JPS6267802A - Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法 - Google Patents
Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法Info
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- JPS6267802A JPS6267802A JP60208328A JP20832885A JPS6267802A JP S6267802 A JPS6267802 A JP S6267802A JP 60208328 A JP60208328 A JP 60208328A JP 20832885 A JP20832885 A JP 20832885A JP S6267802 A JPS6267802 A JP S6267802A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/04—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering with simultaneous application of supersonic waves, magnetic or electric fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スイッチング電源等に用いられている可飽和
リアクトル等に使用される経時変化が小さく、特に高周
波の制御磁化特性に優れた制御用アモルファス磁心に関
するものである。
リアクトル等に使用される経時変化が小さく、特に高周
波の制御磁化特性に優れた制御用アモルファス磁心に関
するものである。
従来の技術
従来、制御用磁心としては５０％Ｎｉパーマロイや８０
％Ｎｉパーマロイ巻磁心が主に使用されていたが、近年
、高周波磁気特性に優れたアモルファス巻磁心が望まれ
ている。
％Ｎｉパーマロイ巻磁心が主に使用されていたが、近年
、高周波磁気特性に優れたアモルファス巻磁心が望まれ
ている。
制御用磁心に適したアモルファス磁心としては、たとえ
ば特公昭ｆｉｏ −１９１２５に開示されている（Ｆｅ
−１−Ｃｏ）、、、、 −（Ｓｉ、 Ｂ 、 Ｐ 、
Ｃ）？、−、、材、（Ｆｅの含有量が３〜１３％）や特
公昭５８−１１８３に開示されているＦｅ”ｏ、ｌ−４
ｏ Ｓ’ｊ、／４ ” ｆ−Ｍ 材料等が知られている
。これらの材料の熱処理は、磁場中冷却熱処理や急冷（
空冷）熱処理等が行なわれており、冷却途中で温度を一
定に保持し、再び冷却するような多段の熱処理は行なわ
れていなかった。
ば特公昭ｆｉｏ −１９１２５に開示されている（Ｆｅ
−１−Ｃｏ）、、、、 −（Ｓｉ、 Ｂ 、 Ｐ 、
Ｃ）？、−、、材、（Ｆｅの含有量が３〜１３％）や特
公昭５８−１１８３に開示されているＦｅ”ｏ、ｌ−４
ｏ Ｓ’ｊ、／４ ” ｆ−Ｍ 材料等が知られている
。これらの材料の熱処理は、磁場中冷却熱処理や急冷（
空冷）熱処理等が行なわれており、冷却途中で温度を一
定に保持し、再び冷却するような多段の熱処理は行なわ
れていなかった。
発明が解決しようとする問題点
前記従来の材料を使用し、冷却中に温度を一定に保持せ
ず１段階に熱処理して製造した磁心は。
ず１段階に熱処理して製造した磁心は。
制御用磁心として重要な特性である制御磁化特性が高周
波、特に５０ｋ Ｈｚ以上で十分でない、すなわち５０
ｋＨｚ以上の高周波で駆動しているスイッチング電源
用可飽和リアクトル等に使用した場合、コアゲインが十
分でなく、さらに温度温度上昇が激しいという問題点を
有する。このためリセット電流の増加や信頼性が低下す
るという問題点があった。
波、特に５０ｋ Ｈｚ以上で十分でない、すなわち５０
ｋＨｚ以上の高周波で駆動しているスイッチング電源
用可飽和リアクトル等に使用した場合、コアゲインが十
分でなく、さらに温度温度上昇が激しいという問題点を
有する。このためリセット電流の増加や信頼性が低下す
るという問題点があった。
そこで本発明は、材料および熱処理方法を各種試験する
ことにより、高周波の制御磁化特性に優れたアモルファ
ス磁心を提供することを目的とする。
ことにより、高周波の制御磁化特性に優れたアモルファ
ス磁心を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は片ロール法等の液体急冷法により作成した組成
式； （Ｃ’７−ａ−ｂ−ｃ Ｆ ｅｏＬＭ ｎ Ｂ
Ｍ ｏ （縣−ｘ−ｙＳ ｒ ｘ Ｂｙで表わされ、 Ｏ≦ａ≦０．０５．０．０３≦ｂ≦０．０８．０．０１
≦ｃ≦０゜０４．０．０４≦ｂ＋ｃ≦０．１０ １４≦ｘ≦１６．７．５≦ｙ≦８．５ （ａｔ％）
の関係を有する組成のアモルファス合金からなる磁心を
キュリー温度以上で保持後、磁路方向に０゜１０ｅ以上
の交流あるいは直流の磁界を印加しながら、ステップ状
に温度を１５０℃以下にまで下げ、多段熱処理を行ない
制御磁化特性に優れたＣＯ基アモルファス巻磁心とした
ものである。
式； （Ｃ’７−ａ−ｂ−ｃ Ｆ ｅｏＬＭ ｎ Ｂ
Ｍ ｏ （縣−ｘ−ｙＳ ｒ ｘ Ｂｙで表わされ、 Ｏ≦ａ≦０．０５．０．０３≦ｂ≦０．０８．０．０１
≦ｃ≦０゜０４．０．０４≦ｂ＋ｃ≦０．１０ １４≦ｘ≦１６．７．５≦ｙ≦８．５ （ａｔ％）
の関係を有する組成のアモルファス合金からなる磁心を
キュリー温度以上で保持後、磁路方向に０゜１０ｅ以上
の交流あるいは直流の磁界を印加しながら、ステップ状
に温度を１５０℃以下にまで下げ、多段熱処理を行ない
制御磁化特性に優れたＣＯ基アモルファス巻磁心とした
ものである。
本発明においてＭｎおよびＭＯは必須うの元素であり、
制御磁化特性および経時変化改善に大きな効果を有する
。この効果は磁心をキュリー温度以上で保持後、磁路方
向に０．１０ｅ以上の交流あるいは直流の磁界を印加し
ながら、ステップ状に温度を１５０℃以下まで下げ、多
段熱処理を行なった場合に最も顕著となる。また磁界の
強さは、少なくとも０．１０ｅ以上である必要があるが
、これは磁界が０．１０ｅ未満の場合に制御磁化特性改
善の効果が小さいためである。
制御磁化特性および経時変化改善に大きな効果を有する
。この効果は磁心をキュリー温度以上で保持後、磁路方
向に０．１０ｅ以上の交流あるいは直流の磁界を印加し
ながら、ステップ状に温度を１５０℃以下まで下げ、多
段熱処理を行なった場合に最も顕著となる。また磁界の
強さは、少なくとも０．１０ｅ以上である必要があるが
、これは磁界が０．１０ｅ未満の場合に制御磁化特性改
善の効果が小さいためである。
ここで上記手段の熱処理を従来の熱処理と比較して説明
する。第１図は本発明による制御磁化特性に優れたアモ
ルファス磁心の熱処理パターン（ａ）と、従来の熱処理
パターン（ｂ） 、 （ｃ）を比較した図面である。
する。第１図は本発明による制御磁化特性に優れたアモ
ルファス磁心の熱処理パターン（ａ）と、従来の熱処理
パターン（ｂ） 、 （ｃ）を比較した図面である。
本発明による熱処理パターンはまず磁心をキュリー温度
以上に保持し、次に磁路方向に磁場をかけながら冷却し
、キュリー温度以下になった時点からステップ状に温度
を下げていくパターンである。
以上に保持し、次に磁路方向に磁場をかけながら冷却し
、キュリー温度以下になった時点からステップ状に温度
を下げていくパターンである。
磁界はキュリー温度以上の温度であれ゛ばどの時点から
印加しても良く、ステップ状に温度を下げ始めるのはキ
ュリー温度以上からでも同様の効果が得られ、本発明と
は同一とみなせる。
印加しても良く、ステップ状に温度を下げ始めるのはキ
ュリー温度以上からでも同様の効果が得られ、本発明と
は同一とみなせる。
（ｂ）はキュリー温度以上の温度で保持後急冷する従来
の熱処理パターンであり、角形性が悪く制御磁化特性が
劣るだけでなく経時変化が大きいため実用的でない。
の熱処理パターンであり、角形性が悪く制御磁化特性が
劣るだけでなく経時変化が大きいため実用的でない。
（ｃ）は磁場をかけながらある温度で保持後一定速度で
冷却する従来のパターンであり、直流Ｂ−Ｈカーブの角
形性は上昇し、直流のＢ−Ｈカーブの保磁力は小さくな
るが、高周波の制御磁化特性が悪く好ましくない。
冷却する従来のパターンであり、直流Ｂ−Ｈカーブの角
形性は上昇し、直流のＢ−Ｈカーブの保磁力は小さくな
るが、高周波の制御磁化特性が悪く好ましくない。
次に本発明の制御用磁心を評価するのに適した測定回路
を第２図により説明する。なお第３図は任意の直流の制
御電流Ｉｃが制御回路に流れている場合の磁心の動作模
式図である。第２図に示すように、試料の磁心に町、Ｎ
ｃ、 Ｎマ の３種類の巻線を設ける。ＮＬは磁気増幅
器の出力巻線に相当し、抵抗Ｒおよび、整流器りを介し
１周波ａｆ（周期Ｔｐ）の交流電源Ｅｇに接続されてい
る。 Ｅｇの価はゲート半周期Ｔｇにおいて印加電圧の
正弦波電圧の９０°以内の位相角で磁心が飽和に達する
ように大きな価に設定する。
を第２図により説明する。なお第３図は任意の直流の制
御電流Ｉｃが制御回路に流れている場合の磁心の動作模
式図である。第２図に示すように、試料の磁心に町、Ｎ
ｃ、 Ｎマ の３種類の巻線を設ける。ＮＬは磁気増幅
器の出力巻線に相当し、抵抗Ｒおよび、整流器りを介し
１周波ａｆ（周期Ｔｐ）の交流電源Ｅｇに接続されてい
る。 Ｅｇの価はゲート半周期Ｔｇにおいて印加電圧の
正弦波電圧の９０°以内の位相角で磁心が飽和に達する
ように大きな価に設定する。
Ｎｃは制御巻線で、制御回路よりみた磁心インダクタン
スに比較し、十分大きな価のインダクタンスＬｃを通し
て直流電源Ｅｃに接続し、拘束磁化条件の直流起磁力を
与えている。Ｎマは制御入力に対応するリセット磁束量
ΔφＣＩＩＭ定用巻線で、平均値整流方式の交流電圧計
Ｖに接続されている。第４図に本測定回路により測定し
て得られる制ｍ磁化曲線の模式図を示す。
スに比較し、十分大きな価のインダクタンスＬｃを通し
て直流電源Ｅｃに接続し、拘束磁化条件の直流起磁力を
与えている。Ｎマは制御入力に対応するリセット磁束量
ΔφＣＩＩＭ定用巻線で、平均値整流方式の交流電圧計
Ｖに接続されている。第４図に本測定回路により測定し
て得られる制ｍ磁化曲線の模式図を示す。
Ｈｒを逆数でわしβ、とおくとβｏ ＝１ ／ Ｈｒ
制御用磁心としてはβ、大（Ｂｒ小）のほど制御電流小
となり特性が良いことになる。一方磁心の磁化特性の角
形の程度を示すパラメータをα、と≧１＜、
α、 ＝ １− Δ Ｂｄ／ Δ Ｂ鳳制御
用磁心としてはα、大（ΔＢｄ／ΔＢｍ 小）のほど
制御不能磁束密度が小さく特性が良いことになる。
制御用磁心としてはβ、大（Ｂｒ小）のほど制御電流小
となり特性が良いことになる。一方磁心の磁化特性の角
形の程度を示すパラメータをα、と≧１＜、
α、 ＝ １− Δ Ｂｄ／ Δ Ｂ鳳制御
用磁心としてはα、大（ΔＢｄ／ΔＢｍ 小）のほど
制御不能磁束密度が小さく特性が良いことになる。
α、とβ０ の積をＧＯで表わし、５ｐｅｃｉｆｉｃ
ｃｏｒｅｇａｉｎと呼ぶがＣｏ＝α、・β。
ｃｏｒｅｇａｉｎと呼ぶがＣｏ＝α、・β。
が大きいほど総合的にみて制御用磁心としてすぐれてい
ると判断できる。
ると判断できる。
第４図においてゲート磁界の最大値
Ｈ＋ｗ＝ Ｍｌ ＊ ｉＬ（＋５ａｘ） ／ １ｅ−−
−−−−（１）１ｅ；試料の平均磁路長 に対応する磁束密度の最大値Ｂｍと制御磁界Ｈｒ＝ Ｎ
ｃ ＊ Ｉｃ／ ｌｅ −−−−−−（２）によっ
て決まる磁束密度のＢｃとの差の磁束密度量をΔＢｃｍ
とし、周期を〒ｐとすれば、Ｎマ回路の磁束電圧計Ｖの
読みはＥマズｆ・Ｎマ・Ａ・Ｂｃ重−−−−−（３）Ａ
；磁心の有効断面積 実際の制御用磁心においては磁界Ｈが正の領域の特性、
Ｈ■−ΔＢｄ特性と、磁界Ｈが負の領域の特性、Ｈｒ−
ΔＢ特性を把握することが必要である。
−−−−（１）１ｅ；試料の平均磁路長 に対応する磁束密度の最大値Ｂｍと制御磁界Ｈｒ＝ Ｎ
ｃ ＊ Ｉｃ／ ｌｅ −−−−−−（２）によっ
て決まる磁束密度のＢｃとの差の磁束密度量をΔＢｃｍ
とし、周期を〒ｐとすれば、Ｎマ回路の磁束電圧計Ｖの
読みはＥマズｆ・Ｎマ・Ａ・Ｂｃ重−−−−−（３）Ａ
；磁心の有効断面積 実際の制御用磁心においては磁界Ｈが正の領域の特性、
Ｈ■−ΔＢｄ特性と、磁界Ｈが負の領域の特性、Ｈｒ−
ΔＢ特性を把握することが必要である。
ΔＢｄ＝ Ｂｍ −Ｂｒ −−−−−−−−−−−−
（４）であり Ｅｖｄ ｃｘ： ｆ １ＩＮｖ＊ Ａ
ｅ Ｂｄ −−−−−−（５）である。
（４）であり Ｅｖｄ ｃｘ： ｆ １ＩＮｖ＊ Ａ
ｅ Ｂｄ −−−−−−（５）である。
一方 Δ Ｂ −Ｂｃｍ −ΔＢｄ −−−
−−−−−−−（ｆ３）である。
−−−−−−−（ｆ３）である。
制御用磁心としては第４図に示す第１象限の曲線が下側
にある方がよく、また第２象限の曲線が右側にありかつ
傾斜が急なものが良い。
にある方がよく、また第２象限の曲線が右側にありかつ
傾斜が急なものが良い。
実施例
実施例Ｉ
ＭｎとＮｏとを含む６種類のＣＯ基アモルファス磁心を
キュリー温度以上に保持した後、磁路方向に１０８の交
流の磁界を印加しながら冷却し、キュリー温度以下から
、３段階のステップ状に温度を１５０℃以下まで熱処理
した。このようにして製造した磁心の５０ｋ Ｈｚの５
ｐｅｃｉｆｉｃ ｃｏｒｅ ｇａｉｎ Ｃｏを第
１表に示した。なお比較のため、従来の材料を使用した
磁心を１段階に熱処理し、その従来例のＣｏを示した。
キュリー温度以上に保持した後、磁路方向に１０８の交
流の磁界を印加しながら冷却し、キュリー温度以下から
、３段階のステップ状に温度を１５０℃以下まで熱処理
した。このようにして製造した磁心の５０ｋ Ｈｚの５
ｐｅｃｉｆｉｃ ｃｏｒｅ ｇａｉｎ Ｃｏを第
１表に示した。なお比較のため、従来の材料を使用した
磁心を１段階に熱処理し、その従来例のＣｏを示した。
本発明のＣＯ基アモルファス合金中のＳｉは、合金の鉄
損を低減するのに効果があるが、過多に含有されると合
金のキュリー温度（Ｔｃ）を下げ、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ
）を著しく低下させる０以上の様なことから、Ｓｒ含有
量は合金に望ましい特性を付与するために１３〜１６原
子％が望ましい、またＢ含有量については７．５原子％
より少ないと合金をアモルファス状態にすることがむず
かしく、逆に８．５原子％より多いと飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）の低下をもたらすので、７．５〜８．５原子％が望
ましくこの範囲内で実施した。
損を低減するのに効果があるが、過多に含有されると合
金のキュリー温度（Ｔｃ）を下げ、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ
）を著しく低下させる０以上の様なことから、Ｓｒ含有
量は合金に望ましい特性を付与するために１３〜１６原
子％が望ましい、またＢ含有量については７．５原子％
より少ないと合金をアモルファス状態にすることがむず
かしく、逆に８．５原子％より多いと飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）の低下をもたらすので、７．５〜８．５原子％が望
ましくこの範囲内で実施した。
第１表
実施例２
本発明の材料を使用した５種類の磁心を、本発明のよう
に３段階にステップ状に熱処理し、さらに同組成の磁心
を従来のように１段階に熱処理して、熱処理の影響を調
べた。できあがった磁心の５０ｋＨｚでのＣｏを測定し
、第２表に示す。
に３段階にステップ状に熱処理し、さらに同組成の磁心
を従来のように１段階に熱処理して、熱処理の影響を調
べた。できあがった磁心の５０ｋＨｚでのＣｏを測定し
、第２表に示す。
第２表
本発明の磁心の組成では、従来熱処理でもＧＯが従来材
より大きいが、本発明の熱処理を行なうことにより更に
Ｃｏが改善されており、本発明で行なっている熱処理が
非常に有効であることがわかる実施例３ Ｎｎ量すを変化させた（Ｃ：、！４２−１Ｆ”ｏ、ｏ２
ｋ”ｂ ＭＯｏ、ｏ３”１６ Ｓｉ”Ｂアモルファス
磁心に対して本発明に用いる磁場中の３段階の熱処理を
行ない、さらに従来の磁場中熱処理を行なった。できた
磁心の５０ ｋＨｚの５ｐｅｃｉｆｉｃ ｃｏｒｅ
ｇａｉｎ ＣｏのＭｎ１ｂ依存性を第５図に示す０
図中、Ａは本発明の熱処理による。ものであり、Ｂは従
来熱処理によるものである。
より大きいが、本発明の熱処理を行なうことにより更に
Ｃｏが改善されており、本発明で行なっている熱処理が
非常に有効であることがわかる実施例３ Ｎｎ量すを変化させた（Ｃ：、！４２−１Ｆ”ｏ、ｏ２
ｋ”ｂ ＭＯｏ、ｏ３”１６ Ｓｉ”Ｂアモルファス
磁心に対して本発明に用いる磁場中の３段階の熱処理を
行ない、さらに従来の磁場中熱処理を行なった。できた
磁心の５０ ｋＨｚの５ｐｅｃｉｆｉｃ ｃｏｒｅ
ｇａｉｎ ＣｏのＭｎ１ｂ依存性を第５図に示す０
図中、Ａは本発明の熱処理による。ものであり、Ｂは従
来熱処理によるものである。
第５図かられかるようにＭｎ１ｂが０．０３を越えると
ＧＯが急激に大きくなり、制御用磁心として好ましくな
る。特に本発明に用いる多段の熱処理を行なった方（Ａ
）が、ＧＯが大きく優れている。ただしｂが０．０８を
越えるとリボンは、製造の際脆化してしまい好ましくな
い。
ＧＯが急激に大きくなり、制御用磁心として好ましくな
る。特に本発明に用いる多段の熱処理を行なった方（Ａ
）が、ＧＯが大きく優れている。ただしｂが０．０８を
越えるとリボンは、製造の際脆化してしまい好ましくな
い。
実施例４
Ｍｏｆｉｔ Ｃを変化させた（ Ｃｏ Ｆｅ Ｍｎ
Ｎｏ、 ）７． Ｓｉ、。
Ｎｏ、 ）７． Ｓｉ、。
鍔１８−ｃ ｏ、ｏａタ σｏ’ｔ’ｔＢ、アモル
ファス磁心に対して、本発明に用いる磁場中の３段階の
熱処理を行なった。できた磁心の５０ ｋＨｚの５ｐｅ
ｃｉｆｉｃ ｃｏｒｅ ｇａｉｎ ＣｏのＭｎ量
Ｃ依存性を第６図に示す。
ファス磁心に対して、本発明に用いる磁場中の３段階の
熱処理を行なった。できた磁心の５０ ｋＨｚの５ｐｅ
ｃｉｆｉｃ ｃｏｒｅ ｇａｉｎ ＣｏのＭｎ量
Ｃ依存性を第６図に示す。
第６図かられかるように１４ｏ量Ｃが０．０１を越える
と急激にＣｏが大きくなり、制御用磁心として好ましい
傾向になる。ただしＣが０．０４を越えると、飽和磁束
密度がフェライト並以下になり好ましくない。
と急激にＣｏが大きくなり、制御用磁心として好ましい
傾向になる。ただしＣが０．０４を越えると、飽和磁束
密度がフェライト並以下になり好ましくない。
上記でＣＯ基アモルファス合金中のＭｎＪｉｂとＭＯ量
Ｃとの適正量について説明したが、Ｆｅ量ａについては
次のことがいえる。 Ｃｏ基アモルファス合金において
は、Ｃｏの一部をＦｅおよびＭｎで置換することにより
、磁歪λＳが小さい磁心材料とすることができ、Ｃａの
一部をＦｅで置換することにより、飽和磁束密度Ｂｓを
増大させることができるが、Ｆｅ量ａが０．０５を越え
ると経時変化が大きくなるためａは０．０５以下が望ま
しい。
Ｃとの適正量について説明したが、Ｆｅ量ａについては
次のことがいえる。 Ｃｏ基アモルファス合金において
は、Ｃｏの一部をＦｅおよびＭｎで置換することにより
、磁歪λＳが小さい磁心材料とすることができ、Ｃａの
一部をＦｅで置換することにより、飽和磁束密度Ｂｓを
増大させることができるが、Ｆｅ量ａが０．０５を越え
ると経時変化が大きくなるためａは０．０５以下が望ま
しい。
実施例５
（Ｃ％、ｑ３ Ｆ Ｚ、、３Ｍ ｎ、、、４ ） ７□
Ｍ ｏ 、 Ｓ ｒｔｒ ８ｇ７モル７７スを材料にし
、多段熱処理回数を変えて６個の磁心を製造した。でき
た磁心の５０ ｋＨｚにおける５ｐｅｃｉｆｃｃｏｒｅ
ｇａｉｎ Ｃｏを測定し、第３表に示す。
Ｍ ｏ 、 Ｓ ｒｔｒ ８ｇ７モル７７スを材料にし
、多段熱処理回数を変えて６個の磁心を製造した。でき
た磁心の５０ ｋＨｚにおける５ｐｅｃｉｆｃｃｏｒｅ
ｇａｉｎ Ｃｏを測定し、第３表に示す。
第３表
第３表かられかるように、多段熱処理の回数が３回以上
になると、ＧＯが特に大きくなり制御用磁心として好ま
しくなる。
になると、ＧＯが特に大きくなり制御用磁心として好ま
しくなる。
実施例６
本発明の４種類の組成の材料を使用し、３段熱処理の各
ステップの保持時間を低い温度になるほど長くなるよう
にして磁心を製造した。この場合の保持時間は温度の高
いほうから順次１０分、 ８０分、２４０分とした。ま
た比較のため同一組成の材料を使用し、３段熱処理の各
ステップの時間を一定（１０分）にして磁心を製造した
。このように製造したアモルファス磁心の１２０℃の経
時変化率ΔＧ。
ステップの保持時間を低い温度になるほど長くなるよう
にして磁心を製造した。この場合の保持時間は温度の高
いほうから順次１０分、 ８０分、２４０分とした。ま
た比較のため同一組成の材料を使用し、３段熱処理の各
ステップの時間を一定（１０分）にして磁心を製造した
。このように製造したアモルファス磁心の１２０℃の経
時変化率ΔＧ。
を測定し、第４表に示した。
ここでΔＣｏは（Ｃｏ −Ｃｏ） ／ ＣｏＸ １０
０と表わす、ＧＯ；初期値 Ｃｏ ； １００００
時間後の値第４表 と保持時間が長くなるように多段熱処理したほうが、経
時変化が改善されより好ましい。
０と表わす、ＧＯ；初期値 Ｃｏ ； １００００
時間後の値第４表 と保持時間が長くなるように多段熱処理したほうが、経
時変化が改善されより好ましい。
実施例７
本発明の磁心と、従来の磁心との制御磁化特性（ΔＢ−
Ｈｒ特性、ΔＢｄ−Ｈａ特性）を比較するため、次の磁
心を製造してその制御磁化曲線を第７図に示した０本発
明の磁心Ｃは、（Ｇ ｏ 、、ｑ Ｆ ｅ、、＋ Ｍ
ｎ、、ｒＮ ｏｏｌ、４）７． Ｓ ＋ 、ｒ Ｂｙ
を材料とし、３段熱処理とした。また従来の磁心り、Ｅ
は、それぞれ材料をＣＯ’Ｉｏ３Ｆｅｒ÷Ｎｂ Ｓｉ
Ｂアモルファス、ＣＯ１’１．に；Ｆｅ４．！；
”／ ”ｔｔ Ｂｒｏアｌ−６８・０４．ア モルファスとし、１段階の熱処理とした。
Ｈｒ特性、ΔＢｄ−Ｈａ特性）を比較するため、次の磁
心を製造してその制御磁化曲線を第７図に示した０本発
明の磁心Ｃは、（Ｇ ｏ 、、ｑ Ｆ ｅ、、＋ Ｍ
ｎ、、ｒＮ ｏｏｌ、４）７． Ｓ ＋ 、ｒ Ｂｙ
を材料とし、３段熱処理とした。また従来の磁心り、Ｅ
は、それぞれ材料をＣＯ’Ｉｏ３Ｆｅｒ÷Ｎｂ Ｓｉ
Ｂアモルファス、ＣＯ１’１．に；Ｆｅ４．！；
”／ ”ｔｔ Ｂｒｏアｌ−６８・０４．ア モルファスとし、１段階の熱処理とした。
第７図かられかるように、本発明の磁心ＣのΔＢ−Ｈｒ
ｅ性の曲線は磁心り、Ｅより右側によっており、制御Ｍ
ｉ流が小さ〈従来の磁心より優れている。
ｅ性の曲線は磁心り、Ｅより右側によっており、制御Ｍ
ｉ流が小さ〈従来の磁心より優れている。
一方、本発明の磁心ＣのΔＢｄ−Ｈａ特性の曲線は、磁
心り、Ｅより下側に位置しており、角形性が従来のもの
に比べて同等以上となっており、制御用磁心として優れ
ている。
心り、Ｅより下側に位置しており、角形性が従来のもの
に比べて同等以上となっており、制御用磁心として優れ
ている。
発明の効果
本発明によれば、従来不十分であったＣｏ基アモルファ
ス磁心の制御磁化特性が大幅に改善できるため、高周波
駆動のスイッチング電源の可飽和リアクトルに使用した
場合に、制御電流を小さくでき、磁心の温度上昇も低く
できる。また角形性も良いので制御性も良く経時変化も
小さくできる。
ス磁心の制御磁化特性が大幅に改善できるため、高周波
駆動のスイッチング電源の可飽和リアクトルに使用した
場合に、制御電流を小さくでき、磁心の温度上昇も低く
できる。また角形性も良いので制御性も良く経時変化も
小さくできる。
このため、磁気制御型スイッチング電源を高周波化し、
小型化することが可使となり、その効果は著しいもので
ある。
小型化することが可使となり、その効果は著しいもので
ある。
第１図（ａ） （ｂ） （ｃ）は本発明のアモルファス
磁心の熱処理パターンと従来のアモルファス磁心の熱処
理パターンを比較した図、第２図は制御磁化特性測定回
路を示した図、第３図は制御する際のＢ−Ｈカーブを模
式的に示した図、第４図は制御磁化特性のカーブを模式
的に示した図、第５図は（Ｃａ、、、２．Ｆ ｅ、、、
、♂ｎｂＮｏ、、、ｏ３）７６ Ｓ’ｔｔ ”１アモ
ルファス磁心の５０ｋＨｚにおける５ｐｅｃｉｆｉｃ
ｃｏｒｅ ｇａｉｎ ＣｏのＭｎ量す依存性を示
した図、第６図は（Ｃｏ Ｆｅ Ｍｎ１’、９１ｆ
ｆ−Ｃｏ、Ｏｔｒ夕ｏ、ｏり７Ｍ ｏ ｃ ）、６Ｓｉ
ｔｒ Ｂ ９アモルファス磁心の５０ｋＨｚの５ｐｅｃ
ｉｆｉｃ ｃｏｒｅ ｇａｉｎ ＣｏのＮｏ量Ｃ
依存性を示した図、第７図は本発明による磁心（Ｃｏ
Ｆｅ Ｍｎθ３７ ｑｏＬ＃０ｏｊ Ｎ ％、ｏ４ ）ヮｂｓ：ｔ、Ｂｑアモルファス磁心の
制御磁化曲線を従来の熱処理を行なったアモルファス磁
心の制御磁化曲線と比較した図である。
磁心の熱処理パターンと従来のアモルファス磁心の熱処
理パターンを比較した図、第２図は制御磁化特性測定回
路を示した図、第３図は制御する際のＢ−Ｈカーブを模
式的に示した図、第４図は制御磁化特性のカーブを模式
的に示した図、第５図は（Ｃａ、、、２．Ｆ ｅ、、、
、♂ｎｂＮｏ、、、ｏ３）７６ Ｓ’ｔｔ ”１アモ
ルファス磁心の５０ｋＨｚにおける５ｐｅｃｉｆｉｃ
ｃｏｒｅ ｇａｉｎ ＣｏのＭｎ量す依存性を示
した図、第６図は（Ｃｏ Ｆｅ Ｍｎ１’、９１ｆ
ｆ−Ｃｏ、Ｏｔｒ夕ｏ、ｏり７Ｍ ｏ ｃ ）、６Ｓｉ
ｔｒ Ｂ ９アモルファス磁心の５０ｋＨｚの５ｐｅｃ
ｉｆｉｃ ｃｏｒｅ ｇａｉｎ ＣｏのＮｏ量Ｃ
依存性を示した図、第７図は本発明による磁心（Ｃｏ
Ｆｅ Ｍｎθ３７ ｑｏＬ＃０ｏｊ Ｎ ％、ｏ４ ）ヮｂｓ：ｔ、Ｂｑアモルファス磁心の
制御磁化曲線を従来の熱処理を行なったアモルファス磁
心の制御磁化曲線と比較した図である。
Claims (3)
- （１）組成式（Ｃｏ＿１＿−＿ａ＿−＿ｂ＿−＿ｃＦｅ
＿ａＭｎ＿ｂＭｏ＿ｃ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙ
Ｓｉ＿ｘＢ＿ｙで表わされ、 ０≦ａ≦０．０５、０．０３≦ｂ≦０．０８、０．０１
≦ｃ≦０．０４、０．０４≦ｂ＋ｃ≦０．１０ １４≦ｘ≦１６、７．５≦ｙ≦８．５（ａｔ％）の関係
を有する組成のアモルファス合金からなり、キュリー温
度以上で保持後、磁路方向に０．１０ｅ以上の交流ある
いは直流の磁界を印加しながら冷却し、キューリー温度
以下から、ステップ状に温度を１５０℃以下まで下げ多
段熱処理したことを特徴とするＣｏ基アモルファス磁心
。 - （２）多段熱処理を少なくとも３段以上おこなったこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＣｏ基アモ
ルファス磁心。 - （３）多段熱処理の各ステップの保持時間を低い温度に
なるほど長くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項ならびに第２項に記載のＣｏ基アモルファス磁心。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208328A JPS6267802A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法 |
| US07/085,405 US4769091A (en) | 1985-08-20 | 1987-08-10 | Magnetic core |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208328A JPS6267802A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267802A true JPS6267802A (ja) | 1987-03-27 |
| JPH0476483B2 JPH0476483B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=16554445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60208328A Granted JPS6267802A (ja) | 1985-08-20 | 1985-09-20 | Ｃｏ基アモルファス磁心の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100736646B1 (ko) | 2006-02-02 | 2007-07-09 | 한양대학교 산학협력단 | 코발트계 비정질 합금을 이용한 자기센서소자 및 이의제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165395A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-06-05 | Western Electric Co | |
| JPS5173923A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-26 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | |
| JPS59147415A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-23 | Hitachi Metals Ltd | 巻鉄心 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60208328A patent/JPS6267802A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165395A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-06-05 | Western Electric Co | |
| JPS5173923A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-26 | Tohoku Daigaku Kinzoku Zairyo | |
| JPS59147415A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-23 | Hitachi Metals Ltd | 巻鉄心 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100736646B1 (ko) | 2006-02-02 | 2007-07-09 | 한양대학교 산학협력단 | 코발트계 비정질 합금을 이용한 자기센서소자 및 이의제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476483B2 (ja) | 1992-12-03 |
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