JPS6284218U - - Google Patents

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JPS6284218U
JPS6284218U JP17521385U JP17521385U JPS6284218U JP S6284218 U JPS6284218 U JP S6284218U JP 17521385 U JP17521385 U JP 17521385U JP 17521385 U JP17521385 U JP 17521385U JP S6284218 U JPS6284218 U JP S6284218U
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drain
gate
effect transistor
bias
voltage generator
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JP17521385U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す図、第2図
は各部の電圧を示す図、第3図は従来の電界効果
型トランジスタ増幅器を示す図である。 図において、1はFET増幅器、2はFET、
3は高周波チヨーク、4はドレインバイアス異常
検出器、5はドレイン電圧発生器、6はドレイン
バイアスしや断器、7はゲート電圧発生器、8は
ゲートバイアス異常検出器、9,10は抵抗器、
11はエネルギバンクコンデンサ、12は放電用
抵抗器、13はコンデンサである。なお、各図中
符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高周波信号を増幅する電界効果型トランジスタ
    と、一定の正電圧を発生するドレイン電圧発生器
    と、その出力を上記電界効果型トランジスタのド
    レインに接続、またはしや断するドレインバイア
    スしや断器と、上記電界効果型トランジスタのド
    レインに接続されドレインバイアスの異常を検出
    し異常信号を上記ドレインバイアスしや断器に出
    力するドレインバイアス異常検出器と、一定負電
    圧を発生するゲート電圧発生器と、その出力に接
    続され上記ゲート電圧発生器から出力される負電
    圧の異常を検出し異常信号を上記ドレインバイア
    スしや断器に出力するゲートバイアス異常検出器
    と、上記ゲート電圧発生器の負電圧を分割し上記
    FETのゲートバイアスとする抵抗器と、上記ゲ
    ート電圧発生器の負電圧出力に接続されたコンデ
    ンサと、上記ゲート電圧発生器出力の負電圧が上
    記抵抗器により分割し得られたゲートバイアスを
    上記電界効果型トランジスタのゲートに印加する
    高周波チヨークと、上記電界効果型トランジスタ
    のドレイン、ソース間に接続されたエネルギバン
    クコンデンサと抵抗器からなることを特徴とする
    電界効果型トランジスタ増幅器。
JP17521385U 1985-11-14 1985-11-14 Pending JPS6284218U (ja)

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JP17521385U JPS6284218U (ja) 1985-11-14 1985-11-14

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JP17521385U JPS6284218U (ja) 1985-11-14 1985-11-14

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JPS6284218U true JPS6284218U (ja) 1987-05-29

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JP17521385U Pending JPS6284218U (ja) 1985-11-14 1985-11-14

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011146143A (ja) * 2010-01-12 2011-07-28 Panasonic Corp マイクロ波処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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