JP3351043B2 - Method for manufacturing multilayer ceramic substrate - Google Patents

Method for manufacturing multilayer ceramic substrate

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JP3351043B2
JP3351043B2 JP22550193A JP22550193A JP3351043B2 JP 3351043 B2 JP3351043 B2 JP 3351043B2 JP 22550193 A JP22550193 A JP 22550193A JP 22550193 A JP22550193 A JP 22550193A JP 3351043 B2 JP3351043 B2 JP 3351043B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体LSI、チップ部
品などを搭載し、かつそれらを相互配線するためのセラ
ミック多層配線基板の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board for mounting semiconductor LSIs, chip components and the like and interconnecting them.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、低温焼結ガラス・セラミック多層
基板の開発によって、使用できる導体材料に、金、銀、
銅、パラジウムまたはそれらの混合物が用いられるよう
になった。これらの金属は従来使用されたタングステ
ン、モリブデンなどに比べ導体抵抗が低く、且つ使用で
きる設備も安全で低コストに製造できるものであり、応
用範囲が広い。しかしながら、一般に多層セラミック基
板は、焼成時に焼結に伴う収縮が生じ、この収縮は、使
用する基板材料、グリーンシート組成、粉体ロットなど
により異なるといった挙動を示す。これにより多層基板
の作製においていくつかの問題が生じている。まず第1
に、多層セラミック基板の作製において前述のごとく内
層配線の焼成を行ってから最上層配線の形成を行なうた
め、基板材料の収縮誤差が大きいと、最上層配線パター
ンと寸法誤差のため内層電極との接続が行えない。その
結果、収縮誤差を予め許容するように最上層電極部に必
要以上の大きい面積のランドを形成しなければならず、
高密度の配線を必要とする回路には使用できない。また
収縮誤差に合わせて最上層配線のためのスクリーン版を
いくつか用意しておき、基板の収縮率に応じて使用する
方法が取られている。この方法ではスクリーン版が数多
く用意しなければならず不経済である。
2. Description of the Related Art In recent years, with the development of a low-temperature sintered glass / ceramic multilayer substrate, usable conductor materials include gold, silver, and silver.
Copper, palladium or mixtures thereof have been used. These metals have a lower conductor resistance than conventionally used tungsten, molybdenum, and the like, and can be used with safe equipment at low cost, and have a wide range of applications. However, the multilayer ceramic substrate generally undergoes shrinkage due to sintering during firing, and this shrinkage behaves differently depending on the substrate material used, green sheet composition, powder lot, and the like. This causes several problems in the fabrication of a multilayer substrate. First,
In order to form the uppermost layer wiring after firing the inner layer wiring in the production of the multilayer ceramic substrate as described above, if the shrinkage error of the substrate material is large, the uppermost layer wiring pattern and the inner layer electrode may have a dimensional error. Connection cannot be established. As a result, a land having an unnecessarily large area must be formed on the uppermost layer electrode portion so as to allow a shrinkage error in advance.
It cannot be used for circuits that require high-density wiring. In addition, a method is used in which several screen plates for the uppermost layer wiring are prepared in accordance with the shrinkage error and used according to the shrinkage ratio of the substrate. In this method, a large number of screen plates must be prepared, which is uneconomical.

【0003】一方、最上層配線を内層焼成と同時に行え
ば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法によ
っても基板そのものの収縮誤差はそのまま存在するの
で、最後の部品搭載時のクリーム半田印刷において、そ
の誤差のため必要な部分に印刷できない場合が起こる。
また部品実装においても所定の部品位置とズレが生じ
る。
On the other hand, if the uppermost layer wiring is performed simultaneously with the inner layer firing, a large land is not required. However, even with this simultaneous firing method, the shrinkage error of the substrate itself remains as it is, so that the cream solder printing at the time of the final component mounting is performed. In some cases, printing cannot be performed on a required portion due to the error.
Also, in component mounting, there is a shift from a predetermined component position.

【0004】第2のグリーンシート積層法による多層基
板は、グリーンシートの造膜方向によって幅方向と長手
方向によってもその収縮率が異なる。このこともセラミ
ック多層基板の作製の障害となっている。
The shrinkage of the multilayer substrate formed by the second green sheet laminating method differs depending on the film forming direction of the green sheet also in the width direction and the longitudinal direction. This also hinders the production of the ceramic multilayer substrate.

【0005】これらの収縮誤差をなるべく少なくするた
めに、一般に以下の方法が提案され、また実施されてい
る。それは、第1に収縮誤差が決められた仕様内に収ま
ったものだけを使用する方法であり、これは所望の高寸
法精度のものが得られるが、製造歩留まりが極めて低い
ために生産コストが大きく、現在のニーズに合わない。
第2に基板収縮率の絶対値が大きいまま、その収縮誤差
を抑制する方法であり、製造工程において、基板材料お
よびグリーンシート組成、の管理はもちろん、粉体ロッ
トの違いや積層条件(プレス圧力、温度)を十分管理す
ることによって行われるが、一般に収縮率の誤差は±
0.5%程度存在すると言われ、それ以上、収縮誤差を
抑制するには限界である。第3に基板収縮率を小さくす
ることによってその収縮誤差を抑制する。これは、グリ
ーンシート積層体の両面に多孔質な焼結板、または基板
の焼成温度では焼結しない材料によるグリーンシート等
を接触させ、焼成することによって、基板の収縮を抑制
する技術であり、特公昭62−260777によって提
案されたものである。以下にその構造と製造方法につい
て、図2を参照しながら説明する。図2において、12
はガラス・セラミックグリーンシート積層体、13は多
孔質セラミック焼結板である。上記構成において、
(a)に示したように、多孔質セラミック焼結板13を
ガラス・セラミックグリーンシート積層体12の両面に
配して加圧する。次に(b)に示したようにガラス・セ
ラミック材料の焼成温度で焼成する。このようにしてガ
ラス・セラミック基板の焼結による収縮を平面方向には
抑制し、厚み方向だけに起こす。この後、(c)に示し
たように、基板両面に残った多孔質セラミック焼結板1
3を取り除き多層基板11を製造する。この多層セラミ
ック基板の製造方法によると、平面方向の収縮が極めて
小さく、かつ収縮誤差を小さいため高寸法精度の基板が
作製でき、工業上極めて有効である。
In order to minimize these shrinkage errors, the following methods are generally proposed and implemented. The first method is to use only the one in which the shrinkage error is within a predetermined specification. Although this method can obtain a desired high dimensional accuracy, the production cost is large because the production yield is extremely low. Does not fit current needs.
The second is a method for suppressing the shrinkage error while the absolute value of the shrinkage ratio of the substrate is large. In the manufacturing process, not only the management of the substrate material and the composition of the green sheet, but also the difference between the powder lots and the laminating conditions (press pressure). , Temperature), but the error in shrinkage is generally ±
It is said that there is about 0.5%, and it is a limit to suppress the shrinkage error any more. Third, the contraction error is suppressed by reducing the substrate contraction rate. This is a technique for suppressing the shrinkage of the substrate by bringing a porous sintered plate or a green sheet or the like made of a material that does not sinter at the firing temperature of the substrate into contact with both surfaces of the green sheet laminate and firing the green sheet. This is proposed by Japanese Patent Publication No. 62-260777. The structure and the manufacturing method will be described below with reference to FIG. In FIG. 2, 12
Is a glass / ceramic green sheet laminate, and 13 is a porous ceramic sintered plate. In the above configuration,
As shown in (a), the porous ceramic sintered plate 13 is arranged on both surfaces of the glass / ceramic green sheet laminate 12 and pressed. Next, as shown in (b), firing is performed at the firing temperature of the glass-ceramic material. In this way, shrinkage due to sintering of the glass-ceramic substrate is suppressed in the plane direction and occurs only in the thickness direction. Thereafter, as shown in (c), the porous ceramic sintered plate 1 remaining on both surfaces of the substrate was obtained.
3 is removed and the multilayer substrate 11 is manufactured. According to the method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, a shrinkage in the planar direction is extremely small, and a shrinkage error is small, so that a substrate having high dimensional accuracy can be manufactured, which is extremely industrially effective.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板の
平面方向の収縮を抑制し、厚み方向の収縮しか起こさな
い多層セラミック基板の製造において問題が生じてい
る。それは、基板収縮を抑制したために焼成時の、基板
と電極ペーストによるパターンの収縮が一致しなくなる
といった問題である。このために電極パターンと基板と
が接する下面部分で焼成時の収縮挙動による違いによる
基板割れが発生し、または電極パターンの焼結が阻害さ
れることによって電極の焼結密度が上がらずに焼成後の
導体抵抗値が大きくなっている。このような問題によっ
て、基板の平面方向の収縮を抑制し、厚み方向の収縮し
か起こさない多層セラミック基板は高寸法精度を有する
も基板としての信頼性が低く、かつ導体の抵抗値が高い
ことによって、抵抗値の増大の影響を受けにくい極端に
小さい回路パターンを有する基板にしか使用できないと
いった制約を受ける。
However, a problem has arisen in the manufacture of a multilayer ceramic substrate that suppresses shrinkage in the planar direction of the substrate and causes only shrinkage in the thickness direction. This is a problem that the pattern shrinkage due to the substrate and the electrode paste does not match during firing because the substrate shrinkage is suppressed. For this reason, a substrate crack occurs due to a difference in shrinkage behavior during firing at the lower surface portion where the electrode pattern and the substrate are in contact, or sintering of the electrode does not increase due to inhibition of sintering of the electrode pattern. Have a large conductor resistance value. Due to such problems, the multilayer ceramic substrate that suppresses the shrinkage in the plane direction of the substrate and only causes shrinkage in the thickness direction has high dimensional accuracy, but the reliability as a substrate is low, and the resistance value of the conductor is high. In addition, there is a restriction that it can be used only for a substrate having an extremely small circuit pattern which is not easily affected by an increase in the resistance value.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明は、低温焼結ガラス・セラミック材料と有
機バインダと可塑剤からなるグリーンシートを作製し、
金属導体を使用して電極パターンを形成し、前記グリー
ンシートと別の電極パターン形成済みグリーンシートと
を所望枚数積層した前記低温焼結ガラス・セラミック
料からなるグリーンシートの第1の積層体の両面に、
記第1の積層体の焼成温度では焼結しない無機組成物に
よるグリーンシートを積層して第2の積層体を形成し、
前記第2の積層体を焼成する多層セラミック基板の製造
方法において、前記金属導体を使用した電極パターン形
成は、高分子フィルム上に形成した導体パターンをガラ
ス・セラミック材料からなるグリーンシートへ転写する
ことによって行ない、前記導体パターンの前記高分子フ
ィルム上への形成は、前記高分子フィルム上に金属導体
を圧着した後、メッキ法によって行うことを特徴とする
ものである。
According to the present invention, there is provided a green sheet comprising a low-temperature sintered glass / ceramic material, an organic binder and a plasticizer.
The electrode pattern is formed by using a metal conductor, wherein the low-temperature co-fired glass-ceramic material green sheet and another an electrode patterned green sheets were desired number laminate
On both sides of the first of the laminate of the green sheet made from the fee, before
Forming a second laminate by laminating green sheets of an inorganic composition that does not sinter at the firing temperature of the first laminate;
In the method of manufacturing a multilayer ceramic substrate for firing the second laminate, an electrode pattern shape using the metal conductor is provided.
To form a conductive pattern formed on a polymer film,
Transfer to green sheet made of ceramic material
The polymer pattern of the conductor pattern.
The film is formed on the polymer film by a metal conductor.
Is performed by plating after crimping
Things.

【0008】[0008]

【作用】本発明は前記のような工程を行なうことによっ
て、焼成時において厚み方向だけ収縮し、平面方向には
収縮しない多層セラミック基板において、導体抵抗値の
低い、かつ信頼性の高い基板を製造する。以下に本発明
の作用を説明する。
According to the present invention, a multi-layer ceramic substrate which contracts only in the thickness direction during firing and does not shrink in the plane direction by performing the above-described steps is used to produce a substrate having a low conductor resistance value and high reliability. I do. Hereinafter, the operation of the present invention will be described.

【0009】即ち、本発明は、低温焼結ガラス・セラミ
ック材料と有機バインダと可塑剤からなるグリーンシー
トを作製し、金属導体を使用して電極パターンを形成
し、前記グリーンシートと別の電極パターン形成済みグ
リーンシートとを所望枚数積層した前記低温焼結ガラス
・セラミック材料からなるグリーンシートの第1の積層
体の両面に、前記第1の積層体の焼成温度では焼結しな
い無機組成物によるグリーンシートを積層して第2の積
層体を形成し、前記第2の積層体を焼成する多層セラミ
ック基板の製造方法において、前記金属導体を使用した
電極パターン形成は、高分子フィルム上に形成した導体
パターンをガラス・セラミック材料からなるグリーンシ
ートへ転写することによって行ない、前記導体パターン
の前記高分子フィルム上への形成は、前記高分子フィル
ム上に金属導体を圧着した後、メッキ法によって行うも
のである。 この基板の製造方法では、基板焼成時にガ
ラス・セラミック層が、両面に積層した焼結しない材料
で挟み込まれているため、平面方向の収縮が阻止され、
厚み方向にしか収縮は起こらない。そのために電極材料
として焼成時に金属粉体を焼結させるペーストのような
導体材料ではなく、基板焼成時に寸法変化の小さい金属
導体が基板割れの発生を心配する事無く使用できること
となり、また金属導体の場合抵抗値が小さいため導体と
して有効である。前記金属導体は、一般に導体材料とな
るAg,Ag−Pd,Ag−Pt,Cuのいずれかを主
成分とするものを使用する。この時、金属導体の表面を
粗化し金属導体とガラ・セラミック層との密着をよく
し、有機バインダの除去を含む基板焼成時に金属導体と
ガラス・セラミック層間での剥離を防止する。さらに、
導体にCuOを主成分とした金属導体を使用し、空気雰
囲気で熱処理して基板の有機バインダを除去した後、例
えば水素雰囲気のような還元雰囲気でCuOをCuに還
元し、窒素雰囲気のような中性雰囲気で焼成する。この
方法によって基板焼成の雰囲気制御を容易にできる。
That is, the present invention provides a method for producing a green sheet comprising a low-temperature sintered glass / ceramic material, an organic binder and a plasticizer, forming an electrode pattern using a metal conductor, and forming another electrode pattern on the green sheet. the already formed green sheet on both sides of the first stack of green sheets made of the low-temperature co-fired glass-ceramic materials desired number laminating, the green with an inorganic composition that is not sintered at the firing temperature of the first laminate In the method for manufacturing a multilayer ceramic substrate in which a sheet is laminated to form a second laminate and the second laminate is fired, the metal conductor is used.
The electrode pattern is formed by a conductor formed on a polymer film.
The pattern is made of a green ceramic
To the conductor pattern.
The formation of the polymer film on the polymer film
After the metal conductor is crimped on the
It is. In this method of manufacturing a substrate, the glass-ceramic layer is sandwiched between the non-sintered materials laminated on both surfaces during firing of the substrate, so that shrinkage in the planar direction is prevented,
Shrinkage occurs only in the thickness direction. Rather than conductive material such as paste to sinter the metal powder during firing to its as an electrode material, a metal having a small dimensional change during substrate sintering
Conductors can be used without worrying about substrate cracking
In the case of a metal conductor, it is effective as a conductor since the resistance value is small . As the metal conductor, a conductor mainly containing one of Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, and Cu as a conductor material is used. At this time, to roughen the surface of the metal conductor to improve the adhesion between the metal conductor and the glass-ceramic layer, to prevent peeling of a metal conductor and glass-ceramic layers during substrate sintering including removal of the organic binder. further,
After using a metal conductor containing CuO as a main component as a conductor and removing the organic binder of the substrate by heat treatment in an air atmosphere, for example, CuO is reduced to Cu in a reducing atmosphere such as a hydrogen atmosphere, and a nitrogen atmosphere is used. Fire in a neutral atmosphere. This method makes it easy to control the atmosphere for firing the substrate.

【0010】前記金属導体による導体パターン形成は、
熱可塑性樹脂層を有する高分子フィルム上に導体箔を、
熱可塑性樹脂の融点付近の温度で熱圧着し、その後メッ
キ法により導体パターンを形成し、またはフィルム上に
蒸着法によって導体パターンを形成し熱可塑性樹脂の融
点付近の温度でガラス・セラミックグリーンシートへ熱
転写する。この高分子フィルム上での導体パターンの形
成方法は、一般にガラス・エポキシ基板での導体パター
ン形成と同じ方法であり、既存設備で容易にできる。ま
た、金属導体による導体パターン形成は、焼成時に導体
ペーストと反応、接着しない、かつ焼結済みセラミック
と反応、接着しない層としてAl23、MgO,ZrO
2、MgO,SiO2、AlN、BN、TiO2を少なく
とも1種類以上を含む粉体層を有する焼結済みセラミッ
ク基板上に導体にペーストを印刷・焼成して形成した導
体パターンをガラス・セラミックグリーンシートへ転写
することによっても可能である。この方法では、メッキ
液のような液体を多量に使用しないために環境保全設備
が不用である。
[0010] The formation of the conductor pattern by the metal conductor is as follows.
A conductor foil on a polymer film having a thermoplastic resin layer,
Thermocompression bonding at a temperature near the melting point of the thermoplastic resin, and then forming a conductor pattern by plating, or forming a conductor pattern on the film by vapor deposition and forming a glass / ceramic green sheet at a temperature near the melting point of the thermoplastic resin Heat transfer. The method of forming a conductor pattern on a polymer film is generally the same as the method of forming a conductor pattern on a glass / epoxy substrate, and can be easily performed with existing equipment. The conductor patterns formed by metal conductors, react with the conductive paste during firing, do not adhere, and sintering pre ceramic reaction, Al 2 O 3 as a layer which does not adhere, MgO, ZrO
2. A conductor pattern formed by printing and firing a paste on a conductor on a sintered ceramic substrate having a powder layer containing at least one or more of MgO, SiO 2 , AlN, BN, and TiO 2. It is also possible by transferring to a sheet. In this method, no environmental protection equipment is required because a large amount of liquid such as a plating solution is not used.

【0011】前記ガラス・セラミック積層体の焼成は通
常800℃〜1000℃の範囲で行われる。銅電極、銀
電極を使用する場合は900℃で行なう。またガラス・
セラミック低温焼結基板材料の焼成温度では焼結しない
無機組成物グリーンシートの無機成分には、Al23
MgO,ZrO2,TiO2,BeO,BNの内少なくと
も1種類以上を含む。900℃の焼成温度で行なう低温
焼結基板材料には、Al23が最も有効である。
The firing of the glass-ceramic laminate is usually performed at a temperature in the range of 800 ° C. to 1000 ° C. When a copper electrode or a silver electrode is used, the heat treatment is performed at 900 ° C. Also glass
The inorganic components of the inorganic composition green sheet that do not sinter at the firing temperature of the ceramic low-temperature sintering substrate material include Al 2 O 3 ,
It contains at least one or more of MgO, ZrO 2 , TiO 2 , BeO, and BN. Al 2 O 3 is most effective for a low-temperature sintering substrate material performed at a firing temperature of 900 ° C.

【0012】前記ガラス・セラミック積層体の焼成時に
前記ガラス・セラミック積層体を加圧して焼成を行なう
と、厚み方向の焼結性が更に促進されち密な焼結体が得
られる。
When the glass / ceramic laminate is fired by pressing the glass / ceramic laminate at the time of firing, a dense sintered body can be obtained by further promoting the sinterability in the thickness direction.

【0013】[0013]

【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】(実施例1)図1において、(a)に示し
たガラス・セラミックグリーンシート1は、低温焼結ガ
ラス・セラミック材料、たとえば無機成分としてホウ珪
酸鉛ガラス粉末にセラミック材料としてのAl23粉末
を重量比で50対50とした組成物(日本電気硝子社製
MLS−19)と、有機バインダとしてポリビニルブ
チラール、可塑剤としてヂ−n−ブチルフタレート、溶
剤としてトルエンとイソプロピルアルコールの混合液
(30対70重量比)を混合しスラリーとしたもので、
このスラリーをドクターブレード法でシート成形した。
次に(b)に示すように、基板焼成時に焼結の起こらな
いAl23(住友アルミ社製 AL−41 平均粒径
1.9μm)粉末のみを用い前記ガラス・セラミックグ
リーンシートと同様の組成で、同様の方法で作製したA
23グリーンシート2を使用した。前記ガラス・セラ
ミックグリーンシート1、Al23グリーンシート2の
厚みは共に約200μmである。(c)に示すように、
ガラス・セラミックグリーンシート1にスクリーン印刷
法によってビア導体3を形成し、ビア導体形成済みガラ
ス・セラミックグリーンシート4を形成した。ビア用導
体ペーストは、Ag粉末(平均粒径1μm)に接着強度
を得るためのガラスフリット(日本電気硝子社製 GA
−9ガラス粉末、平均粒径2.5μm)を5wt%加
え、ガラス・セラミック粉末を15重量%加えたものを
無機成分とし、有機バインダであるエチルセルロースを
ターピネオールに溶かしたビヒクルとともに加えて、3
段ロールにより適度な粘度になるように混合したものを
用いた。
(Embodiment 1) In FIG. 1, a glass-ceramic green sheet 1 shown in FIG. 1A is made of a low-temperature sintered glass-ceramic material, for example, lead borosilicate glass powder as an inorganic component and Al 2 as a ceramic material. Mixing of a 50 to 50 weight ratio of O 3 powder (MLS-19 manufactured by NEC Corporation), polyvinyl butyral as an organic binder, ヂ -n-butyl phthalate as a plasticizer, and toluene and isopropyl alcohol as a solvent Liquid (30:70 weight ratio) mixed into a slurry,
This slurry was formed into a sheet by a doctor blade method.
Next, as shown in (b), using only Al 2 O 3 (AL-41 manufactured by Sumitomo Aluminum Co., Ltd., average particle size: 1.9 μm) powder that does not cause sintering when the substrate is fired, the same as the glass ceramic green sheet. A prepared by the same method with the composition
l 2 O 3 green sheet 2 was used. The thickness of each of the glass / ceramic green sheet 1 and the Al 2 O 3 green sheet 2 is about 200 μm. As shown in (c),
The via conductor 3 was formed on the glass / ceramic green sheet 1 by a screen printing method, and the glass / ceramic green sheet 4 on which the via conductor was formed was formed. The conductive paste for vias is a glass frit (GA manufactured by NEC Corporation) for obtaining adhesive strength to Ag powder (average particle size: 1 μm).
-9 glass powder, average particle size of 2.5 μm) and 5 wt% of glass-ceramic powder were added as an inorganic component, and ethyl cellulose as an organic binder was added together with a vehicle dissolved in terpineol to obtain 3
What was mixed by a step roll so that it might become moderate viscosity was used.

【0015】一方、(d)に示すように、ポリアクリロ
ニトリルを熱可塑性樹脂層5として形成した高分子フィ
ルム6上にCu箔7を温度が80℃、圧力は200kg
/cm2で貼り付け、メッキ法により導体パターン8を
形成した後、酸化処理してCuOにした。(e)に示す
ように、前記ビア導体形成済みガラス・セラミックグリ
ーンシート4に高分子フィルム6上に形成した導体パタ
ーン8が接するようにして平面方向に熱・圧力を加えて
ガラス・セラミックグリーンシート上に導体パターン8
を転写した。前記転写条件は温度が80℃、圧力は10
0kg/cm2であった。(f)に示すように前記導体
パターン形成したガラス・セラミックグリーンシートを
所定の枚数積み重ね、さらにその両面に前記Al23
リーンシート2を重ね合わせて積層体9を形成した。こ
の状態で熱圧着して積層体9を形成した。熱圧着条件
は、温度が80℃、圧力は200kg/cm2であった。
On the other hand, as shown in FIG. 1D, a Cu foil 7 is placed on a polymer film 6 formed of polyacrylonitrile as a thermoplastic resin layer 5 at a temperature of 80 ° C. and a pressure of 200 kg.
/ Cm 2 , and a conductive pattern 8 was formed by plating, and then oxidized to CuO. As shown in (e), the glass / ceramic green sheet is formed by applying heat and pressure in the plane direction so that the conductor pattern 8 formed on the polymer film 6 is in contact with the glass / ceramic green sheet 4 on which the via conductor is formed. Conductor pattern 8 on top
Was transcribed. The transfer conditions are as follows: temperature is 80 ° C., pressure is 10
It was 0 kg / cm 2 . As shown in (f), a predetermined number of the glass / ceramic green sheets on which the conductor patterns were formed were stacked, and the Al 2 O 3 green sheets 2 were stacked on both surfaces to form a laminate 9. The laminate 9 was formed by thermocompression bonding in this state. The thermocompression bonding conditions were a temperature of 80 ° C. and a pressure of 200 kg / cm 2 .

【0016】次に前記積層体9を空気雰囲気、500℃
で有機バインダを分解、除去し、水素雰囲気、200℃
でCuOをCuに還元する。さらに、窒素雰囲気で焼成
する。条件はベルト炉によって空気注の900℃で1時
間焼成で行った。(900℃の保持時間は約12分であ
る。)この時基板の反りと厚み方向の焼結収縮を助ける
ためAl23焼結基板を乗せて加圧するようにして焼成
を行った。
Next, the laminate 9 is placed in an air atmosphere at 500 ° C.
Decomposes and removes the organic binder in a hydrogen atmosphere at 200 ° C
Reduces CuO to Cu. Further, firing is performed in a nitrogen atmosphere. The conditions were firing at 900 ° C. in air injection for 1 hour in a belt furnace. (The holding time at 900 ° C. is about 12 minutes.) At this time, in order to assist the warpage of the substrate and the shrinkage of the sintering in the thickness direction, an Al 2 O 3 sintered substrate was placed and the firing was performed.

【0017】焼成後の積層体10の表面には未焼結のA
23層が存在するため、酢酸ブチル溶剤中で超音波洗
浄を行ったところAl23層がきれいに取り除くことが
できた。この焼成後の基板の収縮率を測定すると、収縮
率が0.1%以下であった。この結果、平面方向の収縮
が起こらない多層基板11が作製できた。さらにこの多
層基板にAg−Pdペーストによって最上層パターンを
スクリーン印刷し、乾燥の後焼成を前記と同様の方法で
行った。内層基板の収縮が極めて小さいため、最上層パ
ターンの印刷ズレがなかった。
The unfired A
Because of the presence of the l 2 O 3 layer, ultrasonic cleaning was performed in a butyl acetate solvent, and the Al 2 O 3 layer could be removed cleanly. When the shrinkage ratio of the fired substrate was measured, the shrinkage ratio was 0.1% or less. As a result, a multilayer substrate 11 in which no shrinkage in the planar direction occurred was produced. Further, the uppermost layer pattern was screen-printed on this multilayer substrate with an Ag-Pd paste, dried and fired in the same manner as described above. Since the shrinkage of the inner layer substrate was extremely small, there was no printing displacement of the uppermost layer pattern.

【0018】(実施例2)図2において(a)に示した
基板材料のガラス・セラミックグリーンシート1は実施
例1と同様の組成の物を用いた。次に(b)に示した焼
結の起こらないAl23グリーンシート2は無機成分と
してAl23粉末(住友アルミ社製 AL−41 平均
粒径1.9μm)のみを用い前記ガラス・セラミックグ
リーンシート1と同様のグリーンシート組成で、同様の
方法で作製した。前記ガラス・セラミックグリーンシー
ト1の厚みは約200μm、Al23グリーンシート2
は約300μmである。
Example 2 In FIG. 2, a glass / ceramic green sheet 1 of the substrate material shown in FIG. Next, the sintering-free Al 2 O 3 green sheet 2 shown in (b) uses only Al 2 O 3 powder (AL-41 manufactured by Sumitomo Aluminum Co., Ltd., average particle size: 1.9 μm) as an inorganic component. A green sheet composition similar to that of the ceramic green sheet 1 was produced by a similar method. The thickness of the glass / ceramic green sheet 1 is about 200 μm, and the Al 2 O 3 green sheet 2
Is about 300 μm.

【0019】(c)に示すように、ガラス・セラミック
グリーンシート1にスクリーン印刷法によってビア導体
3を形成し、ビア導体形成済みガラス・セラミックグリ
ーンシート4を形成した。(d)に示すように表層にB
N12層を有する焼結済みセラミック基板13上にAg
導体ペーストで印刷し焼成して導体パターン8を形成し
た。(e)に示すように、前記ビア導体形成済みガラス
・セラミックグリーンシート4に焼結済みセラミック基
板上の導体パターン8を熱・圧力を加えてガラス・セラ
ミックグリーンシート上に転写した。(f)に示すよう
に前記導体パターンを形成したガラス・セラミックグリ
ーンシートを所定の枚数積み重ね、さらにその両面に前
記Al23グリーンシート2を重ね合わせる。この状態
で熱圧着して積層体9を形成した。熱圧着条件は、温度
が80℃、圧力は200kg/cm2であった。(g)
に示すように、有機バインダの分解、焼成を行った。
As shown in FIG. 1C, a via conductor 3 was formed on the glass / ceramic green sheet 1 by a screen printing method to form a glass / ceramic green sheet 4 on which a via conductor was formed. As shown in FIG.
Ag on sintered ceramic substrate 13 having N12 layer
The conductive pattern 8 was formed by printing with a conductive paste and firing. As shown in (e), the conductor pattern 8 on the sintered ceramic substrate was transferred onto the glass / ceramic green sheet by applying heat and pressure to the glass / ceramic green sheet 4 with via conductors formed thereon. As shown in (f), a predetermined number of glass / ceramic green sheets on which the conductor patterns are formed are stacked, and the Al 2 O 3 green sheets 2 are stacked on both surfaces thereof. The laminate 9 was formed by thermocompression bonding in this state. The thermocompression bonding conditions were a temperature of 80 ° C. and a pressure of 200 kg / cm 2 . (G)
As shown in Table 2, the organic binder was decomposed and fired.

【0020】以上のようにして作製した焼成後の積層体
10の両面のAl23層を実施例1と同様超音波洗浄に
て取り除き多層基板11を作製した。本実施例において
も最上層にCuペーストを用いて印刷、焼成を行ったと
ころ、良好な低温焼結多層基板が得られた。
The Al 2 O 3 layers on both sides of the fired laminate 10 manufactured as described above were removed by ultrasonic cleaning in the same manner as in Example 1 to produce a multilayer substrate 11. Also in this example, when printing and firing were performed using a Cu paste for the uppermost layer, a good low-temperature sintered multilayer substrate was obtained.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明の多層セラミック基板の製造方法
によれば、基板焼成時にガラス・セラミック層が、両面
に積層した焼結しない材料で挟み込まれているため、平
面方向の収縮が阻止され、厚み方向にしか収縮は起こら
ない。そのために電極材料として焼成時に金属粉体を焼
結させるペーストのような導体材料ではなく、基板焼成
時に寸法変化の小さい金属導体が基板割れを発生せしめ
る事無く使用できることとなり、またこの金属導体を用
いることにより、抵抗値が小さい導体を備えた信頼性の
高い多層セラミック基板の製造が可能となる。
The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to the present invention.
According to the above, the glass-ceramic layer is
Is sandwiched between non-sintering materials
Shrinkage in the plane direction is prevented, and shrinkage occurs only in the thickness direction.
Absent. Therefore, metal powder is fired during firing as an electrode material.
Substrate firing instead of conductive material such as paste
Metal conductors with small dimensional changes sometimes cause board cracks
It can be used without any
The reliability of conductors with low resistance
Production of a high multilayer ceramic substrate becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明の実施例1の多層セラミック基
板の製造工程図 (b)は本発明の実施例1の多層セラミック基板の製造
工程図 (c)は本発明の実施例1の多層セラミック基板の製造
工程図 (d)は本発明の実施例1の多層セラミック基板の製造
工程図 (e)は本発明の実施例1の多層セラミック基板の製造
工程図 (f)は本発明の実施例1の多層セラミック基板の製造
工程図 (g)は本発明の実施例1の多層セラミック基板の製造
工程図 (h)は本発明の実施例1の多層セラミック基板の製造
工程図
1A is a manufacturing process diagram of a multilayer ceramic substrate according to a first embodiment of the present invention; FIG. 1B is a manufacturing process diagram of a multilayer ceramic substrate according to a first embodiment of the present invention; (D) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate according to the first embodiment of the present invention. (E) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate according to the first embodiment of the present invention. (G) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate of the first embodiment of the present invention. (H) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate of the first embodiment of the present invention.

【図2】(a)は本発明の実施例2の多層セラミック基
板の製造工程図 (b)は本発明の実施例2の多層セラミック基板の製造
工程図 (c)は本発明の実施例2の多層セラミック基板の製造
工程図 (d)は本発明の実施例2の多層セラミック基板の製造
工程図 (e)は本発明の実施例2の多層セラミック基板の製造
工程図 (f)は本発明の実施例2の多層セラミック基板の製造
工程図 (g)は本発明の実施例2の多層セラミック基板の製造
工程図 (h)は本発明の実施例2の多層セラミック基板の製造
工程図
FIG. 2A is a manufacturing process diagram of a multilayer ceramic substrate according to a second embodiment of the present invention; FIG. 2B is a manufacturing process diagram of a multilayer ceramic substrate according to a second embodiment of the present invention; (D) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate according to the second embodiment of the present invention. (E) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate according to the second embodiment of the present invention. (G) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate of the second embodiment of the present invention. (H) is a manufacturing process diagram of the multilayer ceramic substrate of the second embodiment of the present invention.

【図3】(a)は従来の多層セラミック基板の製造工程 (b)は従来の多層セラミック基板の製造工程 (c)は従来の多層セラミック基板の製造工程3A is a process for manufacturing a conventional multilayer ceramic substrate. FIG. 3B is a process for manufacturing a conventional multilayer ceramic substrate. FIG. 3C is a process for manufacturing a conventional multilayer ceramic substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス・セラミックグリーンシート 2 Al23 3 ビア導体 4 ビア導体形成済みガラス・セラミックグリーンシ
ート 5 熱可塑性樹脂層 6 高分子フィルム 7 Cu箔 8 導体パターン 9 積層体 10 焼成後の積層体 11 多層基板 12 BN層 13 焼結済みセラミック基板
REFERENCE SIGNS LIST 1 glass / ceramic green sheet 2 Al 2 O 3 3 via conductor 4 via conductor formed glass / ceramic green sheet 5 thermoplastic resin layer 6 polymer film 7 Cu foil 8 conductor pattern 9 laminate 10 laminate after firing 11 multilayer Substrate 12 BN layer 13 Sintered ceramic substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−102666(JP,A) 特開 昭63−99596(JP,A) 特開 平5−29740(JP,A) 特開 平4−263486(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/46 H05K 3/20 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroyuki Otani 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-5-102666 (JP, A) JP-A-63- 99596 (JP, A) JP-A-5-29740 (JP, A) JP-A-4-263486 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 3/46 H05K 3 / 20

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 低温焼結ガラス・セラミック材料と有機
バインダと可塑剤からなるグリーンシートを作製し、
属導体を使用して電極パターンを形成し、前記グリーン
シートと別の電極パターン形成済みグリーンシートとを
所望枚数積層した前記低温焼結ガラス・セラミック材料
からなるグリーンシートの第1の積層体の両面に、前記
第1の積層体の焼成温度では焼結しない無機組成物によ
るグリーンシートを積層して第2の積層体を形成し、前
記第2の積層体を焼成する多層セラミック基板の製造方
法において、前記金属導体を使用した電極パターン形成
は、高分子フィルム上に形成した導体パターンをガラス
・セラミック材料からなるグリーンシートへ転写するこ
とによって行ない、前記導体パターンの前記高分子フィ
ルム上への形成は、前記高分子フィルム上に金属導体を
圧着した後、メッキ法によって行うことを特徴とする多
層セラミック基板の製造方法。
[Claim 1] to prepare a green sheet made of a low temperature sintered glass-ceramic material and an organic binder and a plasticizer, gold
An electrode pattern formed using the genus conductor, the green sheet and the further electrode patterned green sheets desired number stacked the low-temperature co-fired glass-ceramic materials
On both sides of the first stack of green sheets made of, the
In the method for manufacturing a multilayer ceramic substrate in the baking temperature of the first laminate to form a second laminate by laminating the green sheet of an inorganic composition that is not sintered, firing the second laminate, the metal Electrode pattern formation using conductor
Uses a conductive pattern formed on a polymer film as glass
・ Transfer to green sheet made of ceramic material
The polymer pattern of the conductor pattern.
The formation on the film is performed by forming a metal conductor on the polymer film.
It is characterized in that it is performed by plating after crimping
A method for manufacturing a multilayer ceramic substrate.
【請求項2】 金属導体が、Ag,Ag−Pd,Ag−
Pt,Cuのいずれかを主成分とすることを特徴とする
請求項1記載の多層セラミック基板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the metal conductor is Ag, Ag-Pd, Ag-
2. The method according to claim 1, wherein one of Pt and Cu is a main component.
【請求項3】 金属導体の表面を粗化することを特徴と
する請求項1記載の多層セラミック基板の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the surface of the metal conductor is roughened.
【請求項4】 金属導体が、CuOを主成分とすること
を特徴とする請求項1に記載の多層セラミック基板の製
造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the metal conductor contains CuO as a main component.
【請求項5】 第2の積層体を空気雰囲気で熱処理して
有機バインダを分解、除去した後、還元雰囲気中で熱処
理してCuO箔をCuに還元することを特徴とする請求
項1に記載の多層セラミック基板の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the second laminate is heat-treated in an air atmosphere to decompose and remove the organic binder, and then heat-treated in a reducing atmosphere to reduce the CuO foil to Cu. Of manufacturing a multilayer ceramic substrate.
【請求項6】 ガラス・セラミック低温焼結基板材料の
焼成温度で焼結しない無機組成物は、Al23,Mg
O,ZrO2,MgO,SiO2,AlN,BN,TiO
2を少なくとも1種類以上を含むことを特徴とする請求
項1または2に記載の多層セラミック基板の製造方法。
6. The inorganic composition which is not sintered at the firing temperature of the glass / ceramic low-temperature sintered substrate material is Al 2 O 3 , Mg
O, ZrO 2 , MgO, SiO 2 , AlN, BN, TiO
3. The method for producing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein at least one of the two is included.
【請求項7】 第2の積層体の焼成800℃〜100
0℃の範囲で行なうことを特徴とする請求項1記載の多
層セラミック基板の製造方法。
7. The firing of the second laminate is performed at 800 ° C. to 100 ° C.
2. The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein the method is performed at a temperature of 0 [deg.] C.
【請求項8】 ガラス・セラミック積層体の焼成時に前
記ガラス・セラミック積層体を加圧して焼成を行なうこ
とを特徴とする請求項1記載の多層セラミック基板の製
造方法。
8. The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein the glass-ceramic laminate is fired by pressing the glass-ceramic laminate at the time of firing.
【請求項9】 高分子フィルム上に熱可塑性樹脂層を有
することを特徴とする請求項1記載の多層セラミック基
板の製造方法。
9. A film having a thermoplastic resin layer on a polymer film.
The multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein
Plate manufacturing method.
【請求項10】 導体パターンの転写は加熱しながら行
なうことを特徴とする請求項1記載の多層セラミック基
板の製造方法。
10. The method according to claim 1, wherein the transfer of the conductive pattern is performed while heating.
【請求項11】 導体パターンの転写温度は前記熱可塑
性樹脂の融点付近の温度であることを特徴とする請求項
1記載の多層セラミック基板の製造方法。
11. The transfer temperature of the conductive pattern is controlled by the thermoplastic resin.
Wherein the temperature is around the melting point of the conductive resin.
2. The method for manufacturing the multilayer ceramic substrate according to 1.
【請求項12】 導体パターンの高分子フィルム上への
形成は、フィルム上に蒸着法によって導体パターン形成
することを特徴とする請求項1記載の多層セラミック基
板の製造方法。
12. A method for forming a conductive pattern on a polymer film.
Forming a conductor pattern on the film by vapor deposition
The multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein
Plate manufacturing method.
【請求項13】 金属導体による導体パターン形成は、
焼結済みセラミック上に形成した導体パターンをガラス
・セラミックグリーンシートへ転写することによって行
なうことを特徴とする請求項1に記載の多層セラミック
基板の製造方法。
13. A conductor pattern formed by a metal conductor,
The conductor pattern formed on the sintered ceramic is
・ Transfer to ceramic green sheet
2. The multilayer ceramic according to claim 1, wherein
Substrate manufacturing method.
【請求項14】 導体パターンは焼結済みセラミック上
に導体ペーストを印刷・焼成して形成することを特徴と
する請求項13記載の多層セラミック基板の製造方法。
14. The conductor pattern is formed on a sintered ceramic.
It is characterized by printing and firing conductive paste
The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 13.
【請求項15】 焼結済みセラミック基板の表面に、焼
成時に導体ペーストと反応しない、かつ前記焼結済みセ
ラミック基板と反応しない層を有することを特徴とする
請求項1又は3記載の多層セラミック基板の製造方法。
15. A sintered ceramic substrate having a surface
Does not react with the conductor paste during formation and
Characterized by having a layer that does not react with the lamic substrate
The method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to claim 1.
【請求項16】 焼成時に導体ペーストと反応しない層
はAl 2 3 ,MgO,ZrO 2 ,MgO,SiO 2 ,Al
N,BN,TiO 2 を少なくとも1種類以上含む粉体層
であることを特徴とする請求項15記載の多層セラミッ
ク基板の製造方法。
16. A layer which does not react with the conductive paste during firing.
Are Al 2 O 3 , MgO, ZrO 2 , MgO, SiO 2 , Al
Powder layer containing at least one kind of N, BN and TiO 2
16. The multilayer ceramic according to claim 15, wherein
Substrate manufacturing method.
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