JPS6263491A - Manufacturing multilayer thick film board - Google Patents

Manufacturing multilayer thick film board

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JPS6263491A
JPS6263491A JP20267285A JP20267285A JPS6263491A JP S6263491 A JPS6263491 A JP S6263491A JP 20267285 A JP20267285 A JP 20267285A JP 20267285 A JP20267285 A JP 20267285A JP S6263491 A JPS6263491 A JP S6263491A
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JP
Japan
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thick film
substrate
temperature
conductor layer
conductor
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JP20267285A
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Japanese (ja)
Inventor
雅雄 瀬川
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、絶縁基板に回路パターンを形成した厚膜基
板を複数積層してなる多層厚膜基板の製造方法に係り、
特に低温焼成可能な絶縁基板に不活性雰囲気中で焼成を
行なう導体層を形成する際に、絶縁基板の脱脂を効果的
に行ない得るようにしたものに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer thick film substrate formed by laminating a plurality of thick film substrates each having a circuit pattern formed on an insulating substrate.
In particular, the present invention relates to an insulating substrate that can be effectively degreased when forming a conductive layer on an insulating substrate that can be fired at a low temperature in an inert atmosphere.

[発明の技術的背景] 周知のように、例えば電子機器等の分野にあっては、小
形軽量化を図るために、混成集積回路が多く使用される
ようになってきている。この混成集積回路は、一般に、
絶縁基板に導体材料及び抵抗材料等を印刷してなる厚膜
基板に、リード線のないチップタイプの受動素子や能動
素子を半田付けして構成されるものである。ところで、
従来の厚膜基板は、一般に、絶縁基板材料としてアルミ
ナが使用され、また導体材料としてタングステンやモリ
ブデン等が使用されているので、焼成温度が1600℃
程度と高く、形成された導体層の導体抵抗も高いという
問題を存している。
[Technical Background of the Invention] As is well known, in the field of electronic equipment, for example, hybrid integrated circuits are increasingly being used to reduce size and weight. This hybrid integrated circuit is generally
It is constructed by soldering chip-type passive elements and active elements without lead wires to a thick film substrate made by printing conductive materials, resistive materials, etc. on an insulating substrate. by the way,
Conventional thick film substrates generally use alumina as the insulating substrate material and tungsten, molybdenum, etc. as the conductive material, so the firing temperature is 1600°C.
However, there is a problem in that the conductor resistance of the formed conductor layer is also high.

そこで、近時では、1000℃以下の低い温度で焼成可
能な絶縁基板を用いるとともに、導体材料としても金、
銀−パラジウムや銅等を用いることで導体抵抗の低い導
体層を形成することが行なわれており、さらに、絶縁基
板と導体層とを同時に焼成することによって、製造工数
を削減するようにすることも行なわれている。
Therefore, in recent years, insulating substrates that can be fired at temperatures as low as 1000°C or less have been used, and gold and gold have been used as conductive materials.
A conductor layer with low conductor resistance has been formed by using silver-palladium, copper, etc., and the number of manufacturing steps can be reduced by firing the insulating substrate and the conductor layer at the same time. is also being carried out.

そし、て、特に近時では、より一層の高密度実装化を図
るために、上記のようにして形成された厚膜基板を複数
枚積層して多層構造とすることが行なわれている。第6
図は、このような従来の多層厚膜基板の製造方法を示す
ものである。まず、第6図(a)に示すように、ガラス
・セラミックス系の粉末にアクリル樹脂等のバインダー
及び、ブチルカルピトール等の溶剤を混合し、ドクター
ブレード法等によって、板厚が0.3111m程度のグ
リーンシートと称せられる生基板11を形成する。
Particularly recently, in order to achieve even higher density packaging, a plurality of thick film substrates formed as described above are laminated to form a multilayer structure. 6th
The figure shows a conventional method for manufacturing such a multilayer thick film substrate. First, as shown in Figure 6(a), a binder such as acrylic resin and a solvent such as butyl calpitol are mixed with glass/ceramic powder, and a plate thickness of approximately 0.3111 m is prepared using a doctor blade method or the like. A raw substrate 11 called a green sheet is formed.

次に、第6図(b)に示すように、例えばプレス等によ
る打ち抜きによって、生基板11の所定位置に直径0.
5φ程度の透孔11aを、生基板11の外形と同時に形
成する。その後、第6図(c)に示すように、金、銀−
パラジウムや銅等の導体粒子とガラスフリット及び溶剤
等を含んだ導体ペーストを、真空吸引法を用いながらス
クリーン印刷法により生基板11の透孔I J、 a内
に印刷し、150℃で10分間乾燥させてスルーホール
12を形成する。次に、第6図(d)に示すように、生
基板11」二にスルーホール12を囲む如く上記導体ペ
ーストをスクリーン印刷法を用いて印刷して、150°
Cで10分間乾燥させることにより導体層13を形成し
、ここに1枚の厚膜基板14が形成されるものである。
Next, as shown in FIG. 6(b), by punching with a press or the like, the green substrate 11 is stamped at a predetermined position with a diameter of 0.
A through hole 11a having a diameter of about 5φ is formed at the same time as the outer shape of the raw substrate 11. After that, as shown in Figure 6(c), gold, silver
A conductor paste containing conductor particles such as palladium or copper, glass frit, and a solvent was printed into the through holes IJ, a of the raw substrate 11 by screen printing using a vacuum suction method, and then heated at 150° C. for 10 minutes. The through hole 12 is formed by drying. Next, as shown in FIG. 6(d), the conductive paste is printed on the raw substrate 11'' so as to surround the through holes 12 using a screen printing method, and
A conductor layer 13 is formed by drying with C for 10 minutes, and one thick film substrate 14 is formed thereon.

以−Lのような工程で、複数枚の厚膜基板14を形成し
、その後、第7図(a)に示すように、複数の厚膜基板
14を積層してプレス圧着する。次に、第7図(b)に
示すように、各厚膜基板14を構成する生基板11とス
ルーホール12.導体層13よりなる回路パターンとに
含まれる樹脂成分を分解または1焼させるために、例え
ば電気炉等を用いて不活性雰囲気中で脱脂が行なわれる
。その後、第7図(C)に示すように、生基板11及び
回路パターンを不活性雰囲気中で同時に焼成17、ここ
に多層厚膜基板が構成されるものである。
A plurality of thick film substrates 14 are formed through the steps shown in FIG. 7(a), and then, as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 7(b), the raw substrate 11 and the through holes 12 . In order to decompose or burn out the resin components contained in the circuit pattern made of the conductor layer 13, degreasing is performed in an inert atmosphere using, for example, an electric furnace. Thereafter, as shown in FIG. 7(C), the raw substrate 11 and the circuit pattern are simultaneously fired 17 in an inert atmosphere, thereby forming a multilayer thick film substrate.

[背景技術の問題点] しかしながら、上記のような従来の多層厚膜基板の製造
方法では、次のような問題が生じる。すなわち、上記導
体ペーストとして銅やニッケル等の卑金属を成分とする
ものを使用すると、銅の酸化防止のために不活性雰囲気
中で脱脂及び焼成を行なう必要があることから、特に生
基板11に使用する樹脂の選択及び脱脂条件が難しくな
るものである。例えば脱脂条件としては、第8図に示す
ように、50℃/Hの昇温率で温度上昇させ、700℃
で約3時間保持させるというように温度制御をする必要
があり、10時間以上の長い時間を要するものである。
[Problems of Background Art] However, the following problems occur in the conventional method of manufacturing a multilayer thick film substrate as described above. In other words, if a conductor paste containing base metals such as copper or nickel is used, it is necessary to degrease and bake it in an inert atmosphere to prevent oxidation of the copper. This makes the selection of resin and degreasing conditions difficult. For example, as shown in Figure 8, the degreasing conditions include increasing the temperature at a rate of 50°C/H and increasing the temperature to 700°C.
It is necessary to control the temperature so that the temperature is maintained for about 3 hours, which takes a long time of 10 hours or more.

また、生基板11に使用する樹脂の選択に際しても、不
活性雰囲気中で完全には分解されないため、脱脂中に生
基板11中のガラス粒子と反応して、焼成後の絶縁基板
中にカーボンとして一部残存することになる。このため
、第9図に示すように、焼成温度を上げても絶縁基板の
層間絶縁抵抗が低く、実用化に不十分なものである。
In addition, when selecting the resin to be used for the raw substrate 11, since it is not completely decomposed in an inert atmosphere, it reacts with the glass particles in the raw substrate 11 during degreasing and forms carbon in the insulating substrate after firing. Some of it will remain. Therefore, as shown in FIG. 9, even if the firing temperature is increased, the interlayer insulation resistance of the insulating substrate is low, which is insufficient for practical use.

ここで、従来では、脱脂条件を改善するために、脱脂の
際に一部数百p、p、m、程度の酸素を混入するという
方法を用いることもあるが、このようにすると銅の酸化
が促進されて、第10図に示すように、導体層13の導
体抵抗が1001Ω以上に高くなるという問題も有して
いる。
Here, conventionally, in order to improve the degreasing conditions, a method of partially mixing several hundred p, p, m, or so of oxygen during degreasing is sometimes used; There is also the problem that the conductor resistance of the conductor layer 13 becomes higher than 1001Ω as shown in FIG. 10.

[発明の目的] この発明は上記事情を考慮してなされたもので、低忍焼
成可能な絶縁基板に不活性雰囲気中で焼成を行なう導体
層を形成するに際し、絶縁基板の脱脂を効果的に行ない
、層間絶縁抵抗値及び導体層の導体抵抗値を十分に実用
に供し得るよ・うにした極めて良好な多層厚膜基板の製
造方法を提供することを目的とする。
[Purpose of the Invention] This invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides a method for effectively degreasing an insulating substrate when forming a conductive layer that is fired in an inert atmosphere on an insulating substrate that can be fired in an inert atmosphere. It is an object of the present invention to provide an extremely good method for manufacturing a multilayer thick film substrate in which the interlayer insulation resistance value and the conductor resistance value of the conductor layer can be sufficiently put to practical use.

[発明の概要] すなわち、この発明に係る多層厚膜基板の製造方法は、
ガラス粒子を含む材料で形成された絶縁基板をガラス粒
子の軟化温度よりも高く焼結温度よりも低い温度で酸化
雰囲気中で脱脂し、この絶縁基板上に卑金属材料でなる
導体層を含む回路パターンを印刷して厚膜基板を形成す
る。そして、このようにして形成された複数の厚膜基板
を積層し、不活性雰囲気中で同時焼成するようにするこ
とにより、低温焼成可能な絶縁基板に不活性雰囲気中で
焼成を行なう導体層を形成するに際し、絶縁基板の脱脂
を効果的に行ない、層間絶縁抵抗値及び導体層の導体抵
抗値を十分に実用に供し得るようにしたものである。
[Summary of the invention] That is, the method for manufacturing a multilayer thick film substrate according to the present invention includes:
An insulating substrate made of a material containing glass particles is degreased in an oxidizing atmosphere at a temperature higher than the softening temperature of the glass particles and lower than the sintering temperature, and a circuit pattern containing a conductive layer made of a base metal material is formed on the insulating substrate. to form a thick film substrate. By stacking a plurality of thick film substrates formed in this way and firing them simultaneously in an inert atmosphere, a conductive layer that can be fired in an inert atmosphere is formed on an insulating substrate that can be fired at low temperatures. When forming the insulating substrate, the insulating substrate is effectively degreased so that the interlayer insulation resistance value and the conductor resistance value of the conductor layer are sufficiently high for practical use.

[発明の実施例] 以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。まず、第1図(a)に示すように、例えば
MgO−5t02系の同容体と無鉛バリウム系非晶質ガ
ラス粉末を50部づつ混合し、これにアクリル系樹脂、
メチルエチルケトン、可塑剤等を混合してスラリーを形
成し、ドクターブレード法を用いて板厚が0.3■で、
面積が60部2程度の生基板15を形成する。次に、第
1図(b)に示すように、生基板15の所定位置に、直
径0,5φのポンチを用いて複数の透孔L5aを形成す
る。
[Embodiment of the Invention] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, as shown in FIG. 1(a), for example, 50 parts each of MgO-5t02-based isocontainer and lead-free barium-based amorphous glass powder are mixed, and acrylic resin,
Mix methyl ethyl ketone, plasticizer, etc. to form a slurry, and use the doctor blade method to make a plate with a thickness of 0.3 cm.
A raw substrate 15 having an area of about 60 parts 2 is formed. Next, as shown in FIG. 1(b), a plurality of through holes L5a are formed at predetermined positions on the raw substrate 15 using a punch with a diameter of 0.5φ.

その後、第1図(c)に示すように、上記生基板15を
酸化雰囲気中で850℃の温度で1.5時間脱脂を行な
う。この場合、生基板15のガラスフリットの軟化温度
は850℃であるため、上記のように850℃の脱脂温
度では、生基板15中の樹脂は全て略完全に分解される
ようになる。また、ガラスフリットが溶融することで上
記MgO−5i02系添加物との融着が促進されるので
、焼結前であっても脱脂後の生基板15の抗折力が実験
によれば1200kg/ em2とかなり強くなってお
り、生基板15の表面も粗さが4μm程度と、後述する
導体層の形成のために十分な強度を保有しているもので
ある。
Thereafter, as shown in FIG. 1(c), the raw substrate 15 is degreased in an oxidizing atmosphere at a temperature of 850° C. for 1.5 hours. In this case, since the softening temperature of the glass frit of the raw substrate 15 is 850°C, all the resin in the raw substrate 15 is almost completely decomposed at the degreasing temperature of 850°C as described above. In addition, melting of the glass frit promotes fusion with the MgO-5i02-based additive, so that even before sintering, the transverse rupture strength of the raw substrate 15 after degreasing is 1200 kg/ em2, and the surface roughness of the raw substrate 15 is approximately 4 μm, which is sufficient strength for forming a conductor layer to be described later.

次に、第1図(d)に示すように、金、銀−パラジウム
や銅等の導体粒子とガラスフリット及び溶剤等を含んだ
導体ペーストを、真空吸引法を用いながらスクリーン印
刷法により生基板15の透孔15a内に印刷し、120
℃で10分間乾燥させてスルーホール16を形成する。
Next, as shown in Figure 1(d), a conductor paste containing conductor particles such as gold, silver-palladium, or copper, glass frit, and a solvent is applied to the green substrate by screen printing while using a vacuum suction method. 15 through holes 15a, 120
The through hole 16 is formed by drying at .degree. C. for 10 minutes.

次に、第1図(e)に示すように、生基板15上にスル
ーホール1Bを囲む如く上記導体ペーストをスクリーン
印刷法を用いて印刷して、120℃で10分間乾燥させ
ることにより導体層17を形成し、ここに1枚の厚膜基
板18が形成されるものである。
Next, as shown in FIG. 1(e), the conductive paste is printed on the raw substrate 15 using a screen printing method so as to surround the through hole 1B, and dried at 120° C. for 10 minutes to form a conductive paste. 17, and one thick film substrate 18 is formed thereon.

以上のような工程で、複数枚の厚膜基板18を形成し、
その後、第2図(a)に示すように、複数の厚膜基板1
8を積層してプレス圧着する。次に、第2図(b)に示
すように、各厚膜基板18を構成する生基板15とスル
ーホール1B、導体層17よりなる回路パターンとを、
不活性雰囲気中で950℃の温度で1時間焼成し、ここ
に多層厚膜基板が構成されるものである。この場合、特
に焼結の際に、各厚膜基板18に含まれるガラスフリッ
トが再度溶融して液相焼結するときに、各厚膜基板18
が強固に接着されるようになるものである。
Through the steps described above, a plurality of thick film substrates 18 are formed,
After that, as shown in FIG. 2(a), a plurality of thick film substrates 1
8 are laminated and press-bonded. Next, as shown in FIG. 2(b), a circuit pattern consisting of the raw substrate 15, the through hole 1B, and the conductor layer 17 constituting each thick film substrate 18 is
The multilayer thick film substrate is constructed by firing in an inert atmosphere at a temperature of 950° C. for 1 hour. In this case, especially during sintering, when the glass frit included in each thick film substrate 18 is melted again and liquid phase sintered, each thick film substrate 18
This will allow them to be firmly bonded.

したがって、上記実施例のような方法によれば、生基板
15を酸化雰囲気中で脱脂するようにしたので、第3図
に示すように、脱脂に要する時間が従来の 1/10以
下に短縮されるとともに、生基板15に使用する樹脂の
選択も容易となるものである。
Therefore, according to the method of the above embodiment, since the raw substrate 15 is degreased in an oxidizing atmosphere, the time required for degreasing is reduced to less than 1/10 of the conventional method, as shown in FIG. At the same time, the resin used for the raw substrate 15 can be easily selected.

また、生基板15の樹脂の脱脂が完全に行なわれるため
、第4図に示すように、居間絶縁抵抗が同じ焼成温度で
従来に比して非常に高くなり、実用に十分共するように
なるものである。さらに、第5図に示すように、導体層
17の導体抵抗も、約31Ω程度と、従来の約1/4に
なり、実用化に適するものである。
In addition, since the resin on the raw substrate 15 is completely degreased, the insulation resistance becomes much higher than before at the same firing temperature, as shown in FIG. 4, making it suitable for practical use. It is something. Furthermore, as shown in FIG. 5, the conductor resistance of the conductor layer 17 is about 31Ω, which is about 1/4 of the conventional resistance, which is suitable for practical use.

なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施
することができる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and can be implemented with various modifications without departing from the gist thereof.

[発明の効果] したがって、以上詳述したようにこの発明によれば、低
温焼成可能な絶縁基板に不活性雰囲気中で焼成を行なう
導体層を形成するに際し、絶縁基板の脱脂を効果的に行
ない、層間絶縁抵抗値及び導体層の導体抵抗値を十分に
実用に倶し得るようにした極めて良好な多層厚膜基板の
製造方法を提供することができる。
[Effects of the Invention] Therefore, as detailed above, according to the present invention, when forming a conductor layer on an insulating substrate that can be fired at a low temperature in an inert atmosphere, the insulating substrate can be effectively degreased. Therefore, it is possible to provide an extremely good method for manufacturing a multilayer thick film substrate in which the interlayer insulation resistance value and the conductor resistance value of the conductor layer can be sufficiently reduced for practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図はそれぞれこの発明に係る多層厚膜基
板の製造方法の一実施例を示す側面図、第3図は同実施
例における脱脂時間及び焼成時間とその温度との関係を
示す特性図、第4図は同実施例における焼成温度と絶縁
基板の層間絶縁抵抗との関係を示す特性図、第5図は同
実施例における焼成温度と導体層の導体抵抗との関係を
示す特性図、第6図及び第7図はそれぞれ従来の多層厚
膜基板の製造方法を示す側面図、第8図は同従来例にお
ける脱脂時間及び焼成時間とその温度との関係を示す特
性図、第9図は同従来例における焼成温度と絶縁基板の
層間絶縁抵抗との関係を示す特性図、第10図は同従来
例における焼成温度と導体層の導体抵抗との関係を示す
特性図である。 11・・・生基板、12・・・スルーホール、13・・
・導体層、14・・・厚膜基板、15・・・生基板、1
6・・・スルーホール、17・・・導体層、18・・・
厚膜基板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 第6図 第7図 第8図 、2尻重度(0C)        焼底遷及第9図 
    第10図
1 and 2 are side views showing an embodiment of the method for manufacturing a multilayer thick film substrate according to the present invention, respectively, and FIG. 3 shows the relationship between the degreasing time and firing time and the temperature in the same embodiment. Figure 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the firing temperature and the interlayer insulation resistance of the insulating substrate in the same example, and Figure 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the firing temperature and the conductor resistance of the conductor layer in the same example. 6 and 7 are side views showing the conventional method for manufacturing a multilayer thick film substrate, respectively. FIG. 9 is a characteristic diagram showing the relationship between the firing temperature and the interlayer insulation resistance of the insulating substrate in the conventional example, and FIG. 10 is a characteristic diagram showing the relationship between the firing temperature and the conductor resistance of the conductor layer in the same conventional example. 11... raw board, 12... through hole, 13...
・Conductor layer, 14... Thick film substrate, 15... Raw substrate, 1
6...Through hole, 17...Conductor layer, 18...
Thick film substrate. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1, Figure 2, Figure 6, Figure 7, Figure 8, 2-butt severity (0C) Burnt bottom progression and Figure 9
Figure 10

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ガラス粒子を含む材料で形成された絶縁基板を前記ガラ
ス粒子の軟化温度よりも高く焼結温度よりも低い温度で
酸化雰囲気中で脱脂する第1の工程と、この第1の工程
の後前記絶縁基板上に卑金属材料でなる導体層を含む回
路パターンを印刷して厚膜基板を形成する第2の工程と
、この第2の工程の後該第2の工程で形成された複数の
厚膜基板を積層する第3の工程と、この第3の工程の後
前記複数の積層された厚膜基板を不活性雰囲気中で同時
焼成する第4の工程とを具備してなることを特徴とする
多層厚膜基板の製造方法。
a first step of degreasing an insulating substrate formed of a material containing glass particles in an oxidizing atmosphere at a temperature higher than the softening temperature of the glass particles and lower than the sintering temperature; a second step of forming a thick film substrate by printing a circuit pattern including a conductor layer made of a base metal material on the substrate; and a plurality of thick film substrates formed in the second step after this second step. and a fourth step of simultaneously firing the plurality of laminated thick film substrates in an inert atmosphere after the third step. A method for manufacturing a thick film substrate.
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