JPS6260215A - 巻回型キヤパシタおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、フィルム状に巻かれた巻回型キャパシタに関
し、特に放熱特性の優れた高い熱エネルギー伝達を有す
るキャパシタに関する。

（従来の技術） 従来、コアの回りに金属化フィルムの層を巻くことによ
り、キャパシタを形成することが一般に良く知られてい
る。電流がこのようなキャパシタを通過すると、熱エネ
ルギーが発生し、高い電流が流された場合には、この熱
エネルギーが非常に大きくなり、キャパシタを劣化させ
る。このキャパシタを劣化させるという問題は、小さな
容量内に熱エネルギーが集中される小さなキャパシタに
おいて特に顕著である。

又、上記問題は、キャパシタが気密封止されている場合
に増加する。これは、キャパシタの気密封止によりキャ
パシタの外部へ熱を容易に放出できず、熱を消散するこ
とがより困難となるためである。一般に、気密封止され
たキャパシタの両端には金属力バーシールが配置される
。これによってキャパシタ外への熱エネルギーの放出が
多少とも増加されている。更に、上記カバーシールに孔
を設けることが良く知られている。このような孔は、キ
ャパシタを清浄しかつ乾燥するために、密封前にキャパ
シタが焼かれた時生じるガス抜きをさせることにより、
キャパシタの製造を容易にしている。これらの孔は、連
続製造工程中にハンダを受容できるように適合されてい
る。

（発明の概要） 巻回型キャパシタは、高い電流容量を有し、このキャパ
シタの巻回層は高い熱伝導率を有しかつキャパシタの全
長に渡って延びるコアアッセンブリの回りに巻かれてい
る。電極は、キャパシタ巻きの両端に形成され、コアア
ッセンブリとキャパシタ巻きとがスリーブ内に挿入され
る。コアアッセンブリの両端は、巻回層を流れる電流に
よって生じる巻回層の熱を外部に放出するため端子より
も外側に突出し、これによってキャパシタの電流容量を
増加している。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図及び第２図に、本発明による高電流容量を有す
る気密封止型キャパシタ１０を示す。キャパシタ１０は
、巻回層（キャパシタワインディング）２０によって巻
かれた中空のコアアッセンブリ１１を具備している。巻
回層２０は、巻回層２０を通過する電流により巻回層２
０内に生じた熱エネルギーをコアアッセンブリ１１に伝
達する。コアアッセンブリ１１は、巻回層２０の両端よ
り突出し、かつ巻回層２０からの熱エネルギーを消散す
る。巻回層２０の両端は、電極２８ａ，ｂである。巻回
層２０、電８ｉ２８ａ．ｂ　、及びカバーシール１８ａ
，ｂはセラミックスリーブ２２に囲まれている。キャパ
シタｌＯの両端部は、スリーブ２２及びコアアッセンブ
リ１１に気密封止されるカバーシール１８ａ，’ｂによ
って密封される。

コアアッセンブリ１１は、中空の金属チューブ１２ａ、
ｂを具備し、この金属チューブ１２ａ、ｂは好適には鉄
以外の抵抗特性（ＥＳＲ）の良好な金属であっても良い
。なぜなら、鉄門には渦電流が発生して抵抗を増加させ
るためである。例えば、金属チューブ１２ａ、ｂは真鍮
や銅であっても良い。金属チューブ１２ａ、ｂは、各金
属チューブ１２ａ、ｂを電気的に絶縁し、かつ各金属チ
ューブ１２ａ、ｂを熱的に接続するための中空のセラミ
ックチューブ１４の両端部と接続されるとともに、一方
ではコアアッセンブリ１１の全長に渡って連続した通路
１３を形成する。空気が貫通通路１３を通過すると、こ
れによってキャパシタｌＯが冷却され、キャパシタｌＯ
の電流容量が増加される。本実施例では、通路１３の直
径は、約３　ｍｍ　（１７８インチ）である。

電流が巻回層２０に流されると、熱エネルギーが発生し
、キャパシタ１０の温度が上昇する。キャパシタＩＯの
最も高温となる領域は、キャパシタ１０の幾何学的中心
であり、セラミックチューブ１４が配置されている領域
である。このように５コアアツセンブリ１１は、直接キ
ャパシタＩＯ内の最も高温な領域中を通され、該領域か
らの熱エネルギーをキャパシタ１０の外部へ伝導する。

このことは、キャパシタ１０に対して過度の加熱による
劣化を与えることなくより大きな電流を流すことができ
る。又、キャパシタ１０の幾何学的中心は、コアアッセ
ンブリ】１が熱エネルギーを外部へ伝達するため、周囲
温度を超えて２０℃以上の温度に上昇することはなく、
キャパシタ１０は軍仕様書８３４２１を満足する。キャ
パシタ１０により安全に流される電流は、もし空気がキ
ャパシタＩＯを介して循環するならば、アンペアのオー
ダーである。コアアッセンブリ１１を有するキャパシタ
１０は、もし空気が例えば図示しないファンにより通路
１３内を循環されるならば、中空のコアを有しない同様
のキャパシタよりも大きなアンペアオーダーの電流を安
全に扱うことができる。もし、空気が通路１３内を循環
されないとしても、電流容量はコアアッセンブリ１１を
有しない同様のキャパシタよりも５〜１０倍程度増加す
る。

ここで第３図に、金属チューブ１２ａとセラミックチュ
ーブ１４との接続関係を拡大して示す。金属チューブ１
２ａの表面３８は、コアアッセンブリ１１の長子方向と
垂直であり、セラミックチューブ１４の金属化層４０の
表面３９とはんだ付けにより接続される。セラミックチ
ューブの金属化層４０は、表面３９からセラミックチュ
ーブ１４の内側に沿フて延びている。

キャパシタ１０を形成するにあたフて先ずコアアッセン
ブリ１１が組立てられる。コアアッセンブリ１１の組立
てにおいては、少量のはんだが表面３８、３９間に配置
され、その接続部を加熱してセラミックチューブ１４の
金属化層４０及び金属チューブ１２ａが気密封止される
。金属化層４０は、例えば金属粒子をセラミックチュー
ブ１４の表面に溶着するような一般的な方法でセラミッ
クチューブＩ４上に形成される。金属チューブ１２ａは
、同様の方法で、金属チューブ１２ａが密封される端部
と対向するようにセラミックチューブＩ４の端部に密封
される。このような密封は、キャパシタ１０の気密封止
を助長するが、強い機械的接続を提供するものではない
。選択的に、セラミックチューブ１４が押圧されて金属
チューブ１２ａ、ｂを適合するようにしても良い。他の
実施例においても、金属チューブ１２ａ、ｂ　、セラミ
ックチューブ１４は第１図から第３図の構成を有してい
ても良い。

セラミックチューブ１４及び金属チューブ１２ａ、ｂの
高い熱伝導率は、キャパシタ巻き２０の全長に渡って熱
導体を与え、コアアッセンブリ１１に対して巻回層２０
内のキャパシタ１０の幾何学的中心のホットスポット（
熱集中地点）からの熱エネルギーを伝達させるとともに
これを放出させる。これによって、熱エネルギーがコア
アッセンブリ１１の端部で消散される。コアアッセンブ
リ１１の両端は、巻回層２０の両端よりも突出し、放熱
能力を増加させる。これによってキャパシタＩＯが冷却
されキャパシタ１０の電流容量を増加している。なぜな
ら、金属はセラミックよりも高い熱伝導率を持っている
からであり、キャパシタ１０の内部から外部への熱伝達
を増加させるために、金属チューブ１６ａ、ｂはセラミ
ックチューブ１４と比較して比較的大きい方が好ましい
。しかしながら、コストを考慮すれば、セラミックチュ
ーブＩ４が大きなサイズで形成されても良い。

コアアッセンブリ１１がセラミックチューブ１４と金属
チューブ１２ａ、ｂとを接続しかつ気密封止して形成さ
れた後、キャパシタ１０の形成の次のステップでは、直
接コアアッセンブリ１１−トに巻回層２０を形成する。

巻回層２０は、コアアッセンブリＩＩに一般的な金属化
フィルムの層の端部なテープで張り付け、コアアッセン
ブリ１１を回転させることにより形成されることができ
る。又、摩擦はコアアッセンブリ１】の最初の回転後に
金属化フィルムをグリップするのに依存される。次に巻
回層２０の両端と対向する電極２８ａ、ｂは、金属化フ
ィルムがコアアッセンブリ１１に巻かれた後に形成され
る。電極２８ａ、ｂを形成するために、巻回層２０の両
端は電子アーク銃から生成されるスズの溶融良質粒子と
圧縮空気との混合でもってスプレーされるかあるいは電
極を形成するのに使用される他の一般的な方法でスプレ
ーされる。

巻回層２０に電極２８ａ、ｂが形成された際、カバーシ
ール１８ａ、ｂがキャパシタＩＯの両端に配置され、電
８ｉ２８ａ、ｂと段差なく接触される。このように、キ
ャパシタ巻き２０の各層は、各電極２８ａ、又は２８ｂ
を介してカバーシール１８ａ、又は＋８ｂのいずれかと
熱的に接触する。電極２８ａＪに対してしっかりとカバ
ーシール＋８ａ、ｂを付勢するために、金属チューブ１
２ａ、ｂはそれぞれネジ部１６ａ、ｂとナツト３０ａ、
ｂとを具備しても良い。ネジ部１６ａ、ｂのネジ出は６
．４　ｍｍから１．３　ｍｍ（１／４〜ｌ／２０インチ
）である。ナツト３０ａ、ｂが締め付けられた時、カバ
ーシール１８ａ、ｂは電極２８ａ、ｂに抗して内側にし
っかりと付勢され、これによって電極２８ａ、ｂとカバ
ーシール！８ａ、ｂとの間の熱伝導が増加する。スリー
ブ２２の両端は、カバーシール１８ａ、ｂの外表面より
越えて外側へ延びている。

カバーシール１８ａ、ｂは、電極２８ａ、ｂの全ての外
表面域に対してしっかりと保持されているので、カバー
シール１８ａ、ｂは巻回層２０からの熱エネルギーを吸
収し、吸収された熱エネルギーをキャパシタ１０の外部
へ伝達する。更に、カバーシール１８ａ、ｂは巻回層２
０から吸収された熱エネルギーを金属チューブ＋２ａ、
ｂに伝達する。金属チューブ１２ａ、ｂもまた熱エネル
ギーを接続線（図中省略）を介してプリント回路基板へ
伝達し、熱エネルギーを消散させる。金属チューブ１２
ａ、ｂはカバーシール１８ａ、ｂ及び電極２８ａ、ｂよ
りも外側へ突出しているので、金属チューブ］２ａ、ｂ
は電極２８ａ　、　ｂを介してキャパシタ巻き２０から
カバーシール１８ａ、ｂによって吸収された熱エネルギ
ーを放出、消散させる。

選択的に、カバーシール１８ａ、ｂはコスト節約のため
に省略しても良い。もし、カバーシール１８ａ、ｂが無
いならば、コアアッセンブリ１１と端子２８ａ、ｂを有
する巻回層２０とによって形成されるキャパシタ素子は
、スリーブ２２に挿入され、エポキシで密封される。こ
のような選択的な実施例でも、大きな電流容量を持つだ
ろう。なぜなら、コアアッセンブリ１１がキャパシタＩ
Ｏの幾何学的中心でホットスポットを通過しており、キ
ャパシタＩＯの外部へ熱エネルギーを伝達するからであ
る。

カバーシール１８ａ、ｂは、金属チューブ１２ａ、ｂの
外側に突出する部分を受容するために中央に開口を有す
るとともに、複数の穴２４を有している。穴２４は、カ
バーシール１８ａ、ｂが電極２８ａ、ｂに抗するように
配置された後、穴２４に位置されるハンダビードを受容
するのに適合される。ハンダビードは、カバーシール１
８ａ、ｂと電極２８ａ、ｂとの良好な電気的接触を達成
するために加熱される。穴２４に配置されるハンダは、
カバーシール１８ａ、ｂと電極２８ａ、ｂとの間を流れ
、前記電気的接触と同様に熱伝達率を増加させる。電極
２８ａ、ｂへのカバーシール１８ａ、ｂハンダ付けは、
電極２８ａ、ｂに対してしっかりとカバーシール１８ａ
、ｂを押圧するようにナツト３０が締め付けられている
間に成される。穴２４の直径は、およそ０．８から３．
２　＋＋ｏｎ　（１／３２から１７８インチ）である。

このように形成された組立体は、コアアッセンブリ１１
と、両端に電極２８ａ、ｂを有する巻回層２０と、電極
２８ａ、ｂにハンダ付けされるとともにナツト３０によ
って締め付けられたカバーシール１．８ａ、ｂとから成
り、該組立体はセラミックスリーブ２２に挿入される。

巻回層２０の外表面とスリーブ２２の内表面との間の空
間２６は、例えばセラミックのような高い熱伝導率を有
する物質で充填される。このようにして、カバーシール
１８ａ、ｂはセラミックスリーブ２２に気密封止され、
これによって金属デユープ＋２ａ、ｂは端子１２ａ、ｂ
を形成する。ナツト３０ａ、ｂは、この気密封止前に取
り外されても良い。尚、ここでは図示しない端部キャッ
プをコアアッセンブリ１１とスリーブ２２の端部を封止
するために、該端部に配置してもよい。

セラミックスリーブ２２は、その外端部にカバーシール
＋８ａ、ｂを取り巻く金属化層３２を有している。キャ
パシタ１０の素子がスリーブ２２内に挿入される際、カ
バーシール１８ａ、ｂをスリーブ２２に気密封止するた
めに、カバーシール１８ａ、ｂの外周が金属化層３２に
ハンダ付けされる。更に、カバーシール＋８ａ、ｂの内
周３４．３６は、金属チューブ１２ａ、ｂの部分を取り
囲み突出する端子１２ａ、ｂの開［−１を形成し、それ
ぞれ端子１２ａ、ｂを形成する各金属チューブ１２ａ、
ｂにハンダ付けされカバーシール１８ａ、ｂを金属チュ
ーブ＋２ａ、ｂに気密封止させる。

このように、キャパシタ１０は全てに渡って気密封止さ
れるが、巻回層２０と電極２８ａ、ｂは熱にさらされる
。ハンダ付けは、カバーシール１８ａ、ｂとスリーブ２
２間の接合部及びカバーシール１８ａ、ｂと金属チュー
ブ１２ａ、ｂ間の接合部の直径に対応した各ハンダリン
グを配置し、この接合部を加熱することにより接合部上
のハンダリングを加熱接合して行なわれる。

カバーシール＋８ａ、ｂの外周を完全に取り巻く金属化
層３２と、金属チューブ＋２ａ、ｂの部分を取り巻く内
周３４．３６と、セラミックチューブ１４の金属化層４
０に結合される金属チューブ１２ａ、ｂの表面３８は、
すべて密封され、これによって完全にキャパシタ１０を
気密封止するが、一方では通路１３を介して空気を通過
させてキャパシタＩＯを冷却する。

キャパシタｌＯの寸法は、おおよそ９．５　Ｘ　１．３
　ｍｍ（３７８Ｘ　］７７２インチから３８ｘ　７６ｍ
ｍ（］％×３インチ）の範囲である。キャパシタ１０の
静電容量レンジは、０．１μＦ乃至５０μＦである。

次に第４図を参照すると、第２の実施例によるキャパシ
タＩＯが示されている。第２の実施例では、巻回層４２
が巻かれたコアアッセンブリ５５を具備するキャパシタ
ＩＯａが示されている。電極５４ａ、ｂは一般的な技術
によって巻回層４２の両端に形成される。前記技術は、
例えば前述したようにスズの溶融粒子と圧縮空気とを高
速で溶射（スプレー）するものである。コアアッセンブ
リ５５が組立てられる際、巻回層４２がコアアッセンブ
リ５５の回りに取り巻かれる。このようにして、コアア
ッセンブリ５５はキャパシタ］Ｏａの幾何学的中心でホ
ットスポットを通過する連続的な熱伝導体を形成し、キ
ャパシタ］Ｏａの幾何学的中心からの熱エネルギーをキ
ャパシタ１０ａの外部へ伝導する。

電ｔＩＩｉ５４　ａ　、　ｂは、一般的な技術によって
巻回層４２の対向端に形成され、これによって形成され
たキャパシタ素子がスリーブ４４内に挿入される。巻回
層４２の外表面とスリーブ４４の内表面との間の空間５
０は、例えばセラミック粒子のような高い熱伝導率を有
する物質で充填されても良い。

カバーシール４８ａ、ｂは、電極５４ａ、ｂと段差なく
接触されるように、巻回層４２の両端に配置される。カ
バーシール４８ａ、ｂは、電ＩＩｊｉ５４ａ、ｂに対し
て滑り嵌めされる。ハンダビードは、カバーシール４８
ａ、ｂの孔５２に位置され、各カバーシール４８ａ、ｂ
と、端子５４ａ、ｂとの間の電気的接続を良好にするた
めに加熱される。選択的に、カバーシール４８ａ、ｂを
省略し、キャパシタ］Ｏａをエポキシで密封しても良い
。

電極５４ａとカバーシール４８ａとの間の物理的接触及
び電極５４ｂとカバーシール４８ｂとの間の物理的接触
は、前述したように電極５４ａ、ｂとカバーシール４８
ａ、ｂとの間の熱伝達を増加させる。巻回層４２から吸
収された熱エネルギーは、コアアッセンブリ５５の金属
シェル５６ａ、ｂに伝導される。金属シェル５６ａ、ｂ
は、実質的にカバーシール４８ａ、ｂよりも突出してい
る。

キャパシタｌＯａは気密封止されることができる。セラ
ミックスリーブ４４は、内側の面の両端に金属化層６８
を具備し、この金属化層６８は、カバーシール４８ａ、
ｂの外周を覆っている。このためカバーシール４８ａ、
ｂの外周は、前述したようにハンダリングを加熱接合す
ることにより金属化層６８にハンダ付けされる。カバー
シール４８ａ、ｂの内周の面４９ａ、ｂは、コアアッセ
ンブリ５５の金属シェル５６ａ、ｂを取り巻き、金属シ
ェル５６ａ、ｂにハンダ付けされる。これによりて端子
５６ａ、ｂが形成される。更に、キャパシタ］Ｏａを気
密封止することに加えて、カバーシール４８ａ、ｂの面
４９ａ、ｂと端子５８ａ、ｂとのハンダ接合は、カバー
シール４８ａ、ｂと端子５６ａ、ｂ間の熱伝導を増加さ
せる。

次に第５図を参照すると、同図にはコアアッセンブリ５
５の拡大図が示されている。同図に示すように、コアア
ッセンブリ５５は、例えばセラミックのような高い熱伝
導率を有する物質から形成される中心部６２、即ち非電
導性棒材を具備している。

中心部６２は、熱伝導性であり、巻回層４２は、中心部
６２が巻回層４２の幾何学的中心の最大熱集中領域とな
るように、中心部６２の回りに巻かれる。それ故、中心
部６２は、電流がキャパシタ巻き４２を流れた際に巻回
層４２に生じる熱エネルギーを吸収する。又、非電導性
の中心部６２は、２つの金属化層６４を有し、各金属化
層６４は、中心部６２の長手方向に垂直な面６６を有し
ている。

非電導性の中心部６２の両端は、金属シェル５６ａ、ｂ
で封止される。このため非電導性の中心部６２は、金属
シェル５６ａ、ｂと熱的には接続されるが、電気的には
絶縁されている。金属シェル５６ａ、ｂは、頭部６０ａ
、ｂを有するリード部５８ａ、ｂを受容し、頭部６０ａ
、ｂはリード部５８ａ、ｂを金属シェル５６ａ　、　ｂ
に結合する。金属シェル５６ａ、ｂが非電導性の中心部
６２の両端に配置された際、金属化層６４の垂直面６６
が金属シェル５６ａ、ｂのリムにハンダ付けされ、その
結果コアアッセンブリ５５が組立てられる。コアアッセ
ンブリ５５は巻回層４２が巻かれる前に組立てられる。

高い熱伝導率を有する中心部６２は、キャパシタ］Ｏａ
の内部からの熱エネルギーを、端子５４ａ、ｂ及びカバ
ーシール４８ａ、ｂよりも実質上突出している金属シェ
ル５６ａ、ｂに伝導し、これによってキャパシタＩＯａ
の内部からの熱エネルギーをキャパシタ］Ｏａの外部へ
放出し、キャパシタ１０ａの電流容量を増加させる。カ
バーシール４８ａ、ｂは、キャパシタｌＯａの巻回層４
２からの熱エネルギーを吸収し、この熱エネルギーをキ
ャパシタ１０ａの外部と、金属シェル５６ａ、ｂへ放出
し、金属シェル５６ａ、ｂはキャパシタ１０ａの外部へ
受取った熱エネルギーを放出する。

次に第６図乃至第８図を参照すると、キャパシタ１０の
第３の実施例であるキャパシタＩＯｂが示されている。

キャパシタ］Ｏｂは、コアアッセンブリ８４に巻かれ、
両端に電極８２ａ、ｂを有する巻回層７６を具備してい
る。コアアッセンブリ８４は、細孔が設けられた非電導
性の中心部７８により好適に受容される金属ロッド７２
ａ、ｂを具備している。電極８２ａ、ｂは、前述した一
般的な方法で巻回層７６の両端に形成される。このよう
にして形成されたキャパシタ素子は、スリーブ６８に挿
入され、カバーシール７０ａ、ｂによって気密封止され
る。

キャパシタＪｏｂを封止するために、金属ロッド７２は
カバーシール７０ａの開ロア４ａを通されるとともに、
カバーシール７０ｂの開ロア４ｂを通される。

更に第９図に示すように、カバーシール７０ａ、ｂは電
極８２ａ、ｂに対してしっかりと付勢される。金属化層
８０ａ、ｂは、カバーシール７０ａ、ｂの外周を取り巻
き、カバーシール７４ａ、ｂの外表面にハンダ付けされ
る。金属ロッド７２ａ、ｂを取り巻くカバーシール７０
ａ、ｂの内周は、それぞれ金属ロッド７２ａ、ｂにハン
ダ付けされ、これによって端子７２ａ、ｂが形成される
とともにキャパシタ］Ｏｂが気密封止される。

中心部７８とロッド７２ａ、ｂの高い熱伝導率は、巻回
層７日に生じた熱エネルギーをキャパシタ］Ｏｂの外部
へ伝導し、実質上カバーシール７０ａ、ｂよりも突出す
るロンドア２ａ、ｂの両端から放熱させる。電極８２ａ
、ｂを介してカバーシール７０ａ、ｂによって巻回層７
６から吸収された熱エネルギーは、カバーシール７０ａ
、ｂによってキャパシタ１０ｂの外部へ放出された熱エ
ネルギーと同様にロッド７２ａ、ｂに伝導される。ロッ
ド７２ａ、ｂは、キャパシタ１０ｂの内部からの熱エネ
ルギーをキャパシタＩＯｂの外部へ効果的放出するのに
有効であるとともに、図示しないリード線を介してこの
熱エネルギーをプリント回路基板に伝導するのに有効で
ある。

次に、第１Ｏ図Ａ乃至第１０図Ｃを参照すると、これら
の図にはコアアッセンブリ８４の３つの選択的な変形例
が示されている。コアアッセンブリ８４ａは、金属ロッ
ド７２ｃ、ｄと非電導性の中心部７８ａとを具備してい
る。金属ロッド７２ｃ、ｄは、中心部７８ａを好適に受
容するために細孔が設けられている。コアアッセンブリ
８４ａの両端には、雄ネジ部８６即ちネジ山部が形成さ
れている。

コアアッセンブリ８４ｂは、非電導性の中心部７８ａ　
　を介してそれぞれ接続される金属ロッド７２ｅ、ｆを
具備している。金属ロッド７２ｅは、雄ネジ部８６を具
備し、ロッド７２ｆは雌ネジ部８８を具備している。コ
アアッセンブリ８４ｃは、非電導性の中心部７８ａを介
して接続される金属ロッド７２ｇ、ｈを具備している。

金属ロッド７２ｇ、ｈは２つの雌ネジ部８８を具備して
いる。雌ネジ部８８は、もしキャパシタＪｏｂが気密封
止されないのであれば、より効果的に封止するエポキシ
をグリップするために刻み（ナーリング）が設けられて
も良い。

このように、キャパシタ１０ｂのコアアッセンブリは、
２つの雄ネジ部８６、又は雄ネジ部８６と雌ネジ部８８
、あるいは２つの酸ネジ部８８を具備する。

従ってキャパシタ１０ｂは、雄ネジ部８６を雌ネジ部８
Ｂにネジ締めすることにより他のキャパシタ１０ｂに取
付けられることができ、これによって２つのキャパシタ
１０ｂを機械的にかつ電気的に接続することができる。

更に、雄ネジ部８６と酸ネジ部８８は、例えばナツトや
雌ネジ部８８のような雌部がボルトのような雄部を受容
するような、雄ネジ部８６がネジ締めによって受容され
るキャパシタ１０ｂにリード線を電気的に接続するのに
用いられる。このようなコアアッセンブリ８４ａ、ｂ、
ｃは、キャパシタ巻き７６に巻かれ、前述したコアアッ
センブリ８４のようにスリーブ６８に挿入される。

（発明の効果） 本発明によれば、放熱特性の優れた、高い電流容量を有
するキャパシタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の巻回型キャパシタの断面図、第２図は
第１図のキャパシタのコアアッセンブリを示す図、第３
図は第２図のコアアッセンブリの接続部の拡大図、第４
図は第１図のキャパシタの第２の実施例を示す図、第５
図は第４図のキャパシタのコアアッセンブリの拡大図、
第６図は第１図のキャパシタの第３の実施例を示す図、
第７図は第６図のキャパシタの分解図、第８図は第６図
のキャパシタの断面図、第９図は第８図のキャパシタの
拡大断面図、第１０図Ａ−Ｃは第８図のコアアッセンブ
リの各変形例を示す図である。 １０−・キャパシタ、１１・−コアアッセンブリ、１２
ａ、ｂ　＝金属チューブ、１３・−通路、１４−・・セ
ラミックチューブ、１６ａ、ｂ−ネジ部、１８ａ、ｂ−
一カバーシール、２０−・・巻回層、２２−・・セラミ
ックスリーブ、２８ａ、ｂ−電極、３０ａ、ｂ−−−ナ
ツト。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）キャパシタの全長に渡って延び、かつキャパシタ
   内の熱エネルギーを外部へ伝達するため連続的な通路を
   全体の長さに渡って有する中空のコアアッセンブリと、 第１及び第２の電極を有し、前記コアアッセンブリに巻
   かれる巻回層とを具備し、 前記コアアッセンブリは、各々電気的に絶縁されるとと
   もに熱的に接続され、しかも第１及び第２の電極と各々
   電気的に接続されてキャパシタの第１及び第２の端子を
   形成する第１及び第２の金属部を具備したことを特徴と
   する放熱特性の優れた巻回型キャパシタ。
2. （２）前記第１及び第２の金属部が、中空の非電導性部
   に結合されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の巻回型キャパシタ。
3. （３）前記キャパシタが、第１及び第２の端子と各々接
   触して配置される第１及び第２のカバーシールを具備し
   、各カバーシールは前記コアアッセンブリの両端が第１
   及び第２のカバーシールよりも外側に突出するように、
   前記コアアッセンブリの通過用の開口を有することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の巻回型キャパシタ
   。
4. （４）前記キャパシタにはスリーブが提供され、該スリ
   ーブは各第１、第２のカバーシールの外周を取り巻くよ
   うに結合される第１、第２の金属化層を有し、第１、第
   ２のカバーシールの内周が第１、第２の金属部に結合さ
   れてキャパシタが気密封止されることを特徴とする特許
   請求の範囲第３項記載の巻回型キャパシタ。
5. （５）キャパシタの全長に渡って高い熱伝導率を有し、
   かつキャパシタの内部から外部へ熱エネルギーを伝達す
   るため全長に渡って連続した通路を有する中空のコアア
   ッセンブリを形成するステップと、 コアアッセンブリの回りに金属化フィルムを巻き、その
   巻回層の両端に第１及び第２の電極を形成するステップ
   と、 第１及び第２の電極と各々接触して第１及び第２のカバ
   ーシールを配置し、第１及び第２のカバーシールを各々
   第１及び第２の電極に電気的に接続するステップとから
   成ることを特徴とする、放熱特性の優れた巻回型キャパ
   シタの製造方法。
6. （６）キャパシタの全長に渡って延びるコアアッセンブ
   リと、 第１及び第２の電極を有するコアアッセンブリの回りに
   巻かれる巻回層と、 キャパシタの中央から熱エネルギーを吸収するためキャ
   パシタの中央に配置される熱伝導手段とを具備し、 前記コアアッセンブリは第１及び第２の電極とそれぞれ
   接続される第１及び第２の金属部を具備してキャパシタ
   の第１及び第２の端子を形成し、２つの第１及び第２の
   金属部は、少なくともキャパシタの両端から内側にほぼ
   キャパシタの中央に隣接して延び、熱伝導手段から熱エ
   ネルギーを吸収するため該熱伝導手段を介してお互いに
   電気的に分離され、キャパシタの外部へ熱エネルギーを
   伝達することを特徴とする放熱特性の優れた巻回型キャ
   パシタ。