JPS6291466A - セラミツクコンデンサ−焼成用セツタ− - Google Patents
セラミツクコンデンサ−焼成用セツタ−Info
- Publication number
- JPS6291466A JPS6291466A JP60211171A JP21117185A JPS6291466A JP S6291466 A JPS6291466 A JP S6291466A JP 60211171 A JP60211171 A JP 60211171A JP 21117185 A JP21117185 A JP 21117185A JP S6291466 A JPS6291466 A JP S6291466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- setter
- spinel
- zirconia
- ceramic capacitor
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Vertical, Hearth, Or Arc Furnaces (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はチタン酸バリウムを主成分とするセラミックコ
ンデンサーを焼成する際に使用するセッターの耐用度を
向−1ニし、同時に重要特性である熱伝導率を向上した
ジルコニア(ZrO2)−マグネシア(MgO)−スピ
ネル(MgO−AI□03)質セッターに関する。
ンデンサーを焼成する際に使用するセッターの耐用度を
向−1ニし、同時に重要特性である熱伝導率を向上した
ジルコニア(ZrO2)−マグネシア(MgO)−スピ
ネル(MgO−AI□03)質セッターに関する。
[従来の技術・問題点]
チタン酸バリウムを主成分とするセラミックコンデンサ
ーは通常的1200 ℃〜1400℃で焼成されている
。セラミックコンデンサーの焼成に使用されるセッター
としてはA l 20 s質セッターが最も広く使用さ
れているが、チタン酸バリウムを焼成した時に生ずるB
a(1かAl2O,と焼成時に反応して融着するために
、BaOを含有する場合にはA I 2 (’) 3質
セツターは使用てきない。従って、チタン酸バリウムを
主成分どするセラミックコンデンサーを焼成する際のセ
ッターとしてはジルコニア質のものが使用されている。
ーは通常的1200 ℃〜1400℃で焼成されている
。セラミックコンデンサーの焼成に使用されるセッター
としてはA l 20 s質セッターが最も広く使用さ
れているが、チタン酸バリウムを焼成した時に生ずるB
a(1かAl2O,と焼成時に反応して融着するために
、BaOを含有する場合にはA I 2 (’) 3質
セツターは使用てきない。従って、チタン酸バリウムを
主成分どするセラミックコンデンサーを焼成する際のセ
ッターとしてはジルコニア質のものが使用されている。
ジルコニア質セッターは急激な温度変化に対しても割れ
難く、また反応融名もなく、30回またはそれl’J、
十の繰返し曲用にも耐え得る材質である。
難く、また反応融名もなく、30回またはそれl’J、
十の繰返し曲用にも耐え得る材質である。
しかし、それにもかかわらずジルコニア質セッターの廃
棄原因は主に温度変化の繰返しによる亀裂の発生、亀裂
の成長、割れというパターンによるものが多い。従って
、その耐用性向」二のために、セッター組織内部にある
程度の気孔を生成して亀裂の成長を抑えるという方向の
改良が進められている。
棄原因は主に温度変化の繰返しによる亀裂の発生、亀裂
の成長、割れというパターンによるものが多い。従って
、その耐用性向」二のために、セッター組織内部にある
程度の気孔を生成して亀裂の成長を抑えるという方向の
改良が進められている。
一方、ジルコニア質セッターの特性上の欠点は比重が大
きく重いため取り扱いに手間がががること、高価である
こと及び熱伝導率が低いこと等である。現在進められて
いるジノI:に−ア質センターの耐用度の改良方向は熱
伝導率を史に低くする方向にあり、耐用度白土と′l¥
月向1.の両h−を満7. tものとは言えない。
きく重いため取り扱いに手間がががること、高価である
こと及び熱伝導率が低いこと等である。現在進められて
いるジノI:に−ア質センターの耐用度の改良方向は熱
伝導率を史に低くする方向にあり、耐用度白土と′l¥
月向1.の両h−を満7. tものとは言えない。
本発明者らは耐用度を向L1〜、同時にジル−1エア質
セツターの有する欠点を改善する技術の開発に努め、本
発明を開発するに至った。
セツターの有する欠点を改善する技術の開発に努め、本
発明を開発するに至った。
[問題点を解決するための手段]
本発明はジル:1ニア10〜70重鼠%、マグネシア1
0〜70重196及びスピネル20〜50屯量%からな
るセラミックコンデンサー焼成用セッターを提供するに
ある。
0〜70重196及びスピネル20〜50屯量%からな
るセラミックコンデンサー焼成用セッターを提供するに
ある。
[作 用1
本発明は比重が大きく、熱伝導率が低く ll−、)高
価であるジルコニアを10〜70m敗部にどどめ、残部
をマグネ・シア10〜70重尾%及びスピネル20〜5
0重址qgからなる混合物で構成1〜ノ、二高熱伝導性
でセラミックコンデンザーとの反応融着かない高耐用性
セッターである。
価であるジルコニアを10〜70m敗部にどどめ、残部
をマグネ・シア10〜70重尾%及びスピネル20〜5
0重址qgからなる混合物で構成1〜ノ、二高熱伝導性
でセラミックコンデンザーとの反応融着かない高耐用性
セッターである。
本発明グ)第1の特徴は高温下て熱膨弓長の少ない41
ト1”(あるジルコニアに ジルコニアより熱115′
i張(′l)大きいスピネル・、史(、二熱膨張の大き
いマク本シアを苛11音ぜ゛CC繊織1勺の肪1引その
ミスマツチによV)徹ルヘーヤップを生成ゼし2めるこ
とにより熱衝撃に、l:る割れにえ[する抵抗1′1を
高めた点にある。
ト1”(あるジルコニアに ジルコニアより熱115′
i張(′l)大きいスピネル・、史(、二熱膨張の大き
いマク本シアを苛11音ぜ゛CC繊織1勺の肪1引その
ミスマツチによV)徹ルヘーヤップを生成ゼし2めるこ
とにより熱衝撃に、l:る割れにえ[する抵抗1′1を
高めた点にある。
また、本発明の第2(7)特徴は熱伝導率の向上にある
。マク本シア及びスピネルはジルコニアに比し高い熱伝
導率を有1〜でいる。従って、ジル′:1ニア(、:マ
グネシア及rλスピネルを組み合わぜることに41、り
従来、1: l’i熱伝導率の高いセッターを得ること
が可能になる。
。マク本シア及びスピネルはジルコニアに比し高い熱伝
導率を有1〜でいる。従って、ジル′:1ニア(、:マ
グネシア及rλスピネルを組み合わぜることに41、り
従来、1: l’i熱伝導率の高いセッターを得ること
が可能になる。
本発明の第3の特徴はチタン酸バリウムを主成分とする
セラミックー1ンテンザー中(7) B a Oとセッ
ターとの反応を抑制するため高融点り)原filである
ジルコニア、スピネル及びマグネシアを選定1. ?。
セラミックー1ンテンザー中(7) B a Oとセッ
ターとの反応を抑制するため高融点り)原filである
ジルコニア、スピネル及びマグネシアを選定1. ?。
点に+P+る。−L 3Iliの原料を紺み合わせるこ
とによってセッターの特性を改善てきることはI−述の
如くである。 本発明に使用するジルコニア原料はZ「
02を959g L;’を上台イjするものてあれば、
天然に?〆在゛づるパテライl−てあ−)ても、その他
の合成安定化ジルコニアであってもよい。マク本シアも
M、Oを95%1ユ圭音有する組成であればマグネ、シ
ア原F1として使用できる。スピネルはMgOどA1゜
03を05へ11゛1ト合有し、M、(−)/Al□O
3重星比が1/1〜1/3のものが好ま1〜い。
とによってセッターの特性を改善てきることはI−述の
如くである。 本発明に使用するジルコニア原料はZ「
02を959g L;’を上台イjするものてあれば、
天然に?〆在゛づるパテライl−てあ−)ても、その他
の合成安定化ジルコニアであってもよい。マク本シアも
M、Oを95%1ユ圭音有する組成であればマグネ、シ
ア原F1として使用できる。スピネルはMgOどA1゜
03を05へ11゛1ト合有し、M、(−)/Al□O
3重星比が1/1〜1/3のものが好ま1〜い。
ジルコニア、マグネ、シア及びスピネルの配合割合はジ
ルコニア10〜70 市ht%、マグネシア10〜70
重置%及びスピネル20〜50重kn %である。ジル
:1ニア原料の配合割合を10−、、70重敗%に限定
したのは、ジルコニアが10重ネタ、1未満であると高
温でBaO〜有セラミックコンデンサーとの反応を生ず
るために好ましくなく、また70重重量を超えると熱f
云導串の上てジルニアニア質セッターとの差異が明確に
現れないために好ましくない。
ルコニア10〜70 市ht%、マグネシア10〜70
重置%及びスピネル20〜50重kn %である。ジル
:1ニア原料の配合割合を10−、、70重敗%に限定
したのは、ジルコニアが10重ネタ、1未満であると高
温でBaO〜有セラミックコンデンサーとの反応を生ず
るために好ましくなく、また70重重量を超えると熱f
云導串の上てジルニアニア質セッターとの差異が明確に
現れないために好ましくない。
ジルコニアの残部を占めるマグネシアとスピネルの配合
割合はマグネシア10〜70重’1 %及びスピネル2
0〜50重量%である。スピネルの配合割合を20〜,
50重重址と限定したのは、スピネルがM gO、A
I20 +1よりなるものであるために、スピネ・ルの
配合割合が50重量%を超えて多量に4・ると、それに
件ってAl2O3合量も多くなり、1−i113の如く
チタン酸バリウムを主成分とするセラミックコンデンザ
ーとの反応が促進されるために好ましくなく、また20
重量%未満であると耐スポーリング性の改善効果が小さ
いために好ましくない。
割合はマグネシア10〜70重’1 %及びスピネル2
0〜50重量%である。スピネルの配合割合を20〜,
50重重址と限定したのは、スピネルがM gO、A
I20 +1よりなるものであるために、スピネ・ルの
配合割合が50重量%を超えて多量に4・ると、それに
件ってAl2O3合量も多くなり、1−i113の如く
チタン酸バリウムを主成分とするセラミックコンデンザ
ーとの反応が促進されるために好ましくなく、また20
重量%未満であると耐スポーリング性の改善効果が小さ
いために好ましくない。
なお、1゛J、下の第1表にジルコニア(ZrO2)、
マグネシア(M8.)及びスピネル(MgO−A I2
03)の品質特性を記載する: 実」1例− 95重量%以上の高純度マグネシアクリンカ−1Zr0
2含有#95重鼠%以りの天然パテライI・及びM、O
とAl2O3を95重置火以1合イjする合成スピネル
クリンカ−を便用原f゛1と12.21nIo1.′J
、下に粒度調整し、第2表に示す割合でRhしたものに
糖蜜バインダーを添加し、混練する。成形は一軸成形法
によって、] 50X 150X ] 0111111
の形状に成形後、1600°Cで焼成することによって
セラミックコンデンサー焼成用セッターを得な。
マグネシア(M8.)及びスピネル(MgO−A I2
03)の品質特性を記載する: 実」1例− 95重量%以上の高純度マグネシアクリンカ−1Zr0
2含有#95重鼠%以りの天然パテライI・及びM、O
とAl2O3を95重置火以1合イjする合成スピネル
クリンカ−を便用原f゛1と12.21nIo1.′J
、下に粒度調整し、第2表に示す割合でRhしたものに
糖蜜バインダーを添加し、混練する。成形は一軸成形法
によって、] 50X 150X ] 0111111
の形状に成形後、1600°Cで焼成することによって
セラミックコンデンサー焼成用セッターを得な。
得られたセッター材質の品質特性を従来品の品質特性と
共に第2表に併記する。
共に第2表に併記する。
品質特性試験方法
■反応融着性
チタン酸バリウノ\を201n111φX’3mmn形
状に成形し、それを1.50 X 1.50 X I
Om川の試験サンプルの上に9個乗−t!、電気炉に入
れて] 4fi O”(”に昇温後、温度を1400°
Cに3時間保持し、冷却後、取り出し、反応融着の有無
を調べる。
状に成形し、それを1.50 X 1.50 X I
Om川の試験サンプルの上に9個乗−t!、電気炉に入
れて] 4fi O”(”に昇温後、温度を1400°
Cに3時間保持し、冷却後、取り出し、反応融着の有無
を調べる。
■熱伝導率
一定温度(180℃)に保持したポットプレート1−に
2 5 +nfoX 2 5 +n+nX 1 0 m
mの形状に切り出しな試別を乗せ、100秒後の表面温
度を測定して相対比較を行なう。
2 5 +nfoX 2 5 +n+nX 1 0 m
mの形状に切り出しな試別を乗せ、100秒後の表面温
度を測定して相対比較を行なう。
σDIIli4スポーリング性
150+口mX 1. 5 0 mmX 1 0 +L
1mの形状の試料片を600℃に保持した電気炉に入れ
、1時間保持しt:後、炉外に取り出して1時間空冷す
る。このパターンを1サイクルとして反復1−、試料片
に亀裂か発生するまでの回数及び亀裂の程度を調査する
。
1mの形状の試料片を600℃に保持した電気炉に入れ
、1時間保持しt:後、炉外に取り出して1時間空冷す
る。このパターンを1サイクルとして反復1−、試料片
に亀裂か発生するまでの回数及び亀裂の程度を調査する
。
一〇一
実施例1〜5のセッター材質をチタン酸バリウムを主成
分とするセラミックコンデンサー焼成炉用セッターど[
、て使用した。実施例2、4及び5の材質を使用1−た
セッターは従来の耐用度平均30回に対して40回以上
使用することができた。
分とするセラミックコンデンサー焼成炉用セッターど[
、て使用した。実施例2、4及び5の材質を使用1−た
セッターは従来の耐用度平均30回に対して40回以上
使用することができた。
更に、これらを使用する場合、熱伝導率が高いため、従
来より焼成温度を20〜60℃下げても同様の焼成効果
が得られた。
来より焼成温度を20〜60℃下げても同様の焼成効果
が得られた。
[発明の効果]
本発明のセッター材質を使用したセラミックコンデンサ
ー焼成用セッターはジルコニア質セッターより熱伝導率
が低く、焼成温度を低下しても同様の焼成効果が得られ
、それに伴い焼成炉の損傷が小さくなり、また燃料原単
価を大幅に減少することができる。
ー焼成用セッターはジルコニア質セッターより熱伝導率
が低く、焼成温度を低下しても同様の焼成効果が得られ
、それに伴い焼成炉の損傷が小さくなり、また燃料原単
価を大幅に減少することができる。
特許出願人 品川白煉瓦株式会社
手続補IF書
昭和61年11月14[]
Claims (1)
- ジルコニア10〜70重量%、マグネシア10〜70重
量%及びスピネル20〜50重量%からなるセラミック
コンデンサー焼成用セッター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60211171A JPS6291466A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | セラミツクコンデンサ−焼成用セツタ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60211171A JPS6291466A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | セラミツクコンデンサ−焼成用セツタ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6291466A true JPS6291466A (ja) | 1987-04-25 |
JPH022823B2 JPH022823B2 (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=16601584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60211171A Granted JPS6291466A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | セラミツクコンデンサ−焼成用セツタ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6291466A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005187241A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 複合セラミックス及びそれを用いた固体電解質形燃料電池 |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60211171A patent/JPS6291466A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005187241A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 複合セラミックス及びそれを用いた固体電解質形燃料電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH022823B2 (ja) | 1990-01-19 |
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