JPS6263450A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信顛性の優れた半導体装置に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く
、しかも中空パッケージのため機械的強度も高く信頼性
の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比
較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点がある
ため、最近では上記プラスチックパッケージを用いた樹
脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従
来からエポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成
績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術革新
によって集積度の向上とともに素子サイズの大形化、配
線の微細化が進み、パッケージも小形化、薄形化する傾
向にあり、これに伴って封止材料に対してより以上の信
頼性（得られる半導体装置の内部応力、耐湿信頼性、耐
衝撃信頼性、耐熱信頼性等）の向上が要望されている。

特に半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂、硬化剤であるフェノール樹脂およびこの両者の
反応を促進させる硬化促進剤（主に三級アミン類〉を主
要成分とするものであるが、三級アミン類である硬化促
進剤は、エポキシ樹脂硬化物内でフリーに存在し、高温
になると移動しやすく、エポキシ樹脂硬化物の電気特性
（特に電気絶縁性）９耐湿性を著しく低下させ、それに
よって半導体装置の電気特性および耐湿信頼性が低下す
るため、その改善が望まれている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のように、これまでの封止用エポキシ樹脂組成物は
、硬化促進剤をかなり用いているため、電気特性および
耐湿性の点でいまひとつ満足しうるちのではなく、それ
を用いた半導体装置の信頼性にも限界があり、上記技術
革新による素子サイズの大形化等に対応できるように、
より以上の特性向上が強く望まれている。

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、樹
脂封止に用いるエポキシ樹脂組成物において、硬化促進
剤の量を大幅に低減あるいは皆無にすることにより優れ
た信頼性を有する半導体装置を提供することをその目的
とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の（Ａ）および（Ｂ）成分を含有し、さらに下記の
（Ｃ）および（Ｄ）成分の少なくとも一方を含有してい
るエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止すると
いう構成をとる。

（Ａ）エポキシ樹脂。

（Ｂ）フェノール樹脂。

（Ｃ）分子鎖の両末端が、分子内に少なくとも２個の第
二級アミノ基を有する複素 環式化合物残基で構成され、上記分子 鎖の鎖状部分が上記末端残基のいずれ かの第二級アミノ基の窒素と結合して いるポリジメチルシロキサンオリゴマ ー・ （Ｄ）分子鎖の両末端が、分子内に少なくとも２個の第
二級アミノ基を有する複素 環式化合物残基で構成され、上記分子 鎖の鎖状部分が上記両末端残基部分の いずれかの第二級アミノ基の窒素と結 合しているポリジメチルシロキサンオ リゴマーと、分子内に少なくとも２個 のエポキシ基を有する化合物との付加 反応生成物。

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、分子鎖の
両末端が分子内に少なくとも２個の第二級アミノ基を有
する複素環式化合物残基で構成され上記分子鎖の鎖状部
分が上記末端残基のいずれかの第二級アミノ基の窒素と
結合しているポリジメチルシロキサンオリゴマー（Ｃ成
分）と、分子鎖の両末端が、分子内に少なくとも２個の
第二級アミノ基を有する複素環式化合物残基で構成され
、上記分子鎖の鎖状部分が上記両末端残基部分のいずれ
かの第二級アミン基の窒素と結合しているポリジメチル
シロキサンオリゴマーと、分子内に少なくとも２個のエ
ポキシ基を有する化合物との付加反応生成物（Ｄ成分）
とを用いて得られるものであって、通常、粉末状もしく
はそれを打錠したタブレット状になっている。なお、上
記「オリゴマー」とは、二量体も含む意味で用いている
。

上記Ａ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はなく、タレゾールノボラック型、フェノールノボラッ
ク型やビスフェノールＡ型等、従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす。ノボラック型
エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量１６０〜２５
０．軟化点５０〜１３０℃のものが用いられ、タレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当１１
１８０〜２１０．軟化点６０〜１１０℃のものが一般に
用いられる。

上記エポキシ樹脂と共に用いられる、Ｂ成分のフェノー
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フェノールノボラック、タレゾールノボラッ
ク等が好適に用いられる。

これらノボラック樹脂は、軟化点が５０〜１１０℃、水
酸基当量が７０〜１５０のものを用いることが好ましい
。特に上記ノボラック樹脂のなかでもクレゾールノボラ
ックを用いることが好結果をもたらす。

上記Ｃ成分の、分子鎖の両末端が分子内に少なくとも２
個の第二級アミノ基を有する複素環式化合物残基で構成
され上記分子鎖の鎖状部分が上記末端残基のいずれかの
第二級アミノ基の窒素と結合しているポリジメチルシロ
キサンオリゴマーは、両末端残基が例えばピペラジン残
基の場合、模式的に下記（イ）式のように表される。

この、両末端に配置する第二級アミン基がエポキシ基と
反応しやすいため、Ｃ成分はＡ成分およびＢ成分と混合
されてエポキシ樹脂組成物となり樹脂封止したとき、エ
ポキシ基間に固定化され、エポキシ樹脂硬化物の電気特
性を低下させるようなことがない。上記第二級アミノ基
を有する末端残基としては、とペラジン残基の他にピラ
ゾリジン残基やイミダゾリジン残基等があげられる。

このようなポリジメチルシロキサンオリゴマーは、公知
の方法で得ることができる。例えば、■カルボキシプロ
ピル末端ジシロキサンとアミノエチルピペラジンとの反
応生成物（その化学構造は後記の式（１）の通り）を予
め作製し、このピペラジン末端ジメチルシロキサンニ量
体（後記の式（１）参照）への環状テトラジメチルシロ
キサンの平衡化重合により、ピペラジン末端ポリジメチ
ルシロキサンオリゴマー（その化学構造は後記の式（２
）の通り）を得ることができる。また、他の方法として
、■アリルグリシジルエーテルとメククロロシランの反
応生成物であるエポキシ末端ジメチルシロキサン二量体
（その化学構造は後記の式（３）の通り）への環状テト
ラジメチルシロキサンの平衡化重合により、エポキシ末
端ポリジメチルシロキサンオリゴマー（その化学構造は
後記の式（４）の通り）をまず合成する。つぎに、この
オリゴマーに大過剰のピペラジンを反応させ、ピペラジ
ン末端ポリジメチルシロキサンオリゴマー（その化学構
造は後記の式（５）の通り）を得ることができる。当然
のことながら、■の方法とは逆に、上記エポキシ末端ジ
メチルシロキサン二量体（式（３））に、まず大過剰の
ピペラジンを反応させることにより、ピペラジン末端ジ
メチルシロキサンニ量体を合成し、つぎに、■の方法と
同様、環状テトラジメチルシロキサンの平衡化重合によ
りオリゴマーを得ることも可能である。

（以下余白） これらのポリジメチルシロキサンオリゴマーの合成方法
については多くの文献に述べであるが、代表的なものと
して、Ｒ，Ｓ、バウアー（Ｒ，Ｓ、Ｂａｕｅｒ）編エポ
キシレジンケミストリーｎ、ＡＣＳシンポジウムシリー
ズ、　ＡＣＳ（１９８３）　Ｐ２１〜５４　（Ｅｐｏｘ
ｙ　ＲｅｓｉｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ　ＩＩ、　ＡＣＳ　
Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ−Ｓｅｒｉｅｓ）があり、詳細に解
説されている。

なお、この発明において、Ｃ成分のポリジメチルシロキ
サンオリゴマーとしては、すでに述べたように、分子内
に少なくとも２個以上の第２級アミノ基を有する複素環
式化合物残基を両末端とするジメチルシロキサン二量体
をそのまま用いることも当然のことながら可能である。

このようなポリジメチルシロキサンオリゴマーは、数平
均分子量が１００００以下が望ましい。

より好ましいものは８０００以下のものであり、最も好
ましいのは５０００以下のものである。

ここで、上記数平均分子量はつぎのようにして単位重量
当たりの末端二級アミノ基を定量することにより求める
ことができる。まず、検体５ｇを精秤し、イソプロピル
アルコール３０ｇに溶解すせる。指示薬としてブロモフ
ェノールブルー水／エタノール溶液２〜３滴を加え、０
．ＩＮ塩酸にて滴定する。系が青紫から黄色に変化する
点を終点とする。

上記ポリジメチルシロキサンオリゴマー（Ｃ成分）は、
充填剤成分を除いたエポキシ樹脂組成物（Ａ＋Ｂ＋（Ｃ
および／またはＤ））中に０．５〜４０重景％（以下「
％ｊと略す）含有されるように設定することが望ましい
。すなわち、含有量が上記の範囲を外れると、得られる
半導体装置の耐湿信顛性、電気特性等が低下する傾向が
みられるようになるからである。

また、上記Ｃ成分に代え−て、もしくはＣ成分と共に用
いられるＣ成分の、分子鎖の両末端が、分子内に少なく
とも２個の第二級アミノ基を有する複素環式化合物残基
で構成され、上記分子鎖の鎖状部分が上記末端残基のい
ずれかの第二級アミノ基の窒素と結合しているポリジメ
チルシロキサンオリゴマーと、分子内に少なくとも２個
のエボキシ基を有する化合物との付加反応生成物は、上
記Ｃ成分としてあげたポリジメチルシロキサンオリゴマ
ーと、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を有する化
合物（以下「エポキシ化合物」という）から構成されて
いる。ただし、Ｄ成分に用いるポリジメチルシロキサン
オリゴマーは、数平均分子量が２００００以下が望まし
い。より好ましいものは１５０００以下のものであり、
最も好ましいのは１００００以下のものである。

上記ポリジメチルシロキサンオリゴマーと反応させるエ
ポキシ化合物としては、例えばビスフェノールＡ、レゾ
ルシノール、トリヒドロキシビフェニル、ブタンジオー
ル、エチレングリコール。

プロピレングリコール、ジオキサンジオール、エンドメ
チレンシクロヘキサンジオール、フタレート、イソフタ
レート、ビスフェノール−へキサフルオロアセトン、ビ
スフェノールＰＡ、　　ビスフェノールＦ、フロログリ
シン、２．２’−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）プロパン、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４．
４’−ジ（ｌ、２−エポキシエチル）ビフェニル等のジ
グリシジルエーテル、０−グリシジルフェニルグリシジ
ルエーテル、４−４−ジ（１，２−エポキシエチル）ジ
フェニルエーテル、２−　（３，４−エポキシ）シクロ
ヘキサン−５，５−スピロ（’３．４−エポキシ）−シ
クロヘキサン−ｍ−ジオキサン等があげられる。また、
３官能以上のものとして、グリセロール、フロログルシ
ノール、トリメチロールフロハン等のトリグリシジルエ
ーテル、トリグリシジル−Ｐ−アミノフェノール、ポリ
アリルグリシジルエーテル、１，３．５−トリ　（１，
２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’　、４．４′
　−テトラグリシドキシベンゾフェノン、テトラグリシ
ドキシテトラフェニルエタン、２．６−（２，３−エポ
キシプロビル）フェニルグリシジルエーテル、トリグリ
シジル４．４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタ
ノイック酸、トリグリシジル−１，１，３−トリフェニ
ルプロパン、０−クレゾールホルムアルデヒドノボラッ
ク、フェノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリ
シジルエーテル等があげられる。

上記エポキシ化合物と前記ポリジメチルシロキサンオリ
ゴマーとの反応は、従来公知の方法に準して行えばよい
。例えば、反応容器内に上記両成分を添加し、１００°
Ｃで１時間攪拌し、冷却してから取り出すこと等により
、目的とする付加反応生成物を得ることができる。

このようにして得られる付加反応生成物は、用いるポリ
ジメチルシロキサンオリゴマーの両末端残基が例えばピ
ペラジン残基である場合、模式的に下記（ロ）式のよう
に表される。

オリゴマー　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　オリゴマーなお、上記第二級アミ
ノ基を有する末端残基としては、ピペラジン残基の他に
ピラゾリジン残基やイミダゾリジン残基等があげられる
。

このようにして得られたポリジメチルシロキサンオリゴ
マーと上記エポキシ化合物との付加反応生成物（Ｄ成分
）は、充填剤成分を除いたエポキシ樹脂組成物（Ａ＋Ｂ
＋　（Ｃおよび／またはＤ））中に０．５〜５０％含有
されるように設定することが望ましい。すなわち、含有
量が上記の範囲を外れると、得られる半導体装置の耐湿
信頼性、電気特性等が低下する傾向がみられるようにな
るからである。

なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、必要
に応じて、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分以外に、硬化促進剤
が用いられるが、その添加量はフェノール樹脂とエポキ
シ樹脂の合計量に対して０゜５重量％（以下「％」と略
す）以下で足りる。すなわち、この発明に用いるエポキ
シ樹脂組成物は、上記ポリジメチルシロキサンオリゴマ
ー（Ｃ成分およびポリジメチルシロキサンオリゴマーと
エポキシ化合物との付加反応生成物（Ｄ成分）の少なく
とも一方を用いることにより、上記硬化促進剤の使用量
を、エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分
）の合計量に対してＯ〜０．５％の範囲内に抑制でき、
それによって耐湿性、電気特性等を大幅に向上させうる
ようになるのである。

上記硬化促進剤としては、下記の三級アミン。

四級アンモニウム塩２　イミダゾール類およびホウ素化
合物を好適な例としてあげることができ、これらを単独
でもしくは併せて用いることができる。

三級アミン トリエタノールアミン、テトラメチルヘキサンジアミン
、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
アミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、２．４
．６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ
、Ｎｏ−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、１
．８−ジアザ−ビシクロ（５，４５０）ウンデセン−７
、ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノ）メ
チルフェノール 四級アンモニウム塩 ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルト
リメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテ
トラデシルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメ
チルアンモニウムクロライド イミダゾール類 ２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール
、２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチル
イミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミ
ダゾールホウ素化合物 テトラフェニルボロン塩類、例えばトリエチレンアミン
テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラ
フェニルボレートまた、必要に応じて、上記の原料以外
に、無機質充填材に酸化アンチモン、リン系化合物等の
難燃剤や顔料、シランカップリング剤等のカップリング
剤を用いることができる。上記無機質充填材としては特
に限定するものではなく、一般に用いられる石英ガラス
粉末、タルク、シリカ粉末。

アルミナ粉末等が適宜に用いられる。

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、例えばつぎの
ようにして製造することができる。すなわち、まず、前
記ポリジメチルシロキサンオリゴマー（ハ）と、エポキ
シ化合物（ニ）とを８０〜１５０℃で２〜６時間攪拌し
て両者の付加反応生成物（Ｄ成分）を得る。このとき、
反応溶媒としてジオキサン、トルエン等を用いてもよい
。上記（ハ）と（ニ）のモル比は、０．５≦（ハ）／（
ニ）≦２の範囲が好適である。つぎに、上記のようにし
て得られた付加反応生成物を、エポキシ樹脂と混合し、
これに他の成分原料を配合することによりエポキシ樹脂
組成物を得ることができる。すなわち、上記付加反応生
成物を、攪拌下１２０℃で溶融させた反応釜中のエポキ
シ樹脂に必要量だけ加え、約１時間加熱して冷却した後
取り出し、これにフェノール樹脂と、場合により無機質
充填剤、顔料、カップリング剤等その他の添加剤を適宜
配合し、この配合物をミキシングロール機等の混練機に
かけて加熱状態で混練して溶融混合し、これを室温に冷
却したのち公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打
錠するという一連の工程により目的とするエポキシ樹脂
組成物を得ることができる。

なお、上記付加反応生成物（Ｄ成分）に代えて、ポリジ
メチルシロキサンオリゴマー（Ｃ成分）を用いてもよい
し、また、Ｃ成分とＤ成分を併用してもよい。

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常の方法、例えば
トランスファー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。

このようにして得られる半導体装置は、上記エポキシ樹
脂組成物中に、その電気特性、耐湿性を著しく低下させ
る原因となる硬化促進剤が入っていないかまたは極微量
にしか入っていないため、極めて電気特性および低応力
性に優れたものとな、る。さらに上記Ｃ成分、Ｄ成分の
ポリジメチルシロキサンオリゴマーから誘導される５ｉ
−０−５ｉ結合部分が、硬化樹脂の分子骨格中に導入さ
れることにより低応力性が出現すると考えられる。

〔発明の効果〕 この発明の半導体装置は、両末端基が前記のような複素
環式化合物残基になっているボリジメチルシロキサンオ
リゴマ−（Ｃ成分）もしくはこれとエポキシ化合物との
付加反応生成物（Ｄ成分）を単独でまたは併せて含む特
殊なエポキシ樹脂組成物であって、硬化促進剤が皆無か
著しく低減さているものを用いて封止されており、その
封止プラスチックパッケージが、従来のエポキシ樹脂組
成物製のものとは異なるため、耐湿信鯨性、！気特性、
耐熱信頼性が高く、しかも内部応力が小さく、信頼度の
極めて高いものである。特に、上記特殊なエポキシ樹脂
組成物による封止により、８ビン以上特に１６ビン以上
、もしくはチップの長辺が４龍以上の大形の半導体装置
において、上記のような高信頼度が得られるようになる
のであり、これが大きな特徴である。

つぎに、実施例について説明する。

〔実施例１〜８〕 まず、第１表に示すａ　−ｙ　ｆの６種類のポリジメチ
ルシロキサンオリゴマーを用意した。一方、〇−タレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０〜
２１０．軟化点８０℃）を５００ｍ！の丸底フラスコ中
に投入し、１２０℃で攪拌しながら溶解した。上記溶解
物に、攪拌を続けながら、前記ポリジメチルシロキサン
オリゴマーを第２表に示す割合で添加し、約１時間加熱
を続けたのち、冷却して変成エポキシ樹脂を得た。

（以下余白） 第　　２　　表 （以下余白） つぎに、前記のようにして得られた変成エポキシ樹脂を
用い、これと下記の第３表に示す原料を配合し、ミキシ
ングロール機にかけて１００℃で１０分間混練し、シー
ト状組成物を得た。つぎに、このシート状組成物を粉砕
し、目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。

（以下余白） ＊１：エポキシ当量　１９０、軟化点８０℃＊２：フェ
ノール当量１３０、軟化点８０℃（以下余白） 〔実施例９〜１８〕 第１表に示したポリジメチルシロキサンオリゴマーおよ
びジメチルシロキサンニ量体を用い、これと下記の第４
表に示す原料を同表に示す割合で配合し、これを上記実
施例１〜８と同様ミキシングロール機にかけ、同様の条
件で処理することにより目的とするエポキシ樹脂組成物
を得た。

（以下余白） 〔実施例１９〜３４〕 まず、前記の第１表に示す６種類のポリジメチルシロキ
サンオリゴマーａ　−ｆを用意するとともに、エポキシ
化合物としてエポキシ当量が異なる２種類のビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０±５、エポ
キシ当Ｍ８７５〜９７５）を用意した。そして、これら
を第５表に示す割合で５００ｍ１の丸底フラスコ中に投
入し、８０℃で約１時間攪拌を続けて反応させたのち、
冷却して目的とする付加反応生成物（Ｄ成分）を得た。

（以下余白） つぎに、上記の付加反応生成物（Ｄ成分）とエポキシ樹
脂（Ａ成分）とを、第６表に示す割合で配合し、これを
１２０℃で１時間攪拌して変成エポキシ樹脂を作製した
。

（以下余白） 上記のようにして得られた１６種類の変成エポキシ樹脂
を用い、これと下記の第７表に示す原料を配合し、上記
実施例１〜８と同様ミキシングロール機にかけ、同様の
条件で処理することにより目的とする粉末状のエポキシ
樹脂組成物を得た。

（以下余白） 〔実施例３５〜３９〕 第５表に示す、ポリジメチルシロキサンオリゴマーとエ
ポキシ化合物との付加反応生成物（Ｄ成分）をエポキシ
樹脂と反応させて変成エポキシ樹脂をつくるのではなく
、上記付加反応生成物と下記の第８表に示す原料を直接
、同表に示す割合で配合し、これを上記実施例１〜８と
同様ミキシングロール機にかけ、同様の条件で処理する
ことにより目的とするエポキシ樹脂組成物を得た。

（以下余白） 爪−８−一表 ＊１．＊２：　　第３表と同じ （以下余白） 〔実施例４０，４１３ エポキシ樹脂（Ａ成分）とポリジメチルシロキサンオリ
ゴマー（Ｃ成分）と前記付加反応生成物（Ｄ成分）とを
下記の第９表に示す割合で配合し、これを１２０℃で１
時間攪拌して変成エポキシ樹脂を作製した。そして、こ
れら２種類の変成エポキシ樹脂を、後記の第１０表に示
すように他の原料と配合し、実施例１〜８と同様にして
目的とするエポキシ樹脂組成物を得た。

！＜９＊　　。□、 ＊１：　第５表参照 ＊２：　第１表参照 〔従来例〕 下記の第１１表に示す原、料を用い、これらの原料をミ
キシングロール機で１０分間混練し、得られたシート状
組成物を用い、実施例１〜８と同様にして粉末状のエポ
キシ樹脂組成物を得た。

（以下余白） ＊１．　＊２：第３表と同じ 以上の実施例および従来例によって得られた粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー
成形でモールドすることにより半導体装置を得た。この
ようにして得られた半導体装置について、ピエゾ抵抗に
よる内部応力１曲げ弾性率、電圧印加状態におけるプレ
ッシャー釜による１０００時間の信頼性テスト（以下ｒ
ＰＣＢＴテスト」と略す）、−５０℃１５分〜１５０℃
１５分の２０００回の温度サイクルテスト（以下ｒＴＣ
Ｔテスト」と略す）等の測定を行った。その結果を下記
の第１２表と第１３表に示した。なお、ガラス転移温度
（Ｔｇ）は粘弾性性質のＴａｎδのピークを示す温度を
示した。

第１２表および第１３表の結果から、実施別品は従来品
に比べてそのプラスチックパッケージの内部応力が小さ
く、電気絶縁性も良好であり、またＰＣＢＴテスト、Ｔ
ＣＴテストによる結果も良好であって耐湿性、耐熱信頬
度の高いことがわかる。

なお、実施別品であるエポキシ樹脂組成物中のポリジメ
チルシロキサンオリゴマーとエポキシ化合物との反応生
成物の存在は赤外吸収スペクトル法（ＩＲ）による分析
で確認することができる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記の（Ａ）および（Ｂ）成分を含有し、さらに
   下記の（Ｃ）および（Ｄ）成分の少なくとも一方を含有
   しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
   してなる半導体装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）分子鎖の両末端が、分子内に少なくとも２個の第
   二級アミノ基を有する複素 環式化合物残基で構成され、上記分子 鎖の鎖状部分が上記末端残基のいずれ かの第二級アミノ基の窒素と結合して いるポリジメチルシロキサンオリゴマ ー。 （Ｄ）分子鎖の両末端が、分子内に少なくとも２個の第
   二級アミノ基を有する複素 環式化合物残基で構成され、上記分子 鎖の鎖状部分が上記両末端残基部分の いずれかの第二級アミノ基の窒素と結 合しているポリジメチルシロキサンオ リゴマーと、分子内に少なくとも２個 のエポキシ基を有する化合物との付加 反応生成物。
2. （２）硬化促進剤が（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量に
   対して０．５重量％以下含有されている特許請求の範囲
   第１項記載の半導体装置。
3. （３）（Ｃ）成分の数平均分子量が１００００以下であ
   る特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体装置
   。
4. （４）（Ｄ）成分の数平均分子量が２００００以下であ
   る特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載
   の半導体装置。