JPS6273536A - ゲツタ装置 - Google Patents
ゲツタ装置Info
- Publication number
- JPS6273536A JPS6273536A JP60212165A JP21216585A JPS6273536A JP S6273536 A JPS6273536 A JP S6273536A JP 60212165 A JP60212165 A JP 60212165A JP 21216585 A JP21216585 A JP 21216585A JP S6273536 A JPS6273536 A JP S6273536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- getter
- coarse
- surface layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子管などに使用され管内ガスを吸着する蒸
発性のゲッタ装置に係わり、とくに耐酸化性のすぐれた
ゲッタ装置に関する。
発性のゲッタ装置に係わり、とくに耐酸化性のすぐれた
ゲッタ装置に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕例えばカラー受
像管のｉ！造において、ゲッタ装置を蛍光面をもつパネ
ル部と電子銃などが設けられるファンネル８μとの合せ
面をフリットガラスで気密接合する以的に装着し、大気
中でおよそ４５０℃１時間のフリットガラス溶着工程を
経る場合がある。ゲッタ装置がこのような大気中での高
温加熱を経ても安定なゲッタフラッシングおよびゲッタ
膜が得られるようにする種々の改良が試みられている。
像管のｉ！造において、ゲッタ装置を蛍光面をもつパネ
ル部と電子銃などが設けられるファンネル８μとの合せ
面をフリットガラスで気密接合する以的に装着し、大気
中でおよそ４５０℃１時間のフリットガラス溶着工程を
経る場合がある。ゲッタ装置がこのような大気中での高
温加熱を経ても安定なゲッタフラッシングおよびゲッタ
膜が得られるようにする種々の改良が試みられている。
とくに従来は、ゲッタ材中のニッケル粉末の酸化がゲッ
タフラッシング時の爆発的飛散現象の主因であることに
着目して、その酸化防止の改善案が提示されてきた。本
発明者らは、その−例としてニッケル粉末をホウソ酸化
物で被覆し、これをバリウム−アルミニウム合金（以下
、単にＢａ−ＡＪと記す）粉末と混合したゲッタ材を充
填することを提案した。これは特開昭５８−１１１２３
７号公報に開示されている。これはたしかにニッケ・ル
粉末の酸化を防止する点で顕著な効果を奏し、安定で良
質のゲッタ膜を得ることができた。しかしＮｉ粉末の表
面にホウ素酸化物を被覆する工程が必要で、且つゲッタ
蒸発に幾分多くの時間を要し、とくに受像管等の大量生
産の上で多少の難点をもつことが否めない。また特開昭
５２−１４７９６３号公報には、３０〜６０μｍの平均
粒径を有するＮｉ粉末と１２５μｍ以下の平均粒径を有
するＢａ−Ａ、ｅからなるゲッタ装置が開示されている
。しかしそれによると同一条件でのゲッタフラッシング
では飛散Ｂａｆｆ１が著しく少ないことが判明した。ま
た加熱初期はゆるやかに反応し後半で急激に反応し蒸発
する現象が認められ、使用しづらい傾向がある。
タフラッシング時の爆発的飛散現象の主因であることに
着目して、その酸化防止の改善案が提示されてきた。本
発明者らは、その−例としてニッケル粉末をホウソ酸化
物で被覆し、これをバリウム−アルミニウム合金（以下
、単にＢａ−ＡＪと記す）粉末と混合したゲッタ材を充
填することを提案した。これは特開昭５８−１１１２３
７号公報に開示されている。これはたしかにニッケ・ル
粉末の酸化を防止する点で顕著な効果を奏し、安定で良
質のゲッタ膜を得ることができた。しかしＮｉ粉末の表
面にホウ素酸化物を被覆する工程が必要で、且つゲッタ
蒸発に幾分多くの時間を要し、とくに受像管等の大量生
産の上で多少の難点をもつことが否めない。また特開昭
５２−１４７９６３号公報には、３０〜６０μｍの平均
粒径を有するＮｉ粉末と１２５μｍ以下の平均粒径を有
するＢａ−Ａ、ｅからなるゲッタ装置が開示されている
。しかしそれによると同一条件でのゲッタフラッシング
では飛散Ｂａｆｆ１が著しく少ないことが判明した。ま
た加熱初期はゆるやかに反応し後半で急激に反応し蒸発
する現象が認められ、使用しづらい傾向がある。
本発明は、以上の事情に鑑みゲッタ蒸発に要する時間が
短く、且つ良質のゲッタ膜を得ることが可能な耐酸化性
のゲッタ装置を提供するものである。
短く、且つ良質のゲッタ膜を得ることが可能な耐酸化性
のゲッタ装置を提供するものである。
本発明は、ゲッタ容器内に充填されるバリウム−アルミ
ニウム合金粉末およびニッケル粉末の混合粉末のゲッタ
材のとくに表面層が、下層のニッケル粉末平均粒径より
も大きい平均粒径の粗大ニッケル粉末を有してなること
を特徴とするゲッタ装置である。これによってゲッタ材
がゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても、ゲッ
タフラッシング時にＢａ−Ａ！粉末とＮｉ粉末との必要
以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じ
ない。そして良質のゲッタ膜が得られる。
ニウム合金粉末およびニッケル粉末の混合粉末のゲッタ
材のとくに表面層が、下層のニッケル粉末平均粒径より
も大きい平均粒径の粗大ニッケル粉末を有してなること
を特徴とするゲッタ装置である。これによってゲッタ材
がゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても、ゲッ
タフラッシング時にＢａ−Ａ！粉末とＮｉ粉末との必要
以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じ
ない。そして良質のゲッタ膜が得られる。
そしてゲッタフラッシングで適Ｉｆな反応が生じ、Ｂａ
の蒸発速度が極度に遅くなることがなく、電子管等の大
量生産に十分満足できるゲッタ特性が得られる。− 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してその実施例を説明する。
の蒸発速度が極度に遅くなることがなく、電子管等の大
量生産に十分満足できるゲッタ特性が得られる。− 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してその実施例を説明する。
第１図に示すように、半断面Ｕ字状をなす環状金属製の
ゲッタ容器１１内に、Ｂａ−Ａｆ粉末およびニッケル（
Ｎｉ）粉末の混合粉末（重量比で５０：５０）からなる
ゲッタ材量が所定密度で充填されている。そこでこのゲ
ッタ材量は、下層１２ａおよびその上の表面層１２ｂの
連続積層からなっている。
ゲッタ容器１１内に、Ｂａ−Ａｆ粉末およびニッケル（
Ｎｉ）粉末の混合粉末（重量比で５０：５０）からなる
ゲッタ材量が所定密度で充填されている。そこでこのゲ
ッタ材量は、下層１２ａおよびその上の表面層１２ｂの
連続積層からなっている。
そしてその下１ｉ１２ａは、およそ７０μｍの平均粒径
を有するＢａ−Ａｌ２粉末と、平均粒径がおよそ５μｍ
のＮｉ粉末との混合層（重量比で５０：５０ ）でめる
。そして表面層１２ｂは、同じくおよそ７０μｍの平均
粒径を有するＢａ−Ａｊ粉末と、平均粒径が下層１２ａ
のＮｉ粉末平均粒径よりも十分大きく例えばおよそ３０
μｍの粗大Ｎｉ粉末との混合層である。また表面１１１
２ｂの粗大Ｎｉ粉末は、ゲッタ材全体のおよそ３０％（
重量比）を占めるように配合する。、なお製造にあたっ
ては、上述した下層および表面層用の混合粉末を下層に
４３０ｍｇ、表面層に１８０ｍｇをそれぞれ順次に容器
内に詰め、所定圧力でプレスし充填する。それらの密度
は、下層１２ａ ｔｆｉ ３．８〜４．２ｍＭｃｍ３、
表面１ｉｉ１２ｔ）が５．２〜５．６ｍ（１／Ｃｍ３の
範囲とする。
を有するＢａ−Ａｌ２粉末と、平均粒径がおよそ５μｍ
のＮｉ粉末との混合層（重量比で５０：５０ ）でめる
。そして表面層１２ｂは、同じくおよそ７０μｍの平均
粒径を有するＢａ−Ａｊ粉末と、平均粒径が下層１２ａ
のＮｉ粉末平均粒径よりも十分大きく例えばおよそ３０
μｍの粗大Ｎｉ粉末との混合層である。また表面１１１
２ｂの粗大Ｎｉ粉末は、ゲッタ材全体のおよそ３０％（
重量比）を占めるように配合する。、なお製造にあたっ
ては、上述した下層および表面層用の混合粉末を下層に
４３０ｍｇ、表面層に１８０ｍｇをそれぞれ順次に容器
内に詰め、所定圧力でプレスし充填する。それらの密度
は、下層１２ａ ｔｆｉ ３．８〜４．２ｍＭｃｍ３、
表面１ｉｉ１２ｔ）が５．２〜５．６ｍ（１／Ｃｍ３の
範囲とする。
このようなゲッタ装置を、例えばカラー受像管内に装着
し、大気中で４５０’Ｃ，１〜２時間の加熱をした後、
排気し、高周波加熱によりゲッタフラッシングをした。
し、大気中で４５０’Ｃ，１〜２時間の加熱をした後、
排気し、高周波加熱によりゲッタフラッシングをした。
それにより爆発的な飛散現象はなく、およそ１００１１
１０の飛散Ｂａｔのゲッタ膜が得られた。その理由は、
表面層に粗大Ｎｉ粉末が所定量存在するためゲッタ材が
ゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても表面の粗
大Ｎｉのわずかな酸化量にとどまり、ゲッタフラッシン
グ時にＢａ−Ａ！粉末とＮｉ粉末との必要以上の急激な
反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じないためであ
る。
１０の飛散Ｂａｔのゲッタ膜が得られた。その理由は、
表面層に粗大Ｎｉ粉末が所定量存在するためゲッタ材が
ゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても表面の粗
大Ｎｉのわずかな酸化量にとどまり、ゲッタフラッシン
グ時にＢａ−Ａ！粉末とＮｉ粉末との必要以上の急激な
反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じないためであ
る。
次に、第２図により表面層の粗大Ｎｉ粉末のゲッタ材全
体に占める含有率（重役比％）を種々変えた場合の飛散
Ｂａａの比較を示す。粗大Ｎｉ粉末が３０％以下では平
均的に１００ｍｇの飛散Ｂａｆｆ１が得られ、４０％で
約８０ｍｇが得られた。しかし５０％では平均５ｏｍｇ
程度しか得られず、またばらつきも大きくなる。その理
由は、全体的なりａ−ＡＩ！粉末とＮｉ粉末との接触面
積が非常に小さくなることから発熱反応が増進されず、
３ａの蒸発が抑制されるためであると考えられる。この
ように、粗大Ｎ１粉末の含有量は４０重四％以下である
ことが望ましい。
体に占める含有率（重役比％）を種々変えた場合の飛散
Ｂａａの比較を示す。粗大Ｎｉ粉末が３０％以下では平
均的に１００ｍｇの飛散Ｂａｆｆ１が得られ、４０％で
約８０ｍｇが得られた。しかし５０％では平均５ｏｍｇ
程度しか得られず、またばらつきも大きくなる。その理
由は、全体的なりａ−ＡＩ！粉末とＮｉ粉末との接触面
積が非常に小さくなることから発熱反応が増進されず、
３ａの蒸発が抑制されるためであると考えられる。この
ように、粗大Ｎ１粉末の含有量は４０重四％以下である
ことが望ましい。
一方、この粗大Ｎｉ粉末が少なければ、ゲッタ材の酸化
抑制効果が低下する。すなわち第３図に召すように、４
５０℃での大気中の加熱時間に対するその前後のゲッタ
装置酸化増量（重量％）は、粗大Ｎｉをまったく含まな
い従来構造のものが点線曲線Ｐで示すように１２０分で
約０．７％もの酸化増量をあられす。それに対して３０
％含右ｍの本発明実施例のものは、実線曲線Ｓ３０で示
すように１２０分でも０．２％以下に止まる結果が得ら
れた。また１０％の含有量のものは曲線ＳＩＯで示すよ
うに、Ｏ１３％双正で実用上問題ない程度に止まった。
抑制効果が低下する。すなわち第３図に召すように、４
５０℃での大気中の加熱時間に対するその前後のゲッタ
装置酸化増量（重量％）は、粗大Ｎｉをまったく含まな
い従来構造のものが点線曲線Ｐで示すように１２０分で
約０．７％もの酸化増量をあられす。それに対して３０
％含右ｍの本発明実施例のものは、実線曲線Ｓ３０で示
すように１２０分でも０．２％以下に止まる結果が得ら
れた。また１０％の含有量のものは曲線ＳＩＯで示すよ
うに、Ｏ１３％双正で実用上問題ない程度に止まった。
しかし５％含有旦のものでは曲線Ｓ５で示すように０．
５％もの酸化増量となり、その効果が十分得られない。
５％もの酸化増量となり、その効果が十分得られない。
以上のことから、表面層の粗大Ｎｉ粉末の含有量は、ゲ
ッタ材全体の１０％乃至４０％の範囲になるように充填
することが望ましい。
ッタ材全体の１０％乃至４０％の範囲になるように充填
することが望ましい。
また、表面層の粗大Ｎｉ粉末の粒径は、下層のＮ１粉末
よりも大きい平均粒径であることが不可欠である。そし
てより好ましくは１０ｒｎ乃至５０μｍの範囲、とくに
好ましくは２０ｒｎ乃至４０μｍの範囲の平均粒径にす
るととくに良好な酸化抑制効果および良質のゲッタ膜が
得られた。なお平均粒径が１０μｍ以下でおると、表面
層の粗大Ｎｉ粉末が酸化に対して十分な抑制効果を発揮
せず下層のＮｉ微粉末まで酸化が進行して初期の効果が
得られない。また平均粒径が５０μｍ以上に大きいと、
表面層の粗大Ｎｉ粉末により酸化に対しては抑制効果を
奏するが全体的なりａ−Ａ／どの接触面積が減少する結
果、短時間での必要十分な発熱反応が得にくく、したが
って必要十分な飛散３ａ量の確保が困難となってしまう
。点でむしろ不具合が生じる。（発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ゲッタ材がゲッタ
フラッシュ前に大気中で高温雰囲気に晒されれても、ゲ
ッタフラッシング時にＢａ−Ａｊ？粉末とＮｉ粉末との
必要以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が
生じない。そして良質のゲッタ膜が得られる。そしてゲ
ッタフラッシングで適度な反応が生じＢａの蒸発速度が
極度に遅くなることがなく、電子管等の大量生産に十分
満足できるゲッタ特性が得られる。
よりも大きい平均粒径であることが不可欠である。そし
てより好ましくは１０ｒｎ乃至５０μｍの範囲、とくに
好ましくは２０ｒｎ乃至４０μｍの範囲の平均粒径にす
るととくに良好な酸化抑制効果および良質のゲッタ膜が
得られた。なお平均粒径が１０μｍ以下でおると、表面
層の粗大Ｎｉ粉末が酸化に対して十分な抑制効果を発揮
せず下層のＮｉ微粉末まで酸化が進行して初期の効果が
得られない。また平均粒径が５０μｍ以上に大きいと、
表面層の粗大Ｎｉ粉末により酸化に対しては抑制効果を
奏するが全体的なりａ−Ａ／どの接触面積が減少する結
果、短時間での必要十分な発熱反応が得にくく、したが
って必要十分な飛散３ａ量の確保が困難となってしまう
。点でむしろ不具合が生じる。（発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ゲッタ材がゲッタ
フラッシュ前に大気中で高温雰囲気に晒されれても、ゲ
ッタフラッシング時にＢａ−Ａｊ？粉末とＮｉ粉末との
必要以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が
生じない。そして良質のゲッタ膜が得られる。そしてゲ
ッタフラッシングで適度な反応が生じＢａの蒸発速度が
極度に遅くなることがなく、電子管等の大量生産に十分
満足できるゲッタ特性が得られる。
第１図は本発明の実施例を示す概略断面図、第２図はＮ
ｉ含有率と飛散Ｂａｆｆ１との関係を示す特性図、第３
図は大気中加熱時間と酸化増量との関係を示す特性図で
ある。 １１・・・ゲッタ容器、且・・・ゲッタ材、１２ａ・・
・下層、１２ｂ・・・表面層。
ｉ含有率と飛散Ｂａｆｆ１との関係を示す特性図、第３
図は大気中加熱時間と酸化増量との関係を示す特性図で
ある。 １１・・・ゲッタ容器、且・・・ゲッタ材、１２ａ・・
・下層、１２ｂ・・・表面層。
Claims (3)
- （１）環状金属製のゲッタ容器内に、バリウム−アルミ
ニウム合金粉末およびニッケル粉末の混合粉末のゲッタ
材が充填されてなるゲッタ装置において、 上記ゲッタ材の表面層が、下層のニッケル 粉末平均粒径よりも大きい平均粒径の粗大ニッケル粉末
を有してなることを特徴とするゲッタ装置。 - （２）表面層の粗大ニッケル粉末は、１０μｍ乃至５０
μｍの範囲の平均粒径を有する特許請求の範囲第１項記
載のゲッタ装置。 - （３）表面層の粗大ニッケル粉末は、ゲッタ材全体の１
０％乃至４０％の範囲を占める特許請求の範囲第１項記
載のゲッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212165A JPS6273536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ゲツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212165A JPS6273536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ゲツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273536A true JPS6273536A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16617976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212165A Pending JPS6273536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ゲツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273536A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0859396A1 (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-19 | SAES GETTERS S.p.A. | Evaporable getter device with reduced activation time |
| US6583559B1 (en) | 1999-06-24 | 2003-06-24 | Saes Getter S.P.A. | Getter device employing calcium evaporation |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212165A patent/JPS6273536A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0859396A1 (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-19 | SAES GETTERS S.p.A. | Evaporable getter device with reduced activation time |
| US6583559B1 (en) | 1999-06-24 | 2003-06-24 | Saes Getter S.P.A. | Getter device employing calcium evaporation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2147386C1 (ru) | Композиция из веществ для низкотемпературного инициирования процесса активирования газопоглощающих веществ и содержащие ее газопоглощающие средства | |
| US4306887A (en) | Getter device and process for using such | |
| DE3122188C2 (de) | Getterwerkstoff | |
| US4077899A (en) | Gettering device of manufacturing a color television display tube while using said gettering device, and color television display tube thus manufactured | |
| US4004174A (en) | Rotary anode structure for an X-ray tube | |
| US4894584A (en) | Electric lamp provided with a getter including palladium | |
| US5518520A (en) | Dispenser cathode and method of manufacturing a dispenser cathode | |
| US4109058A (en) | X-ray tube anode with alloyed surface and method of making the same | |
| JPS6273536A (ja) | ゲツタ装置 | |
| US3271849A (en) | Iridium-sheathed wire for electron tubes | |
| US3973816A (en) | Method of gettering a television display tube | |
| JPH04341747A (ja) | 冷陰極蛍光放電管 | |
| JP2920135B2 (ja) | 賦活時間を短縮した蒸発型ゲッタ装置 | |
| US2273637A (en) | Phototube | |
| US4045367A (en) | Getter for use in the manufacture of an electric discharge tube | |
| JPH0318287B2 (ja) | ||
| JPH0418660B2 (ja) | ||
| CN1149610C (zh) | 用于钙蒸发过程的吸气剂 | |
| JP3290789B2 (ja) | 電子管用ゲッタ装置 | |
| JPS58111237A (ja) | 耐酸化性ゲツタ装置 | |
| JPH11204019A (ja) | 酸化物陰極 | |
| JP3322465B2 (ja) | 陰極構体及びその製造方法 | |
| JPS5920941A (ja) | 陰極構体 | |
| US1869379A (en) | Emulsions and materials, methods and processes for the preparation thereof | |
| JP2619106B2 (ja) | 酸化物陰極 |