所望の金属めっき皮膜を形成し上部金属層３
を形成する。この場合でも、上部金属層３を多層構造に
することができるのは下部金属層２と同じである。
このようにして形成しためっき構造では、下部金属層２
の形成方法として、前述したような真空蒸着法、スパッ
タリング法又はイオンプレーテング法等の低圧環境にお
ける皮膜形成法を用いているので、緻密な膜形成を行う
ことができピンホール等のいわゆる表面欠陥を著しく低
減することができるとともに、従来法のような亜鉛置換
工程時に際しての下部金属層の厚さが限定されることは
なく下部金属層２の厚さを自由に設定できるので、耐腐
食性を大幅に改善できる。勿論、下部金属層２を形成し
、この上に電解又は無電解めっき法で上部金属層３を形
成しているので、」二部金属層３を強固な膜質にめっき
形成できることは言うまでもない。
の形成方法として、前述したような真空蒸着法、スパッ
タリング法又はイオンプレーテング法等の低圧環境にお
ける皮膜形成法を用いているので、緻密な膜形成を行う
ことができピンホール等のいわゆる表面欠陥を著しく低
減することができるとともに、従来法のような亜鉛置換
工程時に際しての下部金属層の厚さが限定されることは
なく下部金属層２の厚さを自由に設定できるので、耐腐
食性を大幅に改善できる。勿論、下部金属層２を形成し
、この上に電解又は無電解めっき法で上部金属層３を形
成しているので、」二部金属層３を強固な膜質にめっき
形成できることは言うまでもない。
また、スパッタリングとイオンプレーテングによる下部
金属層２の形成工程中に反応性のガス（例えば、窒素、
水素、酸素等）を微量導入することによって化合物の皮
膜形成も可能となり、下部金属層２の材質に応じてこれ
らを適宜制御し、下部金属層２の硬さの制御を可能とし
たり、マグネシウム合金及び上部金属層３との結合力を
高める等の最適化を図ることができる。
金属層２の形成工程中に反応性のガス（例えば、窒素、
水素、酸素等）を微量導入することによって化合物の皮
膜形成も可能となり、下部金属層２の材質に応じてこれ
らを適宜制御し、下部金属層２の硬さの制御を可能とし
たり、マグネシウム合金及び上部金属層３との結合力を
高める等の最適化を図ることができる。
以上説明したように本発明は、マグネシウム合金の表面
に真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーテングの
いずれかの手段を用いて下部金属層を形成し、この下部
金属層上に電解或いは無電解めっき法を用いて所要の上
部金属層を形成する工程を含んでいるので、下部金属層
におけるピンホールの発生を防止するとともにその厚さ
の制御を可能とし、かつ上部金属層との結合にも強固な
ものを得ることができ、これにより耐腐食性に優れため
っき皮膜をマグネシウム合金上に形成することができる
。また、スパッタリング法やイオンプレーテング法を用
いる場合には、下部金属層の材質種類に応じて最適な硬
さの制御を行い得るとともに、下部金属層とマグネシウ
ム合金や上部金属層との結合の強度の向上を図ることも
できる。
に真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーテングの
いずれかの手段を用いて下部金属層を形成し、この下部
金属層上に電解或いは無電解めっき法を用いて所要の上
部金属層を形成する工程を含んでいるので、下部金属層
におけるピンホールの発生を防止するとともにその厚さ
の制御を可能とし、かつ上部金属層との結合にも強固な
ものを得ることができ、これにより耐腐食性に優れため
っき皮膜をマグネシウム合金上に形成することができる
。また、スパッタリング法やイオンプレーテング法を用
いる場合には、下部金属層の材質種類に応じて最適な硬
さの制御を行い得るとともに、下部金属層とマグネシウ
ム合金や上部金属層との結合の強度の向上を図ることも
できる。
図は本発明のめっき方法によって形成しためっき皮膜構
造を説明するだめの断面図である。 ■・・・マグネシウム合金、２・・・下部金属層、３・
・・上部金属層。
造を説明するだめの断面図である。 ■・・・マグネシウム合金、２・・・下部金属層、３・
・・上部金属層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被めっき材としてのマグネシウム合金の表面に真空
蒸着、スパッタリング又はイオンプレーテングのいずれ
かの手段を用いて下部金属層を形成する工程と、この下
部金属層上に電解或いは無電解めっき法を用いて所要の
上部金属層を形成する工程を含むことを特徴とするめっ
き方法。 ２、上部金属層は金、銀、銅等の被抵抗の小さい金属か
らなる特許請求の範囲第１項記載のめっき方法。 ３、下部金属層はマグネシウム合金と上部金属層との結
合を強固にする材質からなる特許請求の範囲第１項又は
第２項記載のめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23137285A JPS6293391A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23137285A JPS6293391A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | めつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293391A true JPS6293391A (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=16922586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23137285A Pending JPS6293391A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293391A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100261A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 金属表面への成膜方法 |
| WO2001023637A1 (fr) * | 1999-09-27 | 2001-04-05 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de depot autocatalytique |
| JP2002348679A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-12-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高耐食性Ｍｇ合金およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP23137285A patent/JPS6293391A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100261A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | 金属表面への成膜方法 |
| WO2001023637A1 (fr) * | 1999-09-27 | 2001-04-05 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de depot autocatalytique |
| US6841476B1 (en) | 1999-09-27 | 2005-01-11 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electroless plating method |
| CN100335679C (zh) * | 1999-09-27 | 2007-09-05 | 西铁城时计株式会社 | 化学镀膜方法 |
| JP2002348679A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-12-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 高耐食性Ｍｇ合金およびその製造方法 |
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