JPS6291461A - 平滑平坦多結晶セラミツク基板とその製法 - Google Patents

平滑平坦多結晶セラミツク基板とその製法

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JPS6291461A
JPS6291461A JP61111835A JP11183586A JPS6291461A JP S6291461 A JPS6291461 A JP S6291461A JP 61111835 A JP61111835 A JP 61111835A JP 11183586 A JP11183586 A JP 11183586A JP S6291461 A JPS6291461 A JP S6291461A
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particles
less
alumina
ceramic body
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アニル ケー.アガーウォル
ロバート エー.ヘイ
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Saint Gobain Abrasives Inc
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Norton Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は一般的にはセラミックに関し、−・層特定的に
は非常に滑らかな表面をもつ高アルミナ体の能率的な製
造に関する。そのようなアルミナ体は、とくに薄くて平
らな時には、高信頼性用途での実用に適合する電子装置
を構成するための基板として特に価値がある。
〔従来の技術および発明が解決しようとする問題点〕
薄膜装置の広範囲に及ぶ商業的使用は、電気制御構成部
分の有効性が薄膜装置の付着する表面の不規1111性
によってそごなわれることがないように、高い表面平滑
性(特に表面空隙がないこと)、均質な小粒度表面微細
構造、高い平面度、及び高密度をもつ基板の入手可能性
に依存する。例えば、薄膜超小形電子回路におけるタン
タルコンデンサはほんの2〜31人の厚さをもっていて
もよい。
もしも54反表血が0.5μ(5000人)のあらさを
もつならば、表面のそのような変化を横りjるタンタル
層はかなり中断さ才するであノ)・う。たとえタンタル
膜が表面変化を横切って実際1連続し7ていたとしても
、タンクルがその期待大曲形状から逸脱し7ていると、
そのキャパシタンスを朋待稙からイ1為に変化さセて役
にたたない回路にしてしまうかもしれない。実際には約
10OnIIBi:での表面あらさが多くの場合に許容
できるが、特に、25 nmlシトの表面あらさが望ま
しい。
基板が上記回路の能動部品であるマイクr−1ストリッ
プ用途においては、基板本体の多孔1f1(これはそれ
の誘電特性に影響を及ばず)は−1−記回路の信頼性に
重要な役割を果たす。基板中の均一な気孔径分布はギガ
・\ルッ周波数範囲でその使用にとって必須である。
エレクトL3ニクス川途のためのアルミナ部品1−に適
切な表面平滑++を達成する一F段を考1&する際に、
ルビー及びサファイアのようなアルミナの本質的単結晶
形態と、より−・般的な用途をもつ(、するかに一般的
な多結晶体との間に重要な実際的な相違がある。普通に
はアルミナの単結晶形態は、結晶自体の自然特性によっ
て実質的に制御される形状で、溶融物から成長しなけれ
ばならない。その結晶を次いで機械加工して用途に所望
の形状にし、そしてその表面を磨き加工して平滑性の要
求される表面にすることができる。これらの及びその他
の理由により、アルミナの単結晶形態は比較的高価であ
る。
多結晶アルミナ体は一層安価であるので、それははるか
に一般的に用いられている。そのような多結晶アルミナ
体は、当該技術で周知の適切な結合剤と混合されている
アルミナ粉末を加圧成形するか又は注入成形し、次いで
その加圧成形した成型体を焼成してその粉末を緻密で緊
密に結合した多結晶体に焼結することによって、はとん
どの所望のどんな形状にも作ることができる。例えば、
ステソトソン(Stetson)及びジャーク(Gyu
rk)(以下におい−Cステソトソンと記載する)への
米国特許第3,678,923号に教示されているよう
に注意を払うならば、これらの多結晶体はしばしば焼成
したままの状態で用いることができる。もし一層大きな
平滑性が必要とされるならば、ジョンビー、スヌーク(
John B、 5nook)によって’As−Fir
ed vs、 Lapped−andPolished
 5ubstrates forThick−and 
Thin−Film 1lybrid C1rcuit
s  ”、Microelectron+c  Mar
HujgcturinB  qr++j−Testin
B  。
1983年10月、に論評されζいるように、ランプ(
−1上げ及び磨き仕上げ技術によっ“(得ることができ
る。スヌークの第1表に示されているように、多結晶基
板−1−の12nmのように低い平均表面平滑U+を達
成する能力にもかかわらずスヌークの第5図に示されて
いるように、表面十の比較的大きな微細孔の露出は依然
としてよく起こり、それで既に論じられている種類の困
難を引き起こしかねない。
更に、表面磨き仕上げは表面下の穴を除去することがで
きず、そしてランプ仕上げ及び磨き仕上げ法は長い時間
がかかりそして費用がかかりうる。
既に引用したステソトソンの参考文献にはその出願人目
携の発明の以前に彼等に公知の、直接焼成による滑らか
なエレクトロニクス用基板の調製における最新の有意の
進歩が記載されている。更にその特許明細書の第2欄4
3行〜第3欄8行には、表面平面度及び表面あらさの測
定の意義及び技術についての基本的な詳細が含まれてお
り、それらは参照室として本明細書に含まれるものとす
る。
本件出願においては、ステソトソンの場合と同様に、表
面あらさの測定値は中心線平均法又は算術平均(AA)
法に従って測定されたものとして与えられる。本明細書
に記載の表面あらさの測定は商業的に人手できる計測器
、即ち英国レスターのランク・ティラー・ホブソン社(
Rank−Taylor−11obson)から入手で
きるタリサーフ(Tallysurf)(これは±2.
5nmの精度をもつ)を用いて実施された。
ステソトソンの明細書には、焼成した時に約50〜90
nmの表面粗さをもつ連続した薄い基板を与えるように
テープ流延することのできるアルミナ粉末を達成するた
めに、その他の手段と共に、有機溶剤中での長々しい混
合を採用することが教示されている。そのような関係に
ついての説明はステソトソン又は本件出願人のいずれに
よっCも提供されていないが、ステラ)・ソンによって
開示されたグラフ、特にステラ1−ソンの第5A、5B
、6A及び6B図は、約50nmに漸近線をもつ漸近的
数学関数を強力に示唆している。理論的説明と共に又は
なしで、ステソトソンによって示されたデーターは、良
好な表面仕−にりの達成についてステソトソンによって
教示された主要技術である長時間の混合及び/又は低い
焼結温度の採用によって達成できる表面仕1−りの実際
的な限度は47〜50nmであることを非常に強力に示
している。この点に関して、ステソトソンの諸図面に示
された最長の混合時間を2倍にしても微粉砕アルミナ粉
末の表面積(及び多分、ステットソンによって教示され
たような表面仕上り)の測定可能な増加とはならなかっ
たという所見(ステソトソンの明細書第7欄59〜65
行)は特に意義がある。
ステソトソン及びその他の従来技術によって開示された
方法の特徴は、非礼質な最終焼成体を得るためにアルミ
ナ粉末の大きさの振り分けられ°ζいる混合物の使用を
要件としていることである。
ステットソンにより第3欄65〜66行で表現されてい
るように、“大粒子間の穴を充填するために小粒子が利
用できなければならない”。
微粒子濃密アルミナ体を得るその他の方法は、ダブリュ
ー エム ウェイルドン(W、M、Wheildon)
によりU9釦rn M凸−を偵因W、第2巻、111頁
(Academic、 Pressにより1960年に
発行された)に記載されているようなホットプレスによ
る方法である。そのような生産物を研削仕上げ及び磨き
仕」二げすることによって、非常に滑らかな平均表面仕
上りを達成することができる。しかしながら、その研削
仕上げ及び磨き仕上げの操作は粒子の抜は出し、従って
アルミナ体の粒度と少なくとも同じ大きさの表面中の欠
陥をもたらすことになる。
要するに、従来技術は表面あらさ50nmの水不浸透性
表面をもつセラミック基板を直接焼成によって得る方法
を教示している。しかしながら、その得られる基板はA
l1203についての理論密度3.97g / cJに
比べて比較的低い密度3.7g/cJをもつ(ステツ]
・ソンの明細書第12欄35〜40行)。
〔問題点を解決するだめの手段および作用効果〕25n
mのように微細な表面仕上り、0.4μ以下の平均粒度
、99.5%1ン上のアルミナ純度、及び少なくとも3
.9g/cJの嵩密度をもつ水不浸透性多結晶アルミナ
基板を直接焼成によって再現可能に達成できることが今
や見出だされた。これらの結果を達成するために、大き
さの振り分けられている粉末を用いるというステットソ
ン及びその他の従来技術の教示は完全に放棄された。そ
の代わりに、普通には幅0.3μ以下、好ましくは0.
2μ以下の粒度範囲をもつ狭い粒度分布のアルミナを、
慣用の手段による流延のためのスリップの調製にもちい
る。狭い粒度分布の′?ルミナ画分から作られたそのよ
うなスリップを焼成することによって得られる基板の表
面仕」ニリはその百分の粒度と直接に相関する。特に、
遠心分離された両分中のアルミナの粒度が0.1〜0.
3μであるならば、その表面仕上りは約40nmAAよ
りも粗くはなく、そL2である場合には30nmAAの
よ・うに低い。
いかなるアルミナ源も、当業界で周知の適した調製工程
及び粉砕工程を用いて適切な純度及び粒度分布にするこ
とによって、ここに記載すべき製品及び方法に用いるこ
とができる。ある場合には、従来技術から公知のアルミ
ナ用の粒成長抑制剤の1種を加えることが有益である。
全粉末重量の0.01〜0.3%のけのマグネシアが適
した抑制剤である。
商業的便宜と節約のために、通常の出発材料は商業的に
入手できる少なくとも11 %/gの表面積をもつ高純
度アルミナ粉末である。そのような粉末は種々の公知方
法によって調製することができる。記載すべき多くの加
工物に実際に使用されるj角した材!4は八Iumin
um Company of Americailによ
って供給されるタイプ Δ−163Gである。次いでこ
の粉末を従来技術で周知の技術、例えば、エム バリシ
ュ(M、 Parish)及びエッチケイ ボーウェン
01.に、Bor+en)によってNarrowS i
 z 1!旧5Lrihul、ion I’owder
s from CommercialCeramic 
 Powders  ″ Ceramics  1nL
ernational  。
75.10、n、2、+984に記載の技術によって処
理し7て狭い粒度分布のアルミ・J−を得る。従来技術
で一般的に認識されているように、適切な分散を達成し
且つ望ましくないアルミ−J・凝隼体の4成を避シlる
ために、狭い粒度の粉末を分散さ−Uている間解膠剤を
用いることが必要である。ステソi−ソンによって解説
され−ζいるものを含めて多くの解膠剤が許容できるが
、普通には魚油、p−ヒドロキシ安息香酸、又はグリセ
ロールトリオレエートが好ましい。解膠剤の使用置番4
アルミナ粉末の0.1〜1.0重量%である。
粒度範囲が最終基板に所望の表面平滑性に相当している
狭い粒度の粉末を含有する種々の両分をスリップ流延の
ために選択する。例えば、前記のパリシュの論文に記載
の技術によって0.1〜0.3μの粒度範囲がSIRさ
れるならば、焼成体の表血仕−トリは一般的に40nm
又はそれよりも良好である。0.5〜0.711の粒度
範囲が選IJ<されるならば、約80nmの焼成したま
まの表面仕上りとなるであろう。
化学法又は気相法によって直接に狭い粒度範囲で製造さ
れた粉末については、前記した分離及び粒度限定工程は
不必要であり、それで本発明は適切な粒度範囲内の受は
取ったままのこのタイプの粉末を直接に用いて実施する
ことができる。
上記の手段の1つによって得られた狭い粒度のアルミナ
粉末は混合のために適した液体中に懸濁させるべきであ
る。選ばれる液体は、争独で、又はその他の液体との適
した混合物として、有効な結合剤及びその結合剤に必要
な何等かの可塑削を溶解しそして後の流延後の乾燥段階
で容易に追放され得るものであるべきである。有機液体
は低粘度であり、高揮発性であり、そして一般的な結合
剤及び可便剤を溶解することができるので、有機液体が
一般的に好ましい。流延用スリップにおいては2種の液
体の混合物が単独液体よりもしばしば好ましい。何故な
らば、普通にはそのような混合物はそれらの構成成分よ
りも低い粘度をもつからである。その混合物の一成分が
その他の成分よりも先に追t1(されてしまう (この
ことは乾燥の際に困難を作り出すこともある)のを避け
るために、その選ばれた液体混合物は好ましくは共沸混
合物であるべきである。焼成の際その流延成形品中に存
在するいかなる水も通常は有害であるので、水を溶解し
そしてそのことによって乾燥の間の水の追放を促進する
ごとのできる有機液体又は有機液体混合物も好ましい。
特に好ましい液体混合物はl−ブタノ−=ル、2−プロ
パツール、及びキシ【5・ンからなる。
流延の際に用いられべき終局の液体混合物の総ての成分
が混合段階の間に存在すべきであることも好ましい。こ
のことは、微粉砕及び混合が本発明よりもかなり長時間
にわたって2つの別個のL程で起こるスデソトソンの教
示とは対照をなしている。
好ましい結合剤はポリビニルブチラールであるが、メタ
クリル酸メチル又はセルロースアセテートブチラールポ
リマーも用いることができる。ポリエチレングリコール
及びフタル酸ブチルベンジルは、結合剤100部当たり
50〜300部の比で可塑剤として好ましい。次いで混
合を0.5〜48時間続けるべきである。
ステソトソンによって教示されているような慣用のボー
ルミルに加えて、Sweco、 Inc、によって販売
されているSweco Model M−18のような
振動ミルが非常に有効な混合を与えることを我々は見出
だしている。いずれのタイプのミルを用いても、ステソ
トソンによって教示されている120〜250時間まで
の時間と著しく違って、僅かに0.5〜48時間の混合
が必要である。慣用の有m(例えば、ポリテトラフルオ
ロエチレン)又はセラミックの混合媒体が使用され、ボ
ランダムが好ましい。ボランダムの組成は約85%へ7
!203.12%SiO□、2%MgO1及び1%Ca
Oである。その特定の時間の混合の間に導入される量の
シリカ、マグネシア、及びカルシアは有害ではない;事
実、これらの物質は有意に存在するならば粒成長抑制剤
として役立つ。ステソトソンによって推奨されているタ
ルクのような追加の粒成長抑制剤について利益や必要件
がないことを我々は見出だし°ζいる。勿論、少量で存
在する時であっても、アルミナの焼結に有害であること
の知られている成分をもつ粉砕媒体は避けるべきである
狭い粒度のスラリーの用意に続いてスリップの慣用の脱
泡及びテープ流延、流延したシートの乾燥、及び最終の
焼成を行う。ある場合には、脱泡と流延との間に導入さ
れた解凝集工程が有益であると見出だされている。解凝
集は400メソシユスクリーンのような微細スクリーン
をim過さ−Uることによって、又はその他の慣用の技
術によって成就される。焼成温度1300〜1500℃
及び焼成時間0.25〜2時間が好ましい。
〔実施例〕
本発明の範囲は以下の実施例から更に認識できる。
実1例上 下記の組成をもつスラリーを調製した二以下余白 下記の組成をもつスラリーを調製した211皿 アルミナ            5811−ブタノー
ル          1542−プロパツール   
     73キシレン            73
ポリビニルブチラール      25グリセロールト
リオレエート    5フタル酸ブチルベンジル   
  49ポリエチレングリコール     40そのス
ラリーを前記の5iyeco M −18ミル中で直径
1.25co+のボランダム粉砕媒体を用いて6時間微
粉砕した。スラリーを作るのに用いたアルミナ粉末はそ
のアルミナ粒子の少な(とも90%が0.5〜0.8μ
の大きさのものであった。次いでそのスラリーを脱泡し
そして焼成厚0.67mmを与えるようにスリップ流延
した。その流延したテープを一晩乾燥しそして1500
℃で1時間焼結した。その生成基板は平らであり、そし
て密度3.9’ g / c+a、粒度1μ未満、表面
あらさ100〜125 amであった。焼成した表面の
走査電子顕微鏡写真を第1図に示す。
第2及び3図は、ステソトソンの技術によっ−(調製さ
れたと思われる、米国Materials Re5ea
rcbCorporationからの市販の基板の同様
な条イシ1トでのU4微鏡写真を示している。これらの
慣用の製品は一層大きな粒度をもっている。
実施例4− 用いたアルミナはその粒子の少なくとも90%が0.2
〜0.5μの粒度範囲内にあ−2た以外シl、実施例1
のスラリーと同様にしてスラリーを調製した。その他の
方法は実施例1と同じであった。焼成した生成基板の表
面構造を第4図に示す。粒度は0.5μ未満である。表
面平滑性は50〜75nmであった。
!Ji貫1 この実施例については、化学純度が99゜5%でありそ
して粒子の少なくとも90%が0.1〜0.3μの大き
さであるアルミナ粉末を用いた。その粉末を2−プロパ
ツールとグリセロールトリオレエートとの混合物中でこ
の範囲の大きさにした。この粉末600gを2−プロパ
ツール148.4 g、キシlノン]!]1.4g、及
び魚油解膠剤4.7gと共にスラリー化した。次いでこ
のスラリーに、別個に調製したポリビニルブチう−ル樹
脂結合剤27.4g、ポリ (エチレングリ:I−ル)
 ’iil製剤43.9g、及びフタル酸ブチル・\ン
ジル可塑剤53.7gの混合物を加えそして4時間混合
した。この時点でミルを開放し、14F+8 : 19
14の重量比の2−プロパツールとキシレンとの混合物
200m1を加えて有効な/に合のために粘度を371
節した。次いでミル中での混合を史に20時間続けた。
この混合の後、そのスラリーを1時間脱泡し、次いで4
00メソシユスクリーンを通してそれを解凝集さ1圭た
。その脱泡し解凝集したスラリーを、lクターブレード
ギャソプ0.75mmを用いてスリンプ流延し、その流
延成形物を、小さな表面ふくれさえも形成さゼるごとな
しに有機結合剤の遅いがしかし完全な排除を促進するた
めに、テープ流延によるエレクトロニクス基板の製作で
慣用の方法で、70〜100時間にわたって乾燥した。
乾燥の完了の後の最終焼結は1450°(:で15分間
であり、焼成したままの表向イ11す37.5  計2
.5 nm及び)立成したままの密度3.9 B / 
cJをもつ平らな414)Qが生じた。
実施例4一 実施例3に記載、と同じ方法及び出発粉末を用いたが、
しかしミル中での液体スラリーの最終m6時間を約48
時間に増加さI!るごとによって、1475°0で30
分間焼成された、平均表面イ1−1す30±2.5nm
の最終製品を得た。
本発明の実施をアルミナの使用によってi已として例示
してきたが、その他のセラミック粉末、例えばジルコニ
ア、炭化■[素、窒化珪素、窒化アルミニ1″7ム及び
複合体の基体を同様に調製する、二とができる。
【図面の簡単な説明】
第1〜4図は焼成したアルミナ)−&板の粒子構造を表
わす顕微鏡1j゛貞である。 以下余白 特d1出願人 ツートン カンパニー 1、鴇′1出願代理人

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、少なくとも99.5%の酸化アルミニウムを含む組
    成をもち、44nm以下の表面あらさをもち、そして研
    削剤仕上又は磨き仕上の結果として生じるような表面き
    ずのない、理論密度の少なくとも95%の薄くて、平ら
    で、非礼質のセラミック。 2、前記酸化アルミニウムがα−アルミナであり、密度
    が少なくとも3.9g/cm^3であり、主要両平面の
    平均粗さが44nm以下である、焼成したままの、薄く
    て、平らで、水不浸透性の多結晶セラミック体である特
    許請求の範囲第1項記載の多結晶セラミック体。 3、48時間の最終混合時間及び30±2.5nmの平
    均表面あらさをもつ、特許請求の範囲第1項記載の焼成
    したままの、薄くて、平らで、水不浸透性の多結晶セラ
    ミック体。 4、スラリー中のアルミナ粒子の少なくとも90%が0
    .3μ以下の大きさであり、そしてその粒子の98%が
    1μ未満の大きさである該スラリーからスリップ流延に
    よつて調製した乾燥未焼成セラミック体を1300〜1
    500℃の温度で0.25〜2時間焼成することによっ
    て製造された、特許請求の範囲第1項記載のセラミック
    体。 5、該スラリーのアルミナ分が0.4μ以下の粒子から
    なり、該粒子の90%が0.1〜0.3μの大きさをも
    っている、特許請求の範囲第4項記載のセラミック体。 6、セラミック粉末のスラリーをスリップ流延し、乾燥
    して未焼成基体とし、そして焼成して緊密に結合したセ
    ラミック基体とすることによる、薄くて、平らで、水不
    浸透性のセラミック基体の製法において、該スラリー中
    のセラミック粉末は、その粒子の少なくとも90%が0
    .3μ以下の大きさの範囲内にあり、そしてまたその粒
    子の98%が1μ未満の大きさであることを特徴とする
    製法。 7、スリップ流延の前に該スラリーを解凝集させる、特
    許請求の範囲第6項記載の製法。
JP61111835A 1985-10-15 1986-05-17 平滑平坦多結晶セラミツク基板とその製法 Pending JPS6291461A (ja)

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US787240 1985-10-15
US06/787,240 US4678762A (en) 1985-02-04 1985-10-15 Very smooth and flat polycrystalline alumina substrates from direct firing

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0323254A (ja) * 1989-06-19 1991-01-31 Kyocera Corp セラミック基板およびその製造方法
JPH03501780A (ja) * 1987-12-24 1991-04-18 ドイチエ トムソン‐ブラント ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ケーブル
WO1993024925A1 (en) * 1992-05-26 1993-12-09 Nihon Cememt Co., Ltd. Ceramic substrate and its manufacture, and substrate vacuum-clamping device using ceramic vacuum-clamping board

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