JPS6273137A - 試料分解装置及びそれを用いた試料分解方法 - Google Patents
試料分解装置及びそれを用いた試料分解方法Info
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- JPS6273137A JPS6273137A JP21260285A JP21260285A JPS6273137A JP S6273137 A JPS6273137 A JP S6273137A JP 21260285 A JP21260285 A JP 21260285A JP 21260285 A JP21260285 A JP 21260285A JP S6273137 A JPS6273137 A JP S6273137A
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- acid
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、各種試料を酸によって分解するための装置及
びその分解方法に関し、更に詳しくは、シリコン結晶、
ガリウムヒ素結晶のような半導体結晶中の極微量の不純
物を分析するための試料溶液を調製することを目的とし
て用いる試料分解装置及びその分解方法に関する。
びその分解方法に関し、更に詳しくは、シリコン結晶、
ガリウムヒ素結晶のような半導体結晶中の極微量の不純
物を分析するための試料溶液を調製することを目的とし
て用いる試料分解装置及びその分解方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
シリコン結晶やガリウムヒ素結晶は半導体素子基板とし
て使用さ゛れているが、しかし、この結晶の中にナトリ
ウム（Ｎａ） 、カリウム（Ｋ）、鉄（Ｆｅ）などの不
純物が存在すると、たとえその量が極微量であったとし
ても素子の電気特性に大きな影響を与える。したがって
、素子の特性を高めるためには、これら不純物の含有量
を可能な限り低くすることが必要である。
て使用さ゛れているが、しかし、この結晶の中にナトリ
ウム（Ｎａ） 、カリウム（Ｋ）、鉄（Ｆｅ）などの不
純物が存在すると、たとえその量が極微量であったとし
ても素子の電気特性に大きな影響を与える。したがって
、素子の特性を高めるためには、これら不純物の含有量
を可能な限り低くすることが必要である。
このための処首をとる前提として、結晶中の不純物の濃
度を正確に分析することが不可欠になる。
度を正確に分析することが不可欠になる。
従来、その分析方法としてはフレームレス原子吸光分析
法が広く適用されている。この方法において、分析装置
にかける試料溶液は概ね次のようにして調製されている
。すなわち、例えば、シリコン結晶の場合、結晶試料を
フッ化水素酸と硝酸と硫酸との混合酸溶液に溶解せしめ
て直接分解し、得られた分解溶液を蒸発乾固して残液を
得、この残渣を純水で一定容量に稀釈するという方法で
ある。ガリウムヒ素結晶の場合には、塩酸と硝酸との混
合酸液を用いることが異なるだけである。
法が広く適用されている。この方法において、分析装置
にかける試料溶液は概ね次のようにして調製されている
。すなわち、例えば、シリコン結晶の場合、結晶試料を
フッ化水素酸と硝酸と硫酸との混合酸溶液に溶解せしめ
て直接分解し、得られた分解溶液を蒸発乾固して残液を
得、この残渣を純水で一定容量に稀釈するという方法で
ある。ガリウムヒ素結晶の場合には、塩酸と硝酸との混
合酸液を用いることが異なるだけである。
しかしながら、このような試料溶液の調製法にあっては
、用いる各試薬からの汚染が極めて大きい。
、用いる各試薬からの汚染が極めて大きい。
例えば、これら試薬は非情とう蒸留法やイオン交換法な
どで精製したものであっても通常Ｈａ、になどの不純物
を０．１ｐｐｂ以上含有している。したがって、このよ
うな試薬を用いた場合、得られた試料溶液では、５ｐｐ
ｂ以下の不純物の分析は極めて困難であった。
どで精製したものであっても通常Ｈａ、になどの不純物
を０．１ｐｐｂ以上含有している。したがって、このよ
うな試薬を用いた場合、得られた試料溶液では、５ｐｐ
ｂ以下の不純物の分析は極めて困難であった。
［発明の目的］
本発明は、上記した問題点を解消し、試料の分解用試薬
又は環境からの汚染がほとんどない分析用試料溶液を調
製するための装置及びその方法の提供を目的とする。
又は環境からの汚染がほとんどない分析用試料溶液を調
製するための装置及びその方法の提供を目的とする。
し発明の概要］
本発明の試料分解装置は、密閉容器：該密閉容器内に配
設された少なくとも １個の酸液貯蔵容器；該密閉容器
内に配設され、内部には試料と純水が収納されている収
納容器：該酸液貯蔵容器を加熱する加熱手段−並びに該
酸液貯蔵容器に磁気力を及ぼす磁界発生手段を具備する
ことを特徴とし、その分解方法は、密閉容器の中で、試
料分解用の酸液を磁界中で蒸発させ、該酸蒸気を試料が
浸漬されている純水に吸収させ、得られた高純度酸液で
該試料を分解することを特徴とする。
設された少なくとも １個の酸液貯蔵容器；該密閉容器
内に配設され、内部には試料と純水が収納されている収
納容器：該酸液貯蔵容器を加熱する加熱手段−並びに該
酸液貯蔵容器に磁気力を及ぼす磁界発生手段を具備する
ことを特徴とし、その分解方法は、密閉容器の中で、試
料分解用の酸液を磁界中で蒸発させ、該酸蒸気を試料が
浸漬されている純水に吸収させ、得られた高純度酸液で
該試料を分解することを特徴とする。
本発明の装置を図示した例に基づいて説明する０図で１
は密閉容器であり、この中で試料の分解が行なわれる。
は密閉容器であり、この中で試料の分解が行なわれる。
容器１を構成する材質とじては、後述の酸蒸気などに侵
蝕されず、またある程度耐熱性を有する材質であれば何
であってもよく、とくに、半導体結晶の分解の場合には
フッ化水素酸などが用いられるので、例えば、テフロン
などは好適である。
蝕されず、またある程度耐熱性を有する材質であれば何
であってもよく、とくに、半導体結晶の分解の場合には
フッ化水素酸などが用いられるので、例えば、テフロン
などは好適である。
密閉容器１の中には、 ２種類の容器が配設される。１
つは、試料分解用の酸液が収納された酸液貯蔵容器２で
あり、他の種類は、分解すべき試料とそれを浸漬する純
水が収納された収納容器３である。これら容器の材質に
は、容器１の場合と同様な性状が必要であることは言を
またない。
つは、試料分解用の酸液が収納された酸液貯蔵容器２で
あり、他の種類は、分解すべき試料とそれを浸漬する純
水が収納された収納容器３である。これら容器の材質に
は、容器１の場合と同様な性状が必要であることは言を
またない。
容器２に収納する酸液は試料４の種類によって任意に選
択される。また、容器２の数は２個であってもよいし、
複数個であってもよく制限を受けるものではない０例え
ば、試料４がシリコンウェハーの場合、フッ化水素酸、
硝酸を別々の容器２に収納してもよいし、混酸にして
１つの容器に収納しておいてもよい。
択される。また、容器２の数は２個であってもよいし、
複数個であってもよく制限を受けるものではない０例え
ば、試料４がシリコンウェハーの場合、フッ化水素酸、
硝酸を別々の容器２に収納してもよいし、混酸にして
１つの容器に収納しておいてもよい。
容器３には試料４と純水５が収納されている。
用いる純水としては脱イオン水、蒸留水など、不純物を
除去して得た精製水がよい６試料４の分解を円滑に行な
わせるために、例えば容器３の底には図のような凸部６
を設けて試料を点支持することが好ましい。
除去して得た精製水がよい６試料４の分解を円滑に行な
わせるために、例えば容器３の底には図のような凸部６
を設けて試料を点支持することが好ましい。
また、図では容器３が１つであるが、同時に多数の試料
を分解するためには、例えばこの容器３を複数個積みあ
げたり１．又は １つの容器内を複数室に間仕切りすれ
ばよい。
を分解するためには、例えばこの容器３を複数個積みあ
げたり１．又は １つの容器内を複数室に間仕切りすれ
ばよい。
更には、容器３は上面開口することなく通気孔を例えば
側壁にＡ備する蓋で覆えば、容器１の天井等から滴下す
る酸溶液からの汚染を防上し得て有効である。
側壁にＡ備する蓋で覆えば、容器１の天井等から滴下す
る酸溶液からの汚染を防上し得て有効である。
７は酸液貯蔵容器の加熱手段であって、これは容器２内
の酸液を蒸発させて酸蒸気を発生させるために配設され
る。電気抵抗加熱等その加熱手段の種類は問わない。こ
れら加熱手段は汚染防止の観点から容器１の外部に配設
されることが好ましい、また、必要に応じては、容器３
を加熱するために設けてもよい。
の酸液を蒸発させて酸蒸気を発生させるために配設され
る。電気抵抗加熱等その加熱手段の種類は問わない。こ
れら加熱手段は汚染防止の観点から容器１の外部に配設
されることが好ましい、また、必要に応じては、容器３
を加熱するために設けてもよい。
８は酸液貯蔵容器に磁気力を及ぼす磁界発生手段である
。ここでいう磁気力とは容器２名の酸液中のＦｅ、Ｎｉ
等の強磁性物質が蒸発しないように強磁性物質を吸引す
る力であって、蒸発防止のために磁界発生手段が配設さ
れる。その種類は永久磁石、電磁石のいずれでもよい、
これら磁界発生手段は汚染防止の観点から容器１の外部
に配設されることが好ましい、しかしながら、耐酸化性
、耐薬品性、＃熱性にすぐれたちの例えばテフロンで被
覆された磁界発生手段８であるならば容器１．２内に配
設してもよい。
。ここでいう磁気力とは容器２名の酸液中のＦｅ、Ｎｉ
等の強磁性物質が蒸発しないように強磁性物質を吸引す
る力であって、蒸発防止のために磁界発生手段が配設さ
れる。その種類は永久磁石、電磁石のいずれでもよい、
これら磁界発生手段は汚染防止の観点から容器１の外部
に配設されることが好ましい、しかしながら、耐酸化性
、耐薬品性、＃熱性にすぐれたちの例えばテフロンで被
覆された磁界発生手段８であるならば容器１．２内に配
設してもよい。
この装置において、容器２内の酸液は加熱手段７によっ
て加熱されて蒸発し、酸蒸気となって容器１内を満たす
、蒸発に際しては、Ｆｅ、Ｎｉ等強磁性物質からなる不
純物は磁界発生手段の磁気力により吸引されて蒸発しな
いため酸蒸気の純度はより高くなる。
て加熱されて蒸発し、酸蒸気となって容器１内を満たす
、蒸発に際しては、Ｆｅ、Ｎｉ等強磁性物質からなる不
純物は磁界発生手段の磁気力により吸引されて蒸発しな
いため酸蒸気の純度はより高くなる。
酸蒸気は矢線のように移動して容器３の純水５に吸収さ
れ高純度な酸液に復元する。かくして、試料はこの高純
度酸液によって分解され、全体と１、て外部汚染のない
試料溶液が得られる。
れ高純度な酸液に復元する。かくして、試料はこの高純
度酸液によって分解され、全体と１、て外部汚染のない
試料溶液が得られる。
なお、以−ヒの説明は試料が半導体結晶である場合を主
眼にして行なったが、この装置及び方法はこれに限定さ
れるものではなく、要するに、各種の試料（例えば−９
ｉｘ 、 ＭｏＳｉｘのような金属シリサイド、ＩｎＳ
ｂ 、 ＩｎＡｓのような化合物半導体）とそれを分解
するｆ＠力を有する酸液とを組合せたいかなる場合であ
っても適用できることは、その原理からして極めて明瞭
である。
眼にして行なったが、この装置及び方法はこれに限定さ
れるものではなく、要するに、各種の試料（例えば−９
ｉｘ 、 ＭｏＳｉｘのような金属シリサイド、ＩｎＳ
ｂ 、 ＩｎＡｓのような化合物半導体）とそれを分解
するｆ＠力を有する酸液とを組合せたいかなる場合であ
っても適用できることは、その原理からして極めて明瞭
である。
［発明の実施例］
実施例１
比抵抗 １．５Ωｃｍ、厚み４３８μのリンドープシリ
コンウェハーを用意した。これを脱イオン水５０ ｍ文
とともに容器３に収納した。酸液としてそれぞれ５０％
フッ化水素酸４００腫文と８０％硝９４００ｍ見を選び
それぞれを別々に容器２に収納した。容器ｌの空間体積
は約８５００ｃｍ３であった。なお、磁界発生手段とし
てテフロンコートされた永久磁石８（８０ｓｓＸ ８０
ｓｓＸ ５ｍｍ、５ｋＧａｕｓｓ）を容器２の下に置い
た。いずれの容器もテフロン製のものを用意した。
コンウェハーを用意した。これを脱イオン水５０ ｍ文
とともに容器３に収納した。酸液としてそれぞれ５０％
フッ化水素酸４００腫文と８０％硝９４００ｍ見を選び
それぞれを別々に容器２に収納した。容器ｌの空間体積
は約８５００ｃｍ３であった。なお、磁界発生手段とし
てテフロンコートされた永久磁石８（８０ｓｓＸ ８０
ｓｓＸ ５ｍｍ、５ｋＧａｕｓｓ）を容器２の下に置い
た。いずれの容器もテフロン製のものを用意した。
加熱手段（ヒータプレート）を作動して、各酸液を２１
０℃で１５０分間加熱した。ウェハーの溶解が確認され
た。
０℃で１５０分間加熱した。ウェハーの溶解が確認され
た。
得られた試料溶液をフレームレス原子吸光装置にかけて
Ｎａ、 Ｋ 、 Ｆｅ、 Ｃｒの分析を行なった＃測定
条件は以下の通りである。
Ｎａ、 Ｋ 、 Ｆｅ、 Ｃｒの分析を行なった＃測定
条件は以下の通りである。
乾燥：１２０℃テ３０秒。灰化：Ｎａは６ｏｏ℃、には
７００℃、 ＦｅとＯｒは１０００℃でそれぞれ３０秒
間、原子化二Ｎａは２５００℃、 Ｋは２７００℃、
ＦｅとＣｒは２８００℃でそれぞれ８秒間。キャリアガ
ス：アルゴンで３００＋ａＱ、／分、ただし原−ｆ化の
ときは通流しない。
７００℃、 ＦｅとＯｒは１０００℃でそれぞれ３０秒
間、原子化二Ｎａは２５００℃、 Ｋは２７００℃、
ＦｅとＣｒは２８００℃でそれぞれ８秒間。キャリアガ
ス：アルゴンで３００＋ａＱ、／分、ただし原−ｆ化の
ときは通流しない。
測定波長：Ｎａは５８ＬＯｎｍ 、 Ｋは７８６．
５ｎｍ 、 Ｆｅは２４８．３ｎｉ 、 Ｃｒは３５
９．４ｎｍ 、妨害吸収補正用光源：Ｎａ、にのときは
ハロゲンタングステンランプ、Ｆｅ、Ｇｒのときは毛水
素ランプを使用。
５ｎｍ 、 Ｆｅは２４８．３ｎｉ 、 Ｃｒは３５
９．４ｎｍ 、妨害吸収補正用光源：Ｎａ、にのときは
ハロゲンタングステンランプ、Ｆｅ、Ｇｒのときは毛水
素ランプを使用。
以りの結果、 Ｈａ： ３ｐｐｂ、 Ｋ： １ｐｐｂ
、 Ｆｅ： ７ｐｐｂ。
、 Ｆｅ： ７ｐｐｂ。
Ｃｉ□：０・５ＰＰｂであ−った。
比較例１−１
永久磁石８を使わないことを除いては、実施例１と同様
な条件で分析した。 Ｎａは３ｐｐｂ、 Ｋは１ｐｐｂ
、 Ｃｒは０．５ｐｐｂと分析できたが、試料分解時の
Ｆｅの汚染量が１ｌｐｐｂであったので、Ｆｅは分析で
きなかった。
な条件で分析した。 Ｎａは３ｐｐｂ、 Ｋは１ｐｐｂ
、 Ｃｒは０．５ｐｐｂと分析できたが、試料分解時の
Ｆｅの汚染量が１ｌｐｐｂであったので、Ｆｅは分析で
きなかった。
比較例１−２
５０％フッ化水素酸ｌｏｗ見、Ｇｏ％硝酸５ｍ見、９６
％硫酸Ｏ６ｌ謬見及び純水５嘗立から成る混酸に、実施
例１で用いたシリコンウェハーを浸漬し、これを約５０
℃で２０分間かけて分解した。得られた溶液を約１８０
℃で１２０分間加熱して蒸発乾固したのち、純水で５」
旦に稀釈した。
％硫酸Ｏ６ｌ謬見及び純水５嘗立から成る混酸に、実施
例１で用いたシリコンウェハーを浸漬し、これを約５０
℃で２０分間かけて分解した。得られた溶液を約１８０
℃で１２０分間加熱して蒸発乾固したのち、純水で５」
旦に稀釈した。
実施例１と同一の測定条件で分析したところ、試料分解
時の不純物汚染量がそれぞれＨａ １４ρρｂ。
時の不純物汚染量がそれぞれＨａ １４ρρｂ。
Ｋ ９ｐｐｂ、 Ｆｅ ２８ｐｐｂ、 Ｃｒ ８ｐｐｂ
であったので、いずれの元素も分析できなかった。
であったので、いずれの元素も分析できなかった。
実施例２
シリコンウェハーが比抵抗８．９ΩＣ１１，厚み３２０
鱗のホウ素をドープしたものであったこと、脱イオン水
が４０ｍ１であったこと、酸液の加熱時間が１３０分で
あったことを除いては、実施例１と同様にして試料溶液
を調製し、同一の測定条件でプレームレス原子吸光分析
を行なった。
鱗のホウ素をドープしたものであったこと、脱イオン水
が４０ｍ１であったこと、酸液の加熱時間が１３０分で
あったことを除いては、実施例１と同様にして試料溶液
を調製し、同一の測定条件でプレームレス原子吸光分析
を行なった。
Ｎａ： ２ｐｐｂ、 Ｋ： １ｐｐｂ、 Ｆｅ： ２
ｐｐｂ、 Ｃｒ： ０．４ｐｐｂの結果が得られた。
ｐｐｂ、 Ｃｒ： ０．４ｐｐｂの結果が得られた。
比較例？−１
永久磁石８を使わないことを除いては、実施例２と同様
な条件で分析した。 Ｎａは２ｐｐｂ、 Ｋは１ｐｐｂ
、 Ｃｒは０．４ｐｐｂと分析できたが、試料分解時の
Ｆｅの汚染量が１３９ｐｂであったので、 Ｆｅは分析
できなかった。
な条件で分析した。 Ｎａは２ｐｐｂ、 Ｋは１ｐｐｂ
、 Ｃｒは０．４ｐｐｂと分析できたが、試料分解時の
Ｆｅの汚染量が１３９ｐｂであったので、 Ｆｅは分析
できなかった。
比較例２−２
５０％フッ化水素酸 １０層見、６０％硝酸５論文、Ｈ
％硫酸０．１腸見及び純水５ａ交から成る混酸に、実施
例２で用いたシリコンウェハーを浸漬し、これを約５０
℃で２０分間かけて分解した。得られた溶液を約１６０
℃で１２０分間加熱して蒸発乾固した後、純水で５ａ交
に希釈した。実施例２と同一の条件で分析した。試料分
解時の不純物汚染量がＨａ １４ｐｐｂ。
％硫酸０．１腸見及び純水５ａ交から成る混酸に、実施
例２で用いたシリコンウェハーを浸漬し、これを約５０
℃で２０分間かけて分解した。得られた溶液を約１６０
℃で１２０分間加熱して蒸発乾固した後、純水で５ａ交
に希釈した。実施例２と同一の条件で分析した。試料分
解時の不純物汚染量がＨａ １４ｐｐｂ。
Ｋ ９ｐｐｂ、 Ｆｅ ２ｆｌｐｐｂ、 Ｃｒ ｅｐｐ
ｂであったので、いずれの元素も分析できなかった。
ｂであったので、いずれの元素も分析できなかった。
実施例３
試料が、 ＬＥＣ法による厚み４７０−のガリウムヒ素
ウェハーであったこと、酸液が３５％塩酸４００＋＊ｕ
、 ８０％硝酸４００＋ｍ見であったこと、酸液の加
熱時間が １４０分であったことを除いては、実施例１
と同様の方法で分析用試料溶液を調製した。
ウェハーであったこと、酸液が３５％塩酸４００＋＊ｕ
、 ８０％硝酸４００＋ｍ見であったこと、酸液の加
熱時間が １４０分であったことを除いては、実施例１
と同様の方法で分析用試料溶液を調製した。
得られた試料溶液をフレームレス原子吸光装置にかけて
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉの分析をなった。測定条件は次の通り
である。
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉの分析をなった。測定条件は次の通り
である。
乾繰：１２０℃で３０秒。灰化：Ｆｅは１２５０°Ｑ
、 Ｃｒは１３５０℃、Ｎｉは１２００℃でそれぞれ６
０秒間。原子化：いずれも２８００℃でそれぞれ８秒間
。キャリアガス：アルゴンで３００ｔＪ１７分、ただし
原子化のときは通流しない、測定波長：Ｆｅは２４８．
３ｎ国、Ｃｒは３５９．４ｎｍ 、 Ｎｉは２３２．Ｏ
ｎｍ 、妨害吸収補正用光源：重水素ランプを使用。
、 Ｃｒは１３５０℃、Ｎｉは１２００℃でそれぞれ６
０秒間。原子化：いずれも２８００℃でそれぞれ８秒間
。キャリアガス：アルゴンで３００ｔＪ１７分、ただし
原子化のときは通流しない、測定波長：Ｆｅは２４８．
３ｎ国、Ｃｒは３５９．４ｎｍ 、 Ｎｉは２３２．Ｏ
ｎｍ 、妨害吸収補正用光源：重水素ランプを使用。
Ｆｅ： ８ｐｐｂ 、 Ｃｒ： ２ｐｐｂ、旧： ３
ｐｐｂに結果が得られた。
ｐｐｂに結果が得られた。
比較例３−１
永久磁石８を使わないことを除いては、実施例３と同様
な条件で分析した。 Ｃｒは２ｐｐｂと分析できたが、
試料分解時のＦｅ、Ｎｉの汚染量が１３ｐｐｂ 、 ？
ＰＰｂであったので、Ｆｅ、Ｈｉは分析できなかった。
な条件で分析した。 Ｃｒは２ｐｐｂと分析できたが、
試料分解時のＦｅ、Ｎｉの汚染量が１３ｐｐｂ 、 ？
ＰＰｂであったので、Ｆｅ、Ｈｉは分析できなかった。
比較例３−２
３５％塩酸１０■交、６０％硝酸５■見の混酸で実施例
３のウェハーを分解したのち純水でｌｏｈ見に稀釈した
。この溶液を実施例３と同様の条件で分析した。試料分
解時の不純物汚染量がＦｅ ２４ｐｐｂ。
３のウェハーを分解したのち純水でｌｏｈ見に稀釈した
。この溶液を実施例３と同様の条件で分析した。試料分
解時の不純物汚染量がＦｅ ２４ｐｐｂ。
Ｃｒ ７ｐｐｂ、 Ｎｉ １４ｐｐｂであったので、い
ずれの元素も分析できなかった。
ずれの元素も分析できなかった。
［発明の効果］
以」二の説明及び分析結果からも明らかなように、本発
明の装置を用いて調製した試料溶液は、従来のように、
試薬、環境等からの汚染が抑制されるので、得られた分
析結果は極めて高感度であり１例えばシリコンウェハー
の場合には約 １００倍、ガリウムヒ素の場合には約５
倍であり、その有用性は極めて大きい。
明の装置を用いて調製した試料溶液は、従来のように、
試薬、環境等からの汚染が抑制されるので、得られた分
析結果は極めて高感度であり１例えばシリコンウェハー
の場合には約 １００倍、ガリウムヒ素の場合には約５
倍であり、その有用性は極めて大きい。
図は本発明装置の１例を示す模式図である。
１・・・密閉容器、２・・・酸液貯蔵容器、３・・・試
料及び純水の収納容器、４・・・試料、５・・・純水、
８・・・凸部、？・・・加熱手段、８・・・磁界発生手
段。
料及び純水の収納容器、４・・・試料、５・・・純水、
８・・・凸部、？・・・加熱手段、８・・・磁界発生手
段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、密閉容器；該密閉容器内に配設された少なくとも１
個の酸液貯蔵容器：該密閉容器内に配設され、内部には
試料と純水が収納されている収納容器；該酸液貯蔵容器
を加熱する加熱手段；並びに該酸液貯蔵容器に磁気力を
及ぼす磁界発生手段を具備することを特徴とする試料分
解装置。 ２、該試料が半導体結晶ウェハーである特許請求の範囲
第１項記載の試料分解装置。 ３、該収納容器が蓋付き容器である特許請求の範囲第１
項記載の試料分解装置。 ４、密閉容器の中で、試料分解用の酸液を磁界中で蒸発
させ、該酸蒸気を試料が浸漬されている純水に吸収させ
、得られた高純度酸液で該試料を分解することを特徴と
する試料分解方法。 ５、該試料が半導体結晶ウェハーであり、該酸液が硝酸
並びにフッ化水素酸若しくは塩酸である特許請求の範囲
第４項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21260285A JPS6273137A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 試料分解装置及びそれを用いた試料分解方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21260285A JPS6273137A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 試料分解装置及びそれを用いた試料分解方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273137A true JPS6273137A (ja) | 1987-04-03 |
| JPH0357422B2 JPH0357422B2 (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=16625408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21260285A Granted JPS6273137A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 試料分解装置及びそれを用いた試料分解方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273137A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01301142A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-12-05 | Toshiba Corp | 半導体分解装置 |
| JPH04286956A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Nec Corp | 化学分析法 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21260285A patent/JPS6273137A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01301142A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-12-05 | Toshiba Corp | 半導体分解装置 |
| JPH04286956A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Nec Corp | 化学分析法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357422B2 (ja) | 1991-09-02 |
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