JPS6273536A - ゲツタ装置 - Google Patents
ゲツタ装置Info
- Publication number
- JPS6273536A JPS6273536A JP60212165A JP21216585A JPS6273536A JP S6273536 A JPS6273536 A JP S6273536A JP 60212165 A JP60212165 A JP 60212165A JP 21216585 A JP21216585 A JP 21216585A JP S6273536 A JPS6273536 A JP S6273536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- getter
- coarse
- surface layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子管などに使用され管内ガスを吸着する蒸
発性のゲッタ装置に係わり、とくに耐酸化性のすぐれた
ゲッタ装置に関する。
発性のゲッタ装置に係わり、とくに耐酸化性のすぐれた
ゲッタ装置に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕例えばカラー受
像管のi!造において、ゲッタ装置を蛍光面をもつパネ
ル部と電子銃などが設けられるファンネル8μとの合せ
面をフリットガラスで気密接合する以的に装着し、大気
中でおよそ450℃1時間のフリットガラス溶着工程を
経る場合がある。ゲッタ装置がこのような大気中での高
温加熱を経ても安定なゲッタフラッシングおよびゲッタ
膜が得られるようにする種々の改良が試みられている。
像管のi!造において、ゲッタ装置を蛍光面をもつパネ
ル部と電子銃などが設けられるファンネル8μとの合せ
面をフリットガラスで気密接合する以的に装着し、大気
中でおよそ450℃1時間のフリットガラス溶着工程を
経る場合がある。ゲッタ装置がこのような大気中での高
温加熱を経ても安定なゲッタフラッシングおよびゲッタ
膜が得られるようにする種々の改良が試みられている。
とくに従来は、ゲッタ材中のニッケル粉末の酸化がゲッ
タフラッシング時の爆発的飛散現象の主因であることに
着目して、その酸化防止の改善案が提示されてきた。本
発明者らは、その−例としてニッケル粉末をホウソ酸化
物で被覆し、これをバリウム−アルミニウム合金(以下
、単にBa−AJと記す)粉末と混合したゲッタ材を充
填することを提案した。これは特開昭58−11123
7号公報に開示されている。これはたしかにニッケ・ル
粉末の酸化を防止する点で顕著な効果を奏し、安定で良
質のゲッタ膜を得ることができた。しかしNi粉末の表
面にホウ素酸化物を被覆する工程が必要で、且つゲッタ
蒸発に幾分多くの時間を要し、とくに受像管等の大量生
産の上で多少の難点をもつことが否めない。また特開昭
52−147963号公報には、30〜60μmの平均
粒径を有するNi粉末と125μm以下の平均粒径を有
するBa−A、eからなるゲッタ装置が開示されている
。しかしそれによると同一条件でのゲッタフラッシング
では飛散Baff1が著しく少ないことが判明した。ま
た加熱初期はゆるやかに反応し後半で急激に反応し蒸発
する現象が認められ、使用しづらい傾向がある。
タフラッシング時の爆発的飛散現象の主因であることに
着目して、その酸化防止の改善案が提示されてきた。本
発明者らは、その−例としてニッケル粉末をホウソ酸化
物で被覆し、これをバリウム−アルミニウム合金(以下
、単にBa−AJと記す)粉末と混合したゲッタ材を充
填することを提案した。これは特開昭58−11123
7号公報に開示されている。これはたしかにニッケ・ル
粉末の酸化を防止する点で顕著な効果を奏し、安定で良
質のゲッタ膜を得ることができた。しかしNi粉末の表
面にホウ素酸化物を被覆する工程が必要で、且つゲッタ
蒸発に幾分多くの時間を要し、とくに受像管等の大量生
産の上で多少の難点をもつことが否めない。また特開昭
52−147963号公報には、30〜60μmの平均
粒径を有するNi粉末と125μm以下の平均粒径を有
するBa−A、eからなるゲッタ装置が開示されている
。しかしそれによると同一条件でのゲッタフラッシング
では飛散Baff1が著しく少ないことが判明した。ま
た加熱初期はゆるやかに反応し後半で急激に反応し蒸発
する現象が認められ、使用しづらい傾向がある。
本発明は、以上の事情に鑑みゲッタ蒸発に要する時間が
短く、且つ良質のゲッタ膜を得ることが可能な耐酸化性
のゲッタ装置を提供するものである。
短く、且つ良質のゲッタ膜を得ることが可能な耐酸化性
のゲッタ装置を提供するものである。
本発明は、ゲッタ容器内に充填されるバリウム−アルミ
ニウム合金粉末およびニッケル粉末の混合粉末のゲッタ
材のとくに表面層が、下層のニッケル粉末平均粒径より
も大きい平均粒径の粗大ニッケル粉末を有してなること
を特徴とするゲッタ装置である。これによってゲッタ材
がゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても、ゲッ
タフラッシング時にBa−A!粉末とNi粉末との必要
以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じ
ない。そして良質のゲッタ膜が得られる。
ニウム合金粉末およびニッケル粉末の混合粉末のゲッタ
材のとくに表面層が、下層のニッケル粉末平均粒径より
も大きい平均粒径の粗大ニッケル粉末を有してなること
を特徴とするゲッタ装置である。これによってゲッタ材
がゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても、ゲッ
タフラッシング時にBa−A!粉末とNi粉末との必要
以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じ
ない。そして良質のゲッタ膜が得られる。
そしてゲッタフラッシングで適Ifな反応が生じ、Ba
の蒸発速度が極度に遅くなることがなく、電子管等の大
量生産に十分満足できるゲッタ特性が得られる。− 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してその実施例を説明する。
の蒸発速度が極度に遅くなることがなく、電子管等の大
量生産に十分満足できるゲッタ特性が得られる。− 〔発明の実施例〕 以下図面を参照してその実施例を説明する。
第1図に示すように、半断面U字状をなす環状金属製の
ゲッタ容器11内に、Ba−Af粉末およびニッケル(
Ni)粉末の混合粉末(重量比で50:50)からなる
ゲッタ材量が所定密度で充填されている。そこでこのゲ
ッタ材量は、下層12aおよびその上の表面層12bの
連続積層からなっている。
ゲッタ容器11内に、Ba−Af粉末およびニッケル(
Ni)粉末の混合粉末(重量比で50:50)からなる
ゲッタ材量が所定密度で充填されている。そこでこのゲ
ッタ材量は、下層12aおよびその上の表面層12bの
連続積層からなっている。
そしてその下1i12aは、およそ70μmの平均粒径
を有するBa−Al2粉末と、平均粒径がおよそ5μm
のNi粉末との混合層(重量比で50:50 )でめる
。そして表面層12bは、同じくおよそ70μmの平均
粒径を有するBa−Aj粉末と、平均粒径が下層12a
のNi粉末平均粒径よりも十分大きく例えばおよそ30
μmの粗大Ni粉末との混合層である。また表面111
2bの粗大Ni粉末は、ゲッタ材全体のおよそ30%(
重量比)を占めるように配合する。、なお製造にあたっ
ては、上述した下層および表面層用の混合粉末を下層に
430mg、表面層に180mgをそれぞれ順次に容器
内に詰め、所定圧力でプレスし充填する。それらの密度
は、下層12a tfi 3.8〜4.2mMcm3、
表面1ii12t)が5.2〜5.6m(1/Cm3の
範囲とする。
を有するBa−Al2粉末と、平均粒径がおよそ5μm
のNi粉末との混合層(重量比で50:50 )でめる
。そして表面層12bは、同じくおよそ70μmの平均
粒径を有するBa−Aj粉末と、平均粒径が下層12a
のNi粉末平均粒径よりも十分大きく例えばおよそ30
μmの粗大Ni粉末との混合層である。また表面111
2bの粗大Ni粉末は、ゲッタ材全体のおよそ30%(
重量比)を占めるように配合する。、なお製造にあたっ
ては、上述した下層および表面層用の混合粉末を下層に
430mg、表面層に180mgをそれぞれ順次に容器
内に詰め、所定圧力でプレスし充填する。それらの密度
は、下層12a tfi 3.8〜4.2mMcm3、
表面1ii12t)が5.2〜5.6m(1/Cm3の
範囲とする。
このようなゲッタ装置を、例えばカラー受像管内に装着
し、大気中で450’C,1〜2時間の加熱をした後、
排気し、高周波加熱によりゲッタフラッシングをした。
し、大気中で450’C,1〜2時間の加熱をした後、
排気し、高周波加熱によりゲッタフラッシングをした。
それにより爆発的な飛散現象はなく、およそ10011
10の飛散Batのゲッタ膜が得られた。その理由は、
表面層に粗大Ni粉末が所定量存在するためゲッタ材が
ゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても表面の粗
大Niのわずかな酸化量にとどまり、ゲッタフラッシン
グ時にBa−A!粉末とNi粉末との必要以上の急激な
反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じないためであ
る。
10の飛散Batのゲッタ膜が得られた。その理由は、
表面層に粗大Ni粉末が所定量存在するためゲッタ材が
ゲッタフラッシング前に大気中で加熱されても表面の粗
大Niのわずかな酸化量にとどまり、ゲッタフラッシン
グ時にBa−A!粉末とNi粉末との必要以上の急激な
反応が抑制され、爆発的な飛散現象が生じないためであ
る。
次に、第2図により表面層の粗大Ni粉末のゲッタ材全
体に占める含有率(重役比%)を種々変えた場合の飛散
Baaの比較を示す。粗大Ni粉末が30%以下では平
均的に100mgの飛散Baff1が得られ、40%で
約80mgが得られた。しかし50%では平均5omg
程度しか得られず、またばらつきも大きくなる。その理
由は、全体的なりa−AI!粉末とNi粉末との接触面
積が非常に小さくなることから発熱反応が増進されず、
3aの蒸発が抑制されるためであると考えられる。この
ように、粗大N1粉末の含有量は40重四%以下である
ことが望ましい。
体に占める含有率(重役比%)を種々変えた場合の飛散
Baaの比較を示す。粗大Ni粉末が30%以下では平
均的に100mgの飛散Baff1が得られ、40%で
約80mgが得られた。しかし50%では平均5omg
程度しか得られず、またばらつきも大きくなる。その理
由は、全体的なりa−AI!粉末とNi粉末との接触面
積が非常に小さくなることから発熱反応が増進されず、
3aの蒸発が抑制されるためであると考えられる。この
ように、粗大N1粉末の含有量は40重四%以下である
ことが望ましい。
一方、この粗大Ni粉末が少なければ、ゲッタ材の酸化
抑制効果が低下する。すなわち第3図に召すように、4
50℃での大気中の加熱時間に対するその前後のゲッタ
装置酸化増量(重量%)は、粗大Niをまったく含まな
い従来構造のものが点線曲線Pで示すように120分で
約0.7%もの酸化増量をあられす。それに対して30
%含右mの本発明実施例のものは、実線曲線S30で示
すように120分でも0.2%以下に止まる結果が得ら
れた。また10%の含有量のものは曲線SIOで示すよ
うに、O13%双正で実用上問題ない程度に止まった。
抑制効果が低下する。すなわち第3図に召すように、4
50℃での大気中の加熱時間に対するその前後のゲッタ
装置酸化増量(重量%)は、粗大Niをまったく含まな
い従来構造のものが点線曲線Pで示すように120分で
約0.7%もの酸化増量をあられす。それに対して30
%含右mの本発明実施例のものは、実線曲線S30で示
すように120分でも0.2%以下に止まる結果が得ら
れた。また10%の含有量のものは曲線SIOで示すよ
うに、O13%双正で実用上問題ない程度に止まった。
しかし5%含有旦のものでは曲線S5で示すように0.
5%もの酸化増量となり、その効果が十分得られない。
5%もの酸化増量となり、その効果が十分得られない。
以上のことから、表面層の粗大Ni粉末の含有量は、ゲ
ッタ材全体の10%乃至40%の範囲になるように充填
することが望ましい。
ッタ材全体の10%乃至40%の範囲になるように充填
することが望ましい。
また、表面層の粗大Ni粉末の粒径は、下層のN1粉末
よりも大きい平均粒径であることが不可欠である。そし
てより好ましくは10rn乃至50μmの範囲、とくに
好ましくは20rn乃至40μmの範囲の平均粒径にす
るととくに良好な酸化抑制効果および良質のゲッタ膜が
得られた。なお平均粒径が10μm以下でおると、表面
層の粗大Ni粉末が酸化に対して十分な抑制効果を発揮
せず下層のNi微粉末まで酸化が進行して初期の効果が
得られない。また平均粒径が50μm以上に大きいと、
表面層の粗大Ni粉末により酸化に対しては抑制効果を
奏するが全体的なりa−A/どの接触面積が減少する結
果、短時間での必要十分な発熱反応が得にくく、したが
って必要十分な飛散3a量の確保が困難となってしまう
。点でむしろ不具合が生じる。(発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ゲッタ材がゲッタ
フラッシュ前に大気中で高温雰囲気に晒されれても、ゲ
ッタフラッシング時にBa−Aj?粉末とNi粉末との
必要以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が
生じない。そして良質のゲッタ膜が得られる。そしてゲ
ッタフラッシングで適度な反応が生じBaの蒸発速度が
極度に遅くなることがなく、電子管等の大量生産に十分
満足できるゲッタ特性が得られる。
よりも大きい平均粒径であることが不可欠である。そし
てより好ましくは10rn乃至50μmの範囲、とくに
好ましくは20rn乃至40μmの範囲の平均粒径にす
るととくに良好な酸化抑制効果および良質のゲッタ膜が
得られた。なお平均粒径が10μm以下でおると、表面
層の粗大Ni粉末が酸化に対して十分な抑制効果を発揮
せず下層のNi微粉末まで酸化が進行して初期の効果が
得られない。また平均粒径が50μm以上に大きいと、
表面層の粗大Ni粉末により酸化に対しては抑制効果を
奏するが全体的なりa−A/どの接触面積が減少する結
果、短時間での必要十分な発熱反応が得にくく、したが
って必要十分な飛散3a量の確保が困難となってしまう
。点でむしろ不具合が生じる。(発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、ゲッタ材がゲッタ
フラッシュ前に大気中で高温雰囲気に晒されれても、ゲ
ッタフラッシング時にBa−Aj?粉末とNi粉末との
必要以上の急激な反応が抑制され、爆発的な飛散現象が
生じない。そして良質のゲッタ膜が得られる。そしてゲ
ッタフラッシングで適度な反応が生じBaの蒸発速度が
極度に遅くなることがなく、電子管等の大量生産に十分
満足できるゲッタ特性が得られる。
第1図は本発明の実施例を示す概略断面図、第2図はN
i含有率と飛散Baff1との関係を示す特性図、第3
図は大気中加熱時間と酸化増量との関係を示す特性図で
ある。 11・・・ゲッタ容器、且・・・ゲッタ材、12a・・
・下層、12b・・・表面層。
i含有率と飛散Baff1との関係を示す特性図、第3
図は大気中加熱時間と酸化増量との関係を示す特性図で
ある。 11・・・ゲッタ容器、且・・・ゲッタ材、12a・・
・下層、12b・・・表面層。
Claims (3)
- (1)環状金属製のゲッタ容器内に、バリウム−アルミ
ニウム合金粉末およびニッケル粉末の混合粉末のゲッタ
材が充填されてなるゲッタ装置において、 上記ゲッタ材の表面層が、下層のニッケル 粉末平均粒径よりも大きい平均粒径の粗大ニッケル粉末
を有してなることを特徴とするゲッタ装置。 - (2)表面層の粗大ニッケル粉末は、10μm乃至50
μmの範囲の平均粒径を有する特許請求の範囲第1項記
載のゲッタ装置。 - (3)表面層の粗大ニッケル粉末は、ゲッタ材全体の1
0%乃至40%の範囲を占める特許請求の範囲第1項記
載のゲッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212165A JPS6273536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ゲツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212165A JPS6273536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ゲツタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6273536A true JPS6273536A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16617976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60212165A Pending JPS6273536A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ゲツタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6273536A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0859396A1 (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-19 | SAES GETTERS S.p.A. | Evaporable getter device with reduced activation time |
US6583559B1 (en) | 1999-06-24 | 2003-06-24 | Saes Getter S.P.A. | Getter device employing calcium evaporation |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212165A patent/JPS6273536A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0859396A1 (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-19 | SAES GETTERS S.p.A. | Evaporable getter device with reduced activation time |
US6583559B1 (en) | 1999-06-24 | 2003-06-24 | Saes Getter S.P.A. | Getter device employing calcium evaporation |
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