JPS6264904A - 形状測定装置 - Google Patents

形状測定装置

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JPS6264904A
JPS6264904A JP20594085A JP20594085A JPS6264904A JP S6264904 A JPS6264904 A JP S6264904A JP 20594085 A JP20594085 A JP 20594085A JP 20594085 A JP20594085 A JP 20594085A JP S6264904 A JPS6264904 A JP S6264904A
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JP
Japan
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optical system
light
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photodetector
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JP20594085A
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English (en)
Inventor
Satoshi Sugiyama
杉山 聰
Kuniyuki Yoshikawa
吉川 邦幸
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Tokai Rika Co Ltd
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
Toyota Central R&D Labs Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、被測定物体の形状をスポット光を用いた非接
触方式により測定するようにした形状測定装置に関する
[従来技術1 従来より、被測定物体の表面を触針により順次トレース
する接触方式の形状測定装置が供されて来たが、このも
のにあっては、その測定時間が長くなる欠点があるばか
りか被測定物体が軟質材である場合は測定不能になる等
の欠点があるため、近年においては被測定物体の形状を
非接触方式により測定するようにした形状測定@置が広
く用いられている。
しかして、この種の非接触方式の形状測定装置において
は三角側聞方式を採用したものが最も一般的であり、例
えば被測定物体に向けて照射したスポット光の反射光を
半導体装置検出素子(PSD)或はイメージセンサ等の
ような光検出器上に結像させると共に、その結像点の位
置に基づいて被測定物体との距離を測定するように構成
し、斯様な距離測定動作を被測定物体の複数点において
実行することにより、その形状を測定するようにしたも
のが供されている。しかしながら、この構成の形状測定
装置では、三角側m時の基線長は一定のままで被測定物
体での光反射位置の遠近に応じた視差の変化間をそのま
ま測定することになるため、その視差が小さい場合には
必然的に分解能が低下するという事情下にあって、必要
な測定精度を広い測定範囲で維持できないという問題点
があった。また、このような問題点に対処するために、
従来より、スポット光を被測定物体に照射すると共に、
そのスポット光の被測定物体での反射光を反射させてホ
トセンサ(ホトダイオード等)に受光させる反射用光学
系を当該ホトセンサの光軸に沿った方向へ移動可能に設
け、上記反射用光学系を移動させながらホトセンサの中
央部に反射光が受光されたとぎ(ホトセンサの受光量が
最大値を示したとき)における反射用光学系の位置を検
出し、その検出結果に基づいて被測定物体との距離を測
定する構成とした形状測定装置が供されている。しかし
ながら、この構成の形状測定装置では、三角測量時の基
線長が変化して測定範囲が広くなる利点があるものの、
各回の測定毎に反射用光学系を移動させねばならず、こ
のため測定時間が無闇に長くなるばかりか、反射用光学
系を極めて頻繁に駆動する必要があってその機械的駆動
機構の耐久性ひいては全体の耐久性が低くなると共に、
反射用光学系の駆動に必要な電力が増大するという問題
点があった。
[発明の目的1 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的は、測定時間を短縮することができると共に、広い測
定範囲に渡って分解能が高くてM度の良い測定を行なう
ことができ、さらには全体の耐久性の向上及び消費電力
の軽減をも図り得る等の効果を奏する非接触方式の形状
測定装置を提供するにある。
[発明の要約] 本発明は上記目的を達成するために、基準軸線に対し一
定の角度を存したスポット光を被測定物体に照射する照
射光学系、前記基準軸線に対し所定角度を存して位置さ
れた光反射面を有しその基準軸線と沿った方向へ移動可
能な反射用光学系、前記スポット光の°前記被測定物体
での反射光を前記光反射面を介して受光して所定面積を
有した光検出器上に結像させるR@光学系、前記光検出
器上での結像位置を検出する結像位置検出手段、前記反
射用光学系の移動位置を検出する移動位置検出手段、前
記結像位置検出手段及び移動位置検出手段の各出力を受
ける距離演算手段を夫々設け、上記距離演算手段は、前
記反射用光学系の移動に応じて前記光検出器上に結像し
たときにおける前記結像位置検出手段及び移動位置検出
手段の各出力に基づいて前記被測定物体との距離を三角
測壷方式により演算すると共に、この演算結果並びに前
記被測定物体の複数点での前記スポット光の反射光を前
記光検出器上に結像させたとぎにおける前記結像位置検
出手段の出力変化量に基づいて被測定物体の上記各点と
の距離を演算するように構成したものである。
[実施例] 第、1図乃至第3図には本発明の第1の実施例が示され
ており、以下これについて説明する。
第1図において、1は照射光学系で、これはレーザ光源
2及びコリメートレンズ3を備え、基準軸I!1(符号
Cを付して示す)に対し一定の角度φ(本実施例では例
えば90°)を存し且つスペクトル幅が狭いスポット光
(その光軸に符号Aを付して示す)を発生して被測定物
体4に照射する。
5は反射用光学系で、これは基準軸線C上にその基準軸
線Cに対し所定角度θ/2を存して位置された光反射面
6aを有する鏡体6及びこの鏡体6をM単軸線Cと沿っ
た方向へ往復移動させるボールネジ機構7を備えて成り
、ボールネジ機構7のネジ軸7aはモータ8により回転
駆動されるようになっている。9はlIi像光学系で、
これは基準位置たる中心点0が基準軸線Cと合致するよ
うに配置された光検出器たる例えば−次元位置検出用の
半導体装置検出素子10(以下PSDと略称する)を有
し、このPSDloの前面に前記スペクトル幅が狭いス
ポット光のみを選択的に通過させるフィルタ11及び結
像用の受光レンズ12を配設して成る。
ここで、PSDloは、図示しないバイアス用電源によ
ってバイアスされており、受光量にスポット光が入射さ
れると、その入射光量に応じた値の光電流Iを発生する
と共に、対をなす電極10a、10bより次式で与えら
れる信号電流1a。
Ib  (但し、la+Ib−1)を位置信号として出
力する。即ち、第2図に示すようにPSDloの中心点
Oと電極10a、10bとの各間の距離をり、中心点O
から受光点たる結像位置までの距離をXとした場合、 Ia−J ・(D+X)/2 ・D It)−1・(D−X)/2・D の関係があり、これら各式から X−D・Ha−1b )/ (Ia +lb >・・・
・・・(1) が得られる。従って信号M流1a、Ibにより距111
X(即ち結像位置)を知ることができるものである。
しかして、13はPS[)10上での結像位置を検出す
るための結像位置検出手段であり、以下これについて述
べる。即ら、14.15は夫々前記信号電流1a、Ib
を電圧信号■a、vbに変換する電流−電圧変換回路、
16.17は上記各電圧信号va 、vbを増幅する増
幅回路である。18は増幅回路16.17からの電圧信
号Va、Vbの差つまりrVa −Vb Jを演算する
減算回路、19は上記電圧信号Va、Vbの和つまりr
Va+VbJを演算する加算回路、20は減算回路18
及び加口回路19の各出力に基づいて(Va −Vb 
) / (Va +Vb )の演算、即ち(Ia−1b
 )/ (Ia +Ib )の演算と等価の演算を行な
う除算回路であり、その演算結果[(la−1b)/(
Ia+Ib)Jに相当した信号(前記(1)式から明ら
かなようにPSD10上における結像位置の中心点0か
らの変位置に比例した信号)を結像位置信号3aとして
出力する。また、21は加算回路19の出力rla+I
bJ(即ちPSDloの入射光量に相当)のレベルを基
準レベルと比較することによりPSDlo上でのスポッ
ト光の受光の有無を判定する光検出回路であり、その判
定結果を示す判定信号Sbを出力する。
一方、22は前記反射用光学系5の移動位置を検出する
ための移動位置検出手段で、これは前記モータ8の回転
位置・(ひいては反射用光学系5の位置)に応じたパル
ス信号を出力するインクリメンタリ形のロータリエンコ
ーダ23及び上記パルス信号をカウントするアップダウ
ンカウンタ24を有し、そのアップダウンカウンタ24
のカウント値を反射用光学系5の移動位置を示す移動位
置信号SCとして出力する。25は前記結像位置検出手
段13内の除算回路20からの出力(即ち結像位置信号
Sa)をデジタル値に変換するA−D変換回路で、その
出力をマイクロコンピュータを含んで成る距離演算手段
26に与えるように設けられている。斯かる距離演算手
段26は、結像位置検出手段13内の光検出回路21並
びに前記移動位置検出手段22内のアップダウンカウン
タ24からの各出力(即ち判定信号Sb、移動位置信号
SC)も受けるように設けられており、上記各入力信号
3a 、3b 、3c及び予め記憶したプログラムに基
づいて、PSDlo上におけるスポット光の受光位置を
演算(この演算は前記(1)式により行なわれる)し、
被測定物体との距離を三角測量方式により演算すると共
に、サーボアンプ27を介して前記モータ8の駆動を制
御し、その演算結果を表示Ia28に表示させる。尚、
29はロータリエンコーダ23からのパルス信号を電圧
信号に変換する周波数−電圧変換回路で、その出力信号
をモータ8の速度制御用に供するようになっている。
次に上記構成の作用について、距離演算手段26による
制御及び演算内容と共に説明する。今、照射光学系1か
ら被測定物体4に対してスポット光が照射されると、そ
のスポット光が被測定物体4上で散乱反射されるように
なり、その反射スポット光が反射用光学系5内の光反射
面6aで反射されて撮像光学系9に入射されるようにな
る。このとき、上記スポット光がPSDloに受光され
なかった場合には、結像位置検出手段13内の光検出回
路21が非受光状態にある旨を示す判定信号Sbを出力
するようになる。すると、距離演算手段26は、上記判
定信号Sbに基づいてモータ8を駆動して反射用光学系
5をrSS軸軸線C方向移動させる。斯様な反射用光学
系5の移動に応じてPSDloがスポット光を受光する
ようになると、距離演算手段26は、結像位置検出手段
13からの結像位置信号Saに基づいてモータ8の駆動
を制御するようになり、スポット光がPSDloの中心
点O近傍で結像するようになったときにそのモータ8の
駆動を停止して反射用光学系5を静止させる。尚、この
場合、照射光学系1からのスポット光はそのスペクトル
幅が狭く設定されていると共に、psoioの前面には
そのスポット光のみを選択的に通過させるフィルタ11
が設けられているから、外乱光による悪影響を抑制する
ことができる。しかして、被測定物体4での反射スポッ
ト光が例えばPSDIOの中心点Oで結像した状態を想
定すると、基準軸5iIc上にお番するスポット光の照
射光軸A(照射光学系1の光軸)と反射用光学系5での
光反射点(基準軸線C及び光反射面6aの交点)との間
の距離をyとした場合、基準軸ll5Cと被測定物体4
におけるスポット光反射点との間の距離Rは、第1図中
の光学系のみを抽出して示す第3図から理解されるよう
に、R−y”tanθ ・・・・・・(2)となる(但
し、スポット光の照射光軸と基準軸線Cとのなす角度φ
が90°の場合)。また、このように反射用光学系5が
静止された状態で被測定物体4との間の距離Rが変化さ
れた場合、例えば第3図に二点鎖線で示すように距離R
がR′に短くなった場合には、PSDlo上のスポット
光の結像位置は中心点0からΔSだけ移動すると共に、
被測量物体4での反射スポット光の入射角も角度Δθだ
けずれるようになる。上記移動距離ΔSは前記結像位置
検出回路13からの結像位置信号Saに基づいて演算で
きるものであり、また、上記ずれ角Δθも移動距離ΔS
及び前記受光レンズ12の光学中心とPSDloの受光
量との間の距離b (第3図参照)に基づいて次式によ
り演算できるものである。
Δθ−jan”(Δs/b )  −(3)また、この
ときの距離R′は、第3図から理解されるように次式に
より得ることができる。但し、aはスポット光の照射光
軸Aと受光レンズ12の光学中心との間の距離である。
R−−(y+ (a−y)cosθ)・jan  (θ
−Δθ) −(a −y) −5in O・・・・・・
(4) しかして、演算処理回路26は、反射用光学系5の移動
に応じてPSDIOの中心点O近傍でスポット光が受光
されるようになったときに結像位置信号Saと移動位置
信@SCとに基づいて上記(4)式の演算を行なうと共
に、この後に反射用光学系5を静止させた状態で、結像
位置信号Saの変化に基づいて上記(4)式の演算を被
測定物体4の複数点について実行するものであり、その
演算結果は表示器28に表示される。
尚、コ(7)18合、例えばtanθ−10,a−10
Qmm、 b −100mmとして、’W−40mn+
及び80■の各位置でのΔSの値に対するR、R=の値
を計算すると次表のようになる。
この表から明らかなようにR−400+aの状態時には
、反射用光学系5を静止させたままでR′−245,2
3〜864.3011の範囲まで測定可能になり、また
、R=800mmの状態時には、反射用光学系5を静止
させたままでR−−633゜25〜1978.58m5
の範囲まで測定可能になるものである。
以上要するに、距離演算手段26は、判定信号sbに基
づいて反射用光学系5を移動させる必要があるか否かを
判断し、反射用光学系5の移動に応じて被測定物体4で
の反射スポット光がPSDloの中心点O近傍に結像し
たときにこれを結像位置信号Saに基づいて判断して上
記反射用光学系5の移動を停止させると共に、このとき
の被測定物体4との距[R=を結像位置信号Saと移動
位置信号SCに基づいて演算し、この優には反射用光学
系5を静止させたままの状態で結像位置信号Saの変化
に基づいて被測定物体4の複数点との距111R−を演
算するものである。従って、三角111fi1時の基線
長(第3図中の距離yに相当)が長くなる方向へ変化さ
せることができ、これにより広い距離測定範囲において
その測定分解能を高め得るものである。また、前記した
表に示すように比較的広い測定範囲において反射用光学
系5を静止させたままで済むから、反射用光学系5の移
動回数を抑制することができ、結果的に各回の測定の所
要時間が従来のように長くなることがなく、以て全体の
測定時間を短縮することができる。勿論、反射用光学系
5を従来のように極めて頻繁に駆動する必要がないと共
に、その反射用光学系5の移動速度もそれ程遠める必要
がないから、その機械的駆動機構(ボールネジ機構7.
モータ8゜ロータリエンコーダ23等)の耐久性を向上
させ得ると共に、反射用光学系5を駆動するのに必要な
電力の低減並びにサーボアンプ27の小容量化を実現す
るることができる。 尚、上記実施例では、反射用光学
系5を静止させた状態で距離測定を行なう例を示したが
、これに限らず被測定物体との巨視的距離が一様に変化
するようなものにあっては反射用光学系5を一定速度で
移動させながら距離測定を行なっても良い。また、例え
ば一定の周期で結像位置信号3aをサンプリングし、そ
のサンプリング結果に比例した信号をサーボアンプ27
に与えることにより、スポット光の結像位置と中心点0
との距離ΔSが順次短くなるように位置制御しながら距
離測定を行なう構成としても良い。
第4図には本発明の第2の実施例が示されており、以下
これについて前記第1の実施例と異なる部分のみ説明す
る。即ち、30は照射光学系1による照射光母を調整で
きるように設けられた先出vU御回路で、これは照射光
学系1による照射光mを、結像位置検出手段1−3内の
加算回路19の出力rla+IbJつまりPSDIOの
入射光量(撮像光学系9の受光量)に逆比例した値とな
るようにフィードバック制御する。従って、本実施例に
よれば、被測定物体4までの距離、被測定物体4の光反
射率、照射スポット光の被測定物体4での反射角度の変
化等に起因したPSDIOの受光量の変動を補正するこ
とができ、常に安定した測定を行なうことができる。
第5図には本発明の第3の実施例が示されており、以下
これについて前記第1の実施例と異なる部分のみ説明す
る。即ち、この実施例では撮像光学系9の光路内に一対
の反射鏡31.32を挿入し、以てその光路長を拡大し
た点に特徴を有する。
この構成の結果、本実施例によれば、測定の分解能を一
層高めることができる。尚、この場合、反射131.3
2による光路の折曲方向を、照射光学系1によるスポッ
ト光の照射軸及び及びPSDloの受光軸を含む平面と
直交する方向とすれば、光路を折曲したことによる歪み
の発生を防止することができる。
第6図乃至第8図には本発明の第4の実施例が示されて
おり、以下これについて前記第1の実施例と異なる部分
のみ説明する。即ち、この実施例では第1の実施例にお
けるPSDIOに代えて光検出器たるイメージセンサ3
3を設けてI#if!ii光学系34を構成すると共に
、同じく第1の実施例における結像位置検出手段13に
代えて上記イメージセンサ33上での結像位置を検出す
るための結像位置検出手段35を設ける構成としたもの
である。この場合、イメージセンサ33は、例えばMO
Sイメージセンサ、CODイメージセンサ等の固体撮像
素子により構成され、また、結像位置検出手段35は、
距離演算手段26からの指令に基づいてイメージセンサ
33を走査するための駆動回路36及びイメージセンサ
33からの位置信号を増幅してA−D変換回路25に与
える出力増幅P537より成る。
しかして、被測定物体4での反射スポット光がイメージ
センサ33の中心点Oで結像した状態では、前記第1の
実施例における第3図と同様の第7図から理解されるよ
うに、基準軸線Cと被測定物体4におけるスポット光反
射点との間の距111Rは、 R−y −tanθ で得られる。また、この状態から被測定物体4との距離
Rが例えばR′に短くなると、イメージセンサ33上の
スポット光の結像位置が中心点OからΔSだけ移動する
と共に、被測定物体4での反射スポット光の入射角も角
度Δθだけずれるようになる。このときの移動距離ΔS
は、結像位置検出手段35内の出力増幅器37からの位
置信号を距II!演算手段26で演算処理することによ
り測定することができる。即ち、第8図には出力増幅器
37からの位置信号により示されるイメージセンサ33
上の光m分布を示す。この場合、ΔSの大きさを光m分
布のm心とすると、その垂心アドレスNgは次式で得る
ことができる。
NQ−Σ n−Vn/Σ Vn i (但し、nは第n番目のアドレス、 Vnは第ni%目のアドレスの光m電圧)従って、ΔS
は次式により得ることができる。
ΔS−Δp・(NQ−No) (但し、Δpは画素ピッチ、 NOは基準軸のアドレス) そして、前記ずれ角Δθは、このようにして得たΔS及
び受光レンズ12の、光学中心とイメージセンサ33の
受光量との間の距離b (第7図参照)に基づいて次式
により演算できるものである。
Δ θ −【aロ °1 (Δ s/b  )従って、
本実施例においても前記第1の実施例で述べた(4)式
によって距離R”を演算できるものであり、これによっ
て第1の実施例と同様の作用効果を奏するものである。
尚、前記第1の実施例においてはPSDIOにスポット
光が受光されたか否かの判定を光検出回路21により行
なうようにしたが、この第4の実施例においては、イメ
ージセンサ33にスボッ1−光が受光されているか否か
の判定を、距離演算手段26により行なっており、具体
的には、出力増幅器37からの位置信号により示される
イメー ジセンサ33の全受光口Sを(S=ΣVn)に
より演算し、その値が所定の基準値を越えたか否かによ
り判定する構成としている。
第9図及び第10図には上記第4の実施例にさらに変更
を加えた本発明の第5の実施例が示されており、以下こ
れについて第4の実施例と異なる部分のみ説明する。即
ち、この実施例において、距離演算手段26は、出力増
幅器37からの位置信号に基づいてイメージセンサ33
の全受光量Sを(S=Σ Vn)により演算し、その演
算結果^ に応じたフィードバック信号をD−A変換器38を介し
て光m制御回路39に与える。この光m制御回路39は
、照射光学系1による照射光口を調整できるように設け
られたもので、その照射光口を上記フィードバック信号
のレベルに逆比例した値となるように制御する。従って
、本実施例の構成を採用した場合、被測定物体4までの
距離、被測定物体4の光反射率、照射スポット光の被測
定物体4での反射角度の変化等に起因したイメージセン
サ33の受光mの変動を補正することができ、以て常に
安定した測定を行なうことができる。尚、第10図には
光m制御回路39の具体的な回路構成の一例を示す。こ
の第10図において、D−A変換器38から出力される
アナログ値のフィードバック信号Vs(イメージセンサ
33の全受光量を示す)と基準電圧VCとが誤差増幅器
40にて比較され、その差電圧に比例した信号が積分器
41及びバッファアンプ42を介して照射光学系1内の
レーザ光源2に与えられ、これによりそのレーザ光源2
の発光量がフィードバック制御される。
その他、本発明は上記し且つ図面に示した各実施例に限
定されるものではなく、例えば第4の実施例或は第5の
実施例における躍像光学系34の光路内にその光路長を
拡大するための反射鏡を設ける構成としても良い等、そ
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが
できるものである。
[発明の効果] 本発明によれば以上の説明によって明らかなように、非
接触方式で、しかも測定時に光学系の一部を移動させる
構成でありながら、測定時間を短縮することができるも
のであり、また、広い測定範囲に渡って分解能を高める
ことができて精度の良い測定を行なうことができると共
に、全体の耐久性及び消費電力の軽減をも図り得るとい
う優れた効果を秦するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明の第1の実施例を示すもので
、第1図は全体の電気的構成を光学系の配置と共に示す
ブロック図、第2図は半導体装置検出素子(PSD)の
構成を説明するための側面図、第3図は作用を説明する
ために光学系のみ抽出して示す図である。第4図は本発
明の第2の実施例を示す第1図相当図、第5図は本発明
の第3の実施例を示す第1図相当図であり、また、第6
図乃至第8図は本発明の第4の実施例を示すもので、第
6図は第1図相当図、第7図は第3図相当図、第8図は
イメージセンサの蛍光団分布を示す図である。さらに、
第9図乃至第10図は本発明の第5の実施例を示すもの
で、第9図は第1図相当図、第10図は要部の回路構成
図である。 図中、1は照射光学系、2はレーザ光源、3はコリメー
トレンズ、4は被測定物体、5は反射用光学系、6は鏡
体、6aは光反射面、8はモータ、9.34はR像光学
系、10は半導体装置検出素子(光検出器)、11はフ
ィルタ、12は受光レンズ、13.35は結像位置検出
手段、22は移動位置検出手段、26は距離演算手段、
27はサーボアンプ、30.39は光m制御回路、31
゜32は反射鏡、33はイメージセンサ(光検出器)を
示す。 出願人  株式会社豊田中央研究所 株式会社東海理化電機製作所 第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基準軸線に対し一定の角度を存したスポット光を被
    測定物体に照射する照射光学系と、前記基準軸線に対し
    所定角度を存して位置された光反射面を有しその基準軸
    線と沿つた方向へ移動可能に設けられた反射用光学系と
    、前記スポット光の前記被測定物体での反射光を前記光
    反射面を介して受光して所定面積を有した光検出器上に
    結像させる撮像光学系と、前記光検出器上での結像位置
    を検出する結像位置検出手段と、前記反射用光学系の移
    動位置を検出する移動位置検出手段と、前記反射用光学
    系の移動に応じて前記光検出器上に結像したときにおけ
    る前記結像位置検出手段の出力と前記移動位置検出手段
    の出力とに基づいて前記被測定物体との距離を三角測量
    方式により演算すると共にこの演算結果並びに前記被測
    定物体の複数点での前記スポット光の反射光を前記光検
    出器上に結像させたときにおける前記結像位置検出手段
    の出力変化量に基づいて被測定物体の上記各点との距離
    を演算する距離演算手段とを設けたことを特徴とする形
    状測定装置。 2、光検出器は半導体装置検出素子により構成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の形状
    測定装置。 3、光検出器はイメージセンサにより構成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の形状測定
    装置。 4、照射光学系の照射光量は、撮像光学系の受光量に応
    じてフィードバック制御され、これにより上記撮像光学
    系の受光量が一定レベルを保持するように構成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の形状
    測定装置。 5、照射光学系はスペクトル幅の狭いスポット光を照射
    するように構成され、撮像光学系は光検出器の前面に上
    記スペクトル幅の狭いスポット光のみを選択的に通過さ
    せるフィルタを備えていることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載の形状測定装置。 6、撮像光学系の受光量を光検出器の出力に基づいて測
    定するように構成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第4項に記載の形状測定装置。 7、撮像光学系の光路内にその光路長を拡大するための
    反射鏡を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    に記載の形状測定装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01189507A (ja) * 1988-01-25 1989-07-28 Mitsubishi Electric Corp 物体形状測定装置
JPH0526619A (ja) * 1991-05-15 1993-02-02 Fanuc Ltd レーザセンサにおける位置検出方式

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01189507A (ja) * 1988-01-25 1989-07-28 Mitsubishi Electric Corp 物体形状測定装置
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