JPS6276597A - Multilayer ceramic circuit substrate - Google Patents

Multilayer ceramic circuit substrate

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JPS6276597A
JPS6276597A JP21536185A JP21536185A JPS6276597A JP S6276597 A JPS6276597 A JP S6276597A JP 21536185 A JP21536185 A JP 21536185A JP 21536185 A JP21536185 A JP 21536185A JP S6276597 A JPS6276597 A JP S6276597A
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multilayer ceramic
nitride
ceramic
substrate
conductor
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嶋田 勇三
泰弘 黒川
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明(−多層セラミ、り配線基板に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a multilayer ceramic wiring board.

(従来技術とその問題点) 半等体技術の飛躍的な進展lこよって、IC,LSIが
産業用、民需用に幅広く便用されるよう番こなってさて
いる。
(Prior art and its problems) Due to the rapid progress of semi-isolated technology, ICs and LSIs are becoming widely used for industrial and civilian purposes.

特に集積密度の高い、高速作動のLSIの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミラフ基板Vi直接LSIを実装することができ微細
多重配線が可能である。
In particular, multilayer ceramic substrates are attracting attention as mounting substrates for high-speed operation LSIs with high integration density. LSI can be directly mounted on this multilayer ceramic rough substrate Vi, and fine multiple wiring is possible.

一般(こセラミック基板の材料としてぼ、王にアルミナ
が使用されているが、近年電気装置は一段と小型化され
、回路の高密度化が強く要求され。
Alumina is generally used as a material for ceramic substrates, but in recent years electrical devices have become smaller and there is a strong demand for higher circuit densities.

基板の単位面積当りの素子や回路要素の集積度が高くl
−6でいる。一方LSI/こおいてに、潤速作動を行な
うlこ従いチップから発生する熱が多@(こなってくる
傾向(こある。この結果、基板の発熱が大幅に増加し、
アルミナ基板では、熱の放牧性が十分ではないという問
題が生じている。その1こめ。
The degree of integration of elements and circuit elements per unit area of the board is high.
-6. On the other hand, as LSIs operate at high speeds, the heat generated from the chips tends to increase. As a result, the heat generated by the circuit board increases significantly.
A problem with alumina substrates is that they do not have sufficient thermal grazing properties. Part 1.

アルミナ基板よりも熱伝導率が大きく、熱の放牧だ 性に優れ1絶縁基版が必要になってきた。Thermal conductivity is greater than that of alumina substrates, allowing for heat grazing. An insulating base plate with excellent properties has become necessary.

そこで熱放散性lこ対して優れた材料として炭化ケイ素
とP主成分さしたセラミック基板が開発された(特開昭
57−180006号公報)。炭化ケイ素tゴそれ自体
電気的lこ半導体lこM[、、比抵抗が1〜10Ω・c
m程5度で電気絶骨性がないため、絶縁基板と1.てげ
用いることができない。また、災化ケイ累は軸転が高く
非常に・焼結しにくいので、通常焼結に際してに少1の
焼結助剤を添加し、高温で加圧するいわゆるホットプレ
ス法lこより作られる。この焼結助剤として酸化1ノベ
IJ IJウムや窒化ホウ素を用いると、焼結助剤効果
だけでなく、電気絶縁性に対しても有効で炭化ケイ素主
成分の焼結基板の比抵抗がlOΩ・α以上となる。しか
し、LSI等の実装基板ζこおいて重要な要因の1つで
ある誘11!率に1MHz で40と力・なり高く、添
加剤を加えた絶縁性も電圧が5v程度になると粒子間の
絶縁が@、激lこ低下するため耐電圧に対しても問題が
ある。
Therefore, a ceramic substrate containing silicon carbide and P as main components was developed as a material with excellent heat dissipation properties (Japanese Patent Application Laid-Open No. 180006/1983). Silicon carbide itself is an electrical semiconductor with a specific resistance of 1 to 10 Ω・c
Since there is no electrical strength at about 5 degrees, the insulating substrate and 1. I can't use it. In addition, because silica has a high axial rotation and is very difficult to sinter, it is usually produced by the so-called hot press method in which a small amount of sintering aid is added during sintering and pressurized at high temperature. When oxide or boron nitride is used as a sintering aid, it is effective not only for the sintering aid but also for electrical insulation, and the specific resistance of the sintered substrate mainly composed of silicon carbide is 10Ω.・It becomes more than α. However, the 11! The power rate is high, 40 at 1 MHz, and even with additive-added insulation, when the voltage reaches about 5 V, the insulation between particles drops drastically, which also poses a problem with withstand voltage.

又、BeO粉末を用いて多層セラミック基板を作成する
ことに可能であるが有毒性である為実用上困難な面がで
てくる。
Furthermore, although it is possible to create a multilayer ceramic substrate using BeO powder, it is difficult in practice due to its toxicity.

一万プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が大がかりlこなるは力・りでなく
、基板の形状も大面積化に困難でるり表面平滑性(こ対
しても問題が多い。さらlこ炭化ケイ素系を用いたセラ
ミック基板においてに、従来のグリーンシート法を用い
1こアルミナ多層セラミック基板技術を利用することに
プロセス的に極めて困難である。ここでいうグリーンシ
ート法多層セラミック基板技術とに次に示す技術である
。まずセラミック粉末を有機とヒクルとともに混合し、
スラリー化する。このスラリーをキャスティング製膜法
により10μ〉400μm程度の厚みを有するシート8
−有機フィルム上に形成する。該シートを所定の大@窟
に切断し、各層間の導通を得るためのスルーホールを形
成したのち、厚膜印刷IE、−こより所定の導体パター
ンを形成する。これらの各導体パターンを形成したセラ
ミッククリーンシートを積層プレスし、脱バインダ一工
程を経て焼成する。
10,000 From a process point of view, the hot press method must be applied, and the equipment is large-scale.In addition, the shape of the substrate is difficult to increase to a large area, and the surface smoothness is difficult to achieve. However, there are many problems in the process.It is extremely difficult to use the conventional green sheet method to use the single alumina multilayer ceramic substrate technology for ceramic substrates using silicon carbide. The sheet method multilayer ceramic substrate technology is as follows: First, ceramic powder is mixed with an organic material and a vehicle.
Make slurry. A sheet 8 having a thickness of about 10 μm>400 μm is formed by casting this slurry.
- Formed on an organic film. After cutting the sheet into predetermined large holes and forming through holes for obtaining electrical conduction between each layer, a predetermined conductive pattern is formed by thick film printing. The ceramic clean sheets on which each of these conductor patterns have been formed are laminated and pressed, subjected to a binder removal step, and then fired.

藏密度実装基根として具備すべき王な性質として□d、
 (1)電気特性に対して誘N1率が低く、誘電損失が
小さく、また電気絶縁性に優れていること、(2)機械
的強度が十分であること、(3)熱伝導性が高いこと、
(4)熱膨張係数がシリコンチップ等のそれlこ近いこ
と、(5)表面平滑性が優nていること、および(6)
高密度化が容易であること等が必要である。
□d is the main characteristic that should be possessed as a basis for density mounting.
(1) Low diN1, low dielectric loss, and excellent electrical insulation properties, (2) Sufficient mechanical strength, and (3) High thermal conductivity. ,
(4) The coefficient of thermal expansion is close to that of silicon chips, etc., (5) The surface smoothness is excellent, and (6)
It is necessary that the density can be increased easily.

こy−tらの基板性質全般に対して前述のセラミック基
&に決して十分なものであるとはいえない。
It cannot be said that the above-mentioned ceramic base is sufficient for the overall properties of these substrates.

一方、高熱伝導性基板の材料として窒化アルミニウムが
開発されている(特開昭59−50077号公報など)
。し力・しながらこの材料も高温で焼結しlけ几ばなら
ず、ホットプレス法lこよる作製方法が玉流aなってお
り、′1だ窒化アルミニウムを用いγこ多Jfj配線基
板(グ夫玩されてぃない(発明の目的) 本発明は、前述した従来のセラミメック配腺基板の欠点
を踪去せしめで熱伝導性の優れた、内部に導体を・角す
る高花′度、局熱体寺多尼・セラミック配線基板を提供
することにある、 (発明の構成) 本発明シこよれば、セラミックス構造体が窒化アルミニ
ウムを主成分とする多結晶体で構成さすし、得体層の主
成分が二種以上の窒化金属の混合物からなることを特徴
とする高熱伝導多層セラミック配線基板が得られる。
On the other hand, aluminum nitride has been developed as a material for highly thermally conductive substrates (Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-50077, etc.)
. However, this material cannot be sintered at high temperatures, and the manufacturing method that relies on hot pressing has become popular. (Objective of the Invention) The present invention eliminates the drawbacks of the conventional ceramic MEC gland wiring board mentioned above, and provides a high-temperature structure with a conductor inside, which has excellent thermal conductivity. (Structure of the Invention) According to the present invention, the ceramic structure is composed of a polycrystalline body mainly composed of aluminum nitride, and A highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board is obtained, the main component of which is a mixture of two or more metal nitrides.

(構成の詳細な説明) 本発明は、上述の構成をとることをこより従来技術の問
題点を解決した。
(Detailed Description of Configuration) The present invention solves the problems of the prior art by adopting the above-mentioned configuration.

1ず多1行セラミック基板を溝底する絶縁セラミックス
材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用いた
2この拐科は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密な
構造体を形成する。間熱伝導率を得るためlこは焼結体
の官有酸素量が少ない方が好さしくその為Aこ添加物と
して還元効果のある還元剤を入れることが好寸しい。
1. Aluminum nitride, which has high thermal conductivity, is used as the insulating ceramic material for the groove bottom of the multi-row ceramic substrate. 2. After firing, this ceramic material forms a dense structure of polycrystalline aluminum nitride. In order to obtain thermal conductivity, it is preferable that the amount of organic oxygen in the sintered body is small, and therefore it is preferable to add a reducing agent having a reducing effect as an additive.

欠−こ、導体層に関しては、窒化アルミニウムで榊灰で
れているセラミックス層に複数の電源層、グランド層お
よび4j!l細な信号線等の導体層を形成し、これらの
複数の導体層をセラミックス層中lこ設けたピアホール
を介して電気的に接続されている。
Regarding the conductor layer, there are multiple power supply layers, ground layers, and 4J! ceramic layers coated with aluminum nitride. A conductor layer such as a thin signal line is formed, and these conductor layers are electrically connected through peer holes provided in the ceramic layer.

したがって、実装基板の配線密度が非常1こ高め(実施
例) 以下本発明の実施例fこついて図面を参照して詳細に説
明する。
Therefore, the wiring density of the mounting board is very high by one (Embodiment) Embodiment F of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図に本発明による高熱伝導多層セラミック配線基板
の実施例を示す説明図である。IH絶縁セラミックス層
であり、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構
成されている。2は信号線および電源等の導体層であり
、二種以上の窒化金属の混合物を主成分として形成源れ
でおり、絶縁セラミックス層に形成されたピアホール3
を介して各層間を電気的4こ接続している。このように
構成されている多層セラミックス基板上に1LsIチ、
1がマウント出来るようζこダイパッド4およびボンテ
ィングパノド5が形成され、該実装基板外にイg号を取
り出したり、基板内へ信号を入れ1こりするための入出
力用バッド6が7板畳面ζこ形成されている。基板上イ
こマウントされたLSI チップから発生する熱をダイ
パッド4を介してセラミックス基板内へ拡散させる。セ
ラミック基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率
的に行なわれること正こなり、LSI  チップの発熱
による高温化を防止することができる。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board according to the present invention. This is an IH insulating ceramic layer, and the main component is polycrystalline aluminum nitride. 2 is a conductor layer for signal lines, power supply, etc., which is formed mainly from a mixture of two or more metal nitrides, and has a pier hole 3 formed in an insulating ceramic layer.
Four electrical connections are made between each layer via the . On the multilayer ceramic substrate configured in this way, 1LsI chip,
ζ die pad 4 and bonding panod 5 are formed so that 1 can be mounted, and 7 input/output pads 6 are formed to take out Ig from the mounting board and input/output signals into the board. It has a tatami surface. Heat generated from the LSI chip mounted on the substrate is diffused into the ceramic substrate via the die pad 4. The high thermal conductivity of the ceramic substrate allows for efficient heat diffusion and prevents the LSI chip from increasing in temperature due to heat generation.

本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりである。本
発明の基板を構成しているセラミックス材料とじてに、
窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加物としてC
aCJを混入させている。まず窒化アルミニウム粉末と
C:qCJ粉末とを秤1し、ボールミルにより有機溶媒
中での湿式混合を48時間行なった。
The method for manufacturing the wiring board of this example is as follows. As for the ceramic material constituting the substrate of the present invention,
C is added as an additive to improve the sinterability of aluminum nitride.
Contains aCJ. First, aluminum nitride powder and C:qCJ powder were weighed and wet mixed in an organic solvent using a ball mill for 48 hours.

この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとおもに溶媒中に分散し粘度3000〜70
00cpの範囲の泥漿そ作成する。該泥漿をキャスティ
ング製膜法lこより10μm〜200μm程度の均一な
厚みになるようfこ、有機フィルム上にグリーンシート
ラ作成する。
This mixed powder is dispersed in a solvent with an organic binder that is easily decomposed in a neutral atmosphere, such as polycaprolactone or polyacrylate resin, and the viscosity is 3000-70.
Creates a slurry in the range of 00 cp. The slurry is cast onto an organic film to form a green sheet so as to have a uniform thickness of about 10 to 200 μm using a casting film forming method.

次をここのグリーンシートを有機フィルムから剥離した
のち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを作
成する。ここで形成したピアホールに機械的にポンチお
よびダイを用いて打抜いたが他船こレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。
Next, after peeling this green sheet from the organic film, pier holes are created to electrically connect each layer. The pier holes formed here were punched out mechanically using a punch and die, but they can also be punched out by other methods such as laser machining.

ピアホールの形成されタグリーンシート上へ。Pier holes are formed on the tag green sheet.

g累算囲気あるいけ他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気
の下で焼成した際、二種以上の窒化金属の混合物となる
化合物を主成分とした導体ペーストをスクリーン印刷法
lこより所定の位WEこ所定のパターンを印刷する。こ
うして導体を印刷した各グリーンシートを所望の枚数積
層し加熱プレスする。
A conductor paste whose main component is a compound that becomes a mixture of two or more metal nitrides when fired in an ambient atmosphere or other neutral atmosphere or in a reducing atmosphere is printed on a predetermined area using a screen printing method. Print a predetermined pattern. A desired number of green sheets having conductors printed thereon are laminated and hot pressed.

その後必要な形状になるようlこカッターを用いて切断
し 1400℃〜2000℃の温度で非酸化性雰囲気中
で焼成する。焼成の際、その昇温過程で400°C〜6
00℃の温度で脱バインダーを充分に行なった。作成し
た試料fご用いた導体ペーストの組成を第1表4こ、ま
た試料の特性値を第2表に示す。
Thereafter, it is cut into the required shape using a square cutter and fired in a non-oxidizing atmosphere at a temperature of 1400°C to 2000°C. During firing, the temperature rises to 400°C to 6.
The binder was sufficiently removed at a temperature of 00°C. The composition of the conductive paste used in the prepared sample f is shown in Table 1, and Table 2 shows the characteristic values of the sample.

導体ペースト材料としてNbN、TaN、VN、Zrへ
 ふ・よびT1へを用いた。
NbN, TaN, VN, Zr, and T1 were used as conductor paste materials.

ここlこ示したぶ加物(CaC2)の遺は窒化アルミニ
ウムを100としたときの唾である。またフリット訃は
導体材料とフリット材料を合せた重量に対しての値で、
S6゜ 作成した基板の電気的特性を測足した結果、比抵抗が1
0  Ω・儂以上であり、訪亀率は87(1MHz)−
ijN!損失はlXl0   以下(I MHz :で
あった。電気的特性(こおいても従来の基板に対して同
程度以上あり実装基板として十分であるこBaCz、5
rCz、NatCz、K2O)l、CuCz、MgC2
,Agz(J、ZrCz等を用いり場合においても窒化
アルミニウムの焼結性を向上させる効果が得らiた。
The residue of the additive (CaC2) shown here is the saliva when aluminum nitride is taken as 100. Also, the frit weight is the value relative to the combined weight of the conductor material and frit material.
S6゜As a result of measuring the electrical characteristics of the created board, the specific resistance was 1
It is more than 0 Ω・I, and the visiting rate is 87 (1 MHz)-
ijN! The loss was less than lXl0 (I MHz:).The electrical characteristics (here, too, it was on the same level or higher than that of the conventional board, and was sufficient for a mounting board).BaCz, 5
rCz, NatCz, K2O)l, CuCz, MgC2
, Agz(J, ZrCz, etc.) also had the effect of improving the sinterability of aluminum nitride.

(発明の効果) 実施例からも明らかなよう(こ、本発明iこまり容易J
こ信号線および電源層等を含めた導体を有する高密度な
回路を形成することが出来、熱放散性fこ対しても31
ヨ常(こ有効な高熱体Z、り多層セラミック配線基板力
課1られる、 従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は+7W/
mKであり1本発明基板の熱伝導率が非常数〆こおいて
汀、アルミナ基板が65×10 7”Cであるのに対し
て本発明基板は小さな1直をもち。
(Effects of the invention) As is clear from the examples (this invention is easy to use)
It is possible to form a high-density circuit with conductors including signal lines and power supply layers, and the heat dissipation rate is 31%.
The thermal conductivity of the conventionally used alumina substrate is +7W/
The thermal conductivity of the substrate of the present invention is 65×10 7 ”C, whereas the thermal conductivity of the substrate of the present invention is 65×10 7 ”C, whereas the substrate of the present invention has a small thermal conductivity.

よりシリコンチップの熱膨張係数に近い値jこなってお
り有利である。
This is advantageous because the coefficient of thermal expansion is closer to that of a silicon chip.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)セラミック層を介して三次元的に導体が形成され
た多層セラミック配線基板において、窒化アルミニウム
を主成分とするセラミック層と、二種以上の窒化金属の
混合物を主成分として導体を備えたことを特徴とする多
層セラミック配線基板。
(1) A multilayer ceramic wiring board in which a conductor is formed three-dimensionally through a ceramic layer, which has a ceramic layer mainly composed of aluminum nitride and a conductor mainly composed of a mixture of two or more metal nitrides. A multilayer ceramic wiring board characterized by:
(2)上記窒化金属が、窒化チタン、窒化ジルコニウム
、窒化バナジウム、窒化タンタルおよび窒化ニオブであ
る特許請求の範囲1項記載の多層セラミック配線基板。
(2) The multilayer ceramic wiring board according to claim 1, wherein the metal nitride is titanium nitride, zirconium nitride, vanadium nitride, tantalum nitride, or niobium nitride.
JP21536185A 1985-09-27 1985-09-27 Multilayer ceramic circuit substrate Granted JPS6276597A (en)

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