JPS6258552B2

JPS6258552B2 -

Info

Publication number: JPS6258552B2
Application number: JP55115545A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Tabei; Mitsuru Ikeda; Yasusuke Nakajima
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1980-08-22
Filing date: 1980-08-22
Publication date: 1987-12-07
Also published as: JPS5739588A; US4860076A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は固体撮像装置に関するものであり、更
に詳しくは光検出部に非晶質シリコンを用いた固
体撮像装置に関するものである。従来の固体撮像装置は、マトリツクス状に配置
されたフオトダイオードの如き光検出部と、更に
この光検出部で検出された信号を順次選択する走
査回路とから構成されている。例えば光検出部の
マトリツクスとXY走査のための電界効果トラン
ジスタ回路を組合せたもの（以下XYマトリツク
ス型という。例えば特公昭45−30768号公報に記
載されている。）、同じく光検出部のマトリツクス
とバケツトブリゲードデバイス（BBD）、チヤー
ジカツプルドデバイス（CCD）あるいは呼び水
転送（CPT）型電荷転送部を組合せたもの（こ
れらは、例えば特開昭46−1221号、同47−26091
号公報及び「電子材料」誌、1980年３月号、第６
頁以降に記載されている。）などがある。しかし
ながら、これら公知の固体撮像装置においては光
検出部とこの光検出部で検出した信号を順次選択
する回路（上記XYマトリツクス回路、電荷転回
路及びこれらの回路に電荷を送り込むスイツチ素
子としての電界効果トランジスタなどを包含す
る）とが同一平面上に二次元的に配置されている
ので装置の単位面積当りの光利用効率が極めて低
いという欠点があつた。近年に至り上記の固体撮像装置の光検出部に代
えて光導電体を上記走査回路に積層して多層構造
とすることによつて光利用効率を高めたものが開
発されている。例えば電界効果型トランジスター
を用いたXYマトリツクス型の走査回路の上に光
導電体を積層した固体撮像装置が特開昭49−
91116号公報に、あるいはBBD型、CCD型の走査
回路の上に−族化合物半導体のヘテロ接合を
用いた多結晶蒸着膜を設けた固体撮像装置が特開
昭55−27772号公報にそれぞれ示されている。他方、太陽電池あるいは電子写真感光体用の半
導体として非晶質シリコンの利用の試みが積極的
に行なわれている。ここで言う非晶質シリコン膜
とは原子配列が周期性をもたないもので原子配列
において長周期をもつ結晶シリコンとは異なつて
いる。従つて従来の非晶質シリコンはこの周期性
をもたないことに起因する構造欠陥のため非常に
悪い光導特性しか示さなかつた。ところが非晶質シリコンのエネルギーギヤツプ
内の電子、正孔の局在準位（gap state）を減少
させる元素即ち水素及び／又はフツ素を含む非晶
質シリコンは、比較的高い抵抗率（10^8〜9Ωcm）
で大きな光導電度を示すという特徴が生じること
が見い出された。しかも重要な事は、かかる非晶
質シリコンは結晶シリコンと同様不純物ドーピン
グによる電導度制御が可能なことが明らかにな
り、（例えばW.E.Spear and P.G.Le Comber
著：“Solid State Communication”、17巻
（1975年）1193頁からに記載されている。）例えば
D.E.Carlson and C.R.Wronski 著“Applied
Physics Letters”28巻、（1976年）、671頁からに
記載の如き、光起電力素子への応用を中心に基礎
分野、応用分野で大変注目されるに至つている。そこで前記した多層構造の固体撮像装置に用い
られる光導電体としてかかる非晶質シリコンを用
いる試みが特開昭55−39404号公報によつて開示
されている。かかる固体撮像装置はマトリツクス
状に配置されたMOS型の電界効果トランジスタ
ーと組合わされたXYマトリツクス型あるいは電
荷転送型の走査回路の電荷効果トランジスターの
ソース電極あるいはドレイン電極に電気的に接続
されるように単層の非晶質シリコン層を更にその
上に透明電極を設けた構造である。本発明者らは、上述の如き走査回路上にシリコ
ンを主体とする非晶質材料を積層した固体撮像装
置について鋭意研究を重ねたところ、該光導電体
層として、エネルギーギヤツプ内の捕獲準位を減
少させる元素を含んだ非晶質シリコンを主体とす
る非晶質半導体に更に化学修飾物質としてカルコ
ゲン元素を含む非晶質半導体を走査回路に積層し
たものに比して極めて好ましい固体撮像装置が得
られることを見い出した。即ち本発明者らの実験の結果、固体撮像装置の
光検出層で要求される例えば10¹²Ω゜cmもの高抵
抗の非晶質シリコンを作製するためには例えばシ
ランのグロー放電においては非晶質シリコン層を
形成すべき基板の基板温度を250℃以下の低い温
度に設定して製造すると、得られた非晶質シリコ
ン層は層中の格子欠陥が多いことに由来すると思
われるが、光導電特性が極めて劣り特に低電界に
おける感度が低下することが判つた。更に暗抵抗
を高めるために例えばシランをグロー放電する際
に少量のメタンを混同しておき、シリコンの一部
を該シリコンと同族元素である炭素で置換した非
晶質材料を製造することも知られているが、かか
る方法を用いた場合にも、上記と同様に暗抵抗を
高める事によつて光導電特性が低下することが判
つた。一方例えば上記の基板温度を250℃以上の比較
的高い温度条件に設定して高い光導電特性を得よ
うとすると低い抵抗率（10^8〜9Ω゜cm）しか示さ
ず、得られた固体撮像装置は暗電流によるSN比
が劣るものとなる。従つて一般に非晶質シリコン
を製造する際に高い暗抵抗及び高い光導電性は相
反する現象を示し、一方を改善すると他方が劣化
してしまい、これらを両立することは極めて困難
であつた。本発明者らは、固体撮像装置の光導電体層に好
適な非晶質シリコンを得るための化学修飾剤につ
いて鋭意研究を重ねた結果、微量のカルコゲン元
素を非晶質シリコンに含ませることにより暗電導
度が0.5〜１桁低下し、かつ光導電度がカルコゲ
ン元素を増加するにつれ0.5〜１桁上昇する、つ
まりSN比が１〜２桁も上昇するという好ましい
結果を得た。さらに化学的にも安定で光構造変化
なども少ないという好ましい結果を得た。従つて、本発明の目的は化学修飾によつて良好
な光電特性および安定性を有する非晶質半導体を
光導電体層として用いた固体撮像装置を提供せん
とすることにある。即ち本発明は光の入射方向に透明電極、光導電
体層をこの順に配し、該光導電体層の信号を順次
選択する複数の走査回路を備えた固体撮像装置に
おいて、該光導電体層がエネルギーギヤツプ内の
捕獲準位を減少させる元素を含んだ非晶質シリコ
ンを主体とする非晶質半導体に更に化学修飾物質
としてカルコゲン元素を含む非晶質半導体から構
成されていることを特徴とする固体撮像装置であ
る。以下、本発明の一実施例を図面に基いて説明す
る。第１図は走査回路が電荷転送型である場合の固
体撮像装置の一単位の断面構造を示したものを示
す。かかる実施例においてｐ型半導体基板１０は
n⁺型領域１１によりダイオードが形成されてい
る。１２はp⁺型領域で、CCD動作の場合にn⁺型
領域１１からの電子の注入を阻止するための電位
障壁であり、１３はn⁺型領域で、BBD動作の場
合の電位の井戸であり、それぞれCCD，BBDの
時のみに設置すればよい。以下かかる説明は
BBD動作を例にして説明する。１４は第１ゲー
ト電極でありn⁺型領域１１との重なり部分を有
している。１６は半導体基板１０と第１ゲート電
極１４との間の絶縁体膜でゲート酸化膜である。
１５は第１電極１７と半導体基板１０及び第１ゲ
ート電極１４とを電気的に分離するための絶縁体
層である。１７は第１電極でn⁺型領域１１と電
気的に接続したダイオードの電極である。１８は必要に応じて設けられる電子阻止層又は
正孔阻止層であり、例えば後述するシリコンと炭
素を主体とし更に水素及びフツ素を含有する非晶
質材料から成る光導電体にＢ又はＰなどをドープ
してｐ型又はｎ型としたものである。１９はシリ
コンと炭素を主体とし更に水素及びフツ素を含有
する非晶質材料から成る光導電体層であり、光検
出部の主要部分を構成している。２０は該光導電
体層上に設けられている透明電極であり、該透明
電極２０には電源２１によつて電圧が印加されて
いる。ここで電源２１から電極２０に印加される電圧
の極性は層１８がｎ型である場合には負電位が、
層１８がｐ型である場合には正電位が印加され
る。層１８が無い場合にはいずれの極性でもよ
い。又、所謂ｐ−ｉ−ｎ接合を有する光検出部及
びｐ−ｎ接合を有する光検出部を用いることもで
きるが、この場合にも電極２０に接する層がｎ型
である場合には負電位が、ｐ型である場合には正
電位がそれぞれ印加される。つまり上記の電極２
０に印加される電圧の極性は光検出部を構成する
各層の界面に対して逆バイアスとなる極性の電圧
を印加すればよいのである。このように構成された本発明の固体撮像装置の
光検出部に入射光２２を照射すると、カルコゲン
元素を含む非晶質シリコンを主体とする非晶質材
料から構成された光検出部が光を吸収し、電子−
正孔対を生成し、それぞれ電極１７，２１に到達
して電極１７の電位を低下させる。この電位低下
は入射光量に比例し、１フイールド期間蓄積され
る。次に第１ゲート電極１４に読み取り信号電圧
を印加するとその下の半導体の表面電位は上昇
し、その結果n⁺領域１１からn⁺領域１３に電子
の移送が行なわれる。そのためn⁺領域１１の電
位は再び元にもどる。従つて、n⁺型領域１３に
移動した電荷の総量は入射光の照度に比例する。以上は光検知部と第１ゲート電極１４による固
体素子の一単位についての説明であるがn⁺型領
域１３に読込まれた光電変換信号の電荷転送はこ
れまでに知られている方法によつて行なわれる。
例えば次に示す如き自己走査によつて電荷転送を
行なうことが可能である。第２図は第１図に示し
た固体素子の一単位を一次元に配置した場合の平
面図であり、破線でかこまれた部分２３は上記一
単位を示している。その他の数字は第１図の数字
に対応している。隣り合う単位に含まれる第１ゲ
ート電極１４，２５との間に第２ゲート電極２
４，２６が付設されている。公知のパルス印加操
作で第１ゲート電極１４で読み込まれた電荷は転
送パルスを加えることにより電荷転送の形で第２
ゲート電極２４の下に移動する。さらに第２ゲー
ト電極２４の下に移動した電荷は同様の原理に基
づいて第１ゲート電極２５、第２ゲート電極２６
と次々に転送された出力段まで転送される。すな
わち光検出部で光電変換された信号を２相のクロ
ツク信号で出力段に送り出すことができるのであ
る。以上の説明においては、CCDあるいはBBD等
の電荷転送型の走査回路について説明したが、走
査回路として例えば特開昭49−91116号公報に記
載の如きＸ・Ｙマトリツクス型のものを用いても
よいことは勿論である。更に上記の如き電界効果
型トランジスタ回路に代えて例えば
「Proceeding of the IEEE，The Institute of
Electrical and Electronics Engineers，Inc 発
行、1964年12月、Vol 52，No.12の第1479頁乃至
第1486頁に示される如きガラス支持体上に設けら
れる薄膜型電界効果トランジスタ回路なども使用
することができ、更に公知の半導体スイツチ回路
を用いて走査回路を構成することができる。次に本発明に用いられる光検出部の製造方法に
ついて述べる。本発明の非晶質半導体を作成するには、従来の
ａ―SiHを作成する方法と類似するグロー放電分
解法（GD法）、スパツタリング法、イオンプレー
テイング法及びCVD法を用いることができる。例えばグロー放電分解法は不活性ガス、シラン
あるいはシラン誘導体ガスに更にガス状のカルコ
ゲン元素もしくはガス状カルコゲン化合物を混合
してこれらのガスを放電分解すればよい。ここでカルコゲン元素を含む珪素即ち、シリコ
ンカルコゲナイドは例えば米国特許USP3615266
号明細書や文献J.Lebreton著“Journal of
Physics”Ｂ第８巻 L141〜L142ページなどに見
られるが、これらは全て結晶性のシリコンとカル
コゲンの化合物に関する記載であつて、非晶質シ
リコンの化学修飾物質としてカルコゲン元素を含
ませる本発明ととは全く異なり、更に本発明の必
須の要件であるところの水素及び／又はフツ素等
のエネルギーギヤツプ内の電子、正孔の捕獲準位
を減少させる元素を含む非晶質シリコンに、更に
微量のカルコゲン元素を化学修飾物質として含ま
せることによつて従来達成し得なかつた暗電導度
の低下及び光電導度の上昇を行なわせ、これによ
つてSN比を１〜２桁も上昇させる本発明は、前
記結晶性シリコン・カルコゲナイドとは異なるこ
とはおのずから明らかである。本発明の非晶質半導体を製造する方法として
は、従来のａ−SiHを製造する方法、即ち、例
えば「Advance Physics」（vol26，No.６，312頁
から、1977年発行）に記載されている如く、シラ
ン又はシラン誘導体等のガスを放電分解してａ−
SiHを作るグロー放電分解法（GD法）、例えば
「Solid State Communications」（vol20，969頁
から、1976年発行）に記載されている如く、水素
を含むガス中で珪素ターゲツトをスパツターして
ａ−SiHを作るスパツタリング法、珪素蒸気を
水素を含むガス放電雰囲気を通過させてａ−SiH
を通過させてａ−SiHを作るイオンプレーテイン
グ法、シランガスを熱分解してａ−SiHを作る
CVD法、などを用いることができ、これらの方
法において得られた非晶質半導体に更に適当な量
のカルコゲン元素を含ませるような製造方法が用
いられる。例えばグロー放電分解法においては、不活性ガ
ス、シラン又はシラン誘導体ガスに更にカルコゲ
ン元素を含むガスを適切な比率で混合して反応さ
せるのである。グロー放電分解法において用いられるシラン又
はシラン誘導体等のガスはシラン、ジシラン、ト
リシラン、テトラシラン、シリコエチレン、シリ
コアセチレン、ハロゲン化シラン、テトラクロル
シラン、ヘキサクロルジシラン、オクタクロルト
リシラン、デカクロルテトラシラン、ドデカクロ
ルペンタシラン、クロルシラン、ジクロルシラ
ン、トリクロルシラン、SiBrC_３、SiBr₂C
_２、SiBr₃C、SiC₃SH、（SiC_３）₂O、SiC
F₃、SiC₂F₂、SiC₃F、SiC_３、SiI₂C
_２、SiI₃C、四臭化ケイソ、Si₂Br₆、Si₃Br₈、
Si₄Br₁₀、SiBrC_３、SiBr₂C_２、SiBr₃C、
SiFC₂Br、SiFCBr₂、SiF₃Br、SiF₂Br₂、
SiFBr₃、四フツ化ケイソ、Si₂F₆、ジフルオルシ
ラン、トリフルオルシラン、SiHC₂F、SiHC
F₂、ヨードシラン、SiH₂I₂、SiHI₃、プロムシラ
ン、SiH₂Br₂、SiHBr₃、Si₂I₆、SiIC_３、SiI₂C
_２、SiI₃C、ジシロキサン、シリルアミン、
トリクロルメチルシラン等が挙げられる。これら
の材料は単独に又は複数の材料あるいは他の材料
と混合して用いられる。（特に上記の材料が元素
として水素及び／又はフツ素を含まない場合には
水素及び／又はF₂、HF等と混合して用いる必要
がある）これらのガス単体あるいは、He、Ne、Ar、
Kr、Xe等の不活性ガスで稀釈したガスと、
H₂S、H₂Se、H₂Te、セレン化アリール、セレン
化アルキル等のガス状もしくはガス化し得るカル
コゲン化合物、ガス状カルコゲン元素、等の少な
くとも１種以上のガスをグロー放電分解装置内に
導入して高周波あるいは直流電力によりグロー放
電を生起させ、導入ガスを分解反応させ、非晶質
半導体を形成するものである。またスパツタリング法においては所望のカルコ
ゲン元素を含むシリコン単結晶又は多結晶のター
ゲツト材、あるいはシリコン単独のターゲツト材
を高周波あるいは直流グロー放電により生起され
たAr等のイオン衝撃によつてスパツターし、タ
ーゲツト組成物をさらに導入された前記のガス状
カルコゲン元素、ガス状カルコゲン化合物、有機
ガス、フツ素系ガス、H₂ガスと反応させて光導
電膜を形成するものである。さらに公知のイオン
インプランテーシヨン法でも水素、フツ素及びカ
ルコゲン元素等のイオンを非晶質シリコン膜に打
ち込むことにより形成することができる。本発明におけるシリコンのエネルギーギヤツプ
内の電子、正孔の捕獲準位を減少させる元素を含
有する非晶質シリコンに化学修飾剤としてカルコ
ゲン元素を含んでなる非晶質半導体は上記の方法
を単独にあるいはこれらを併用することにより形
成することが可能である。シリコンのエネルギーギヤツプ内の電子、正孔
の捕獲準位を減少させる元素を含有する母体に対
して、カルコゲン元素の量は微量であり、0.1原
子パーセント以下で充分な効果を有し、時には数
十ppmでも効果を有する点は驚くべきことであ
る。もちろん１原子パーセント程度に多く混入さ
れていても良い事は言うまでもない。本発明の非晶質半導体に添加するフツ素の量は
１原子％乃至30原子％より好ましくは５原子％乃
至20原子％であることが望ましい。また水素の量
は１原子％乃至40原子％より好ましくは５原子％
乃至30原子％であることが望ましい。特に添加す
る水素及び／又はフツ素の量を制御するには、基
板温度を制御するか、あるいは装置系内へ導入す
る水素及び／又はフツ素の量を制御するか又はこ
れらを適宜組合せれば良い。本発明の非晶質半導体は必要に応じていわゆる
ドーピングにより電導度制御が可能である。ドー
ピングされる不純物としては、Ｐ型にする場合に
は、周期律表第族の元素、例えば、Ｂ、Ａ、
Ga、In、Ｔ等が好適なものとしてあげられ、
ｎ型にする場合には、周期率表第族の元素、例
えば、Ｎ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なものとし
て挙げられる。これ等の不純物は含有される量が
微量であるので光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必要はないが、出来る限り公
害性のないものを使用するのが好ましい。この様
な観点からすれば、形成される光導電層の電気
的・光学的特性を加味して、例えば、Ｂ、Ｐ等が
最適である。このようにして必要に応じて光導電
性層に電子又は正孔阻止層あるいはｐ−ｎ接合、
ｐ−ｉ−ｎ接合を形成してもよい。本発明の非晶質半導体中にドーピングされる不
純物の量は、所望される電気的・光学的特性に応
じて適宜決定されるが、周期率表第族の不純物
の場合には、通常10^-6乃至５原子％、好適には
10^-5乃至１原子％、周期率表第族の不純物の場
合には、通常10^-6乃至１原子％、好適には10^-4乃
至10^-1原子％とされるのが望ましい。しかしながら、前記ドーピングされる不純物の
量は基板温度の条件で異なり、特に臨界的意味を
有するものではない。これ等不純物のドーピング方法は、非晶質半導
体を形成する製造法によつて異なるものであつ
て、例えばグロー放電分解法ではB₂H₆、AsH₃、
PH₃、SbC_５等のガスを導入してグロー放電に
より活性化させて非晶質半導体形成時あるいは形
成後雰囲気ガスに晒してドーピングを行なう。ま
たスパツタリング法では、グロー放電分解法と同
様にドーピングを行なうか、あるいはドーピング
原子単体を同時にスパツタしてドーピングを行な
う。またイオン・インプランテーシヨン法では
各々のドーピング原子のイオンを打ち込んでやれ
ば良い。又、本発明の非晶質半導体はシリコンを主体と
するものであるが、必要に応じてこれに適当な量
の炭素及びゲルマニウムを含んでいるものであつ
てもよい。本発明の非晶質半導体は、光電導性に優れ、従
来のａ−SiHよりもカルコゲン元素による化学修
飾のゆえに禁制帯中のトラツプや再結合単位が減
少していると考えられる。透明電極２０はスパツタリング法によりIn₂O₃
あるいはSnO₂を含む透明電極を0.05〜0.5μの厚
さに形成すればよい。以下、本発明の固体撮像装置に用いられる光導
電体が望ましい特性を有するものであることを実
証するための実施例を説明する。実施例１日電バリアン社製の平行平板型スパツター装置
SPF−332のカソードとアノード間距離を4.5cmに
調節し、アノードに0.2μｍ厚のアルミニウム導
電層を櫛形電極として設けた10mm×25mm×0.8
mm、カソード上に10cm×10cm×0.8mmのコーニン
グ社製7059ガラス板を設置した。チヤンバー内を
10^-6トール以上の真空度に排気した後、日本酸素
社製のシラン100％ガスおよびセレン化水素とア
ルゴンとの混合ガス（H₂Se濃度267ppm）をチヤ
ンバー内に導びいた。シランとセレン化水素の混
合比はマスフローコントローラーの設定を変える
ことにより調節した。調圧弁（日本酸素社製
1301P）、ガス流量計（日本タイラン、マスフロ
ーコントローラー）ストツプバルブおよび1/4イ
ンチステンレスパイプの組み合わせで導入経路を
構成した。混合ガス出口には金網と衝立を設置し
ガス流速を緩和した。チヤンバー内の圧力は、チ
ヤンバーからのガス出口をロータリーポンプで排
気している時、導入されるガス量を調整する事に
より調節し、1.0トールとした。カソードに高周
波（13.56MHz）を進行波40W、反射波10W、差
分30Wの電力で投入し放電を行なつた。アノード
側にはヒーターおよび温水コントローラーを設置
し、基板温度を300℃に一定に保つた。表１に示すごとくセレン化水素とシランの混合
比を変化させた時にアノード側に得られる非晶質
半導体膜の暗電導度σｄはセレンが添加されると
減少し、一方キセノンシヨートアークランプに赤
外フイルターを設置した白色光源からの光を照射
した際の電導度変化ΔσおよびSN比＝Δσ
／σｄは、セレンの混合比が増すほぼ増加して
ゆくことが見出された。

【表】一方、同一条件下でカソード上に微粉末非晶質
珪素が得られる。該粉末を圧縮成形し、電導度測
定をすると表２に示すごとくセレンの混合比が増
すにつれ、暗電導度は低下し、光電導電度は増加
し、従つてSN比が増加することが見出された。

【表】実施例２基板温度を300℃に一定に保ち、高周波電力を
進行波70W、反射波10W、差分60Wで投入し、放
電時の圧力を5.0トールとした以外は実施例１と
全く同様にして放電分解によりSeを含む非晶質
シリコンを作成した。表３に示すごとく、実施例
１と同様セレンが添加されると暗電導度は減少
し、一方、光導電度はセレンの混合比が増すほぼ
増加してゆくことが見出された。

【表】実施例３シランガスに対しセレン化水素ガスを混合比
1.32×10^-5に一定に保ち、Ｐ型電導用のドーピン
グ物質としてホウ素をB₂H₆の形で加えていつた
場合の暗電導度および光電導度の変化を表４に示
した。

【表】ホウ素を５×10^-5程度ドープすると暗比抵抗が
大巾に低下する。それ以上ドープするとＰ型電導
を示すことはａ−SiHと同様であるが、光導電度
Δσがホウ素ドープにより低下しない点は注目
すべきである。実施例４実施例３と同様にシランガスに対しセレン化水
素ガスを一定の混合比に保ち、ｎ型ドーピング物
質としてリンをPH₃の形で加えていつた場合Δσ
はａ−SiHの時より高い値を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例たる固体撮像装置の
一単位の断面構造を示す図、第２図は第１図の固
体撮像装置の一単位を一次元に配置した平面図で
ある。１０……半導体基板、１１……n⁺領域、１３
……n⁺領域、１４……第１ゲート電極、１７…
…第一電極、１９……非晶質材料層（光検出
層）、２０……透明電極。

Claims

【特許請求の範囲】１光の入射方向に透明電極、光導電体層をこの
順に配し、該光導電体層の信号を順次選択する複
数の走査回路を備えた固体撮像装置において、該
光導電体層がエネルギーギヤツプ内の捕獲準位を
減少させる元素を含んだ非晶質シリコンを主体と
する非晶質半導体に更に化学修飾物質としてカル
コゲン元素を含む非晶質半導体から構成されてい
ることを特徴とする固体撮像装置。２カルコゲン元素がセレンであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。３セレンが非晶質半導体中に１原子パーセント
以下の微少量含まれていることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の固体撮像装置。４非晶質半導体中に周期率表第族の元素がｐ
型電導のためのドーピング元素として含まれてい
る事を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項記載の固体撮像装置。５非晶質半導体中に周期率表第族の元素がｎ
型電導のためのドーピング元素として含まれてい
る事を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項記載の固体撮像装置。