JPS6291013A - Piezoelectric filter and its manufacture - Google Patents

Piezoelectric filter and its manufacture

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JPS6291013A
JPS6291013A JP23054785A JP23054785A JPS6291013A JP S6291013 A JPS6291013 A JP S6291013A JP 23054785 A JP23054785 A JP 23054785A JP 23054785 A JP23054785 A JP 23054785A JP S6291013 A JPS6291013 A JP S6291013A
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JP
Japan
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electrode
film
electrodes
piezoelectric
lead
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JP23054785A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideto Ko
高 秀人
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the degree of filter design by constituting a part or all of lead electrodes by high resistance electrode film by means of the thick film print and constituting other electrodes except a part or all of the lead electrodes by low resistance electrode film. CONSTITUTION:A part or all of the 3rd lead electrodes 11a, 11b are constituted of high resistor electrode film by the thick print. Other electrode patterns except a part or all of the 3rd lead electrodes 11a, 11b are constituted of the low resistance electrode film. As resistors Ra, Rb of the 3rd lead electrodes 11a, 11b are increased, the group delay time characteristic is made flat, since the insertion loss is increased conversely, the value is set properly for the application. Further, since the 3rd lead electrodes 11a, 11b are formed by the thick film technology, the resistance trimming is applied in the forming process.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、圧電フィルタに係り、特に、エネルギー閉じ
込め型厚み振動モードを有する圧電フィルタに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a piezoelectric filter, and particularly to a piezoelectric filter having an energy-trapped thickness vibration mode.

〈従来の技術〉 一般に、この種の圧電フィルタとしては、例えばエネル
ギー閉じ込め型厚み振動モードを有するフィルタ部を2
段構成にして同一の圧電体基板上に形成し、両フィルタ
部を並列の結合容量を介して縦続接続したものが知られ
ている。
<Prior art> In general, this type of piezoelectric filter has two filter sections each having an energy-trapped thickness vibration mode, for example.
It is known that the filters are formed in a stage configuration on the same piezoelectric substrate, and both filter sections are cascade-connected via parallel coupling capacitances.

従来、このような構造の圧電フィルタにおける電極膜は
、通常、銀(Ag)や銅(Cu)等の低抵抗電極材料を
蒸着あるいは焼付は等することによって形成されている
。したがって、その電極膜の直流抵抗は殆ど0Ωに近い
値となっていた。
Conventionally, the electrode film in a piezoelectric filter having such a structure is usually formed by depositing or baking a low resistance electrode material such as silver (Ag) or copper (Cu). Therefore, the direct current resistance of the electrode film was almost a value close to 0Ω.

しかしながら、このような圧電フィルタを音質が重視さ
れるF”M受信賎等に使用すると、位相の直線性が悪く
なる。つまり、各フィルタ部を容量結合により集中化し
ていると、その総合特性として群遅延時間特性が平坦に
ならず振幅および位相特性に悪影響を及ぼすという間層
があった。
However, if such a piezoelectric filter is used in an F''M reception system where sound quality is important, the phase linearity will deteriorate.In other words, if each filter section is concentrated by capacitive coupling, its overall characteristics will be There was a problem in that the group delay time characteristics did not become flat, which adversely affected the amplitude and phase characteristics.

そこで、これの改善案と1.て、例えば特開昭54−8
9460号公報に示されるものが提案されている。この
本発明の先行技術となる改善案では、前記従来例と同等
の基本構成を有する圧電フィルタにおいて、接地側の振
動電極から外部引出電極の間で数Ω〜数十Ωの抵抗値を
持たせて、対称モードの共振はダンピングし、斜対称モ
ードの共振はダンピングしないようにすることにより、
群遅延時間特性を良好にして位相の直線性の向上を図っ
ている。
So, here are some suggestions for improving this: 1. For example, JP-A-54-8
The one shown in Japanese Patent No. 9460 has been proposed. In this improvement plan, which is the prior art of the present invention, in a piezoelectric filter having the same basic configuration as the conventional example, a resistance value of several ohms to several tens of ohms is created between the ground side vibrating electrode and the external extraction electrode. By damping the symmetric mode resonance and not damping the oblique symmetric mode resonance,
The group delay time characteristics are improved to improve phase linearity.

〈発明か解決しようとする問題点〉 上記改善例の圧電フィルタは、実際には前記振動電極か
ら外部引出電極間に抵抗を付加するために、圧電体基板
の母堪阪である基板ウェア・\−を、パターンマスクで
マスキングした後、モネルメタル等の高抵抗電極材料を
スパッタリンクして、リード電極を含む全電極パターン
を形成している。
<Problems to be Solved by the Invention> The piezoelectric filter of the above-mentioned improvement example actually uses a substrate ware, which is the base of the piezoelectric substrate, in order to add resistance between the vibrating electrode and the external lead electrode. - is masked with a pattern mask, and then a high resistance electrode material such as monel metal is sputter-linked to form the entire electrode pattern including the lead electrode.

ところか、このようにスパッタリングにより、電極パタ
ーンの全体をモネルメタル等で形成オろと、基板ウェハ
ー上の電極膜の抵抗値にばらつきか生しることは避けが
たく、したがってこの基板ウェハーから分割された個々
の圧電フィルタの特性にもばらつきか生してくるという
問題点がある。
However, when sputtering is used to form the entire electrode pattern using monel metal or the like, it is inevitable that variations in the resistance value of the electrode film on the substrate wafer will occur. There is also a problem in that variations occur in the characteristics of individual piezoelectric filters.

また、各圧電フィルタごとの個別的な抵抗値調整が不可
能であるため、良品率が低く、製造歩留りが悪い。更に
は、前述のモネルメタルは半田付は性が悪いため、これ
を素材として電極パターンを構成したものでは、該電極
パターン上の半田付けを要する部分に銀などの半田付は
性の良い材料を別に付加する必要があるなど、製造上、
解決すべき問題点が多い。
Furthermore, since it is impossible to individually adjust the resistance value of each piezoelectric filter, the rate of non-defective products is low and the manufacturing yield is poor. Furthermore, the Monel metal mentioned above has poor soldering properties, so if an electrode pattern is constructed using this material, it is difficult to solder the parts of the electrode pattern that require soldering using a material with good soldering properties, such as silver. Due to manufacturing reasons, such as the need to add
There are many problems that need to be resolved.

本発明はかかる従来の問題点に鑑み、遅延時間特性の均
一化を図ると共に、抵抗値の調整まfコは設定を容易に
することを第1の目的とし、このような圧電フィルタを
効率良く製造し得るようにすることを第2の目的とする
In view of these conventional problems, the primary purpose of the present invention is to equalize the delay time characteristics and to facilitate the setting of the resistance value adjustment. The second purpose is to enable manufacturing.

く問題点を解決するための手段〉 そこで、前記第1の目的を達成するために、第1の本発
明では、圧電体基板の少なくとも一方の主表面に形成さ
れたリード電極の一部または全部を厚膜印刷により高抵
抗電極膜で構成すると共に、このリード電極の一部また
は全部を除く、その他の電極を低抵抗電極膜で構成する
ものとしている。
Means for Solving the Problems> Therefore, in order to achieve the first object, in the first invention, part or all of the lead electrodes formed on at least one main surface of the piezoelectric substrate is made of a high-resistance electrode film by thick-film printing, and the other electrodes, excluding some or all of the lead electrodes, are made of low-resistance electrode films.

また、前記第2の目的を達成するために、第2の本発明
では、圧電用セラミック基板の主表面に、高抵抗電極膜
を厚膜印刷すると共に焼付処理してリード電極の一部ま
たは全部を形成した後、前記圧電体基板の主表面に低抵
抗電極膜を蒸着した後、分極処理し、更に、この低抵抗
電極膜上の必要な部分にエツチングレノスト膜を印刷形
成した後、前記低抵抗電極膜をエツチングにより除去し
て、前記エツチングレジスト膜に被覆された低抵抗電極
膜の残存部分により、前記リード電極の一部または全部
を除く、その他の電極を形成するようにした方法に特徴
を有するものである。
Further, in order to achieve the second object, in the second invention, a high resistance electrode film is thickly printed and baked on the main surface of the piezoelectric ceramic substrate to form part or all of the lead electrodes. After forming the piezoelectric substrate, a low resistance electrode film is deposited on the main surface of the piezoelectric substrate, followed by polarization treatment, and an etching lens nost film is printed on the required portions of the low resistance electrode film. A method in which the low resistance electrode film is removed by etching, and other electrodes excluding part or all of the lead electrode are formed using the remaining portion of the low resistance electrode film covered with the etching resist film. It has characteristics.

〈実施例〉 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
<Example> Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an example shown in the drawings.

第1図はこの実施例に係る圧電フィルタの拡大斜視図で
あり、第2図はその等価回路図である。
FIG. 1 is an enlarged perspective view of a piezoelectric filter according to this embodiment, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram thereof.

これらの図に示される圧電フィルタは、2段構成のエネ
ルギー閉じ込め型厚み振動モードのフィルタである。こ
のフィルタは、同一の圧電体基板2上に形成された2段
構成のフィルタ部L a、 1 bを備える。両フィル
タ部1 a、 1 bは並列の結合容量Cを介して縦続
接続されている。
The piezoelectric filter shown in these figures is a two-stage energy trap type thickness vibration mode filter. This filter includes two-stage filter sections L a and 1 b formed on the same piezoelectric substrate 2 . Both filter sections 1a and 1b are cascade-connected via a parallel coupling capacitor C.

圧電体基板2はチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする矩
形状のセラミック板を分極してなる。圧電体基板2の両
主表面2 a、 2 bのそれぞれに各フィルタ部1 
a、 l bの電極パターン3.4(斜線で示す)が形
成される。
The piezoelectric substrate 2 is formed by polarizing a rectangular ceramic plate whose main component is lead zirconate titanate. Each filter section 1 is provided on each of the main surfaces 2a and 2b of the piezoelectric substrate 2.
Electrode patterns 3.4 (indicated by diagonal lines) of a, lb are formed.

一方の電極パターン3は、各フィルタ部1a、1bごと
に形成された振動電極対5 a、 5 bと、各振動電
極対5 a、 5 b内の一方の振動電極5 a++ 
5112からそれぞれ引き出されたL形の第1リード電
極6a。
One electrode pattern 3 includes a vibrating electrode pair 5a, 5b formed for each filter part 1a, 1b, and one vibrating electrode 5a++ in each vibrating electrode pair 5a, 5b.
L-shaped first lead electrodes 6a each drawn out from 5112.

6bと、第1リード電極6 a、 6 bを介して圧電
体基板2の両端部にそれぞれ引き出された矩形状の外部
引出電極7 a、 7 bと、各振動電極対5 a、 
5 b内の他方の振動電極5 a2.5 b+から共通
に引き出されたT形の第2リード電極8と、第2リード
電極8を介して共通に引き出されたコンデンサ電極9と
で構成されている。
6b, rectangular external lead electrodes 7a, 7b drawn out to both ends of the piezoelectric substrate 2 via the first lead electrodes 6a, 6b, and each vibrating electrode pair 5a,
It consists of a T-shaped second lead electrode 8 drawn out in common from the other vibrating electrode 5 a2.5 b+ in 5 b, and a capacitor electrode 9 drawn out in common via the second lead electrode 8. There is.

他方の電極パターン4は、画題動電極対5a、5bそれ
ぞれと対向する共通の接地側振動電極10a。
The other electrode pattern 4 is a common ground-side vibrating electrode 10a facing each of the image moving electrode pairs 5a and 5b.

10bと、接地側振動電極10a、10bそれぞれから
引き出された第3リード電極11a、llbと、第3リ
ード電極11a、Ilbそれぞれを介して共通に引き出
され、前記コンデンサ電極9と対向する接地側コンデン
サ電極12とで構成されている。
10b, third lead electrodes 11a and llb drawn out from the ground side vibrating electrodes 10a and 10b, respectively, and a ground side capacitor that is commonly drawn out through the third lead electrodes 11a and Ilb and facing the capacitor electrode 9. It is composed of an electrode 12.

接地側コンデンサ電極12は外部引出電極を兼ねている
The ground side capacitor electrode 12 also serves as an external lead electrode.

このような基本構成を有する圧電フィルタにおいて、第
3リード電極11a、11bはその一部または全部を厚
膜印刷によって、高抵抗電極膜で構成されている。この
高抵抗電極膜の素材としては、例えば、銀−パラジウム
(Ag−Pd)系等の厚膜抵抗材料が使用される。また
、第3リード電極11a。
In the piezoelectric filter having such a basic configuration, the third lead electrodes 11a, 11b are partially or entirely formed of a high resistance electrode film by thick film printing. As a material for this high resistance electrode film, for example, a thick film resistance material such as silver-palladium (Ag-Pd) is used. Moreover, the third lead electrode 11a.

11bの一部または全部を除く、その他の電極パターン
部分は低抵抗電極膜で構成されている。この低抵抗電極
膜の素材としては、例えば、銀(Ag)、銅(Cu)等
の高導電性材料が使用される。
The other electrode pattern parts except for part or all of 11b are made of a low resistance electrode film. As a material for this low resistance electrode film, for example, a highly conductive material such as silver (Ag) or copper (Cu) is used.

このような構成の圧電フィルタは第2図に示すように、
等測的に、対称モードの共振のみがダンピングされ、斜
対称モードはダンピングされない。
A piezoelectric filter with such a configuration is shown in Fig. 2.
Isometrically, only the resonances of the symmetrical modes are damped, and the obliquely symmetrical modes are not damped.

この場合に、第3リード電極11a、llbの各抵抗R
a、Rhの値を大きくする程、群遅延時間特性が平坦化
して行くが、その反面、挿入損失も増大するため、使用
目的などにより適当に設定される。
In this case, each resistance R of the third lead electrodes 11a and llb
As the values of a and Rh become larger, the group delay time characteristics become flatter, but on the other hand, the insertion loss also increases, so they are set appropriately depending on the purpose of use.

また、第3リード電極11a、Ilbは厚膜印刷技術に
より形成されるものであるため、その形成過程で抵抗ト
リミングを行なうことができる。
Further, since the third lead electrodes 11a and Ilb are formed by thick film printing technology, resistance trimming can be performed during the formation process.

第3図ないし第9図は、それぞれ上記構成の圧電フィル
タの製造工程を工程順に説明する図である。
FIGS. 3 to 9 are diagrams illustrating the manufacturing process of the piezoelectric filter having the above structure in order of process.

■第1工程 第3図において、まず、館記圧電体基板2の母基板であ
る基板ウェハー13の裏側主表面2b上に高抵抗電極膜
(図中、網目で示す)を、第3リード電ill・・(こ
の場合の符号11は前記第3リード電極11a、llb
を総称する。)の一部または全部の繰り返しパターン上
に周知の厚膜印刷法により形成し、次いで、第3リード
電極11・・・を基板ウェハー13上に焼付処理する。
■First step In FIG. 3, first, a high resistance electrode film (indicated by mesh in the figure) is placed on the back main surface 2b of the substrate wafer 13, which is the mother substrate of the piezoelectric substrate 2. ill... (The code 11 in this case indicates the third lead electrode 11a, llb.
collectively referred to as ) on a part or all of the repeating pattern by a well-known thick film printing method, and then the third lead electrodes 11 . . . are baked onto the substrate wafer 13.

■第2工程 このようにして形成された各第3リード電極11・を必
要に応じて、第4図に示すように、レーザ一手段等によ
り、トリミングして、各第3リード電極11・・・の抵
抗値を調整する。第4図中、符号Tはトリミング部分を
示す。したがって、第3リード電極11  ・はその形
成過程において、個別的に抵抗値を調整することができ
るため、この基板ウェハー13から取り出された各圧電
フィルタの特性を均一化することが可能になる。
(2) Second step Each of the third lead electrodes 11 thus formed is trimmed, if necessary, using a laser or the like, as shown in FIG.・Adjust the resistance value. In FIG. 4, the symbol T indicates a trimming portion. Therefore, since the resistance value of the third lead electrode 11 can be individually adjusted during the formation process, it is possible to equalize the characteristics of each piezoelectric filter taken out from the substrate wafer 13.

■第3工程 第3リード電極11・・・の抵抗値調整が完了すると、
第5図に示すように、基板ウェハー13の前記裏側主表
面2b全面に低抵抗電極膜(斜線で示す)14を蒸着形
成する。この場合に、前記第3リード電極11は低抵抗
電極膜14に被覆された状態になっている。
■Third step When the resistance value adjustment of the third lead electrode 11... is completed,
As shown in FIG. 5, a low resistance electrode film (indicated by diagonal lines) 14 is formed by vapor deposition over the entire backside main surface 2b of the substrate wafer 13. As shown in FIG. In this case, the third lead electrode 11 is covered with the low resistance electrode film 14.

■第4工程 低抵抗電極膜14の形成後、基板ウェハー13の必要箇
所に分極処理を施し、次いで、第6図および第7図に示
すように、第3リード電極11・・・以外の電極パター
ン4の部分、すなわち接地側振動電極10(この場合の
符号10は10a、10bを総称する。)および接地側
コンデンサ電極12の形成位置上にエツチングレジスト
膜(2本斜線で示す)15を印刷形成する。
■Fourth step After forming the low resistance electrode film 14, polarization treatment is applied to the necessary parts of the substrate wafer 13, and then, as shown in FIGS. 6 and 7, electrodes other than the third lead electrode 11... An etching resist film (indicated by two diagonal lines) 15 is printed on the pattern 4, that is, on the formation position of the ground side vibrating electrode 10 (in this case, the reference numeral 10 collectively refers to 10a and 10b) and the ground side capacitor electrode 12. Form.

■第5工程 このようにしてエツチングレジスト膜I5を形成した後
、低抵抗電極膜14をエツチングにより除去したうえで
、更に、エツチングレジスト膜15を除去する。これに
よって、エツチングレジスト膜15に被覆されていた低
抵抗電極膜14の残存部分により、接地側振動1極10
および接地側コンデンサ電極12が形成される。
(5) Fifth step After forming the etching resist film I5 in this manner, the low resistance electrode film 14 is removed by etching, and then the etching resist film 15 is further removed. As a result, the remaining portion of the low resistance electrode film 14 that was covered with the etching resist film 15 causes one vibration pole 10 on the ground side.
And a ground side capacitor electrode 12 is formed.

また、基板ウェハー13の表側主表面2aに形成されろ
電極パターン3は、従来と同様に蒸着等によって形成す
ることができる。
Further, the electrode pattern 3 formed on the front main surface 2a of the substrate wafer 13 can be formed by vapor deposition or the like as in the conventional method.

以上のようにして、基板ウェハー13の両主表面に電極
パターン3.4を形成した後、該基板ウェハー13を各
圧電体基板2ごとに分断して、単体のフィルタを取り出
す。そして、各フィルタの外部引出電極7(この場合の
符号7は7a、7bを総称する。)および接地側コンデ
ンサ電極12にり−ド喘子を半田付けした後、それぞれ
の圧電体基板2を樹脂モールドにより外装して3端子型
の圧電フィルタを得る。
After forming the electrode patterns 3.4 on both main surfaces of the substrate wafer 13 in the manner described above, the substrate wafer 13 is divided into each piezoelectric substrate 2, and individual filters are taken out. After soldering the lead wire to the external lead electrode 7 (in this case, 7a and 7b are collectively referred to as 7a and 7b) and the ground side capacitor electrode 12 of each filter, each piezoelectric substrate 2 is attached to the resin. A three-terminal piezoelectric filter is obtained by encasing with a mold.

なお、本発明のフィルタ部の段数は、上記実施例に限定
されるものではなく、3段以上の多重モードフィルタに
も適用できることは勿論である。
It should be noted that the number of stages of the filter section of the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and it goes without saying that the present invention can also be applied to a multimode filter having three or more stages.

〈発明の効果〉 以上のように、第1の本発明によれば、圧電体基板の少
なくとも一方の主表面に形成されたリード電極の一部ま
たは全部を厚膜印il+により高抵抗電極膜で構成する
と共に、このリート電極の一部または全部を除く、その
他の電極を低抵抗電極膜で構成するものとしたので、リ
ード電極を形成する際に、電極膜のむらをなくすことか
できるうえ、広範囲にわたって平坦な群遅延時間特性を
有する圧電フィルタにおいて、そのリード電極の抵抗値
を自由に調整することができ、フィルタの設計自由度が
向上する。
<Effects of the Invention> As described above, according to the first invention, part or all of the lead electrodes formed on at least one main surface of the piezoelectric substrate are coated with a high resistance electrode film by thick film printing il+. At the same time, the other electrodes, excluding part or all of this lead electrode, are made of a low resistance electrode film, so when forming the lead electrode, it is possible to eliminate unevenness in the electrode film, and it can be applied over a wide range. In a piezoelectric filter having flat group delay time characteristics over a wide range, the resistance value of the lead electrode can be freely adjusted, and the degree of freedom in designing the filter is improved.

また、第2の本発明によれば、圧電用セラミック基板の
主表面に、高抵抗電極膜を厚膜印刷すると共に焼付処理
してリード電極の一部または全部を形成した後、前記圧
電体基板の主表面に低抵抗電極膜を蒸着した後、分極処
理し、更に、この低抵抗電極膜上の必要な部分にエツチ
ングレジスト膜を印刷形成した後、前記低抵抗電極膜を
エツチングにより除去して、前記エツチングレジスト膜
に被覆された低抵抗電極膜の残存部分により、前記リー
ド電極の一部または全部を除く、その他の電極を形成す
るようにしたので、例えば基板ウェハー上に形成した各
圧電フィルタのリード電極の抵抗値を、その形成段階に
おいて、個別的に調整することができる。したがって、
単泣数の圧電フィルタの群遅延時間特性の均一化を図る
ことが可能で、従来に比べて製造歩留りが格段に向上す
る。
Further, according to the second aspect of the present invention, after forming part or all of the lead electrodes by thickly printing and baking a high resistance electrode film on the main surface of the piezoelectric ceramic substrate, the piezoelectric ceramic substrate After depositing a low-resistance electrode film on the main surface of the electrode, polarization treatment is performed, and an etching resist film is printed on the required portions of the low-resistance electrode film, and then the low-resistance electrode film is removed by etching. Since the remaining portion of the low-resistance electrode film covered with the etching resist film forms other electrodes excluding part or all of the lead electrode, for example, each piezoelectric filter formed on the substrate wafer The resistance values of the lead electrodes can be individually adjusted during their formation. therefore,
It is possible to equalize the group delay time characteristics of piezoelectric filters with a single-crystal number, and the manufacturing yield is significantly improved compared to the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図ないし第9図は本発明の実施例を示し、第1図は
この実施例の拡大斜視図、第2図はその等価回路図、第
3図は第1工程を示す一部取出し斜視図、第4図は第2
工程を示す一部取出し斜視図、第5図は第3工程を示す
一部取出し斜視図、第6図は第4工程を示す一部取出し
斜視図、第7図は第6図における切断線■−■に沿う拡
大断面図、第8図は第5工程を示す一部取出斜視図、第
9図は第8図における切断線IX −IXに沿う拡大断
面図である。 2 圧電体基板、 5 a、 5 b・・振動電極対、 1 1 (11a、I  1b)−・・リード電極−1
2外部引出電極、 I5・・・エツチングレジスト膜。 出 願 人  株式会社 村田製作所 代  理  人   弁 理 士  岡  1) 和 
 秀第1図 5:孫Tp電糧 11:隼3リート電オb 第 2  図     12−n−坪馨剖コンY〉角【
慢第3区 第4図 第5図 第7図 第8図 第9図
1 to 9 show an embodiment of the present invention, FIG. 1 is an enlarged perspective view of this embodiment, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram thereof, and FIG. 3 is a partially taken out perspective view showing the first step. Figure 4 is the second
FIG. 5 is a partially taken-out perspective view showing the third step. FIG. 6 is a partially taken-out perspective view showing the fourth step. FIG. 7 is a partially taken-out perspective view showing the fourth step. FIG. 8 is an enlarged sectional view taken along section line IX-IX in FIG. 2 piezoelectric substrate, 5 a, 5 b... vibrating electrode pair, 1 1 (11a, I 1b)... lead electrode-1
2 External extraction electrode, I5... Etching resist film. Applicant Murata Manufacturing Co., Ltd. Representative Patent Attorney Oka 1) Kazu
Hide 1st figure 5: Son Tp electric food 11: Hayabusa 3 leet electric b 2nd figure 12-n-Tsubokai-con Y〉angle [
3rd ward, 4th figure, 5th figure, 7th figure, 8th figure, 9th figure

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)圧電体基板の両主表面に振動電極と外部引出電極
、および前記両電極間を接続するリード電極とを備えた
圧電フィルタにおいて、 前記少なくとも一方の主表面に形成されたリード電極の
一部または全部を厚膜印刷により高抵抗電極膜で構成す
ると共に、 このリード電極の一部または全部を除く、その他の電極
を低抵抗電極膜で構成したことを特徴とする圧電フィル
タ。
(1) In a piezoelectric filter including a vibrating electrode and an external extraction electrode on both main surfaces of a piezoelectric substrate, and a lead electrode connecting between the two electrodes, one of the lead electrodes formed on at least one main surface of the piezoelectric substrate is provided. What is claimed is: 1. A piezoelectric filter characterized in that part or all of the piezoelectric filter is made of a high resistance electrode film by thick film printing, and the other electrodes, excluding part or all of the lead electrode, are made of a low resistance electrode film.
(2)圧電用セラミック基板の主表面に、高抵抗電極膜
を厚膜印刷すると共に焼付処理してリード電極の一部ま
たは全部を形成した後、 前記圧電体基板の主表面に低抵抗電極膜を蒸着した後、
分極処理し、 更に、この低抵抗電極材料膜上の必要な部分にエッチン
グレジスト膜を印刷形成した後、前記低抵抗電極材料膜
をエッチングにより除去し、前記エッチングレジスト膜
に被覆された低抵抗電極材料膜の残存部分により、前記
リード電極の一部または全部を除く、その他の電極を形
成したことを特徴とする圧電フィルタの製造方法。
(2) After forming part or all of the lead electrodes by thickly printing and baking a high resistance electrode film on the main surface of the piezoelectric ceramic substrate, a low resistance electrode film is applied to the main surface of the piezoelectric substrate. After depositing
After performing polarization treatment and further printing and forming an etching resist film on the required portions on this low resistance electrode material film, the low resistance electrode material film is removed by etching, and the low resistance electrode covered with the etching resist film is removed. A method for manufacturing a piezoelectric filter, characterized in that other electrodes excluding part or all of the lead electrodes are formed using the remaining portion of the material film.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0344208A (en) * 1989-07-05 1991-02-26 Motorola Inc Quartz notch filter
JPH04255102A (en) * 1991-02-06 1992-09-10 Murata Mfg Co Ltd Manufacture of electronic component
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