JPS6278747A - 光学式情報記憶担体 - Google Patents
光学式情報記憶担体Info
- Publication number
- JPS6278747A JPS6278747A JP60219893A JP21989385A JPS6278747A JP S6278747 A JPS6278747 A JP S6278747A JP 60219893 A JP60219893 A JP 60219893A JP 21989385 A JP21989385 A JP 21989385A JP S6278747 A JPS6278747 A JP S6278747A
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- Japan
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- layer
- reflectance
- thin film
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光ディスク等の光学的に情報を記録し、再生
する光学式情報記憶担体に関し、特に情報を記憶する光
記録層の構成に関するものである。
する光学式情報記憶担体に関し、特に情報を記憶する光
記録層の構成に関するものである。
従来の技術
近年、レーザ光を用いて、情報を高密度に記録し、再生
する事のできる光メモリ装置が開発され、両会、文書、
データ等の大量の情報の蓄積に応用されている。この装
置は、レーザ光の照射によって状態の変化する光記憶材
料を記録層として用い、この記録層上に、高倍のレンズ
によってレーザ光を回折限界にまで絞り込み、情報の記
録・再生を行”なうものである。これにより、この装置
は１ｃＩ！当たり６０Ｈｂ ｉ ｔもの大量の情報を蓄
積でき、かつ非接触に情報の記録・再生を行なう事がで
き、今後、コンピュータの外部記憶装置としての応用が
期待されている。現在この光メモリ装置に用いるメモリ
担体としては、円盤状の光ディスクが最も広く用いられ
、さらに光カードも考えられている。
する事のできる光メモリ装置が開発され、両会、文書、
データ等の大量の情報の蓄積に応用されている。この装
置は、レーザ光の照射によって状態の変化する光記憶材
料を記録層として用い、この記録層上に、高倍のレンズ
によってレーザ光を回折限界にまで絞り込み、情報の記
録・再生を行”なうものである。これにより、この装置
は１ｃＩ！当たり６０Ｈｂ ｉ ｔもの大量の情報を蓄
積でき、かつ非接触に情報の記録・再生を行なう事がで
き、今後、コンピュータの外部記憶装置としての応用が
期待されている。現在この光メモリ装置に用いるメモリ
担体としては、円盤状の光ディスクが最も広く用いられ
、さらに光カードも考えられている。
前記光メモリ担体に用いられる光記憶材料゛としては、
Ｔｅ系の低融点金属や有機色素を用いた穴開は型の記録
材料、或いは光磁気膜や、Ｔｅ低酸化物薄膜等の相変化
型の記録材料等がある。特に、Ｔｅ低酸化物薄膜を記録
材料に用いた光メモリ担体は、感匪心良く、再生される
信号品１１も良好な為、画像ファイル、或いは支出ファ
イルとして商品化されている。この材料は、加熱によっ
て相変化を起こし、膜の屈折率や、吸収係数が変化し、
従って膜の反射率が変化する為、この反射率の変化によ
って情報を読み出そうとするものである。
Ｔｅ系の低融点金属や有機色素を用いた穴開は型の記録
材料、或いは光磁気膜や、Ｔｅ低酸化物薄膜等の相変化
型の記録材料等がある。特に、Ｔｅ低酸化物薄膜を記録
材料に用いた光メモリ担体は、感匪心良く、再生される
信号品１１も良好な為、画像ファイル、或いは支出ファ
イルとして商品化されている。この材料は、加熱によっ
て相変化を起こし、膜の屈折率や、吸収係数が変化し、
従って膜の反射率が変化する為、この反射率の変化によ
って情報を読み出そうとするものである。
このような■ｅ低酸イ＃Ｓ物薄膜を用いた従来の光学式
情報記憶担体について第３図〜第４図を用いて説明ブる
。第３図は従来の光学式情報記ｆｉｌ！担体の断面図で
、光学式情報記Ｗ担体１は、基板２と溝形成層３と情報
記録１１４と接着層５とから構成されている。前記光学
式情報記憶担体１への情報の記録は、レーザー光６をレ
ンズ７によって、トラック８の上に絞り込む事によって
行なわれる。
情報記憶担体について第３図〜第４図を用いて説明ブる
。第３図は従来の光学式情報記ｆｉｌ！担体の断面図で
、光学式情報記Ｗ担体１は、基板２と溝形成層３と情報
記録１１４と接着層５とから構成されている。前記光学
式情報記憶担体１への情報の記録は、レーザー光６をレ
ンズ７によって、トラック８の上に絞り込む事によって
行なわれる。
又、情報の再生も同様に、レンズ７によってトラック８
に絞り込まれた光スポットによってなされる。ここで、
情報記録時には、情報記録層４は、集光されたレーザ光
６の熱によって相変化を起こし、膜の屈折率、吸収係数
が変化し、従フて反射率の変化を起こす。第４図に情報
記録前後の反射率の波長特性を示す。第４図において、
記録の前後で反射率の波長特性が太い実線ｆａ）で承り
状態から実線（ｂ）で承り状態に変化プる為、実線（Ｃ
）で示す再生波長である８３０ｎｌＩの半導体レーク”
の波長では、反射率が増加した膜となる。従って情報の
記録によって反射率が１５％から２７％に変化するので
、この変化を読み取って、情報のｉｌＴ生がなされてい
る。
に絞り込まれた光スポットによってなされる。ここで、
情報記録時には、情報記録層４は、集光されたレーザ光
６の熱によって相変化を起こし、膜の屈折率、吸収係数
が変化し、従フて反射率の変化を起こす。第４図に情報
記録前後の反射率の波長特性を示す。第４図において、
記録の前後で反射率の波長特性が太い実線ｆａ）で承り
状態から実線（ｂ）で承り状態に変化プる為、実線（Ｃ
）で示す再生波長である８３０ｎｌＩの半導体レーク”
の波長では、反射率が増加した膜となる。従って情報の
記録によって反射率が１５％から２７％に変化するので
、この変化を読み取って、情報のｉｌＴ生がなされてい
る。
発明が解決しようどする問題点
しかしながら、上記従来の光学式情報記憶担体では、よ
り高密度に情報を記録しようとすると、隣り合うトラッ
ク間でクロストークを生じ、１〜ラツクピツチを１，６
μ踵より低下させ−るのが困難であった。
り高密度に情報を記録しようとすると、隣り合うトラッ
ク間でクロストークを生じ、１〜ラツクピツチを１，６
μ踵より低下させ−るのが困難であった。
本発明は上記従来の問題点を解消づるもので、より高密
度に情報を記録し、再生できる光学式情報記憶担体を提
供することを目的とする。
度に情報を記録し、再生できる光学式情報記憶担体を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の光学式情報記憶担
体は、基板と、この基板上に形成された、加熱によって
屈折率又は吸収係数が変化する第１および第２の′４４
層とを備え、前記第１の薄膜層と第２の薄膜層との間で
光の反射率の分光特性が互いに異なる構成としたもので
ある。
体は、基板と、この基板上に形成された、加熱によって
屈折率又は吸収係数が変化する第１および第２の′４４
層とを備え、前記第１の薄膜層と第２の薄膜層との間で
光の反射率の分光特性が互いに異なる構成としたもので
ある。
作用
上記構成によれば、分光特性の互いに異なる２つの薄ｒ
Ｊ層の各々情報記録層として用い、２つの波長で各々独
立に情報を再生することが【き、したがって隣接するト
ラック間で再生１６波長を交互に入れ代える事により、
狭い！・ラックピッチにしても、クロストークの少ない
信号再生を行なう事ができる。
Ｊ層の各々情報記録層として用い、２つの波長で各々独
立に情報を再生することが【き、したがって隣接するト
ラック間で再生１６波長を交互に入れ代える事により、
狭い！・ラックピッチにしても、クロストークの少ない
信号再生を行なう事ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図〜第２図に基づいて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例における光学式情報記ｆ１１
層の断面図で、１１は光学式情報記憶担体であり、この
光学式情報記憶担体１１は、基板１２と溝形成層１３と
第１の情報記録層１４ａと第２の情報記録層１４ｂと接
着層１５とにより構成されている。
層の断面図で、１１は光学式情報記憶担体であり、この
光学式情報記憶担体１１は、基板１２と溝形成層１３と
第１の情報記録層１４ａと第２の情報記録層１４ｂと接
着層１５とにより構成されている。
光学式情報記憶担体１１への情報の記録は、レーザ光ｔ
ｅａを、レンズ１７ａによりて第１のトラック１８ａ又
は第２のトラック１８ｂの上に絞り込む事によって行な
われる。一方、情報の再生は、第１のトラック１８ａの
情報の再生が、波長Ａのレーザ光１６ａをレンズ１７ａ
によりて絞り込んで得られる光スポットでなされるのに
対し、第２のトラック１８ｂの情報の再生は、レンズ１
７ｂによって絞り込まれる波長Ｂのレーザ光１６ｂによ
ってなされる。
ｅａを、レンズ１７ａによりて第１のトラック１８ａ又
は第２のトラック１８ｂの上に絞り込む事によって行な
われる。一方、情報の再生は、第１のトラック１８ａの
情報の再生が、波長Ａのレーザ光１６ａをレンズ１７ａ
によりて絞り込んで得られる光スポットでなされるのに
対し、第２のトラック１８ｂの情報の再生は、レンズ１
７ｂによって絞り込まれる波長Ｂのレーザ光１６ｂによ
ってなされる。
この時情報はは第１のトラック１８ａでは第１の肯報記
録１ｉ１１４ａに出かれているのに対し、第２の１〜ラ
ツク１８ｂでは第２の情報記録層１４ｂ １．：占かれ
ている。
録１ｉ１１４ａに出かれているのに対し、第２の１〜ラ
ツク１８ｂでは第２の情報記録層１４ｂ １．：占かれ
ている。
２つの情報記９層１４ａ 、 １４ｂの特性の違いを第
２図を用いて説明１−る。第２図において、（（Ｊ）は
第１の情報記録層１４ａの記録前の反射率の波長特性を
示す曲線、ｔｅ）は第１の情報記録層１４ａにｈ報を記
録した後の反射率の波長特性を示す′曲線、（ｆ）は第
２の情報記録層１４ｂの記録前の反射率の波長特性を示
ず曲線、（ｇ）は第２の情報記録層１４ｂに情報を記録
した後の反射率の波長特性を示す曲線である。
２図を用いて説明１−る。第２図において、（（Ｊ）は
第１の情報記録層１４ａの記録前の反射率の波長特性を
示す曲線、ｔｅ）は第１の情報記録層１４ａにｈ報を記
録した後の反射率の波長特性を示す′曲線、（ｆ）は第
２の情報記録層１４ｂの記録前の反射率の波長特性を示
ず曲線、（ｇ）は第２の情報記録層１４ｂに情報を記録
した後の反射率の波長特性を示す曲線である。
次に２つの情報記録層１４ａ 、 １４ｂよりの信ｑの
再生について説明する。第１の情報記８層１４ａよりの
情報の再生は、直線（ｈ）で示す波長Ａすなわち８３０
ｎ１１のレーザ光１６ａが用いられる。この波長に於い
て、第１の情報記録層１４ａは、情報の記録の前後で、
反射率が１５％から２７％に変化するのに対して、第２
の情報記録層１４ｂは反射率が１０％のままで変化して
いない。従って波長Ａのレーザ光１６ａで再生すると、
第１の情報記ａ層１４ａに書かれた情報のみが再生され
、第２の記録層１４ｂに内かれた情報は全く前記再生に
影響を及ぼさない。
再生について説明する。第１の情報記８層１４ａよりの
情報の再生は、直線（ｈ）で示す波長Ａすなわち８３０
ｎ１１のレーザ光１６ａが用いられる。この波長に於い
て、第１の情報記録層１４ａは、情報の記録の前後で、
反射率が１５％から２７％に変化するのに対して、第２
の情報記録層１４ｂは反射率が１０％のままで変化して
いない。従って波長Ａのレーザ光１６ａで再生すると、
第１の情報記ａ層１４ａに書かれた情報のみが再生され
、第２の記録層１４ｂに内かれた情報は全く前記再生に
影響を及ぼさない。
一方、第２の情報記９層１４ｂよりの情報の再生には、
直線（ｉ）で示す波長Ｂすなわち１．１μｍのレーザ光
１６ｂが使われる。この波長に於いて、第２の情報記録
層１４ｂは、情報の記録の前後で、反射率が３０％から
１５％に変化するのに対して、第１の情報記録層１４ａ
は反射率が１０％のままで変化していない。従って、波
長Ｂのレーザ光１６ｂで再生すると、第２の情報記録層
１４ｂに関かれた情報のみが再生され、第１の情報記録
層ｔ４ａに出かれた情報は、全く前記再生に影響を及ぼ
さない。このように、２つの情報記録層１４ａ 、 １
４ｂの情報の読み出し用に特に選定された波長Ａ及び波
長Ｂの２種類のレーザ光１６ａ 、 １６ｂを用いると
、互いに１つの情報記録層１４ａあるいは１４ｂからの
情報しか読み出さないため、情報を高密度に光学式情報
記・ｎ担体１１上に蓄ＨＡする事ができる。すなわち１
つのトラックで、第１の情報記録層１４ａに情報を記録
した場合には、前記トラックの両隣のトラックでは、第
２の情報記録１ｉ１１４ｂに情報を記録する。これを繰
り返して、トラック毎に２つの情報記録層１４ａ 、
１４ｂを交互に切り換えて記録を行ない、波長Ａ又は波
長Ｂのレーザ光１６ａまたは１６ｂで前記トラックを再
生すると、１トラツクおきにしか情報が記録されてない
ように見える。従ってトラック・ピッチを従来の１７２
の０．８μｍにしても、波長Ａ及び波長Ｂのレーザ光１
６ａ 、 １６ｂで再生すると、従来と同じトラックピ
ッチで情報が記録されている事になり、２倍の記録密度
を持った光学式情報記憶担体１１が実現されるわけであ
る。
直線（ｉ）で示す波長Ｂすなわち１．１μｍのレーザ光
１６ｂが使われる。この波長に於いて、第２の情報記録
層１４ｂは、情報の記録の前後で、反射率が３０％から
１５％に変化するのに対して、第１の情報記録層１４ａ
は反射率が１０％のままで変化していない。従って、波
長Ｂのレーザ光１６ｂで再生すると、第２の情報記録層
１４ｂに関かれた情報のみが再生され、第１の情報記録
層ｔ４ａに出かれた情報は、全く前記再生に影響を及ぼ
さない。このように、２つの情報記録層１４ａ 、 １
４ｂの情報の読み出し用に特に選定された波長Ａ及び波
長Ｂの２種類のレーザ光１６ａ 、 １６ｂを用いると
、互いに１つの情報記録層１４ａあるいは１４ｂからの
情報しか読み出さないため、情報を高密度に光学式情報
記・ｎ担体１１上に蓄ＨＡする事ができる。すなわち１
つのトラックで、第１の情報記録層１４ａに情報を記録
した場合には、前記トラックの両隣のトラックでは、第
２の情報記録１ｉ１１４ｂに情報を記録する。これを繰
り返して、トラック毎に２つの情報記録層１４ａ 、
１４ｂを交互に切り換えて記録を行ない、波長Ａ又は波
長Ｂのレーザ光１６ａまたは１６ｂで前記トラックを再
生すると、１トラツクおきにしか情報が記録されてない
ように見える。従ってトラック・ピッチを従来の１７２
の０．８μｍにしても、波長Ａ及び波長Ｂのレーザ光１
６ａ 、 １６ｂで再生すると、従来と同じトラックピ
ッチで情報が記録されている事になり、２倍の記録密度
を持った光学式情報記憶担体１１が実現されるわけであ
る。
以上のように本実施例によると、加熱によって屈折率又
は吸収係数が変化する第１の情報記録層１４ａと、同じ
く加熱によって屈折率又は吸収係数が変化する第２の情
報記録層１４ｂとを有し、第１の情報記録層１４ａと第
２の情報記録層１４ｂとの間で光の反射率の分光特性が
互いに異なり、かつ加熱の１１ｔＩ後において、第１の
情報記９層１４ａの反射率変化が０になる波長で、第２
の情報記録層１４ｂの反射率が変化し、しかも第２の情
報記録層１４ｂの反射率変化が０になる波長で、第１の
情報記録層１４ａの反射率が変化するように、構成した
ので、再生時に隣接１−ラックの影響がなく、より高密
位に情報の記録・再生を行なうことができる。
は吸収係数が変化する第１の情報記録層１４ａと、同じ
く加熱によって屈折率又は吸収係数が変化する第２の情
報記録層１４ｂとを有し、第１の情報記録層１４ａと第
２の情報記録層１４ｂとの間で光の反射率の分光特性が
互いに異なり、かつ加熱の１１ｔＩ後において、第１の
情報記９層１４ａの反射率変化が０になる波長で、第２
の情報記録層１４ｂの反射率が変化し、しかも第２の情
報記録層１４ｂの反射率変化が０になる波長で、第１の
情報記録層１４ａの反射率が変化するように、構成した
ので、再生時に隣接１−ラックの影響がなく、より高密
位に情報の記録・再生を行なうことができる。
なお、２つの情報記録層１４ａ 、 １４ｂへの情報の
記録には、波長Ａ及び波長Ｂのいずれの波長を用いても
よいが、より高い記録密度で情報を記録する為には、短
い方の波長、すなわち波長Ａで記録した方が良い。また
、本実施例では、情報の記録を、溝形成層１３のうち、
レンズ１７ａより見て凸になる部分にのみ行なっている
が、凸の部分では第１の情報記録層１４ａに情報を記録
し、凹の部分では第２の情報記録層１４ｂに情報を記＠
するようにしても良い。但しこの時のトラック・ピッチ
は、従来と同じ１．６μＩとする必要がある。また、本
実施例では、２つの情報記ａ層１４ａ 、 １４ｂに近
接しており、同時に２つの情報記録層１４ａ 、 １４
ｂに情報が記録されるが、２つの情報記録層１４ａ 、
１４ｂを光学式情報記憶担体１１の厚み方向に充分離
して、個々の情報記録層１４ａ 、 １４ｂに別々に情
報を記録するようにしてもよい。但しこの場合は、レン
ズによるレーデ光の集光位置を変えて記録・再生を行な
う必要がある。
記録には、波長Ａ及び波長Ｂのいずれの波長を用いても
よいが、より高い記録密度で情報を記録する為には、短
い方の波長、すなわち波長Ａで記録した方が良い。また
、本実施例では、情報の記録を、溝形成層１３のうち、
レンズ１７ａより見て凸になる部分にのみ行なっている
が、凸の部分では第１の情報記録層１４ａに情報を記録
し、凹の部分では第２の情報記録層１４ｂに情報を記＠
するようにしても良い。但しこの時のトラック・ピッチ
は、従来と同じ１．６μＩとする必要がある。また、本
実施例では、２つの情報記ａ層１４ａ 、 １４ｂに近
接しており、同時に２つの情報記録層１４ａ 、 １４
ｂに情報が記録されるが、２つの情報記録層１４ａ 、
１４ｂを光学式情報記憶担体１１の厚み方向に充分離
して、個々の情報記録層１４ａ 、 １４ｂに別々に情
報を記録するようにしてもよい。但しこの場合は、レン
ズによるレーデ光の集光位置を変えて記録・再生を行な
う必要がある。
なお、２つの分光特性の異なる・ｔｉ！ｉ報記録層１４
ａ。
ａ。
１４ｂは、躾の組成及び膜厚を制御する事により簡単に
作成する事ができる。
作成する事ができる。
発明の効果
以上述べたごとく本発明によれば、加熱によって屈折率
又は吸収係数が変化する第１及び第２の薄膜層を、第１
の薄膜層と第２の薄膜層との間で光の反射率の分光特性
が互いに異なるようにしたので、再生時における隣接ト
ラックからの影響が少なく、高密度で情報を記録・再生
することができる。
又は吸収係数が変化する第１及び第２の薄膜層を、第１
の薄膜層と第２の薄膜層との間で光の反射率の分光特性
が互いに異なるようにしたので、再生時における隣接ト
ラックからの影響が少なく、高密度で情報を記録・再生
することができる。
第１図は本発明の一実施例における光学式情報記憶担体
の四面図、第２図は回光学式情報記憶但ｆ本の情報記９
！層の特性説明図、第３図は従来の光学式情報記憶担体
の断面図、第４図は同光学式情報記憶担体の情報記録層
の特性説明図である。 １１・・・光学式情報記憶担体、１２・・・基板、１４
ａ・・・第１の情報記録層、１４ｂ・・・第２の情報記
録同代理人 森 本 義 弘 Ｎ／図 ／／−−一朽給青楓記逢担牛 １２−基板 ／々−和の稍幻賞ｌ 南−竿２・Ｔ４設パｒ層 第２図 （に） λ も ′Ｌ長 第３図
の四面図、第２図は回光学式情報記憶但ｆ本の情報記９
！層の特性説明図、第３図は従来の光学式情報記憶担体
の断面図、第４図は同光学式情報記憶担体の情報記録層
の特性説明図である。 １１・・・光学式情報記憶担体、１２・・・基板、１４
ａ・・・第１の情報記録層、１４ｂ・・・第２の情報記
録同代理人 森 本 義 弘 Ｎ／図 ／／−−一朽給青楓記逢担牛 １２−基板 ／々−和の稍幻賞ｌ 南−竿２・Ｔ４設パｒ層 第２図 （に） λ も ′Ｌ長 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板と、この基板上に形成された、加熱によって屈
折率又は吸収係数が変化する第１および第２の薄膜層と
を備え、前記第１の薄膜層と第２の薄膜層との間で光の
反射率の分光特性が互いに異なる構成とした光学式情報
記憶担体。 ２、第１及び第２の薄膜層は、加熱の前後において、第
１の薄膜層の反射率変化が０になる波長で、第２の薄膜
層の反射率が変化し、かつ第２の薄膜層の反射率変化が
０になる波長で、第１の薄膜層の反射率が変化する構成
とした特許請求の範囲第１項記載の光学式情報記憶担体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219893A JPS6278747A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 光学式情報記憶担体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219893A JPS6278747A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 光学式情報記憶担体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278747A true JPS6278747A (ja) | 1987-04-11 |
Family
ID=16742691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219893A Pending JPS6278747A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 光学式情報記憶担体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278747A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235637A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Toshiba Corp | 光情報記録媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186243A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Sony Corp | Information recording medium |
| JPS59127237A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-23 | Nec Corp | 高密度光記録装置 |
| JPS62124039A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Kishimoto Akira | 二重巻締罐の製法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219893A patent/JPS6278747A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186243A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Sony Corp | Information recording medium |
| JPS59127237A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-23 | Nec Corp | 高密度光記録装置 |
| JPS62124039A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Kishimoto Akira | 二重巻締罐の製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235637A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Toshiba Corp | 光情報記録媒体 |
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