JPS6265974A - 炭化ケイ素焼結体 - Google Patents

炭化ケイ素焼結体

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Publication number
JPS6265974A
JPS6265974A JP60204382A JP20438285A JPS6265974A JP S6265974 A JPS6265974 A JP S6265974A JP 60204382 A JP60204382 A JP 60204382A JP 20438285 A JP20438285 A JP 20438285A JP S6265974 A JPS6265974 A JP S6265974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sintered body
silicon carbide
carbon
sic
density
Prior art date
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Pending
Application number
JP60204382A
Other languages
English (en)
Inventor
哲雄 遠藤
敏和 森口
敏昭 坂井田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は炭化ケイ素焼結体、更に詳しくは密度が高くか
つ靭性を有し、構造材料、摺動部材などに適した炭化ケ
イ素(SiC)焼結体に関する。
(ロ) 従来の技術 高密度SiC焼結体としではSiC微粉末にC,Bを少
量混合し、焼結する方法(@公昭59−34147)、
さらに上記添加剤の外にAlを少量混合する方法(特公
昭j8−9785 )などが知られている。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点SiC微粉末に
C,Bを加えて焼結する方法は高密度化には特に問題は
ないが、靭性が高くない。
これに対し、C,B、とさらにklを添加する方法では
高温での耐酸化性は劣るが靭性は向上する。
本発明者はこのC、B 、 Alの添加によるStC焼
結体について研究した結果、前記した特公昭58−97
85で不可能とされた添加量の範囲で、焼結密度を上げ
ることができるばかりでなく、摺動部材などに使用する
場合はこの特許の焼結体よシも好ましい焼結体が得られ
ることを発見し本発明に到達した。
に) 問題点を解決するための手段 本発明のSjC焼結体はBが0.05〜1.0チと比較
的低い範囲に抑え、その代りにAlを0.01〜1.0
係含有させ、かつAlとBの合計量を0.20〜2チと
した。Alを含有させることによシ焼結体の靭性な高め
た。Al、Bの夫々の量及びその合計が上記の範囲外で
は焼結密度が上らない。またAlについては1係を越え
ると焼結体の耐食性、耐熱性に問題が生ずる。これらの
Al、Bは単体のみでなく、化合物の形で含まれていて
もより。
炭素の含有量は1.0より多く5チ以下の範囲である。
この炭素はB4C等の化合物、遊離の炭素等としての炭
素で、SiCとしての炭素以外のすべての炭素を含めた
総景である。
前記した特公昭58−9785によれば、Cの量は上限
は0.5%が好ましく、モして1チを越える範囲では高
密度化は困難であるとされている。
しかしながらCはkl 、 Bが前記した範囲内の場合
に、1チを越えても同様の密度の焼結体が得られるのみ
でなく、Cが高いことにより潤滑性が増し、耐摩耗性が
よくなシ、軸受材などに適したものとなる。しかしCは
あまり多過ぎると密度が下るので上限は5チまでである
。これにより焼結体の密度はエンジニアリング材料とし
て十分な強度をもつ3.05.9 /cm3以上となる
本発明においてStCはα、β、その混合系いずれでも
可能である。
次に焼結体の製法について説明する。
SiCは高純度の微粉、好ましくは9部チ以上、5μm
以下のものを用いる。それにはシリカの炭素還元による
SiCを粉砕したもの、或いは有機ケイ素化合物の熱分
解による微粒のSiCなどが適する。
Bは単体の粉末、あるいはB4C等の粉末を使用する。
Alはアトマイズ粉の外、化合物としてAlN 。
Al203等を用いることもできる。化合物の場合、焼
結体中においてB 、 Alとして前記した範囲になる
ようにする必要がある。これらの添加物も分散性をよく
するためできるだけ細かいものを使用する。
炭素はカーがンブラック等の粉末をポリビニルアルコー
ル等に分散したものを用いることもできるが、液状のフ
ェノール樹脂等を原料組成物に添加し、成形後の焼結中
に樹脂を炭化して炭素を残留させる方法が望ましい。残
留炭素の量は樹脂の濃度、添加量等によシ調整する。樹
脂を用いる方法だと原料中における分散性がよいので樹
脂が均一に分布し、従って、焼結体にムラが生じない。
以上の各原料を配合するが、原料の種類、例えばAlは
焼結中に1部揮散し、減少するので余分に配合する必要
がある。これらの原料組成物と焼結体の組成との関係に
ついては定められた焼結条件のもとで予じめ把握してお
けば、目標とする組成の焼結体を容易に得ることができ
る。
配合物はPVA水溶液、 PEG水溶液、フェノール樹
脂溶液等を加えて十分よく混合する。PVA 。
PEGは炭化残留物が殆んどないので、カーボンブラッ
ク等の炭素粉末を配合物に含有させておくことが必要で
ある。
結合材を混合した配合物は所望の形状に成形する。成形
は通常1〜2トン/α2程度加圧して行なう。
焼結はアルゴン等の不活性雰囲気下で1800〜230
0℃で行なえばよい。焼結は加圧でも勿論可能であるが
、無加圧でも前記した密度の焼結体が得られるので、複
雑な形状の焼結体を得るのに都合がよい。
(ホ)実施例 原料SiCは純度95係以上2粒度2.5μm以下のも
のを使用した。B源はB4Cを、Alとしてはアトマイ
ズAl、 AlN 、 Al203を使用した。またC
はカーボンブラック、フェノール樹脂として用い、カー
ボンブラックの場合はSiC100重量部にPVA2部
を水と共に加えて結合材とし、フェノール樹脂は結合材
兼炭素源とした。
これらの配合組成は以下の通り。
(以下余 上記の配合物をよく混合した後、金型に入れ2トン/c
rn2の圧力で成形し、厚さ6咽、直径50瓢の円板に
した。
これをアルコ8ン雰囲気中、無加圧下21QO℃で60
分間加熱し、焼結を行なった。得られた結果は以下の通
り。
(以下余白) 上記において、B 、 kAはICPQ法により測定し
た。またCはJISR6124の方法によった。摩耗率
の測定は21のAl203ylr−ルミルKSiCI−
/L/1 kgを水0.81とともに入れ100 rp
mで48hr運転する。運転終了後ボールを乾燥し重量
減少を百分率で表わしたものである。
(へ)効果 本発明によれば従来不可能とされていた組成でSiCの
高密度焼結体を得ることに成功したものであり、しかも
従来に見られない潤滑特性をもった焼結体とすることが
できた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  重量基準でBが0.05〜1.0%、Cが1.0を越
    え、5%以下、Alが0.01〜1.0%、Al+Bが
    0.15〜2%であって、見掛密度が3.05g/cm
    ^3以上である炭化ケイ素焼結体。
JP60204382A 1985-09-18 1985-09-18 炭化ケイ素焼結体 Pending JPS6265974A (ja)

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