JPS629323A - 液晶素子の駆動方法 - Google Patents
液晶素子の駆動方法Info
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- JPS629323A JPS629323A JP14980285A JP14980285A JPS629323A JP S629323 A JPS629323 A JP S629323A JP 14980285 A JP14980285 A JP 14980285A JP 14980285 A JP14980285 A JP 14980285A JP S629323 A JPS629323 A JP S629323A
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- pulse
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶素子の駆動方法に係り、特に強誘電性スメ
クチック液晶を用いた液晶素子のマルチプレックス駆動
方法に関する。
クチック液晶を用いた液晶素子のマルチプレックス駆動
方法に関する。
液晶素子の駆動方法において、非選択期間内に信号電極
へ印加されるパルス電圧のうち、液晶素子のＯＮ、 Ｏ
ＦＦ状態の選択に関与しない電圧パルスを打ち消すよう
に走ｔＸ極に非選択期間内にも電圧パルスを印加するこ
とにより、非選択期間内に液晶層へ印加される電圧パル
スの個々のパルス幅を短くして、クロストークが発生し
なｉようＫしたものである。
へ印加されるパルス電圧のうち、液晶素子のＯＮ、 Ｏ
ＦＦ状態の選択に関与しない電圧パルスを打ち消すよう
に走ｔＸ極に非選択期間内にも電圧パルスを印加するこ
とにより、非選択期間内に液晶層へ印加される電圧パル
スの個々のパルス幅を短くして、クロストークが発生し
なｉようＫしたものである。
液晶素子の駆動方法としては、第２図（ハ）、 ＜ｂ）
。
。
（ｃ）に示すような波形の走査亀田と信号電圧を印加す
る方法がある。
る方法がある。
第１図に強誘電性スメクチック液晶紫子のパルス電圧に
対する光学的応答を示す。ここで、波高値Ｖｓｏｆｆパ
ルス幅ｔ・のパルス電圧に対する飽和１１に電圧でおり
、Ｖｔｈｏはしきめ値電圧とする。強訴Ｗ１注スメクチ
ック液晶は記憶効果を持っているため、第１図の区間１
〜■のようにある波高値を持つパルス電圧によっである
透過光状態が選択された後、しきい値電圧”Ｉｔｈｏ
ＩＪ、上のパルス電圧が印加されるまで、その透過光状
態が保持される。しかし、強誘電性スメクチック液晶の
しきい値電圧はパルス電圧のパルス幅が長いほど小さく
なるため、箒１図の区間■のようにパルス幅ｔｌｃ＞ｔ
ｏ）のパルス電圧が印加された場合、その波高値がＶｔ
ｈｏより小さくても透過光状態が変化してしまう場合が
ある。
対する光学的応答を示す。ここで、波高値Ｖｓｏｆｆパ
ルス幅ｔ・のパルス電圧に対する飽和１１に電圧でおり
、Ｖｔｈｏはしきめ値電圧とする。強訴Ｗ１注スメクチ
ック液晶は記憶効果を持っているため、第１図の区間１
〜■のようにある波高値を持つパルス電圧によっである
透過光状態が選択された後、しきい値電圧”Ｉｔｈｏ
ＩＪ、上のパルス電圧が印加されるまで、その透過光状
態が保持される。しかし、強誘電性スメクチック液晶の
しきい値電圧はパルス電圧のパルス幅が長いほど小さく
なるため、箒１図の区間■のようにパルス幅ｔｌｃ＞ｔ
ｏ）のパルス電圧が印加された場合、その波高値がＶｔ
ｈｏより小さくても透過光状態が変化してしまう場合が
ある。
従来の駆動方法における走査電圧と信号電圧の合成波形
を諺２図に示す。第２図Ｇ）においては、表示パターン
によっては非選択時に直流電圧が印加される場合がある
。強誘電性スメクチック液晶のしきい電圧は前記のよう
に屯田パルス幅が長くなるにしたがって低くなるため、
非選択期間内に印加されるパルス幅の長い電圧パルスに
応答してしまい、ＯＮ −０ＦＩＩ’ 状態間のコン
トラスト比が低下することになる。
を諺２図に示す。第２図Ｇ）においては、表示パターン
によっては非選択時に直流電圧が印加される場合がある
。強誘電性スメクチック液晶のしきい電圧は前記のよう
に屯田パルス幅が長くなるにしたがって低くなるため、
非選択期間内に印加されるパルス幅の長い電圧パルスに
応答してしまい、ＯＮ −０ＦＩＩ’ 状態間のコン
トラスト比が低下することになる。
第２図（６） 、 （ｃ）においては上記の間９点はか
なり改善されているが、この場合でも非選択期間内にパ
ルス幅の長−電圧パルスが印加されているので、しきい
特注の急峻性が悪ければそのパルス電圧に応答してコン
トラスト比が低下することになる。
なり改善されているが、この場合でも非選択期間内にパ
ルス幅の長−電圧パルスが印加されているので、しきい
特注の急峻性が悪ければそのパルス電圧に応答してコン
トラスト比が低下することになる。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
非選択期間内にパルス幅の長いパルス電圧が印加されな
＾ようにしてコントラスト比の低下を防ぐことのできる
マルチプレックス駆動方法を提供することにある。
非選択期間内にパルス幅の長いパルス電圧が印加されな
＾ようにしてコントラスト比の低下を防ぐことのできる
マルチプレックス駆動方法を提供することにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の液晶素子の駆動方法は一対の対向透明ｔｉ間に
強誘電性スメクチック液晶を挾持した液晶素子の走査Ｉ
ＥＩｆｆｌには選択期間内に波高値＋Ｖ１および−ｖ１
の電圧パルスを交互に正負正・・・の順に合計に個印加
し、信号ＩＥ［ｆｓには前記走査電極に印加される正負
パルス電圧と対応した位置に波高値＋Ｖ２および−ｖ２
のパルス電圧を交互に正負正・・・（負正負・・・）の
順に合計に一２個（ｋ−１個）印加し、その後の電圧を
＋Ｖ２又は−Ｖ！とすることによって液晶素子のｏｎ、
ｏｆｆ状態を選択するマルチプレックス駆動方法にお
＾て、非選択期間内に信号［４１へ印加されるパルス電
圧のうち液晶素子のＯＮ、 ＯＦＦ状態の選択に関与し
ない波高値±Ｖ２のパルス電圧と同期した波高値＋Ｖ、
および−Ｖ！のパルス電圧を走査！１Ｍへ非選択期間内
にも印加し、それ以外の時間は走査紙圧がＯｖであるこ
とを￥ｊ敵とする。
強誘電性スメクチック液晶を挾持した液晶素子の走査Ｉ
ＥＩｆｆｌには選択期間内に波高値＋Ｖ１および−ｖ１
の電圧パルスを交互に正負正・・・の順に合計に個印加
し、信号ＩＥ［ｆｓには前記走査電極に印加される正負
パルス電圧と対応した位置に波高値＋Ｖ２および−ｖ２
のパルス電圧を交互に正負正・・・（負正負・・・）の
順に合計に一２個（ｋ−１個）印加し、その後の電圧を
＋Ｖ２又は−Ｖ！とすることによって液晶素子のｏｎ、
ｏｆｆ状態を選択するマルチプレックス駆動方法にお
＾て、非選択期間内に信号［４１へ印加されるパルス電
圧のうち液晶素子のＯＮ、 ＯＦＦ状態の選択に関与し
ない波高値±Ｖ２のパルス電圧と同期した波高値＋Ｖ、
および−Ｖ！のパルス電圧を走査！１Ｍへ非選択期間内
にも印加し、それ以外の時間は走査紙圧がＯｖであるこ
とを￥ｊ敵とする。
（ｌｊ！施例〕
嬉３図に本実施例で使用した液晶素子の断面図を示す、
２枚のガラス基板１１の上にストライプ状の透明Ｒ１極
１２を設け、上下のストライプ状透明磁甑が格子を形成
するように２枚のガラス基板を重ねあわせる。１３はＢ
ｉｏ ２等の絶縁膜であり、１４は偏光板、１５はスペ
ーサーである。液晶材料１６としてＭＥＲＡ−８を使用
した。１７は配向制御膜であり、ポリイミド、ナイロン
ｊｐｖＡ’ｌ塗布し、ラビングを施しである。
２枚のガラス基板１１の上にストライプ状の透明Ｒ１極
１２を設け、上下のストライプ状透明磁甑が格子を形成
するように２枚のガラス基板を重ねあわせる。１３はＢ
ｉｏ ２等の絶縁膜であり、１４は偏光板、１５はスペ
ーサーである。液晶材料１６としてＭＥＲＡ−８を使用
した。１７は配向制御膜であり、ポリイミド、ナイロン
ｊｐｖＡ’ｌ塗布し、ラビングを施しである。
第４図に嬉１の実施例を示す。選択時間、非選択時間は
それぞれｔｌ、ｔ、であり、窮４図（ロ）＞ 、 ＜ｂ
＞、（Ｃ）はそれぞれ走査電圧、信号電圧およびそれら
の合成波形である。選択時には走査冠部にパルス幅ｔｓ
／ｋ （＠ ４ 図テはに＝４）、波高値上ＶｓＯパ
ルス耽圧を正負圧・・・の順にに個印加し、信号電極に
はパルス幅ｔ１７ｋｓ波高値±Ｖ！のパルス電圧を負正
負・・・の順に（ｋ −１） ｆＩｌｌ印加する。
それぞれｔｌ、ｔ、であり、窮４図（ロ）＞ 、 ＜ｂ
＞、（Ｃ）はそれぞれ走査電圧、信号電圧およびそれら
の合成波形である。選択時には走査冠部にパルス幅ｔｓ
／ｋ （＠ ４ 図テはに＝４）、波高値上ＶｓＯパ
ルス耽圧を正負圧・・・の順にに個印加し、信号電極に
はパルス幅ｔ１７ｋｓ波高値±Ｖ！のパルス電圧を負正
負・・・の順に（ｋ −１） ｆＩｌｌ印加する。
そして、ｋ番めのパルス電圧の波高値を＋Ｖ−又は−Ｖ
！とすることによってＯＮ、 ＯＦＦを選択する。
！とすることによってＯＮ、 ＯＦＦを選択する。
信号ｔｔｉに印加されるに個のパルス電圧のうち１〜（
ｋ−１）番目のパルス電圧は液晶素子のＯＮ。
ｋ−１）番目のパルス電圧は液晶素子のＯＮ。
ＯＦＦの選択とは無関係であり、簗４図（ｂ）に示した
波形Ｖｄのようにその（ｋ−１）個Ｑパルス列はくり返
し印加されている。ここで１←Ｈトリーよ一１非選択時
の走査電圧が０７ならば１液晶層には窮２図（ｂ）に示
したような電圧波形が印加される。すなわち、非選択期
間内にはパルス幅３（ｔｘ／ｋ）Ｄパルス直圧が印加さ
れることになる。そこで、第４図（α）に示すように信
号電極に印加される（ｋ−１）個のパルス電圧？打ち消
すように信号ＩＥｆｆｉに非選択期間内も波高値上Ｖ、
、／＜ルス幅ｔ１／にのパルス電圧を印加すれば、液晶
層に印加される電圧波形は第４図（Ｃ）のようになり、
非選択期間内にはパルス幅ｔ １ ／にのパルス電圧が
ｔ１秒毎に印加されることになる。この駆動方法におい
て最大のコントラスト比を得るためには、ｖ１＋Ｖｚｆ
ＶｓＩｄ上とし、−Ｖｘ＋Ｖｉをｖｔｈμ下とすればよ
い。
波形Ｖｄのようにその（ｋ−１）個Ｑパルス列はくり返
し印加されている。ここで１←Ｈトリーよ一１非選択時
の走査電圧が０７ならば１液晶層には窮２図（ｂ）に示
したような電圧波形が印加される。すなわち、非選択期
間内にはパルス幅３（ｔｘ／ｋ）Ｄパルス直圧が印加さ
れることになる。そこで、第４図（α）に示すように信
号電極に印加される（ｋ−１）個のパルス電圧？打ち消
すように信号ＩＥｆｆｉに非選択期間内も波高値上Ｖ、
、／＜ルス幅ｔ１／にのパルス電圧を印加すれば、液晶
層に印加される電圧波形は第４図（Ｃ）のようになり、
非選択期間内にはパルス幅ｔ １ ／にのパルス電圧が
ｔ１秒毎に印加されることになる。この駆動方法におい
て最大のコントラスト比を得るためには、ｖ１＋Ｖｚｆ
ＶｓＩｄ上とし、−Ｖｘ＋Ｖｉをｖｔｈμ下とすればよ
い。
たソし、■８．ｖｔんはパルス幅ｔ ｌ ／ｋに対する
飽和（ｖＬ！圧およびしきい筐亀圧である。
飽和（ｖＬ！圧およびしきい筐亀圧である。
ｔ１＝ ２００ｔｉｓｅｃ、 ｋ＝ ４ 、 Ｖ１＝
１２Ｖ、 Ｖ２＝ ３Ｖ（！：して、液晶素子の厚さ０
．６μｍ１画素数１００ Ｘ １００の液晶素子を駆動
したところ、コントラスト１：１６の良好な画像が得ら
れた。
１２Ｖ、 Ｖ２＝ ３Ｖ（！：して、液晶素子の厚さ０
．６μｍ１画素数１００ Ｘ １００の液晶素子を駆動
したところ、コントラスト１：１６の良好な画像が得ら
れた。
第５図に第２の実施例を示す。ここでは選択時に一走査
眠甑にパルス幅ｈ／ｋ（酵５図ではに＝４）波高値±Ｖ
ｌのパルス電圧を正負正時・・の順にに個印加し、信号
Ｉｎには第１の実施例とは異なり正負正・Φ・の順に（
ｋ−２）個印加する。
眠甑にパルス幅ｈ／ｋ（酵５図ではに＝４）波高値±Ｖ
ｌのパルス電圧を正負正時・・の順にに個印加し、信号
Ｉｎには第１の実施例とは異なり正負正・Φ・の順に（
ｋ−２）個印加する。
セしてに一１番目とに番目のパルス電圧の波高値を共に
＋Ｖ３又は−ｖ２とすることによってＯＮ。
＋Ｖ３又は−ｖ２とすることによってＯＮ。
ＯＦＦを選択する。この実施例においては１〜（ｋ−２
）番目のパルス重圧が液晶素子のＯＮ、 ＯＦＦの選択
とは無関係なので、走査電極には第５図（α）に示すよ
うに非選択時に（ｋ−２）個のパルス列をｔ１秒毎に印
加する。これによって非選択時に印加される電圧パルス
幅は第５図（ｃ）に示すように２（ｔｌ／ｋ）となり、
非選択時の走査電圧を０Ｖとした場合よりもそのパルス
幅が短くなる。
）番目のパルス重圧が液晶素子のＯＮ、 ＯＦＦの選択
とは無関係なので、走査電極には第５図（α）に示すよ
うに非選択時に（ｋ−２）個のパルス列をｔ１秒毎に印
加する。これによって非選択時に印加される電圧パルス
幅は第５図（ｃ）に示すように２（ｔｌ／ｋ）となり、
非選択時の走査電圧を０Ｖとした場合よりもそのパルス
幅が短くなる。
ｔｌ＝ １６０ａｓｅｃ、 ｋ＝ ４ 、７１＝−１５
Ｖ、 ７２： ４ｖ（！：して、液晶素子の厚さ０．８
μｍ１画素数１００ Ｘ １００の液晶素子を駆動した
ところ、コントラスト１：１８の良好な画像が得られた
。
Ｖ、 ７２： ４ｖ（！：して、液晶素子の厚さ０．８
μｍ１画素数１００ Ｘ １００の液晶素子を駆動した
ところ、コントラスト１：１８の良好な画像が得られた
。
第６図に第１の実施例の駆動波形を発生させる回路を示
す。２１はＡＮＤ 、２２はインノく一タ、２３はＮＯ
Ｒ、２４はＯＲ，２５はトランスミッションゲートであ
る。第７図は殖６図に示した回路のタイミングチャート
である。
す。２１はＡＮＤ 、２２はインノく一タ、２３はＮＯ
Ｒ、２４はＯＲ，２５はトランスミッションゲートであ
る。第７図は殖６図に示した回路のタイミングチャート
である。
以上述べたように、本発明によれば液晶層に非選択期間
内に印加されるパルス重圧のうち液晶素子のＯＮ、 Ｏ
ＦＦの選択とは無関係なパルス間圧を打ち消すように走
企亀甑に非選択期間にもパルス間圧を印加するので、液
晶層に非選択期間内に印加されるパルス電圧の幅が従来
より短くなる。そのため、クロストークによるコントラ
スト比の低下全従来より低くすることができ、表示品質
のよい高精細度大型ディスプレイを作成することができ
る。
内に印加されるパルス重圧のうち液晶素子のＯＮ、 Ｏ
ＦＦの選択とは無関係なパルス間圧を打ち消すように走
企亀甑に非選択期間にもパルス間圧を印加するので、液
晶層に非選択期間内に印加されるパルス電圧の幅が従来
より短くなる。そのため、クロストークによるコントラ
スト比の低下全従来より低くすることができ、表示品質
のよい高精細度大型ディスプレイを作成することができ
る。
図面のｒム〕単な説明
帆１図は強誘電性スメクチック液晶のしきい特注のパル
ス幅依存注を示す図、第２図（α）〜（ｃ）は従来の駆
動方法における走奔電王と信号電圧の合成波形図、第３
図は液晶素子の断面図、第４図（α）〜（ｃ）は嬉１の
実施例における駆動波形図、箒５図（α）〜（Ｃ）は窮
２の夷１！ｆＡ例における駆動波形図、第６図は嬉１の
実施例における駆動波形を発生させる回路図、酵７図は
第６図で示した駆動回路のタイミングチャート図である
。
ス幅依存注を示す図、第２図（α）〜（ｃ）は従来の駆
動方法における走奔電王と信号電圧の合成波形図、第３
図は液晶素子の断面図、第４図（α）〜（ｃ）は嬉１の
実施例における駆動波形図、箒５図（α）〜（Ｃ）は窮
２の夷１！ｆＡ例における駆動波形図、第６図は嬉１の
実施例における駆動波形を発生させる回路図、酵７図は
第６図で示した駆動回路のタイミングチャート図である
。
１１・・・ガラス基板
１２・・・透明！！隘
１３ ＠・・絶縁膜
１４・・・偏光板
１５１１・・スペーサー
１６・・・液晶
１７＠・・配向処理膜
２１・＊ −Ａ Ｎ Ｄゲート
２２−・・インバータ
２３１・Ｎ（ＪＲゲート
２４日・ＯＦゲート
２５−φΦトランスミッショングート
電幇浪９１目
一；、ｘ ２図
ｔｔ’１７’ｚｚ４ｔ％ｔ １ｆｌ １１＋ ５１ｔｆ
／１ｆｆｉ支１’電極ビｊ勅を声の５１災１シ目 輩＃ｊ＃；１１１ｉ梠工３）回路回 第６図 す わ 、馬Ｈｈｌｆｌ’レト＾９イミン７゛子、−ト巴第７図
／１ｆｆｉ支１’電極ビｊ勅を声の５１災１シ目 輩＃ｊ＃；１１１ｉ梠工３）回路回 第６図 す わ 、馬Ｈｈｌｆｌ’レト＾９イミン７゛子、−ト巴第７図
Claims (1)
- （１）一対の対向透明電極間に強誘電性スメクチツク液
晶を挾持した液晶素子の走査電極には選択期間内に波高
値＋Ｖ＿１および−Ｖ＿１の電圧パルスを交互に正負正
・・・の順に合計ｋ個印加し、信号電極には前記走査電
極に印加される正負パルス電圧と対応した位置に波高値
＋Ｖ＿２および−Ｖ＿２のパルス電圧を交互に正負正・
・・（負正負・・・）の順に合計ｋ−２個（ｋ−１個）
印加し、その後の電圧を＋Ｖ＿２又は−Ｖ＿２とするこ
とによつて液晶素子のｏｎ、ｏｆｆ状態を選択するマル
チプレツクス駆動方法において、非選択期間内に信号電
極へ印加されるパルス電圧のうち、液晶素子のｏｎ、ｏ
ｆｆ状態の選択に関与しない波高値±Ｖ＿２のパルス電
圧と同期した波高値＋Ｖ＿２および−Ｖ＿２のパルス電
圧を走査電極へ非選択期間内にも印加し、それ以外の時
間は走査電圧が０Ｖであることを特徴とする液晶素子の
駆動方法。 （たゞし、前記Ｖ＿１及びＶ＿２は正の実数で、Ｖ＿１
＋Ｖ＿２＞Ｖｔｈ、Ｖ＿１−Ｖ＿２≦Ｖｔｈ、Ｖ＿１≧
Ｖ＿２を満足する、Ｖｔｈは強誘電性スメクチツク液晶
のしきい電圧である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980285A JPS629323A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 液晶素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14980285A JPS629323A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 液晶素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629323A true JPS629323A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15483031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14980285A Pending JPS629323A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 液晶素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5470569A (en) * | 1985-02-05 | 1995-11-28 | Cetus Oncology Corporation | Recombinant colony stimulating factor-1 |
| US5573930A (en) * | 1985-02-05 | 1996-11-12 | Cetus Oncology Corporation | DNA encoding various forms of colony stimulating factor-1 |
| US6103224A (en) * | 1985-02-05 | 2000-08-15 | Chiron Corporation | N∇2 CSF-1 (short form) and carboxy truncated fragments thereof |
| US6156300A (en) * | 1985-02-05 | 2000-12-05 | Chiron Corporation | Point mutants of N∇2 CSF-1 and carboxy truncated fragments thereof |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP14980285A patent/JPS629323A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5470569A (en) * | 1985-02-05 | 1995-11-28 | Cetus Oncology Corporation | Recombinant colony stimulating factor-1 |
| US5573930A (en) * | 1985-02-05 | 1996-11-12 | Cetus Oncology Corporation | DNA encoding various forms of colony stimulating factor-1 |
| US5643563A (en) * | 1985-02-05 | 1997-07-01 | Chiron Corporation | N-∇3 deletion mutants of the short form of CSF-1 |
| US5672343A (en) * | 1985-02-05 | 1997-09-30 | Chiron Corporation | N- 3 deletion mutants of the long form of CSF-1 |
| US5681719A (en) * | 1985-02-05 | 1997-10-28 | Chiron Corporation | DNA encoding N- and C- terminally truncated colony stimulating factor-1 variants |
| US6103224A (en) * | 1985-02-05 | 2000-08-15 | Chiron Corporation | N∇2 CSF-1 (short form) and carboxy truncated fragments thereof |
| US6117422A (en) * | 1985-02-05 | 2000-09-12 | Chiron Corporation | N∇2-CSF-1(long form) and carboxy truncated fragments thereof |
| US6146851A (en) * | 1985-02-05 | 2000-11-14 | Chiron Corporation | DNA encoding NV2 (long form) and carboxy truncated fragments thereof |
| US6156300A (en) * | 1985-02-05 | 2000-12-05 | Chiron Corporation | Point mutants of N∇2 CSF-1 and carboxy truncated fragments thereof |
| US6204020B1 (en) | 1985-02-05 | 2001-03-20 | Chiron Corporation | DNA encoding N∇2 CSF-1 (short form) and carboxy truncated fragment thereof |
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