JPS6274083A - パイプ内面のコ−テイング方法 - Google Patents
パイプ内面のコ−テイング方法Info
- Publication number
- JPS6274083A JPS6274083A JP21577085A JP21577085A JPS6274083A JP S6274083 A JPS6274083 A JP S6274083A JP 21577085 A JP21577085 A JP 21577085A JP 21577085 A JP21577085 A JP 21577085A JP S6274083 A JPS6274083 A JP S6274083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- electrode
- coating
- heating
- heating element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〈産業上の利用分野〉
この発明は、パイプ内面のコーティング方法に関し、よ
り詳しくは、プラズマCVD法ににるパイプ内面のコー
ディング方法に関する。 〈従来の技術〉 m画性の液体若しくは気体の輸送に用られるパイプにつ
いては、内面にメツ′4:やライニング簀の表面処理を
行なってll+4蝕性を確保しているのが通例である。 〈発明が解決しようとする問題点〉 ところが、然気配管や、高温高圧下て゛の7Jス反応を
要するプ[Jビスに使用されるパイプのように、特に高
い耐蝕性が必要とされるものについては、メッキ層のよ
うにピンホールが多くしかち水分を多rdに含む被覆層
によっては、充分/)= l1i4蝕性、!!X確保す
ることは困難である。 このような問題点に対処するために、CV L’1法に
よってパイプ内面にセラミック等をワ】−ティングηる
ことか考えられる。しかし、C1〕法にJ、れば、反応
ガスの組成が送給側から排出側にかけて次第に変化フ−
るので、膜の成長迷電が不均一・どなり、均一な薄膜を
生成することが困難となる。 このにうイ1不都合を防ぐためには、反応ガスの供給孔
および排出孔を多数配設するか、或いは加熱を部分的に
行なうか、いずれかの1法が心安となる。ところが、小
径管においては1)η省の丁払f、Lスベース的に採用
し難いことから、後者の手法がti力視されている。 さらに、CVD法にJ:って所望のコーティングを行な
うには、反応ガスに化学反応を行なわせるために、かな
りの高温加熱を必要とし、パイプ母材が変質したり、変
形したりするおそれがある。 一方、CVD法よりも低温でコーティングする方法とし
てプラズマCVD法が知られている。しかし、薄膜の均
−竹確保の点において問題があり、パイプ内面のコーデ
ィング方法としては未だ適用されていないのが現状であ
る。 〈目的〉 この発明はf記問題点に鑑みてなされたものであり、均
一な被膜が1!1られ、優れた耐蝕性を発揮することの
でさるパイプ内面の]−ティング方法を提供することを
目的とする。 〈問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するためのこの発明のパイプ内のコーテ
ィング方法としては、電極を挿入したパイプに放電用の
゛重圧を印加してパイプ内にプラズマを発生さIJ、か
つパイプの一端部より反応ガスを吹き込んだ状態で、パ
イプの外周より加熱体にてパイプの長手方向所定幅を加
熱するとともに、加熱体による加熱点を長手方向に順次
移行さfjlで、パイプ内面の仝良にわたって薄膜を生
成する1)のである。 〈作用〉 ト記パイプ内面のコーディング方法によれば、バ・イブ
内を反応空間として、吹き込んだ反応ガスをプラズマに
より活性化さびて、加熱αむ囲の内面に膜生成を行ない
、最終的にパイプ内の全長にわたって連続的な薄膜を生
成することができる。 〈実施例〉 以下実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。 図は、この発明のパイプ内面のコーティング方法の実施
に使用する装置の慨略図であり、コーティングづべさパ
イプ(1)の両端に対して、N状の絶縁体+2) (2
iを気密的に接続しているとともに、−]二記絶縁体(
21(2)の端部を蓋体(3) (3)にて密閉して反
応空間(4)を形成している。そして、一方の蓋体(3
)の端部から電極(5)を挿入してパイプ(1)内を挿
通させているとともに、パイプ(1)の外周に沿って、
例えば赤外線ヒータからなる所定幅の加熱体(6)を配
置している。上記加熱体(6)としては、パイプ(1)
の長手方向に移動可能に構成されており、パイプ(1)
を所定幅ずつ順次連続的に加熱することができる。さら
に、電極(51挿入側の益体に3)には、反応空間(4
)に反応ガス(G)を送り込むための供給孔(71が形
成されてd3す、」:た、他方の蓋体(3)にtよ、送
り込んだ反応ガスを111出するためのり[気孔(8)
が形成されている。上記JJI気孔(8)には、メカニ
カルブースタ等の排気装置が接続されている(図示せず
)。そして、パイプ(1)には、放電用電源(9)が接
続されており、パイプ(1)に対して高周波等の放電用
電力を印加できるようにイ
り詳しくは、プラズマCVD法ににるパイプ内面のコー
ディング方法に関する。 〈従来の技術〉 m画性の液体若しくは気体の輸送に用られるパイプにつ
いては、内面にメツ′4:やライニング簀の表面処理を
行なってll+4蝕性を確保しているのが通例である。 〈発明が解決しようとする問題点〉 ところが、然気配管や、高温高圧下て゛の7Jス反応を
要するプ[Jビスに使用されるパイプのように、特に高
い耐蝕性が必要とされるものについては、メッキ層のよ
うにピンホールが多くしかち水分を多rdに含む被覆層
によっては、充分/)= l1i4蝕性、!!X確保す
ることは困難である。 このような問題点に対処するために、CV L’1法に
よってパイプ内面にセラミック等をワ】−ティングηる
ことか考えられる。しかし、C1〕法にJ、れば、反応
ガスの組成が送給側から排出側にかけて次第に変化フ−
るので、膜の成長迷電が不均一・どなり、均一な薄膜を
生成することが困難となる。 このにうイ1不都合を防ぐためには、反応ガスの供給孔
および排出孔を多数配設するか、或いは加熱を部分的に
行なうか、いずれかの1法が心安となる。ところが、小
径管においては1)η省の丁払f、Lスベース的に採用
し難いことから、後者の手法がti力視されている。 さらに、CVD法にJ:って所望のコーティングを行な
うには、反応ガスに化学反応を行なわせるために、かな
りの高温加熱を必要とし、パイプ母材が変質したり、変
形したりするおそれがある。 一方、CVD法よりも低温でコーティングする方法とし
てプラズマCVD法が知られている。しかし、薄膜の均
−竹確保の点において問題があり、パイプ内面のコーデ
ィング方法としては未だ適用されていないのが現状であ
る。 〈目的〉 この発明はf記問題点に鑑みてなされたものであり、均
一な被膜が1!1られ、優れた耐蝕性を発揮することの
でさるパイプ内面の]−ティング方法を提供することを
目的とする。 〈問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するためのこの発明のパイプ内のコーテ
ィング方法としては、電極を挿入したパイプに放電用の
゛重圧を印加してパイプ内にプラズマを発生さIJ、か
つパイプの一端部より反応ガスを吹き込んだ状態で、パ
イプの外周より加熱体にてパイプの長手方向所定幅を加
熱するとともに、加熱体による加熱点を長手方向に順次
移行さfjlで、パイプ内面の仝良にわたって薄膜を生
成する1)のである。 〈作用〉 ト記パイプ内面のコーディング方法によれば、バ・イブ
内を反応空間として、吹き込んだ反応ガスをプラズマに
より活性化さびて、加熱αむ囲の内面に膜生成を行ない
、最終的にパイプ内の全長にわたって連続的な薄膜を生
成することができる。 〈実施例〉 以下実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。 図は、この発明のパイプ内面のコーティング方法の実施
に使用する装置の慨略図であり、コーティングづべさパ
イプ(1)の両端に対して、N状の絶縁体+2) (2
iを気密的に接続しているとともに、−]二記絶縁体(
21(2)の端部を蓋体(3) (3)にて密閉して反
応空間(4)を形成している。そして、一方の蓋体(3
)の端部から電極(5)を挿入してパイプ(1)内を挿
通させているとともに、パイプ(1)の外周に沿って、
例えば赤外線ヒータからなる所定幅の加熱体(6)を配
置している。上記加熱体(6)としては、パイプ(1)
の長手方向に移動可能に構成されており、パイプ(1)
を所定幅ずつ順次連続的に加熱することができる。さら
に、電極(51挿入側の益体に3)には、反応空間(4
)に反応ガス(G)を送り込むための供給孔(71が形
成されてd3す、」:た、他方の蓋体(3)にtよ、送
り込んだ反応ガスを111出するためのり[気孔(8)
が形成されている。上記JJI気孔(8)には、メカニ
カルブースタ等の排気装置が接続されている(図示せず
)。そして、パイプ(1)には、放電用電源(9)が接
続されており、パイプ(1)に対して高周波等の放電用
電力を印加できるようにイ
【っている。
この発明の]−ディング方法は、以上の構成の装置を用
いて実施されるしのであり、放電用電源(9)により例
えば高周波電力をパイプ(1)仝休に印加するとともに
、供給孔(71から反応ガス(Glを送り込んで排気孔
(8)から+Jl出させつつ、加熱体(6)を一定速度
で移動させてパイプ(1)を所定幅ずつ長手方向に順次
連続的に加熱り−ることにより、パイプ(1)内にロー
l−インクを行なうことができる。即ら、この発明のコ
ーティング法tよ、プラズマCVD法の原理によりパイ
プ(1)内に膜生成を(jなうものであり、反応空間(
4)において発生したプラズマにJ−り反応ガス(Gl
を活性化さUるとともに、被処狸部としてのパイプ(1
)内面を所定温Iff <通gt、100−900℃)
に加熱することに、J、り膜(1成を行ない、加熱体(
6)による加熱点を順次移行することにより、最終的に
パイプ(1)内の全長にわたって4″、9膜を生成Jる
ことができる。 この際、プラズマは、上記した高周波以外の、例えば、
0のj■斤ウつイクロ波をパイプ(1)にルjして印加
しても発にトさせることが可能である。また、薄膜の厚
みどして(よ、加熱体(6)を繰′)ハし−C柱復移動
させることにより、任意に調整Mることか′Cさる。 この発明に使用される反応ガス(G)としては、従来の
プラズマCVD法において使用されているガスと同様イ
fガスを使用でき、例えば金属元糸原料どしては、ハロ
ゲン化物、金属水素化物、および有機金属等が、非金属
元素原料としては、窒素、酸素、および炭化水素等がそ
れぞれ挙げられる。 なお、この発明は、金属しラミック費右機材等のいずれ
のコーティング材料についても適用することができる。 以」−の構成のコーティング方法によれば、CVD法に
よる場合よりも低温で薄膜を生成することができ、母材
の変質や変形の発生を抑制することがでさるとともに、
パイプ(1)を部分的に加熱しながらコーティングを行
なうので、反応ガス(G)の組成変化が生じ難く、パイ
プ(1)の全長にわたって均一な薄膜を生成づることが
できる。 なお、この発明Cよ、上記実施例に限定されるものでな
く、例えば加熱体(6)を移動させる代りにパイプ(1
)を移動させる等、この発明の要旨を変更しない範囲で
種々の変更を施すことができる。 く訳験例〉 この発明の]−ディング方法により、以Fの条例で、設
定厚み10μmの△1203膜を牛成し、その厚みを1
0点で測定した結果、薄膜の厚みのばらつきは2μm以
下であり、極めて均一にl】−ティングできることが確
認された。 ■パイプ寸法 直径100 mm、全長2m■
放電用電源 高周波(13,56M +−1)
。 800W ) ■反応ガス AI CI 3 (,5%)C
O2(12%) ト+ 2 (83% ) ■反応空間内の圧力 1丁orr ■加熱体 赤外線ヒータ ■加熱体移動速度 0.3111/min■加熱体
移動回数 30往復 ■加熱温度 450℃ 〈発明の効果〉 以上のように、この発明のパイプ内面のコーディング方
法によれば、プラズマCV D 2Nによるコーティン
グであるから、比較的低温にて」−ディングを行なうこ
とができ、母材の変質や変形を生じ難いとともに、耐蝕
性に優れ、しかも均一な簿膜を生成することができると
いう特有の効果を奏する。
いて実施されるしのであり、放電用電源(9)により例
えば高周波電力をパイプ(1)仝休に印加するとともに
、供給孔(71から反応ガス(Glを送り込んで排気孔
(8)から+Jl出させつつ、加熱体(6)を一定速度
で移動させてパイプ(1)を所定幅ずつ長手方向に順次
連続的に加熱り−ることにより、パイプ(1)内にロー
l−インクを行なうことができる。即ら、この発明のコ
ーティング法tよ、プラズマCVD法の原理によりパイ
プ(1)内に膜生成を(jなうものであり、反応空間(
4)において発生したプラズマにJ−り反応ガス(Gl
を活性化さUるとともに、被処狸部としてのパイプ(1
)内面を所定温Iff <通gt、100−900℃)
に加熱することに、J、り膜(1成を行ない、加熱体(
6)による加熱点を順次移行することにより、最終的に
パイプ(1)内の全長にわたって4″、9膜を生成Jる
ことができる。 この際、プラズマは、上記した高周波以外の、例えば、
0のj■斤ウつイクロ波をパイプ(1)にルjして印加
しても発にトさせることが可能である。また、薄膜の厚
みどして(よ、加熱体(6)を繰′)ハし−C柱復移動
させることにより、任意に調整Mることか′Cさる。 この発明に使用される反応ガス(G)としては、従来の
プラズマCVD法において使用されているガスと同様イ
fガスを使用でき、例えば金属元糸原料どしては、ハロ
ゲン化物、金属水素化物、および有機金属等が、非金属
元素原料としては、窒素、酸素、および炭化水素等がそ
れぞれ挙げられる。 なお、この発明は、金属しラミック費右機材等のいずれ
のコーティング材料についても適用することができる。 以」−の構成のコーティング方法によれば、CVD法に
よる場合よりも低温で薄膜を生成することができ、母材
の変質や変形の発生を抑制することがでさるとともに、
パイプ(1)を部分的に加熱しながらコーティングを行
なうので、反応ガス(G)の組成変化が生じ難く、パイ
プ(1)の全長にわたって均一な薄膜を生成づることが
できる。 なお、この発明Cよ、上記実施例に限定されるものでな
く、例えば加熱体(6)を移動させる代りにパイプ(1
)を移動させる等、この発明の要旨を変更しない範囲で
種々の変更を施すことができる。 く訳験例〉 この発明の]−ディング方法により、以Fの条例で、設
定厚み10μmの△1203膜を牛成し、その厚みを1
0点で測定した結果、薄膜の厚みのばらつきは2μm以
下であり、極めて均一にl】−ティングできることが確
認された。 ■パイプ寸法 直径100 mm、全長2m■
放電用電源 高周波(13,56M +−1)
。 800W ) ■反応ガス AI CI 3 (,5%)C
O2(12%) ト+ 2 (83% ) ■反応空間内の圧力 1丁orr ■加熱体 赤外線ヒータ ■加熱体移動速度 0.3111/min■加熱体
移動回数 30往復 ■加熱温度 450℃ 〈発明の効果〉 以上のように、この発明のパイプ内面のコーディング方
法によれば、プラズマCV D 2Nによるコーティン
グであるから、比較的低温にて」−ディングを行なうこ
とができ、母材の変質や変形を生じ難いとともに、耐蝕
性に優れ、しかも均一な簿膜を生成することができると
いう特有の効果を奏する。
図は、この発明の]−ティング方法の実施に使用する装
置の概略図である。 (1)・・・パイプ (5)・・・電極(6)・
・・加熱体 (Gl・・・反応ガス特許出願人
住友電気工業株式会社 Cつ aつ
置の概略図である。 (1)・・・パイプ (5)・・・電極(6)・
・・加熱体 (Gl・・・反応ガス特許出願人
住友電気工業株式会社 Cつ aつ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電極を挿入したパイプに放電用の電圧 を印加してパイプ内にプラズマを発生さ せ、かつパイプの一端部より反応ガスを 吹き込んだ状態で、パイプの外周から加 熱体にてパイプの長手方向所定幅を加熱 するとともに、加熱体による加熱点を長 手方向に順次移行させて、パイプ内面の 全長にわたって薄膜を生成することを特 徴とするパイプ内面のコーティング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21577085A JPS6274083A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | パイプ内面のコ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21577085A JPS6274083A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | パイプ内面のコ−テイング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6274083A true JPS6274083A (ja) | 1987-04-04 |
JPS6242030B2 JPS6242030B2 (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=16677934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21577085A Granted JPS6274083A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | パイプ内面のコ−テイング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6274083A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5935391A (en) * | 1994-01-31 | 1999-08-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a tube having a film on its inner peripheral surface and apparatus for manufacturing the same |
DE10119571C1 (de) * | 2001-04-21 | 2002-11-28 | Schott Glas | Verfahren zum gleichmäßigen Beschichten von Hohlkörpern und deren Verwendung |
JP2015183238A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 三井造船株式会社 | 皮膜形成装置、皮膜形成方法、及び皮膜付筒部材 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606304A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-14 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 高圧ホ−スの端末切断装置 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21577085A patent/JPS6274083A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606304A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-14 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 高圧ホ−スの端末切断装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5935391A (en) * | 1994-01-31 | 1999-08-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a tube having a film on its inner peripheral surface and apparatus for manufacturing the same |
DE10119571C1 (de) * | 2001-04-21 | 2002-11-28 | Schott Glas | Verfahren zum gleichmäßigen Beschichten von Hohlkörpern und deren Verwendung |
JP2015183238A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 三井造船株式会社 | 皮膜形成装置、皮膜形成方法、及び皮膜付筒部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6242030B2 (ja) | 1987-09-05 |
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