JPS6258689A - 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 - Google Patents
光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6258689A JPS6258689A JP60199152A JP19915285A JPS6258689A JP S6258689 A JPS6258689 A JP S6258689A JP 60199152 A JP60199152 A JP 60199152A JP 19915285 A JP19915285 A JP 19915285A JP S6258689 A JPS6258689 A JP S6258689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical isolator
- magnetic film
- laser device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
産業上の利用分野
本発明は、光通信や光情報処理など産業上の利用分野で
光源として利用される半導体レーザ装置に関し、特に戻
り光を抑圧するための光アイソレータを備えた光アイソ
レータ付半導体レーザ装置に関するものである。
光源として利用される半導体レーザ装置に関し、特に戻
り光を抑圧するための光アイソレータを備えた光アイソ
レータ付半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
半導体レーザ装置は、光通信、光情報処理、光利用計測
など産業上の利用分野で、光源として使用されている。
など産業上の利用分野で、光源として使用されている。
半導体レーザ装置の雑音のほとんどは、戻り光の再結合
に伴う発振動作の不安定化に起因するものと考えられて
いる。
に伴う発振動作の不安定化に起因するものと考えられて
いる。
従って、低雑音が要求される半導体レーザ装置では、戻
り光を抑圧するための光アイソレータが半導体レーザの
前面に付加される。
り光を抑圧するための光アイソレータが半導体レーザの
前面に付加される。
従来、この種の光アイソレータ付半導体レーザ装置ない
しはモジュールとしては、ＩＥＥＥ Ｊ、 Ｑｕａｎ
−ｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １９８０ （ＱＥ
１６巻１１号）において関らが記載しているような
、ローションプリズムを用いたものが知られている。
しはモジュールとしては、ＩＥＥＥ Ｊ、 Ｑｕａｎ
−ｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １９８０ （ＱＥ
１６巻１１号）において関らが記載しているような
、ローションプリズムを用いたものが知られている。
上記ローションプリズムを用いた光アイソレータは、第
３図の側断面図に示すように、ファラディ回転子１０を
バルク状のＹＴＧ結晶（Ｙ、、Ｆｅ５Ｏ１□）の磁性体
１１と磁石１４とにより構成し、その前段と後段に、そ
れぞれ偏光子１２と検光子１３のローションプリズムを
配置したものである。
３図の側断面図に示すように、ファラディ回転子１０を
バルク状のＹＴＧ結晶（Ｙ、、Ｆｅ５Ｏ１□）の磁性体
１１と磁石１４とにより構成し、その前段と後段に、そ
れぞれ偏光子１２と検光子１３のローションプリズムを
配置したものである。
半導体レーザからの出射光が、磁石１４で囲まれたバル
ク状の磁性体１１内を通過する際に、その偏光面が回転
する。その回転角度θは、一般に次式で表わされる。
ク状の磁性体１１内を通過する際に、その偏光面が回転
する。その回転角度θは、一般に次式で表わされる。
θ壬Ｆ−Ｌ−Ｍ／Ｍｓ
ただし、Ｌは磁性体内の光路長、Ｍｓは磁性体の飽和磁
化、Ｍは磁性体内における光の伝播方向への磁化の成分
である。
化、Ｍは磁性体内における光の伝播方向への磁化の成分
である。
従って、磁石により光の伝播方向に磁界を印可して飽和
磁化に等しい磁化を生じさせると、偏光面の回転角度θ
は最大値ＦＬとなる。ＹＩＧ結晶では波長１．３ μ
ｍの光に対するＦの値が２２０゜／ａｍであるから、偏
光面を４５°回転させるためには、磁性体１１の厚みと
して約２ ｍｍが必要となる。この厚みの磁性体１１に
、偏光子１２．検光子１３及び磁石１４の厚みを加える
と、光アイソレータ全体では４乃至５ｍｍもの厚みとな
り、半導体レーザと光ファイバなどの導波路との間隔が
この程度ないと光アイソレータが付加できなくなる。
磁化に等しい磁化を生じさせると、偏光面の回転角度θ
は最大値ＦＬとなる。ＹＩＧ結晶では波長１．３ μ
ｍの光に対するＦの値が２２０゜／ａｍであるから、偏
光面を４５°回転させるためには、磁性体１１の厚みと
して約２ ｍｍが必要となる。この厚みの磁性体１１に
、偏光子１２．検光子１３及び磁石１４の厚みを加える
と、光アイソレータ全体では４乃至５ｍｍもの厚みとな
り、半導体レーザと光ファイバなどの導波路との間隔が
この程度ないと光アイソレータが付加できなくなる。
この厚みを低減するために、バルク状の磁性体に代えて
、エピタキシャル成長法によって形成したＦ値が大きな
（Ｇｄ Ｂｉ）ｓ （Ｆｅ ＡＩ Ｇａ ）ｓ ０１２
磁性体膜を用いた光アイソレータが開発されている。
、エピタキシャル成長法によって形成したＦ値が大きな
（Ｇｄ Ｂｉ）ｓ （Ｆｅ ＡＩ Ｇａ ）ｓ ０１２
磁性体膜を用いた光アイソレータが開発されている。
すなわち、第４図の側断面図に示するように、半導体レ
ーザ２１と光フアイバ２２間の結合用集束性ロンドレン
ズ２３に、偏光子２４．磁性体膜２５及び検光子２７を
順次貼着し、円筒状の磁石２６により磁性体膜の厚み方
向に磁界を印可することにより、光アイソレータを構成
している。これの詳細については、本出願人の先願に係
わる特願昭５９年−２５３５１９の明細書を参照された
い。
ーザ２１と光フアイバ２２間の結合用集束性ロンドレン
ズ２３に、偏光子２４．磁性体膜２５及び検光子２７を
順次貼着し、円筒状の磁石２６により磁性体膜の厚み方
向に磁界を印可することにより、光アイソレータを構成
している。これの詳細については、本出願人の先願に係
わる特願昭５９年−２５３５１９の明細書を参照された
い。
発明が解決しようとする問題点
上述した従来技術では、半導体レーザやレンズと光ファ
イバとの間に光アイソレータを実装できる程度の間隙が
確保されている。
イバとの間に光アイソレータを実装できる程度の間隙が
確保されている。
しかじから、半導体レーザやレンズと光ファイバとの間
に１乃至２ｍｍ程度の間隙しか存在しない場合には、そ
こには上述したような従来の光アイソレータを設置でき
ず、従って、戻り光を抑圧できなくなるという問題があ
る。
に１乃至２ｍｍ程度の間隙しか存在しない場合には、そ
こには上述したような従来の光アイソレータを設置でき
ず、従って、戻り光を抑圧できなくなるという問題があ
る。
この対策として、光アイソレータを構成する各部品の一
層の薄型化を図ることが考えられるが、膜化できる磁性
体はともかくとしても、磁石、偏光子、検光子の薄型化
には限度がある。
層の薄型化を図ることが考えられるが、膜化できる磁性
体はともかくとしても、磁石、偏光子、検光子の薄型化
には限度がある。
また、半導体レーザからの出射光がほぼ直線偏光状態に
ある点に着目し、偏光子を省略することにより光アイソ
レータ全体の薄型化を図るという対策もある。
ある点に着目し、偏光子を省略することにより光アイソ
レータ全体の薄型化を図るという対策もある。
しかしながら、偏光子を省略した場合には、半導体レー
ザにＴＭ波が戻ると、ＴＭ波成分が増加して特性が不安
定になりやすいという問題が伴う。
ザにＴＭ波が戻ると、ＴＭ波成分が増加して特性が不安
定になりやすいという問題が伴う。
特に、ＴＭ波とＴＥ波の利得が同程度の分布帰還形半導
体レーザでは大きな問題である。
体レーザでは大きな問題である。
発明の構成
問題点を解決するための手段
上記従来技術の問題点を解決する本発明の光アイソレー
タ行手風体レーザ装置は、半導体レーザの出射側端面に
誘電体膜を介して密着固定された磁性体膜及びこの磁性
体膜の膜厚方向に磁界を印可する磁石から構成される光
子イソレータと、この光アイソレータの出射側に配置さ
れた検光子とを備えている。
タ行手風体レーザ装置は、半導体レーザの出射側端面に
誘電体膜を介して密着固定された磁性体膜及びこの磁性
体膜の膜厚方向に磁界を印可する磁石から構成される光
子イソレータと、この光アイソレータの出射側に配置さ
れた検光子とを備えている。
すなわち、本発明の光アイソレータ付半導体し−ザ装置
では、光アイソレータを偏光子、ファラディ回転子及び
検光子を一体化した集合体として構成するという従来の
概念から離れてこれらを分散配置すると共に、偏光子を
省略することにより磁性体膜を半導体レーザの出射端面
に密着固定し、光アイソレータ全体の薄型化を実現して
いる。
では、光アイソレータを偏光子、ファラディ回転子及び
検光子を一体化した集合体として構成するという従来の
概念から離れてこれらを分散配置すると共に、偏光子を
省略することにより磁性体膜を半導体レーザの出射端面
に密着固定し、光アイソレータ全体の薄型化を実現して
いる。
本発明の一実施例においては、半導体レーザとして量子
井戸型の半導体レーザが使用され、偏光子の省略に伴う
従来の問題点をＴＭ波の増幅利得の抑圧により解決して
いる。
井戸型の半導体レーザが使用され、偏光子の省略に伴う
従来の問題点をＴＭ波の増幅利得の抑圧により解決して
いる。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
実施例
第１図は本発明の一実施例の光アイソレータ付半導体レ
ーザ装置の構成を示す側断面図である。
ーザ装置の構成を示す側断面図である。
光アイソレータは、半導体レーザ３１と光ファイバ３２
の間に分散配置された磁性体膜３３及び磁石３４から構
成されるファラディ回転子と、検光子３５から構成され
ている。
の間に分散配置された磁性体膜３３及び磁石３４から構
成されるファラディ回転子と、検光子３５から構成され
ている。
ファラディ回転子を構成する磁性体膜３３は、半導体レ
ーザ３１の出射端面上に誘電体膜３６を介して密着固定
されている。一方、検光子３５は、光ファイバ３２の端
面上に密着固定されている。
ーザ３１の出射端面上に誘電体膜３６を介して密着固定
されている。一方、検光子３５は、光ファイバ３２の端
面上に密着固定されている。
円筒形状の磁石３４は、半導体レーザ３１の放熱体であ
るヒートシンク３７に接合されると共に、直径３００μ
ｍ程度の結合用球レンズ３８に対する保持部材をも兼ね
ている。
るヒートシンク３７に接合されると共に、直径３００μ
ｍ程度の結合用球レンズ３８に対する保持部材をも兼ね
ている。
磁性体膜３３は、エキタピシャル成長法で製造した厚さ
３００μｍ程度の Ｇｄ Ｂ ｉ （（Ｇｄ Ｂｉ）
ｓ（Ｆｅ ＡＩ Ｇａ ）ｓ Ｏ＋ｔ ）薄膜である
。円筒形状の磁石３４は、磁性体膜３３の膜面に垂直な
方向に磁界を印加する。このファラディ回転子により、
出射光４８の偏光面が４５’ 回転される。この出射
光４８は、球レンズ３８によって収束され、コア径１０
μｍ程度の光ファイバ３２へ入射する。
３００μｍ程度の Ｇｄ Ｂ ｉ （（Ｇｄ Ｂｉ）
ｓ（Ｆｅ ＡＩ Ｇａ ）ｓ Ｏ＋ｔ ）薄膜である
。円筒形状の磁石３４は、磁性体膜３３の膜面に垂直な
方向に磁界を印加する。このファラディ回転子により、
出射光４８の偏光面が４５’ 回転される。この出射
光４８は、球レンズ３８によって収束され、コア径１０
μｍ程度の光ファイバ３２へ入射する。
光ファイバ３２の先端面上に密着固定された検光子３５
は、偏光面が４５°回転された出射光４８の偏光面とほ
ぼ一致するように、活性層３８の面から４５°傾くよう
に設置される。
は、偏光面が４５°回転された出射光４８の偏光面とほ
ぼ一致するように、活性層３８の面から４５°傾くよう
に設置される。
磁性体膜３３を前後から挟む誘電体膜３６は、半導体レ
ーザ３１のファブリペローモードを抑圧するためのもの
であり、反射率が半導体レーザ３１の標準値３６％に比
べて低い値に設定されている。
ーザ３１のファブリペローモードを抑圧するためのもの
であり、反射率が半導体レーザ３１の標準値３６％に比
べて低い値に設定されている。
半導体レーザ３１は、第２図の拡大側断面図に例示する
ように、ｎ−１ｎＰ基板３９上に形成さている。このｎ
−１ｎＰ基板３９上に積層されたｎ−１ｎＰのバッファ
層４００表面には、干渉露光法により、１次の回折格子
４１が、レーザ発振の方向に直交する向きに形成されて
いる。更に。
ように、ｎ−１ｎＰ基板３９上に形成さている。このｎ
−１ｎＰ基板３９上に積層されたｎ−１ｎＰのバッファ
層４００表面には、干渉露光法により、１次の回折格子
４１が、レーザ発振の方向に直交する向きに形成されて
いる。更に。
この回折格子４１上に、約０．３ μｍの厚みのｎＩ
ｎＧａＡｓＰの導波路層４２が形成されている。
ｎＧａＡｓＰの導波路層４２が形成されている。
導波路Ｍ４２上には、約０６４５μｍ以下の厚みの活性
層４３．約２μｍの厚みのｐ−１ｎＰのクラッド層４４
．約１μｍ厚みのｐ−ＩｎＱａＡｓＰのキャップ層４５
が順次積層されいる。
層４３．約２μｍの厚みのｐ−１ｎＰのクラッド層４４
．約１μｍ厚みのｐ−ＩｎＱａＡｓＰのキャップ層４５
が順次積層されいる。
ここで、活性層４３は、０，８ｅＶの禁制帯幅。
ＩｎＰと同一の格子定数及び１００Ａの層厚を有するＩ
ｎＱａＡ、Ｓｐのウェル層４６と、０．９５ ｅ Ｖの
禁制帯幅と５０Ａの層厚を有するＩｎＰのバリア層４７
が交互に積層されるでいる。この活性層４３は、３層の
ウェル層４６と２層のバリア層４７の多層構造からなる
全層厚４００Ａの量子井戸型活性層を形成している。一
般に、ウェル層４６の厚みが１００Ａ程度と小さく、か
つ活性層４３の厚みが４５０Ａ以下であると、ウェル層
４６に注入されたキャリアの運動の方向が光軸に垂直な
平面内の２次元方向に限られる。このようにキャリアの
運動方向が限ぎられると、ＴＥ波の増幅度はＴＭ波のそ
れに比して２５ｄＢも高くなることが実験的に確認され
ている。
ｎＱａＡ、Ｓｐのウェル層４６と、０．９５ ｅ Ｖの
禁制帯幅と５０Ａの層厚を有するＩｎＰのバリア層４７
が交互に積層されるでいる。この活性層４３は、３層の
ウェル層４６と２層のバリア層４７の多層構造からなる
全層厚４００Ａの量子井戸型活性層を形成している。一
般に、ウェル層４６の厚みが１００Ａ程度と小さく、か
つ活性層４３の厚みが４５０Ａ以下であると、ウェル層
４６に注入されたキャリアの運動の方向が光軸に垂直な
平面内の２次元方向に限られる。このようにキャリアの
運動方向が限ぎられると、ＴＥ波の増幅度はＴＭ波のそ
れに比して２５ｄＢも高くなることが実験的に確認され
ている。
従って、半導体レーザ３１からの出射光４８は直線偏光
のＴＥ波が主体となり、このＴＥ波の戻り光は、ファラ
ディ回転子を往復する間に偏光面が９０°回転され、Ｔ
Ｍ波となって半導体レーザ３１に注入されることになる
。そして、量子井戸型半導体レーザでは、ＴＭ波の増幅
度はＴＥ波に比較して２５ｄＢ以上も小さいため、無偏
向成分の戻り光による影響はほとんど生じない。
のＴＥ波が主体となり、このＴＥ波の戻り光は、ファラ
ディ回転子を往復する間に偏光面が９０°回転され、Ｔ
Ｍ波となって半導体レーザ３１に注入されることになる
。そして、量子井戸型半導体レーザでは、ＴＭ波の増幅
度はＴＥ波に比較して２５ｄＢ以上も小さいため、無偏
向成分の戻り光による影響はほとんど生じない。
以上、本発明の一実施例を説明したが、これに対する均
等的な変形例は多数存在する。
等的な変形例は多数存在する。
例えば、球レンズ３８の素材としてサファイヤやザクロ
石のような複屈折性を有するものを用いて収束機能と検
光子の機能を併せ持たせることにより、光ファイバ３２
の先端面上に設置した検光子３５を省略することもでき
る。
石のような複屈折性を有するものを用いて収束機能と検
光子の機能を併せ持たせることにより、光ファイバ３２
の先端面上に設置した検光子３５を省略することもでき
る。
また、光ファイバとの結合用収束レンズとして球レンズ
を用いる場合を例示したが、これに代えて、収束性ロッ
ドレンズや凸レンズなど他の適宜な収束レンズを用いる
ことができる。
を用いる場合を例示したが、これに代えて、収束性ロッ
ドレンズや凸レンズなど他の適宜な収束レンズを用いる
ことができる。
また、半導体レーザの素材としてＩｎＧａＡｓＰ ／
Ｉ ｎ Ｐ系を用いたが、これに限定されるものではな
く、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系な
ど他の適宜な素材を用いてもよい。
Ｉ ｎ Ｐ系を用いたが、これに限定されるものではな
く、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系な
ど他の適宜な素材を用いてもよい。
また、ファラディ回転子を構成する磁性体膜としてＧｄ
Ｂ１１膜を用いる構成を例示したが、これに代えて、他
の均等的な素材を用いることもできる。
Ｂ１１膜を用いる構成を例示したが、これに代えて、他
の均等的な素材を用いることもできる。
さらに、導波路層が活性層の下に形成される場合を例示
したが、この上下関係は逆であってもよい。
したが、この上下関係は逆であってもよい。
発明の効果
以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータ付半
導体レーザ装置は、光アイソレータを偏光子、ファラデ
ィ回転子及び検光子を一体化した集合体として構成せず
に、分散配置すると共に、偏光子の省略により磁性体膜
を半導体レーザの出射端面に誘電体膜を介して密着固定
する構成であるから、半導体レーザと光ファイバの間隔
が１ｍｍ程度の狭さであっても光アイソレータを付加で
きることが実験的に確認された。
導体レーザ装置は、光アイソレータを偏光子、ファラデ
ィ回転子及び検光子を一体化した集合体として構成せず
に、分散配置すると共に、偏光子の省略により磁性体膜
を半導体レーザの出射端面に誘電体膜を介して密着固定
する構成であるから、半導体レーザと光ファイバの間隔
が１ｍｍ程度の狭さであっても光アイソレータを付加で
きることが実験的に確認された。
本発明の一実施例においては、半導体レーザとして、量
子井戸型半導体レーザを用いることにより、偏光子の省
略に伴う従来の問題点を有効に解決できる。
子井戸型半導体レーザを用いることにより、偏光子の省
略に伴う従来の問題点を有効に解決できる。
本発明者の実験結果によれば、上記実施例によって挿入
損失０．７ ｄＢ、アイソレーション２５ｄＢという
十分な特性が確認された。
損失０．７ ｄＢ、アイソレーション２５ｄＢという
十分な特性が確認された。
第１図は本発明の一実施例の光アイソレータ付半導体レ
ーザ装置の構成を示す側断面図、第２図は第１図の半導
体レーザ３１の構成を拡大して示す側断面図、第３図、
第４図は従来装置の構成を示す側断面図である。 ３１・・半導体レーザ、３２・・光ファイバ。 ３３・・磁性体膜、３４・・磁石、３５・・検光子、３
６・・誘電体膜、３８・・球レンズ、３９・・ＩｎＰ基
板、４３・・量子井戸構造の活性層。 ４６・・ＩｎＧａＡｓＰのウェル層、４７− ・１ｎＰ
のバリア層。
ーザ装置の構成を示す側断面図、第２図は第１図の半導
体レーザ３１の構成を拡大して示す側断面図、第３図、
第４図は従来装置の構成を示す側断面図である。 ３１・・半導体レーザ、３２・・光ファイバ。 ３３・・磁性体膜、３４・・磁石、３５・・検光子、３
６・・誘電体膜、３８・・球レンズ、３９・・ＩｎＰ基
板、４３・・量子井戸構造の活性層。 ４６・・ＩｎＧａＡｓＰのウェル層、４７− ・１ｎＰ
のバリア層。
Claims (4)
- （１）半導体レーザと、 この半導体レーザの出射側端面に誘電体膜を介して密着
固定された磁性体膜及びこの磁性体膜の膜厚方向に磁界
を印可する磁石から成るファラディ回転子と、 このファラディ回転子の出射側に配置された検光子とを
備えたことを特徴とする光アイソレータ付半導体レーザ
装置。 - （２）前記半導体レーザは、広い禁制帯幅を有するバリ
ア層と狭い禁制帯幅を有するウェル層であってそれぞれ
が所定厚み以下であるものが積層された活性層を有する
量子井戸型半導体レーザであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光アイソレータ付半導体レーザ装
置。 - （３）前記光アイソレータと前記検光子は、収束レンズ
の前後に配置されたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザ装置。 - （４）前記検光子は前記半導体レーザと対向する光ファ
イバの先端面に固定されたことを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載の光アイソレータ付半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199152A JPS6258689A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199152A JPS6258689A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258689A true JPS6258689A (ja) | 1987-03-14 |
| JPH0469833B2 JPH0469833B2 (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=16403014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60199152A Granted JPS6258689A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258689A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203581A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体発光装置 |
| JPH02203582A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体発光装置 |
| EP1329998A1 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-23 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | An arrangement for monitoring the emission wavelength of a laser source |
-
1985
- 1985-09-07 JP JP60199152A patent/JPS6258689A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203581A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体発光装置 |
| JPH02203582A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体発光装置 |
| EP1329998A1 (en) * | 2002-01-21 | 2003-07-23 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | An arrangement for monitoring the emission wavelength of a laser source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0469833B2 (ja) | 1992-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3054707B1 (ja) | 光アイソレ―タ | |
| US4756607A (en) | Optical isolator device having two cascaded isolator elements with different light beam rotation angles | |
| JP2016523393A (ja) | 光アイソレーター | |
| JPS6258689A (ja) | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザ装置 | |
| US5760946A (en) | Optical isolator, faraday rotator suitable for use in the same, and laser diode module incorporating the same | |
| JP2542532B2 (ja) | 偏光無依存型光アイソレ―タの製造方法 | |
| JP2005086067A (ja) | 光モジュール、光伝送装置 | |
| JP2019012135A (ja) | 光アイソレータモジュール | |
| US7043101B1 (en) | Integrated optical pump module | |
| JPS63205983A (ja) | 光アイソレ−タ付半導体発光装置 | |
| JP3570869B2 (ja) | 光アイソレータ用素子およびその製造方法 | |
| JP3175320B2 (ja) | 光アイソレータ、及びそれを用いた半導体レーザ装置、端局装置及び光通信システム | |
| GB2143337A (en) | Optical isolator | |
| JP7462309B2 (ja) | 偏光依存型光アイソレータ | |
| JP3488628B2 (ja) | 高速偏波切り替え装置 | |
| JP2546366B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS61287186A (ja) | 光アイソレ−タ集積形半導体レ−ザ装置 | |
| JP3535017B2 (ja) | 偏波回転装置 | |
| JP2507601Y2 (ja) | 光アイソレ―タ | |
| Kuwahara et al. | An optical isolator for semiconductor lasers in the 0.8 μm range | |
| JPH0287104A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH0497118A (ja) | アイソレータ機能を有する光変調器 | |
| CN115933062A (zh) | 一种全偏振光隔离器 | |
| JPS61132925A (ja) | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル | |
| JP2508228B2 (ja) | 光モジュ―ルユニット |