JPS6259577A - ＳｉＣ又はＳｉ↓３Ｎ↓４基材とＭｏ又はＷ基材との接合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミックスと金属、特にＳｉ　又はＳ　ｉ
、ｓ　Ｎ４とＭｏ又はＷの接合方法に関する。

〔従来の技術〕

Ｍｏ　又ＦｉＷ基材とＳｉＣ又はＳｉｓ　Ｎ４基材とげ
、直接接合することによっては勿論Ｃｕ　＋　Ｃｏ合金
ろうを介しての接合によっても高強度継手は得られない
。これはＳｉＯ又はＳ　ｉ３　Ｎ４とＭｏ又けＷとの接
合反応性、ＳｉＣ又はＳｉ３Ｎ４とＣｕ　＋Ｃｏ合金ろ
うとの接合反応性が不十分なためである。

Ｍｏ又Ｖ′ｉｗとＳｉＯ又はＳｉ３Ｎ−の継手は、Ｓｉ
Ｏ又はＳ　ｉ、　Ｎ、のすぐれた耐熱性に律則されて、
高温で使用されることが多い。且つ、その場合、酸化雰
囲気のケースが多く、そうした環境下では、Ｍｏ　又は
ｗｉｊ：、激しい酸化を起こし、使用に耐えらｎない。

従来法では、こういった問題点には一切考慮が払われて
おらず、高温酸化雰囲気下では、得られ念継手が使用Ｋ
Ｍえ得す、実用ＶＣは達しないのが現状である。

［発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、Ｍｏ　又はＷとＳｉ０又はＳｉ３Ｎ４
を適正なインサート材を用いることにより、強固に接合
する方法及び副次的にＭｏ、Ｗの耐酸化性を付与する方
法を提供するものでめる。

〔問題点を解決するための手段〕 本発明の第１発明は、■Ｍｏ又はＷ基材、■核基材に破
着される、第１のＣｒｒ覆層、■該Ｃｒ　被覆層に被着
されるＣｒ、Ｎｉ及びＣｕ　のうちの少くとも１ａ［の
第２の金属被覆層、及び■該第２０金属被覆層に接して
固着さｉＬるＳｉＣ又はＳｉｓＮ４基材よりなることを
特徴とするＳｉＯ又はＢ　ｉｓ　１４基材とＭｏ又はＷ
基材との接合体であり、第１のＣｒ　被覆層及び第２の
金属被覆）曽がＭｏ　又はＷ基材の全衆面に被覆さ扛、
かつ第２の金属被覆層の最外層がＣｒ　拡散メッキ１−
であることを好ましい実施態様とするものである。

又、本発明の第２発明に、■Ｍｏ又はＷ基材、■該基材
に被着さｎる第１のＣｒ被被覆−１■該Ｃｒ　被覆層に
被着されるＣｒ　、　Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１
櫨の第２の金属被覆層、■該第２の金属被覆層に被着さ
汀るＮｉろう、Ｃｕろう及びＡＥ　ろう材のうちの少く
とも１塊のろう材被覆層及び■該ろう材被覆層に接して
固着さｒＬるＳｉＯ又はＳｉｓＮ４基材よシなることを
％徴とするＳｉＯ又はＳ　ｉｓ　Ｎ４基材とＭｏ　　名
はＷ基材との接合体であシ、第１のＣｒｒ覆層及び第２
の金属被覆層がＭｏ又はＷ基材の全表面に被覆さγし、
かつ第２の金属被覆層の最外層がＣｒ拡散メッキｈであ
ることを好ましい実施態様とするものである。

なお上記第１．第２発明において、第２の金属被覆層が
Ｃｒでちる場合には、第１のＣｒｒ覆層と第２のＣｒ　
　破棲泗を合せたＣｒ　単層被覆層であってもよい。

がっ）る本発明は、セラミックスブｊスタービン靜翼の
セラミックスと金属の接合法部ＶＣ適用できる。

〔作用〕

第１発明 Ｍｏ　　又はＷとＳｉＣ又はＳｉ３Ｎ、の接合において
、Ｍｏ又はＷ　ｄ＋１に脆い金属間化合物を生成せず、
互いに固酉して強固な冶金的接合の得られるＣｒを、そ
して接合性の極めて悪いＳ１０又ｉ’１Ｓｉ４Ｎ４而に
はＳｉＣ又はＳｉ．　Ｎ４中に存在する遊離Ｓ１　に着
目して、このＢ１　　とすぐれた接合を成就するＮｉ　
、　ＣｕおよびＣｒのいずれか１つをインサート材とし
て配設して、Ａ　Ｑ中あるいはＡｒ　　ガス中などの非
酸化性雰囲気中で加熱、加圧して固相接合することで、
高強度の継手強度を得ることができる。なお、上記イン
サート材を用いると、インサート材組合せで、ＣｒとＮ
ｉ、ＣｒとＣｕ。

及び０ｒ−Ｃｒの接合組合せがでてくるが、これらは互
いに固溶しあい、すぐれた冶金的接合ができる組合せで
あシ、良好な継手を得ることができる。

第１発明の一実施態様を第１図によって詳述する。

先ず、Ｍｏ　又はＷ基材ＩＫ（Ｘｒ　被覆層３を配設す
る。（工８Ａ　−（ａ）　：　Ｃｒｒ層被覆層の場合）
その方法は、Ｃｒ　　メッキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射等に
よる。

あるいは、更にＣｒ被覆層ＳＱ上に、Ｎｉ　被覆層４″
またにＣｕ被榎層５を配設する。（工程人の（ｂ））そ
の方法は、Ｎｉまた１ｑｏｕメツキ、Ｎｉま九はＣｕ　
蒸着、ＮｉまたばＣｕ溶射、Ｎｉ　　またはＣｕ箔の配
設等による。

Ｍｏ又Ｈｗ基材１上に上記インサート材を配設した後、
これにＳｉＯ又はＢｌｍ−基材２を重ね合せ、真空中あ
るいはＡｒ　　中で、Ｍｏ　　又ホＷ１ＳＩＣ又１Ｓｉ
ｓＮ４およびインサート材のいずれの融点よりも低い温
度に加熱し、加圧して同相接合する。（工程Ｂ） 第２発明 Ｍｏ　　又ｉｉＷとＳ１０又１ｓ１３Ｎ４の接合におい
て、Ｍｏ又はＷ面に脆い金属間化合物を生成せず、互い
に固溶して強固な冶金的接合の得られるＣｒ。

及び使用するろう材（Ｎｉろう、Ｃｕろう、Ａｇろう）
とろう付性にすぐれるＮｉ又はＣｕをこのＣｒ　ＣＤ上
に積層して結合したあと、ＳｉＣ又はＳｉ３Ｎ４中に存
在する遊離Ｓｉ　　と良好なろう付が行いうるＮｉろう
、Ｃｕろうまたｌ′ｉＡｇろうを用いてＳｉＣ又はＳ　
ｉ、　Ｎ＠とをろう付することで、高強度の継手強度を
得ることができる。

なお、上記インサート材を用いると、インサート組合せ
でＣｒとＮｉ、ＣｒとＣｕ、Ｃｒ　　と上記ろう材、Ｎ
ｉ　　と上記ろう材、Ｃｕ　と上記ろう材の接合組イす
せがでてくるが、これらは互いに固溶しあうか、脆い金
属間化合物を生成しないですぐれ九冶金的云合ができる
組合せであり、良好な継手？得ることができる。

第２発明の一実施態様を第２図によって詳述する。

先ず、Ｍｏ又はＷ基材１にＣｒ　ｗｌ覆層５を配設する
。（工程Ａ　−（ａ）　；　Ｃｒ単層板！３に層の場合
）その方法は、Ｃｒ　　メッキ、Ｃｒ　蒸着、Ｃｒ　溶
射等による。

おるいは、更にＣｒ破覆ｆｅｌｔ　３の上に、Ｎｉ被覆
層４またけＣｕ被覆層５を配設する。（工程Ａの（ｂ）
）その方法は、ＮｉまたにＣｕメッキ、ＮｔｔたはＣｕ
蒸着、Ｎｉ　ｊた１ｑＣｕｉ射、Ｎｉ　またはＣｕ箔の
配設等による。

Ｍｏ又ｈｖ基材１上に上記インサートＩＪを配設したも
のを、真空中あるいはＡｒ　　中で、Ｍｏ又Ｈｗおよび
インサート材のいずれの融点よシも低い温度に加熱、加
圧してインサート材とＭ。

又はＷ基材１を固相接合する。

次いで、上記インサート材が接合したＭｏ　又Ｖ′ｉ、
Ｗ基材とＳｉＣ又はＳ　ｉ、　Ｎ４基材２とをＮｉ　　
ろう、Ｃｕ　ろう又はＡｇ　ろう６を用いて、真空中あ
るいｔｄＡｒ　中でろう付する。（工程Ｂ）第１発明の
好ましい態様 Ｍｏ又はＷとＳｉ０又はＳ　ｉ、　Ｎ４の接合において
、Ｍｏ又はＷの接合面を含む全表面に、前述し九Ｍｏ又
はＷと良好な冶金的接合の得られるＣｒをコーディング
したあと、その上にＣｒ　　と固溶し合ってすぐれた接
合性を示すＮｉ　　を全面コーティングし、次いで、Ｎ
ｉ　　コーティング層全面にＣｒ　　拡散メッキ処理し
たあと、ＳｉＯ又はＳｉ３Ｍ４とを真空中あるいはＡｒ
　　中で加熱、加圧して固相接合することで、高強度の
継手強度を得ることができ／：）。

この方法の特徴は、　Ｍｏ　又はＷＯ最表面ｒこＮｉ−
Ｃｒ合金７ｆｉｇ（Ｎｉ　　コーティングＭにＣｒ拡散
メッキ処理することで得られる）が生成し、耐酸化性は
もちろん、各独の高温耐食性にすぐれ、Ｍｏ又μＷとＳ
ｉＣ又はＳｉ３Ｎ、継手の適用範囲を大きく拡大するこ
とにある。

上記方法の一実施態様を第３図によって詳述する。

先ず、Ｍｏ又はＷ基材１の全表面ＶＣＣｒ被積層３を配
設する。その方法は、Ｃｒ　　メッキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ
　　溶射等による。続いて、Ｃｒ被覆層５の全表面にＮ
ｉ　被覆層４を配設する。その方法は、Ｎｉ　　メンキ
、Ｎｉ　蒸着、Ｎｉ　溶射等による。次いで、Ｎｉ　被
覆ＲＩＩ４の全表面にＣｒ拡散メッキ７処理を行う。

しかる後、上記処理を行ったＭｏ　又くＷ基材１とＳｉ
０又はＳｉ３Ｎ４基材２と分■ね合せ、真空中あるいは
Ａｒ中で、Ｍｏ又μｗ、ＳｉＣ又はＳｉ、Ｎ４およびイ
ンサート材のいす扛の融点よりも低い温度に刀口熱し、
加圧して同相接合する。

第２発明の好ましい態様 Ｍｏ　　又はＷとＳｉＣ又は５ｉｌＮ、■接合において
、Ｍｏ又はＷの接合面を含む全表向に、上記第１発明の
好ましい態様で説明しにコーティング並びにＣｒ拡散メ
ッキ処理した後、ＳｉＣ又にＳｉ３Ｎ４とを前記第２発
明で説明したろう付により、高強度の継手強度を得るこ
とができる。

この方法の特徴は、上記第１発明の好ましい態様で説明
Ｉ−たと同様に、Ｍｏ　又はＷの最表面に、耐酸化性、
各種高温耐食ａＶｃすぐれたＮｉ・Ｃｒ　　合金層が生
成し、Ｍｏ　　又はＷとＳｉＯ又はＳｉ．３Ｎ４継手の
適用範囲を大きく拡大することにある。

上記方法の一実施態様を第４図によって詳述する。

先ず、Ｍｏ又はＷ基材１の全表面に、Ｃｒ被瀉層５を配
設する。その方法は、Ｃｒ　　メッキ、Ｃｒ　蒸着、Ｃ
ｒ　Ｉ＠射等による。続いて、Ｃｒ　被覆層５の全表面
にＮｉ被覆層４を配設する。そ、７）方法は、Ｎｉ　　
メッキ、Ｎｉ　蒸着、Ｎｉ　溶射等による。次いで、Ｎ
ｉ　　被覆層４の全表面にＣｒ拡散メッキ７処理を行う
。

しかる後、上記処理を行ったＭｏ又はＷ基材１とＳｊ、
Ｏ又１”ｌ：５１ｇＮ４基材２とをＮｉろう、Ｃｕろう
またはＡｇ　　ろう６を用いて、真空中あるいはＡｒ　
　甲でろう付する。

なお、上記第１及び第２発明の好ましい態様において、
Ｍｏ又はＷの接合面を含む全表面に、インサート材のＣ
ｒ、　　ＣｒとＮｉ．、あるいはＣｒとＣｕ　　をコー
ティングし、高強度継手を得ると共に、Ｍｏ　又はＷよ
り耐酸化性にすぐれるこのコーティング層の存在で、Ｍ
ｏ又Ｉｒ１ｗとＳｉＣ又はＳｉｓＮ４継手の適用範囲を
拡大することもできる。

〔発明の効果〕

（１）　Ｍｏ　又はＷとＳＩＣ又は５ｉｓｈｉを適正な
インサート材を用いることで、強固に接合することがで
きる。

（２）　　Ｍｏ　又はＷとＳｉＯ又はＳｉ、Ｎ４の継手
は、Ｓｉ０又は５ｉｓＮ４のすぐれた耐熱性に律則され
て、高温で使用されることが多い。且つ、その場合、酸
化雰囲気のケースが多く、そりした環境下では、Ｍｏ　
又はＷは激しい酸化を起こし、使用に耐えられない。こ
れに対し、本発明の接合用インサート材は、耐酸化性は
もちろん、耐食性にもすぐれ、これをＭｏ　　又はＷの
全表面にコーティングすることで、Ｍ。

又はＷとＳＩＣ又はＳｉ３Ｎ、継手の適用範囲を拡大す
ることができる。

〔実施例〕

（実施例１） ５篩（板厚）Ｘ５０ｍ（幅）ｘｌｏｏｍ（長さ）のＭｏ
板と５−（板厚）　Ｘ　５０　ｍ　（幅）Ｘｔｏｏｗ（
長さ）のＳｉＣ板の接合において、Ｍｏの接合面にＣｒ
　　メッキ２０μを施こしたんと、ＳｉＯを重ね合せ、
１０−’　Ｔｏｒｒ　下で、１１００℃Ｘ　Ｑ、　５　
ｋｇ／騙２×５０分の拡散溶接を行った。

その結果、ＳｉＣに割れ等の発生もなく、強固な接合継
手が得られた。

（実施例２〕 ５錫（板厚）　ｘ　５０　ｗｓｘ　（幅）Ｘ１００ｍ（
長さ）のＭｏ板と５■（板厚）ｘ５ｏｍ（幅〕×１００
簡（長さ〕のＳｉＣ板の接合において、Ｍ００接合面Ｋ
Ｃｒ　蒸着１０ｐを行い、続いて、Ｎｉ溶射３０μを施
したあと、ＳｉＯを重ね合せ、Ａｒ雰囲気中で、８５０
℃Ｘ　１００　ｋｙ／ツエ×１時間の拡散隣接を行った
。その結果、５ｉｌｌに割れ等の発生もなく、強固な接
合継手が得られた。

（実施例５〕 ５槃（板厚）Ｘ５０ｍ（幅）　Ｘ　１００　Ｗ　（長さ
）のＭｏ板と５　ｔｍ　（板厚）　Ｘ　５０　ｇ　（幅
〕×１００　［（長さ）のＳｉＣ板の接合ｌこおいて、
Ｍｏ接合面にＣｒ溶射３０μを行い、続いてＣｕ　メッ
キ４０μを施こしたあと、ＳｉＯを１ね合せ、１０−’
　Ｔｏｒｒ　　下で、１０５０℃Ｘ　［Ｌ　５　’に９
／ｒｘａ２Ｘ３０分の拡散溶接を行った。その結果、Ｓ
ｉＯに割れ等の発生もなく、強固な接合継手が得られた
。

（実施例４） ３鑓（板厚）Ｘ２５Ｗ（幅）ｘ２ｓｗ（長さ）ＯＷ板と
３鵡（板厚）　ｘ　２５　ｍ　Ｃ幅）Ｘ２５ｍ（長さ）
のＳｉＣ板の接合において、Ｗの接合面にＣｒ　メッキ
３０μを行ったあと、Ｃｕ　箔５０μを挿入して１３１
Ｃを重ね合せ、１０−’　Ｔｏｒｒ　　下で、１０５０
　℃Ｘ　［１５ＶＪｊ／ｗｍ”　Ｘ　Ｓ　０分の拡牧溶
接を行った。その結果、５ｉｓＮ４に割れ等０発生もな
く、強固な接合継手が得られ比。

（１）ｊ７ｊケｍ　イ＋１１５　） ５−１（板厚）×５０日（幅）ｘｌｏｏｓｍ（長さ）の
Ｍｏ板と５　ｍ＠（板厚）　Ｘ　５０　ｙｉｍ　（幅）
Ｘ１００ｓ（長さ）の５ｉｌＮ４板の接合において、１
．４０　の接合面ｉＣＣｒ　メッキ２０μを施こしたら
と、Ｓｉ３Ｎ４を重ね合せ、１０−’　Ｔｏｒｒ　　下
で、１２０口’ＣＸ　ａ　５に９／ｒｒｇ”　Ｘ　３０
分の拡散浴接を行った。その結果、Ｓｉ３Ｎ４に割れ等
の発生もなく、強固な接合継手が得られた。

（実カイＵリ　６　） ５絽（板厚）×２５鯨（幅）×２５峨（長さ）のＷ仮と
３　ｍｓ　（板厚）　Ｘ　２５　ｗｍ　（幅）　Ｘ　２
５　ｗｍ（長さ）の５１５ｗ４板の接合において、Ｗの
接合面ＫＣｒ　　メッキ２０μを行い、続いてＮｉ　　
メッキ２０ｐを施こしたあと、５ｉｓＮ４を重ね合せ、
１０−’　Ｔｏｒｒ　　下で、１２００℃Ｘ　（１，５
ｋ４ｇ／ｗｓ”　Ｘ１Ｈの拡散溶接を行った。その結果
、Ｓ　１ｓＮ４に割れ等の発生もなく、１強固な接合継
手が得られた。

（実１瞠頽ｆクリ　７　） ５　ｍ　（板厚）　ｘ　５０　ｍ　Ｃ幅）ｘｌｏｏｍ（
長さ）のＭｏ板と５　ｍｓ　（板厚）×５０雌（幅）×
１０ＯＬｌＩＩＩ（長さ）のＳｉＣ板の接合において、
Ａｌ。

Ｏ接合面にＣｒ　　メンキ５ｏμを施こし、ためと、１
　０−’　Ｔｏｒｒ下で、　１０００℃Ｘ　０．０　１
　ｋｙ／ｍ”　Ｘ２時間の拡散溶接を行い、次いで、真
空中で、Ｎｉ　ろう（ＢＮｉ　−２）を用いて、ＳｉＯ
と１０５０℃×１０分でろう付を行つ之。その結果、８
ｉＣに割れ等の発生もｌく、強固な接合継手が得られ之
。

（実施例８） ３　ｔｍ　（板厚）　Ｘ　２５　ｍ　（幅）　８２５　
ｍ　（長さ）ＯＷ板と６−（板厚）　Ｘ　２５　ｔｍ　
（幅）Ｘ２５ｍ＋（長さ）のＳｉＣ板の接合において、
Ｗ−Ｏ接合面ＫＣｒ　メッキ３０μを施こしたあと、５
ｏμのＮｉ　　箔を１０−’　Ｔｏｒｒ　　下で、９０
０℃×２リーエ×１時間の拡散溶接を行い、次いで、真
空中で、Ａｇ　ろう（ＢＡＥ　−８）を用いて、Ｓｉ．
０と８００℃×１０分でろう付を行つ友。その結果、ｓ
ｊｃに割れ等の発生もなく、強固な接合継手が得られだ
。

（実施例９） ５顛（板厚）×５０静（幅）Ｘ１００ｓｍ（長さ〕のＭ
ｏ板と５−（板厚）　Ｘ　５　Ｑ　ｙｍ　（幅〕Ｘ１０
０四（長さ）のＳｉＣ板の接合において、Ｍ。

の接合面１ＣＣｒ　蒸着１０μを施こしためと、５０μ
のＣｕ箔ｊｚＡｒ　中で、９００℃Ｘ　２　ｋｇ７ｍ”
　Ｘ１時間の拡散溶接を行い、次いで、　Ａｒ　中でＣ
ｕろう（ＢＣｕＰ−３）を用いて、Ｓ１０と８００℃×
１５分でろう付全行った。その結果、ＳｉＯに割れ等の
発生もｌく、強固な接合継手が得られた。

（実施例１０） ３畦（板′ｌＪ、）×２５闇Ｃ幅）×２５簡（長さｙＯ
Ｗ板と３　ｙａｓ　（板厚）　Ｘ　２５　ｍ　（幅、）
Ｘ２５ｍ（長さ）のＳｉｍＮ４飯の接合において、Ｗの
接合面にｃｒ　　メッキ２０μを施こしたあと、１Ｏ−
４Ｔｏｒｒ　下で、１００１Ｊ　℃Ｘ　Ｑ、　０１に９
／１ｍ”　Ｘ　２時間の拡散溶接を行い、次いで、Ｘ壁
中で、Ｎｉろう（ＢＮｊ、　−２）を用いて、５ｉｌＮ
４と１０００℃×１０美でろう伺を行った。その結果、
Ｓｉ３Ｎ４に割れ等の発生もなく、強固な結合継手が得
られた。

（実施例１１） ５麿（板厚）ｘｓｏｗｓＣ幅）ｘｌｏｏｍ（長さ）のＭ
ｏ板と５　ｍ（板厚）　Ｘ　５０　ｍ　（ｍ　）　Ｘｌ
　００　ｍ　（長さ）のｓｉ、５番板の嵌合において、
Ｍｏ　の接合面にＣｒ　メッキ２０μを行い、続いて、
Ｃｕ　　メンキ２０μｍ１ｆｔ施こしたらと、１Ｏ−４
Ｔｏｒｒ　下で、１０００℃Ｘ［Ｌｏ　１ｋｌ／ｍ”Ｘ
２時間の拡散溶接を行い、次いで、Ａｒ　中で、Ｃｕろ
う（ＢＣｕＰ−３ンに用いて、Ｓｉ３１１４と１ｆ００
Ｌｘｉｏ分でろう付を行った。その結果、ＳｉＯに割れ
等の発生もなく、強固な接合継手が得られた。

（実施例１２） Ｓ　ｗｘｍ　（板厚）　Ｘ　５０　ｗ　（Ｉｌ＠）　ｘ
　１００　ｍ　（長さ〕のＭｏ板と５閣（板厚）　Ｘ　
５０　ｍｍ　（幅）×１００−（長さ）のＳｉＣ板の接
合において、Ｍ。

板の全表面にＣｒ　　メンキ２０ｐを行ったわと、その
上にＮｉ　　メッキ５０μ全全面に行い、次いで、Ｎｉ
　　メッキ層全面ＶＣＣｒ　拡散メッキ（金属Ｃｒ　＋
　Ａ４０３　＋　ＮＨ４Ｃ！を中で、１ｔ００ｃＸ５時
間の拡散メッキ処理）を行ったあと、ＳＩＣを重ね合せ
、１０−　’　Ｔｏｒｒ　下で、９００℃Ｘ　２　ｋｇ
／１ｍ”×１時間の拡散溶接を行った。その結果、Ｓｉ
Ｃに割れ等の発生もなく、強固な接合継手か得られた。

（実施例１３） ３　ｍ　（板厚）　Ｘ　２５　ｍ　（１ｐｊＡ　）　Ｘ
　２５　ｍ　（長さ）のＷ板と３　ｍ　（板厚）　Ｘ　
２５　ｍ　（幅）　Ｘ　２５　ｍｍ（長さ）のｓｉ、Ｎ
４板の接合において、Ｗ板の全表面にＣｒ　　メッキ２
０μを行ったあと、その上ＶＣＮｉ蒸着２０μを全面に
行い、次いで、Ｎｉ蒸蒸着全面にＣｒ拡散メッキ（金属
Ｃ！ｒ　十Ａｔ露０３十ＮＨａＣ１中で１１００℃×５
時間の拡散メッキ処理）を行ったあと、Ｓ　ｉ３Ｎ４を
重ね合せ、１Ｏ−４Ｔｏｒｒ　　下で、１２００℃×１
５　ｋ５／／　ｍ”　Ｘ　１時間の拡散溶接を行った。

その結果、Ｂ１３Ｎ４に割れ等の発生もなく、強固な接
合継手が得られた。

（実施例１４） ３　ｍ　（板厚）　Ｘ　２　ｓ　ｍ　（幅）　Ｘ　２５
　ｍ　（長さ）のＷ板と５　ｗｍ　（板厚）　Ｘ　２　
ｓ　ｍ　（幅）×２５鴎（長さ）のＢｉＯ板の接合にお
いて、Ｗ板の全表面にＣｒ　メッキ２０μを行ったあと
、その上にＮｉ　　メッキ５０μｍを全面に行い、次い
で、Ｎｉメッキ全面１ｃｃｒ拡散メツキ（金属Ｃｒ　＋
　Ａｔ２０３十ＮＨ，Ｃ１中で、１１００℃×５時間の
拡販メッキ処理）を行ったあと、真空中で、Ｎｉ　　ろ
う（ＢＮｉ　−２）を用いて、ＳｉＣと１０５０℃×１
０分でろう付を行った。その結果、５１ｏｖｃ割九等の
発生もなく、強固な接合継手が得られた。

なお、Ａｇろう（ＢＡｇ　−８）を用いて、ＳｉＣと８
００℃×１０分、Ｃｕろう（ＢＣｕＰ−３）を用いて、
ＳｉＣと８００℃×１５分でろう付を行った場合も、同
様の良好な接合結果が得られた。

（実施例１５） ５　ｍ　（板厚）×５０■（幅）Ｘ１００ｍ（長さ）の
Ｍｏ板と５　ｍ　（板ＪＥＩ−）　ｘ　ｓ　ｏ■（幅）
Ｘ１００ｍ（長さ）のＳ　ｉ３Ｎ４板の接合において、
Ｍｏ板の全表面にＣｒ　メッキ２０μを行っ之あと、そ
の上にＮｉ　　溶射５０ｐを全面に行い、次いでＮｌ　
（Ｂ射面全面にＣｒ拡散メッキ（金ｊｇＣｒ＋　Ａｔ！
Ｏ１＋ＮＨ４Ｏを中で、１１００℃×５時間の拡散メッ
キ処理）を行つ九あと、真空中で、Ｎｉろう（Ｔ３Ｎｉ
−２　）　ｋ用いて、７３１３Ｎ４と１１００℃×１０
分でろう付を行った。その結果、１３１３Ｎ４に割ｎ等
の発生もｌく、強固な接合継手が得られた。なお、○Ｕ
ろう（ＢＣｕＰ　−５）を用いて、！３１３Ｎ４と１１
００℃×１０分、Ａｇ　　ろう（ＢＡ、ｇ−８）を用い
て、Ｅ１３Ｎ、と８００１：Ｘ１０分でろう付を行った
場合も、同様に良好な接合結果が得られた。

（実施例１６） ５鱈（板厚）　Ｘ　５０　ｍ　（幅）Ｘ１００陣（長さ
ンのＭｏ板と５　ｍ　（板厚）　Ｘ　５０　ｍ　（幅）
×１００、（長さ）　ＯＳｉｎ！板の接合において、Ｍ
ｏ板の全表面にＣｒ　メッキ２０μを行ったらと、その
上にＮｉ　合金（Ｎｉ　５０％＋Ｃｒ　５０％）溶射２
００μを全面に行い、次いで、Ｎｉ　合金ｍ射面全面１
／（：Ｃｒ拡散メッキ（ＳＬ　桟Ｃｒ　＋Ａ４０３　＋
ｒＮＨ４Ｃ１中で１ｌＯｃｌ’ｃＸ５時間の拡散メッキ
処理）を行ったあと、Ａ空中で、Ｎｉ　　ろう（ＢＮｉ
−２）を用いて、ＳｉＣと１１００℃Ｘ１０分でろう付
を行った。その結果、ＳｉＣに割れ等の発生もなく、強
固な接合継手が得られ之。なお、Ｃｕろう（ＢＣｕＰ−
５）を用い−（、ＳｉＣと１１００℃×１０分、Ａｇろ
う（ＢＡｇ−８）を用いて、Ｓ１Ｃと８００℃×１０分
とろう付を行った場合も、同様に良好な接合結果が得ら
れ九。

（実施例１７） ３　ｍ　（板厚）×２５１１Ｉ１１（幅）　Ｘ　２５　
ｗｍ　（長さ）のＭｏ板と５！（板厚）　ｘ　２５１ｍ
ｍ（幅）×２５■（長さ）のＳｉＣ板の接合において、
Ｍｏ　の全表面ＶＣＣｒ　メッキ２０μを行い、続いて
、ｃｕ金合金　ｃｕ　７０％十Ｎｉ３０％）溶射２００
　ｐｆ全全面行ったあと、ＢｉＯと重ね合せ、１ｏ−４
Ｔｏｒｒ　　下で１０００℃Ｘ　ｌ　５　’に９７ｍ”
　Ｘ　３０分の拡散溶接を行った。その結果、ＳｉＣに
割れ等の発生もなく、強固な接合継手が得られた。

、１図ｊａｊの指１単な説明 第１図乃至第４図は、本発明によるＭｏ　又はＷとＳｉ
Ｏ又はＳ　ｉｓ　Ｎ４の接合方法の工程を示す説明図で
ある。

復代理人　　内　１）　　明 復代理人　　萩　原　亮　− 復代理人　　安　西　篤　夫 第１図 第２図 第３図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）［１］Ｍｏ又はＷ基材、［２］該基材に被着され
   る第１のＣｒ被覆層、［３］該Ｃｒ被覆層に被着される
   Ｃｒ、Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２の金属
   被覆層、及び［４］該第２の金属被覆層に接して固着さ
   れるＳｉＣ又はＳｉ＿３Ｎ＿４基材よりなることを特徴
   とするＳｉＣ又はＳｉ＿３Ｎ＿４基材とＭｏ又はＷ基材
   との接合体。
2. （２）第１のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層がＭｏ又
   はＷ基材の全表面に被覆され、かつ第２の金属被覆層の
   最外層がＣｒ拡散メッキ層であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項の接合体。
3. （３）［１］Ｍｏ又はＷ基材、［２］該基材に被着され
   る第１のＣｒ被覆層、［３］該Ｃｒ被覆層に被着される
   Ｃｒ、Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２の金属
   被覆層、［４］該第２の金属被覆層に被着されるＮｉろ
   う、Ｃｕろう及びＡｇろう材のうちの少くとも１種のろ
   う材被覆層及び［５］該ろう材被覆層に接して固着され
   るＳｉＣ又はＳｉ＿３Ｎ＿４基材よりなることを特徴と
   するＳｉＣ又はＳｉ＿３Ｎ＿４基材とＭｏ又はＷ基材と
   の接合体。
4. （４）第１のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層がＭｏ又
   はＷ基材の全表面に被覆され、かつ第２の金属被覆層の
   最外層がＣｒ拡散メッキ層であることを特徴とする特許
   請求の範囲第３項の接合体。