JPS6258150B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は本質的に極性を有する部品の取り扱い
方法に関するものである。特に、本発明は部品内
に存在するかかる極性の方向を判別し、同一方向
を有する群に部品を分類する方法に関係する。更
に本発明は特にダイオードなどの半導体チツプの
組立て工程に有効である。例えばバリスター作製
工程において、ダイオードにリード線をつける前
にそのｐ―ｎ接合の方向に従つてダイオードを分
類しておくことが必要となる。

本発明はシート拡散法（sheet―deffused）に
よるダイオードチツプに関して議論される。しか
しながら、ここで上記ダイオードに関して議論す
るのは一例として取りあげただけであり、本発明
の範囲を制限するものではない。

半導体素子は単一ウエーハ内に個々の単位とし
て多数形成される。ウエーハは一連の処理工程が
施されるが、この数及び順序は最終的な素子の複
雑さにより変化する。これら工程の終了後ウエー
ハは個々の単位に分割される。これら単位は通常
ダイスあるいはチツプと呼ばれる。

処理工程に応じてチツプは複雑な集積回路ある
いは簡単なダイオードとなる。ダイオードを作製
する方法の１つはウエーハの２個の主表面に平行
な単一の整流性ｐ―ｎ接合をウエーハ内に形成す
ることである。接合によつて半導体は互い逆の伝
導型を有する２種類のドープされた領域に分割さ
れる。これらの領域はそれぞれいずれかの主表面
に隣接し、接触している。これらの領域は通常の
方法で作製される。例えば燐などの第１の伝導型
となる不純物を単結晶シリコンから成る半導体ウ
エーハの一方の表面から拡散させる。ここでウエ
ーハにはホウ素など逆の伝導型となる不純物があ
らかじめドープされている。

その結果ウエーハは単一の大きなダイオードと
なる。ウエーハの両主表面がメタライズされ、両
主表面はダイオードの２端子となる。種々の方法
のうちの１種によりメタライゼーシヨンが行われ
たあと、ダイオードウエーハは多数の小さなダイ
オードチツプに分離される。これらチツプの各々
は２個の主表面間にｐ―ｎ接合が形成されている
ためダイオード特性を有する。以上述べたように
ウエーハ内に均一に不純物を拡散し単一の大きな
ダイオードを形成したのちウエーハを小さなダイ
オードに分割することにより作製されるダイオー
ドはシート拡散ダイオードと呼ばれる。ウエーハ
はチツプに分割する方法は数多くある。

その１つの方法にウエーハの主表面を微小スチ
ールデイスクで選択マスクを行う方法がある。そ
の表面をグリツトブラスト工程（grit blast
process）で処理し、デイスク間の部分を侵食
し、それぞれ微小デイスクで覆われた多数の小さ
な島状に完全に分離する。これらのデイスクは通
常円形であり、侵食工程によつて形成されるダイ
オードのエツジは僅かに傾斜しており主表面内で
の大きさも異なる。

ウエーハをチツプに分離する別種の方法はウエ
ーハを２組の平行線でスクライブする工程を含
む。一方の平行線は他方と交差する。そしてウエ
ーハはスクライブされた線に沿つて分割される。
ウエーハを矩形のチツプに分離したいときは、一
方の平行線間の距離を他方の平行線間の距離より
大きくすればよい。

ウエーハをチツプに分割する更に別の方法はギ
ヤングソー（gang saw）と呼ばれる切断器で支
持台に取り付けられたウエーハを切断する方法で
ある。ギヤングソーには平行な多数の刃が取り付
けられており、互いに直交する二方向に沿つてウ
エーハを切断することにより多数の正方形チツプ
が作製される。

チツプは寸法が小さく本来極性を有しているた
め、更なる作製工程における個々のチツプの取り
扱い方が問題となる。これら更なる作製工程には
チツプの２個の主表面上のメタライズされた端子
領域へのリード線の取り付け、及びチツプの電気
的特性に悪影響を及ぼす雰囲気から保護するため
のチツプ封入が含まれる。単一ダイオードなどい
くつかの素子においてはチツプ封入前にリード線
に対してチツプ内のｐ―ｎ接合の方向を知る必要
はない。この場合リード線は単に各端子領域に取
り付けられ、そのあと素子とするためチツプが封
入される。そして素子として試験されその極性即
ち素子内ダイオードのｐ―ｎ接合の方向が確認さ
れる。

他の作製工程ではダイオードチツプは方向確認
後ヘツダーあるいはヘツダースタツド（header
stud）に取り付けられる。そして素子とするため
チツプのもう一面に第２のスタツドあるいはリー
ド線が取り付けられる。これらスタツドあるいは
リード線によりダイオードの極性が示される。あ
るいは封入後ダイオードが再度試験され、試験結
果により素子内のｐ―ｎ接合の方向を示す印がつ
けられる。

最後の例からわかるようにダイオード封入前に
ダイオードチツプ内のｐ―ｎ接合の方向が知れて
いることが望ましい。ダイオード内の接合の方向
を確認するため既にいくつかの方法が用いられて
いる。例えばダイオードがシート拡散法でなく、
接合がダイオード１個に対して個別に拡散で作成
されるとき、各チツプの一方の端子はいずれかの
主表面の一部を占めるだけである。そしてこの端
子はリード線の取り付けられる微小金属ドツトで
確認される。

同様にシート拡散法によるダイオードをグリツ
トブラスト工程で分離する場合もチツプ内のｐ―
ｎ接合の方向を区別することが可能である。ただ
し、すべてのウエーハのｐ―ｎ接合の方向を入射
するグリツトに対する表面が同じ伝導型部に接す
るな方向とする必要がある。

例えば、正の伝導型部に接する表面が入射グリ
ツトに向かいあつているならば、グリツトブラス
ト工程により正の伝導型部あるいはｐ型表面は微
小スチールデイスクで覆われている部分を残して
切断される。しかしながらグリツト入射方向と逆
の主表面はウエーハが分割される程度まで切断さ
れる。従つて、分離されたダイオードチツプの形
状は２個の主表面が斜面で隔てられた円錐台とな
る。これら各ダイオードチツプ内の極性あるいは
方向は上下主表面の大小によつて確認される。

しかしながら、シート拡散法によるダイオード
をスクライブ分割あるいは切断でウエーハから分
離する場合、その端面は２個の主表面に対して直
交する。ダイオード両主表面には同一金属が塗布
されるため、ダイオードチツプ内のｐ―ｎ接合の
方向であるダイオードの極性は容易には確認でき
ない。この場合ダイオードを用いて素子を組立て
るときダイオードの方向を知るため従来は電気的
な試験がなされていた。

例えば、バリスタは２本のリード線に平行に２
個のダイオードを取り付けることより作製され
る。しかしながら所望のバリスタとしての特性を
得るためには、ダイオードの極性を互いに逆方向
とする必要がある。従つて、あらかじめダイオー
ドの極性を確認しておく必要が生ずる。

従来、これらのダイオードは多段階（multi―
station）かつ多機能（multi―function）装置で
組立てられてきた。ダイオードチツプは通常のバ
イブラトリー・フイーダ・ボール（vibratory
feeder bovl）からその装置に供給される。チツ
プは振動しつつ通路に沿つて一列で試験点（test
point）に向かう。試験点でプローブが下され、
チツプに接触し、そのｐ―ｎ接合の極性が判定さ
れる。この結果によつてチツプは２本の通路の内
いずれかに送られる。この試験は全チツプに対し
て遂次行われ、各チツプ内のｐ―ｎ接合の方向に
応じて２群に分類される。

２本の通路はマルチポジシヨン（multi―
position）組立て装置に接続されており、その装
置にはマルチポジシヨン回転台が含まれている。
回転台の第１の位置で第１のリード線が組立て器
上に置かれる。いくつかの組立て器が回転台周囲
に沿つて等間隔に置かれている。回転台が遂次組
立て器を第２の位置に進める。

第２の位置において、デユアルバキユームアー
ム（dual vacuum arm）が２本の通路各々から
１個ずつ計２個のチツプを拾い上げ、第１のリー
ド線の一端に互いに隣接させ配置する。続いて第
２のリード線の一端が２個のチツプ上に置かれ、
２本のリード線はチツプから互いに逆方向に伸び
た状態となる。リード線及びチツプが上記の如く
配置された各組立て器が回転台によつてソルダ
ー・リフロー場所（Solder reflow station）に送
られ、チツプ及びリード線は相互にはんだ付けさ
れ１個の素子となる。

以上の如き組立て器の動作は当然複雑である。
即ちこの装置では多くの機能及び相互の連結が必
要とされる。各部のいずれか一か所が誤動作する
と全工程が休止状態となる。従つて、この装置の
単位時間当りの出力数が休止時間によつて減少す
る場合がしばしば生ずる。それ故、シート拡散法
によるダイオードをバリスタとして組立てるとき
の工程を簡単化することが望まれる。

本発明は２個の向いあう主表面、及びその表面
に直交する２方向のいずれかの方向に一致する極
性を有する半導体部品に関するものである。各表
面は相互に区別し得る形状を有し、その形状は極
性と対応している。その主表面の形状は互いに鏡
像の関係にあり、少なくとも１個の斜面あるいは
曲面で主表面相互は連結されている。

本発明は更にその主表面が互い鏡像となるよう
な形状、例えば長斜方形平行六面体などの形状を
有する部品を通路に沿つて一列で前進させるよう
な導入路を有し、通路内に障害物が置かれ、その
位置で通路に接続され、その結果通路端に分岐点
が形成されるような分岐路を含む装置によつて部
品を分類する方法にも関するものである。通路内
の障害物によつて部品はいずれかの分岐路に振り
分けられる。各部品の前面の傾斜がいずれを向い
ているかによつていずれの分岐路に進むかが決定
される。

本発明は以下に説明する添附図面によりよく理
解される。

本発明は第１図に簡単化して示した対称ダイオ
ード型バリスタに特に有効なものである。番号２
０で示されるバリスタは２個の半導体ダイオード
チツプ２１，２２を含む。チツプ２１，２２は２
本のリード線２３，２４間に平列に接続されてい
る。

第２図は第１図の素子２０の回路図である。素
子２０をアーク抑制器として使用するため、ダイ
オード２１，２２はリード線２３，２４間で互い
に逆の極性となるよう接続される。当然ダイオー
ド２１，２２は単体でも可変抵抗あるいはバリス
タとなる。しかしながら、その電気的特性は非対
称であり、換言すれば極性を有する。一方、第２
図の如く接続された２個のダイオード２１，２２
を使用すればバリスタの特性として対称のものが
得られる。即ち、この素子の電圧・電流特性は２
本のリード線２３，２４のいずれを他方に対して
正としても同一となる。

第１図及び第２図の素子は２本のリード線２
３，２４で示される端子間にある閾電圧を与え
る。この閾電圧以上では２個のダイオード２１，
２２いずれかが飽和し電流を通しはじめるため素
子２０の抵抗は減少する。この特性により素子は
サージ保護器として有効に動作する。この素子は
例えば電話器でダイヤルを回す場合に発生するク
リツクの雑音を減少させるため用いられる。また
ラインに発生する他の電流インパルスの強度も減
じられる。

再び第１図に戻つて説明すれば、２個のダイオ
ード２１，２２は各々２個の主表面２８，２９を
有する。これら表面は電気的には各チツプの陽
極、陰極に相当する。そして全体を正の伝導型部
と負の伝導型部に分割するためこれら２個の表面
２８，２９間にｐ―ｎ接合が存在する。

通常チツプ２１，２２などの素子は前試験なし
にリード線が接続される。リード線の接続及び封
入が終つた後、電気的テストによりその極性が判
定される。最終的にはダイオードの極性表示のた
め素子のリード線に印がつけられる。しかし、か
かる方法が素子２０に適用できないことは明白で
ある。チツプ２１，２２の極性はリード線に接続
される前にわかつていることが必要となる。素子
２０においては、例えば、チツプ２１などダイオ
ードの一方の極性は他方と反対となる。従つて、
ダイオードチツプ２１，２２はそれぞれその極
性、即ち各チツプ２１，２２内でのｐ―ｎ接合の
方向をリード線に対し既定の方定にして接続され
る必要がある。

従来法では、シート拡散法による半導体チツプ
は大きなウエーハを小さな素子に分割することに
より作成される。従来法は第３，４，５図により
説明される。第３図に半導体ウエーハ３４の典型
的な上面図を示す。ウエーハ３４は主表面３６を
上にして示されている。図において主表面３６は
ウエーハである半導体のｐ型部分に接している。
ｐ―ｎ接合はウエーハの２個の主表面の間に位置
している。ウエーハ３４を個々のチツプ３７に分
割すれば、各チツプ３７はｐ型端子を上にした状
態のダイオードとなる。チツプ３７はウエーハ３
４をスクライブし割るという標準的方法でウエー
ハ３４から分割される。ウエーハ３４からチツプ
３７を分割する別の方法としてウエーハを異なつ
た２方向の多数の平行線に沿つて直接切出す方法
がある。従来これら切出されたチツプ３７はその
ｐ―ｎ接合の極性あるいは方向を判定せずに作成
されてきた。

第４，５図に従来法によりウエーハ３４から分
割された典型的なチツプとしてチツプ３７が示さ
れている。第４図ではチツプ３７はウエーハ３４
と同方向で示されている。第５図ではチツプは反
転されてチツプ３７の負の伝導型部に接する表面
を上にして示されている。第４図のチツプ３７の
物理的形状は第５図のものと同様である。

チツプ３７を例えば素子２０などに組立てる前
にｐ―ｎ接合の方向を決定するため従来法では
個々に電気的テストを行う。

例えば、米国特許3341928にテスト、分類、組
立て用装置が記載されている。この装置では多数
のチツプ３７と順次接触をするため移動可能な真
空針が用いられる。この針による各チツプ３７に
対する電気的接触により装置にある信号が送られ
る。その信号によりチツプのｐ―ｎ接合の方向が
知れる。真空ピツクアツプテストプローブにより
チツプ３７は水平方向に移動され、チツプのｐ―
ｎ接合の方向に応じてｎ型用トラツクあるいはｐ
型用トラツクにふりわけられる。

第６図においてウエーハ４１上に第３図の水平
方向分割線と同様な水平方向の多数の平行分割線
４２が示されている。しかしながら、分割線４３
は直角でないある角度で形成される。また分割線
４３相互の距離は分割線４２相互の距離とは明確
に異なつている。

上記のような間隔、方向でウエーハ４１から切
出された各チツプ４４は平行六面体となる。平行
六面体とは長斜方形を底とする角柱である。この
ようにウエーハ４１から切出されたチツプ４４の
２個の表面形状は明らかに異なつている。これら
の表面４６，４７はそれぞれ第７，８図に示され
ている。

第７図では主表面４６を上にして示されてい
る。主表面４６はチツプの第１の極性であるｐ型
半導体部に接し、長辺５０に対し直交した線４９
から時計方向に回転された短辺４８で判定され
る。

第８図では表面４７は半導体チツプ４４の第２
の極性であるｎ型部に接し、チツプの長辺５６に
対し直交する線５４から反時計方向に回転される
短辺５３を有することにより表面４６と区別され
る。分割線４２，４３に基づき切出される方向と
各ウエーハ４１内のｐ―ｎ接合の方向が一義的に
対応するため、各チツプ４４内のｐ―ｎ接合の方
向が知れる。即ち、チツプ４４のｐ―ｎ接合の方
向はチツプの上部主表面の形状で判定できる。

かかる本発明の具体例において、チツプ４４の
主表面４６，４７は相隣る２辺の長さの等しくな
い平行四辺形である。この形状はまた長斜方形と
も呼ばれる。この形状はその平面内のいかなる軸
に対しても非対称であることが特徴である。従つ
て、主表面を二つ折りにして重ならせることので
きるような軸は存在しない。この対称軸を持たな
い性質がチツプ４４の如き平面図形の表裏を区別
できる条件となる。チツプ４４の長斜方形表面４
６，４７以外の形状でもこの性質は満足できる。
しかしながら、長斜方形は２組の分離線４２，４
３によつて容易に得られる。

ここに述べるチツプ４４は厚さ約0.007インチ
の４１から切出される。チツプ４４の長辺５０，
５６の長さは約0.058インチであり、幅は約0.035
インチである。２辺のなす角は約68゜となるよう
に選ばれた。当然のことながら、これらの寸法は
一例にすぎず、本発明の範囲を制限するものでは
ない。

表面４６，４７の形状が長斜方形であるため目
視によりチツプ４４内のｐ―ｎ接合の方向を決定
することが可能である。更に同一のｐ―ｎ接合方
向を有する２個の群に個別の電気的テストなしに
チツプ４４を分類するためこの長斜方形の形状を
用いることができる。

第９図、第１０図に番号５９で示される２種類
の代表的な機械的分類器を示す。図中の順路によ
りチツプ４４は２個の群に分離される。導入路
（feeder track）６０に沿つて一列にチツプ４４
を運ぶ方法としてチツプの進む方向とある角度で
トラツク６０を振動させる方法がある。もちろん
チツプ４４を運ぶための別の方法もある。例え
ば、重力によつてチツプがトラツクに沿つてすべ
るようにトラツク６０を傾斜させチツプを運ぶこ
とも可能である。同様にトラツク６０の傾斜及び
振動の組合せによつてチツプあるいは他の物質を
移動させることもできる。

チツプ４４あるいは他の物質をトラツク６０に
沿つて移動させる別種の機構に物質とトラツク表
面間にエアークツシヨンを使用する方法がある。
物質とトラツク面間にエアークツシヨンを作成す
るため、トラツク面に存在する開口（図示されて
いない）を通して空気が供給される。開口はトラ
ツク６０の面に対して傾いており、物質の移動方
向に沿つて空気が供給される。そして開口から吹
出す空気によりクツシヨンが作成され、物質を所
期の方向に移動させる。

第９図、１０図に示すようにチツプ４４は単一
導入路６０を通り分岐点６１に入る。分岐点６１
には中央に障害物６２があり、チツプ４４を２本
の平行分岐路６３，６４のいずれかに分類する。
チツプ４４が右の分岐路６３、左の分岐路６４の
いずれに分類されるかは各チツプ４４の主軸６５
がチツプの伝搬方向となす角に依る。

第７図に見るようにチツプ４４のｐ型部が上に
ある場合、主軸６５はチツプの長辺５０に対して
左にずれている。他方、第８図に示すようにｎ型
部が上にある場合、主軸６５は長辺５６の方向か
ら右にずれている。

各チツプ４４内のｐ―ｎ接合の方向とその形状
との関係によりチツプ４４をｐ―ｎ接合の方向に
より２個の群に機械的に分類できる。

第９図では分岐点６１にあるチツプ４４のｐ―
ｎ接合の方向は第８図に示された方向に対応す
る。即ち、その主軸６５はトラツク６０内の伝搬
方向に対し右に傾いている。チツプは右の分岐路
６３にふり分けられている。分岐路６１にあるチ
ツプに続いてくるチツプ４４ではｐ型部が上を向
いており、主軸はその伝搬方向に対し左に傾いて
いる。主軸が左に傾いているチツプ４４は障害物
６２により左側にふり分けられる。

第９図に示される分類器５９ではチツプ４４は
回転され、それぞれ分岐路６３，６４にふり分け
られる。チツプ４４を回転するためにトラツク６
０の端付近の壁６７に凹所６６が必要となる。チ
ツプ前面が障害物６２にあたると凹所６６によつ
てチツプ４４はいずれかの方向に回転あるいは旋
回する。但し中央にある障害物６２は第９図の如
きピンである必要はない。このことは２個の分岐
路６３，６４間の分割障壁前面の形状についても
いえる。

２個の分岐路６３，６４の幅は最初の部分はト
ラツク６０より若干広く、チツプが分岐路６３，
６４の直線部分に達するまでの回転が容易とな
る。ここよりチツプ４４はピツクアツプステーシ
ヨン（図示されていない）に進む。

チツプ４４は導入路６０の前面に連続的に供給
されており、チツプ４４は分岐点６１で同一方向
を有するチツプに分類される。そして各分岐路６
３，６４は同一のｐ―ｎ接合方向を有するチツプ
４４で満たされる。

ピツクアツプステーシヨンで２個のチツプ４４
が取出され、H.K.ノーマンによる米国特許
3341928に示されたのと同様な装置によつて組立
て装置に設置される。分岐路６３，６４間の距離
は組立て装置および最終的素子２０内での２個の
チツプ４４間の距離と等しい。分岐路６３，６４
間の距離は分割用障壁６８の幅で決定される。

第１０図に第９図の分類器５９とは別種の第２
の装置が示されている。第１０図の分類器５９は
分岐点６１でチツプを分離するため平行変位をチ
ツプ４４に与えるという点で第９図とは異つてい
る。チツプ４４は最初導入路６０中を進む。しか
しながら、分岐点６１でチツプ４４は回転せず、
例えば分岐路６３にふり分けられる。即ち、チツ
プの前進方向に対して左右の横方向変位が与えら
れる。この横方向変位によつてチツプ４４は分岐
路６３あるいは６４にふり分けられる。

この場合も同様に長斜方形前面の傾斜によつて
チツプ４４が２個の分岐路６３，６４のいずれに
入るかが決定される。しかしながら、この例では
チツプ前面が中央にある障害物６８に接触すると
きチツプ４４が回転する傾向があるため、トラツ
クを回転させチツプを前進させる方法には適さな
い。但しチツプ４４がトラツクにある開口を通し
て吹き出される空気により移動させられる場合に
は第１０図の例は有効である。開口から吹き出さ
れる空気は縦方向中央線から外に向かつている。
チツプがトラツク６０の中央線のいずれかの側に
寄ると、吹き出される空気によつてチツプは横方
向の変位をし、いずれかの分岐路にふり分けられ
る。尚、第９図に示す装置においては、障害物６
２及び凹所６６とが、また第１０図に示す装置に
おいては、分割用障壁６８の前面形状、すなわち
斜面が、夫々案内手段を構成している。

チツプ内のｐ―ｎ接合の方向あるいは極性によ
つてチツプ４４を分類するための別種の装置を図
１１に示す。番号７１で示される装置は多数のチ
ツプ４４を集団として扱い分類、配列させるとい
う点において第９，１０図の分類器と異なつてい
る。

装置７１は振動器７２で駆動される。この振動
器は商業製品である。この振動器７２により振動
台７３に上下に振動が加えられる。台７３の振動
によりその表面に自由に置かれた物体は振動し、
一方の端即ち供給端より他端へ移動する。供給源
７５が台７３の供給端に取り付けられ、供給源７
３の放出口７６は真空保持器７７の入口に接続さ
れる。

真空保持器７７は台７３に取り付けられている
が、取り外し可能である。アラインメント用ピン
７８は振動台７３から真空保持器７７の開口７６
（第１２図に示されている）まで伸びている。ピ
ンと開口の位置を合わせて真空保持器７７を供給
源７５に取り付ける。真空保持器７７が据え付け
られた状態では、ピン７８の上面は真空保持器７
７の表面と一致し、開口７９を完全に埋めてい
る。従つて、ピン７８の上面は真空保持器表面の
一部となつている。２組のクランプ８０が台７３
に取り付けられており、真空保持器７７のガイド
カバー８１を固定すると同時に、真空保持器７７
を台７３に固定する。

真空保持器の詳細に関しては第１１図のみでな
く第１２図を用いて説明される。ガイドカバー８
１にある縦方向スロツト８２のためチツプ４４の
動きは横方向に制限される。チツプ４４の動きが
横方向に制限される結果、チツプ４４は真空保持
器７７の表面にある２組のキヤビテイー８４，８
５上を振動する。キヤビテイー８４，８５とは真
空保持器７７の表面８６にある浅い凹所のことを
いう。各キヤビテイーの組８４あるいは８５は等
間隔で一列に並んでいる。また第１の組のキヤビ
テイー８４は第２の組のキヤビテイー８５と対称
に位置している。

キヤビテイー８４，８５の形状は長斜方形でそ
の寸法はチツプ４４より僅かに大きい。各キヤビ
テイーの底面８７は真空保持器７７の表面８６に
平行である。真空保持器７７の表面８６と底面８
７の距離はほぼチツプ４４の厚さに等しい。

チツプ４４の上下面を形状的に区別できるのと
同様にキヤビテイー８４，８５の形状も区別され
る。キヤビテイー８４の形状は表面４７に隣接す
るｎ型部を上にした状態のチツプ４４の形状と一
致し、キヤビテイー８５の形状はキヤビテイー８
４の鏡像である。従つて、キヤビテイー８４には
ｎ型領域が上にある状態のチツプ４４のみが入る
こととなる。逆にキヤビテイー８５はｐ型領域が
上を向いた状態のチツプ４４で満たされる。

２組のキヤビテイー８４，８５間の距離はチツ
プ４４を例えば素子２０として組立てる場合に必
要とされる間隔に等しくなるよう選ばれる。スロ
ツト８２の壁８８，８９によつてチツプ４４が供
給源７５の放出口７６から供給される通路９１が
形成されている。チツプ４４が通路９１中を振動
しながら通過するにつれて、キヤビテイー８４，
８５はチツプ４４で占められる。従つてキヤビテ
イー８４，８５にはチツプ４４がそのｐ―ｎ接合
の方向に応じて効果的に挿入されていくことにな
る。

第１２図に真空保持器７７の構造を示す。真空
器９６の断面は中空である。その中空断面は真空
器９６のほぼ全長に渡つて広がり、その両端にエ
ンドプレート９７が取り付けられ真空室９８を形
成している。真空接続９９が第１１図の如く真空
室９８に取り付けられ、保持器７７から真空源
（図示されていない）に伸びている。トツププレ
ート１０１が真空室９８の上部壁面として取り付
けられる。プレート１０１を通して真空室９８と
各キヤビテイー８４，８５を接続するため多数の
規則的に並んだ開口１０２が存在する。

キヤビテイー８４，８５とはチツプ４４とほぼ
等しい厚さの板１０６に選択エツチあるいは他の
処理方法で形成された開口のことを意味する。板
１０６はトツププレート１０１に恒久的に接着さ
れ真空保持器７７の上面８６となる。板１０６を
トツププレート１０１に接着すると同時にトツプ
プレート１０１自身も機密度を確保するため真空
器９６のその他の部分に接着される。トツププレ
ート１０１を真空器９６に固定するためねじ１０
７が用いられる。

ガイドカバー８１は真空保持器７７を覆う形で
据え付けられ、保持器は台７３に取り付けられて
いる。カバー８１の材質としてはキヤビテイー８
４，８５にチツプ４４が収容されたかどうかを確
認するため透明なアクリル樹脂が望ましい。台７
３を振動させチツプを対応するキヤビテイー８４
あるいは８５に挿入しているときに真空室９８内
を真空に引くことは望ましくない。開口１０２を
通してチツプ４４を無理に引つ張る結果そのｐ―
ｎ接合の方向が不正確な状態でキヤビテイー上あ
るいは一部キヤビテイー内に挿入された形でチツ
プ４４が固定されるからである。チツプのキヤビ
テイー８４，８５への挿入時に真空源により真空
吸着を行わなければ上記のようなチツプ４４の誤
配置は生じない。

キヤビテイーに収容しきれない余分のチツプは
通路９１の出口１０８から放出され、出口１０８
下に置かれた受皿１０９に入る。

チツプ４４がキヤビテイー８４，８５に挿入
後、チツプ４４をキヤビテイー内に固定するため
真空源が接続され、真空室内が真空に引かれる。
そしてクランプ８０がガイドカバー８１から外さ
れ、真空保持器は第１３，１４，１５，１６図に
示される素子２０を多数個同時に単一バツチ
（single batch）と呼ばれる形に組立てるための
組立てホルダー１１１まで移動される。

第１６図及び１３図に組立てホルダー１１１の
それぞれ前面図及び断面図を示す。素子２０をバ
ツチの形で組立てるとき組立てホルダー１１１に
は多数の第１のリード線２３及び第２のリード線
２４が配置され、その各々が２個の逆方向のチツ
プ４４に対応する。各素子２０に対して、第１図
に示されるようにチツプ４４はリード線２３の一
端の上に置かれ、リード線２４はその一端で２個
のチツプ４４上を覆うように置かれる。

第１６図にホルダー１１１を実装した装置の全
景を示す。ホルダーは番号１１４で示されるベー
ス上に置かれる。ベースに取り付けられた２本の
ピン１１６によつてホルダー１１１の位置決めが
なされる。ホルダー支持器１１７がベース両端に
移動可能な状態に取り付けられる。２個のホルダ
ー支持器はホルダー１１１の両側と接触するよう
ベース１１４の中央に向かつてバネで押されてい
る。リード線供給器１１８の下面はすべり面１１
９となつており、ホルダー１１１および支持器１
１７上を前後に移動できる。ホルダー１１１は少
なくとも１個の正確な位置の開口１２１と１個の
若干大きめのスロツト１２２を有する。大きめの
スロツトがあるためホルダー１１１は支持器１１
７と密着が可能となる。

リード線はリード線供給器１１８を一方の支持
器１１７からホルダー１１１を横切つて移動する
ことによりホルダー１１１に供給される。リード
線２３，２４という場合、各素子に対してホルダ
ー１１１に配置される第１あるいは第２のリード
線を単に区別しているにすぎず、従つて物理的に
リード線２３，２４はここに記載される応用例に
おいて同等のものである。当然一方のリード線を
他方より短くすることは可能であり、不必要とい
うのでなく選択の問題である。

チツプ４４をリード線２３上に置き、リード線
２４をチツプ４４上に置くためには、上面１２４
にオフセツトあるいは段差１２３が存在すること
が有効と考えられる。従つて本具体例では上面１
２４は段差１２３で下段１２６と上段１２７の２
段に分割される。第１３図のホルダー１１１の断
面にその２段１２６，１２７を示す。ホルダー１
１１の本体１２８は、はんだにぬれないセラミツ
クあるいは熱抵抗材で作成される。アルミニウム
などの金属製の下段用ガイド１２９および上段用
ガイド１３０が本体１２８の両端の対応する段に
取り付けられる。リード線供給器１１８は２個の
ガイド端を有し、各ガイド１２９，１３０にあつ
て互いに向いあうガイド溝に沿つて移動する。

リード線供給器１１８はホルダー１１１上の中
心からずれた位置を滑る。第１のリード線２３を
ホルダーに供給するためには、リード線供給器１
１８を下段用ガイド１２９の溝１３３上に一方の
ガイド端１３２を置いて止め、そこから段差１２
３まで移動させる。供給器の反対のガイド端１３
２は横方向に動き、ガイド１３０の溝１３３で止
まる。リード線をホルダー１１１に供給する方法
は第１６図に明確に示されている。

供給器１１８には多量のリード線（２３あるい
は２４）を収容しておくストアレイジシリンダー
１３６が付属している。シリンダーは階段状シユ
ート１３８（staircase chute）の上部にある。
リード線はシリンダーにあるスロツト１３９を通
つてシユート１３８内に出射される。即ちシリン
ダーが回転し、スロツトから所望の本数のリード
線がシユート１３８内に投げ出される。シユート
１３８の下面は抜けているため、仮りにシユート
が相対して置かれる段１２６，１２７の表面から
離れているとリード線はシユート外に飛び出すこ
ととなる。

ホルダー１１１にはその長さ方向に等間隔をお
いて存在する多数の素子設置場所がある。通常
100素子設置場所がホルダー１１１に存在する
が、それ以下でも以上でもさしつかえはない。第
１６図ではその場所は溝１４１で表わされてい
る。多数のリード線２３あるいは２４がシユート
１３８内にあつて、供給器１１８が矢印の方向に
進んでいるとき、各溝１４１がシユート１３８の
リーデイングエツジ（leading edge）１４３によ
り順次現われてくるにつれて、リード線が各溝１
４１に落下する。供給器１１８がホルダー１１１
の一端の支持器１１７から他端の支持器１１７に
向かつて一度だけ移動すると、下段１２６あるい
は上段１２７にある溝１４１のいずれかにリード
線が満たされる。下段１２６、上段１２７いずれ
の溝に入るかは当然供給器がいずれの段を移動す
るかに依る。

供給器１１８の下面１１９は供給器の置かれる
段の表面に沿つて滑るため、シユート１３８のト
レイリングエツジ（trailing adge）１４４によつ
てシユート１３８内にある全リード線はホルダー
１１１の上面を移動する。リーデイングエツジ１
４３、トレイリングエツジ１４４とも内部に向い
たナイフエツジを有している。この内部を向いた
エツジによつて供給器がホルダー上を移動すると
き溝１４１に入いつていないリード線２３あるい
は２４が若干持ち上げられる。このようにリード
線を持ち上げることにより摩擦、従つて供給器１
１８をホルダー１１１上を滑らせるに必要な力が
減少する。

またリード線２３あるいは２４が完全に溝１４
１に入りきつていない場合には供給器１１８の滑
りがなめらかに行われないことが確認された。リ
ード線が一部溝１４１からはみ出している場合、
トレイリングエツジ１４４はリード線のはみ出し
た部分にぶつかる。そのときリード線は一部溝に
入いつているため、リード線自身が２個の隣接し
た逆向きの鍵穴に挿入され一部はみ出した鍵の如
き振舞をする。その結果リード線により供給器１
１８の滑りが阻止される。

また内部に向いたナイフエツジは供給器内にあ
るリード線を互いに平行にする機能を有する。リ
ード線が平行になつていれば、リード線が溝１４
１から一部はみ出す可能性は非常に少ない。

しかしながら、曲がつたリード線あるいは他の
突起などはリード線２３あるいは２４が供給器１
１８を妨害する原因となる。例えば、溝１４１が
リード線の直径あるいは厚さより深い場合、第２
のリード線が第１のリード線の上にのり、その結
果トレイリングエツジ１４４の前進に対して妨害
物となる。以上のように一部はみ出したリード線
は供給器１１８の滑りを阻止する傾向がある。従
つて通常各溝１４１の深さは供給されるリード線
の厚さに等しくすることが望ましい。

以上記述してきた方法で下段のリード線２３が
供給され、ホルダーの上面１２４の下段１２６に
ある溝が満たされたあと、真空保持器７７から組
立てホルダー１１１にチツプが移送される。接続
９９を通して真空に引かれると、キヤビテイー８
４，８５にあるチツプ４４は真空保持器７７を上
下逆に回転してもキヤビテイー８４，８５に固定
されている。

組立てホルダー１１１上のチツプ設置場所にチ
ツプ４４を配置するため、キヤビテイー８４，８
５にチツプ４４を固定した状態で真空保持器をキ
ヤビテイーが下になるよう回転させる。２個のホ
ルダー間の位置あわせは開口１２１を用い、開口
１２１及び７９を通してアライメントピンを挿入
することによつて実現される。第１４図に真空保
持器７７の上面にある段差１４６を示す。段差１
４６は第１３図に示す組立てホルダー１１１の段
差１２３に対して設置される。それぞれ真空保持
器７７及び組立てホルダー１１１に対する開口７
９，１２１そして段差１４６，１２３を相互に位
置あわせすることによりチツプ４４を組立てホル
ダー１１１の設置場所１４５に配置することがで
きる。

真空保持器７７と組立てホルダー１１１の位置
あわせが完了すると、真空保持器の真空はやぶら
れる。その結果チツプ４４は保持器より離れ、チ
ツプ４４はそれぞれ対応する設置場所１４５に位
置する。第１４図に真空保持器７７と組立てホル
ダー１１１の位置あわせを行つた状態を示す。

ホルダー１１１のセラミツク製本体１２８に縦
方向に掘られた溝１５１によつて形成される設置
場所１４５を第１５図に示す。場所１４５はピン
１５２によつて区切られ、そのピンは隣接する素
子組立て場所間に等間隔で配置されている。第１
５図は組立てホルダー１１１の上面拡大図であ
り、２個の隣接する素子組立て場所１５３，１５
４を示している。

素子組立て場所１５３に上面１２４の下段１２
６にある溝１４１内に下段リード線２３が配置さ
れている状態が示されている。チツプ４４はピン
１５２によつてリード線２３と直交した状態でリ
ード線２３上に保持されている。更に図において
組立て場所１５４にホルダー１１１の上段１２７
に置かれる上段リード線２４が示されている。通
常リード線は例えば図中の２個の場所の如き隣接
する場所間を移動するリード線供給器１１８によ
つて各場所に配置される。但し第１５図では簡略
化のためリード線供給器は省いている。

チツプ４４はリード線２３上に水平例えば上面
１２４の方向と平行でない状態に置かれる場合が
ある。従つてピンの長さはチツプ４４の厚さと少
なくとも同じ値かむしろリード線２３の上部１５
６までより長いことが望ましい。

再び供給器１１８によるリード線２３の配置法
について考えれば、溝１４１の深さはリード線２
３の厚さと等しいことが望ましい。一方、リード
線２３の上部１５６が上面１２４の下段１２６と
同じ高さに位置しているとき、ピンの位置は上面
１２４より高いことが望ましい。しかしながら、
供給源１１８内のリード線が突出たピンにぶつか
り供給器１１８の移動を妨害する傾向があるとい
う点で不利となる。この矛盾を解決するため溝１
４１はリード線２３の厚さより深く形成される。
第１３図にベース１１４上に位置する２本の支持
棒１５９が示されている。また組立てホルダー１
１１のほぼ全長を通つて（結合端が各端１６２，
１６３と結合される部分は除く）２個の対応する
スロツトが存在する。

支持棒の高さはベースの上面１６４とホルダー
１１１の上面１２４の下段１２６間の距離よりリ
ード線２３１本の厚さだけ低くなるよう選ばれ
る。従つて組立てホルダー１１１がベース１１４
上に置かれたとき、２本の支持棒１５９により上
面１２８の下段にある溝１４１内に供給されるリ
ード線２３は上面１２８より低い位置にくること
はない。

ピン１５２が上面１２４の下段１２６と同じ高
さに位置するならば、供給器１１８のトレイリン
グエツジ１４４とピン１５２間でリード線がひつ
かかることがなくなるため供給器１１８の移動は
妨害されない。

リード線２３が上面１２４の下段１２６にある
溝１４１に配置されたあと、ホルダー１１１はベ
ース１１４から外され、支持棒１５９がない点を
除けば同様なベース１６６上に置かれる。支持棒
１５９がないため、リード線２３がスロツト底部
まで移動し、その結果ピンの位置がリード線上部
より高くなる。下段１２６にある溝１４１の深さ
が増加すると、ホルダー１１１の上段１２７にあ
るリード線２４も同様に下降することが必要とな
る。しかしながら、上段１２７にある溝１４１の
深さとリード線２４の厚さを等しくするよう上面
１２４の上段１２７の位置を低くすることができ
る。従つて、支持棒１５９はリード線２３を対応
する溝１４１に挿入する場合にのみ必要とされ
る。

当然のことながら、本発明の他の具体例ではホ
ルダーを支持棒１５９を含むベース１１４から支
持棒のないベース１６６へ移動させることは必要
ではない。例えばホルダーを上下に僅かに移動さ
せる方法が考えられる。あるいは、支持棒をリー
ド線支持位置に持ち上げ、そして関係のない位置
まで下げるなど支持棒を移動させる方法もある。
かゝる場合ホルダーのいずれかの端にある支持器
１１７上に２個の供給器１１８が配置される。

支持棒１５９が移動可能である点を除けばベー
ス１１４と同様なベース上にホルダー１１１が置
かれる場合、支持棒は最初その伸ばされた位置に
持ち上げられる。そして第１の供給器１１８をホ
ルダー１１１上を移動させ続いて最初の支持器１
１７の位置まで戻すことによりリード線２３が溝
１４１内に挿入される。供給器１１８を上記のよ
うに戻す場合溝１４１は既にリード線２３で満た
されているため重大な影響はない。

その後支持棒１５９が下げられ、チツプ４４が
その設置場所に配置される。但し現時点での望ま
しい具体例では第１４図に示すようにベース１６
６にホルダー１１１全体を移動させるため支持棒
は動かさない。チツプ４４がホルダー１１１内に
配置されたあと、上段１２７にある溝１４１にリ
ード線２４が挿入される。本具体例ではベース１
６６に付属する第２の供給器１１８によつてなさ
れる。第２の供給器は支持器１１７から上面１２
４の上段１２７を横切つて滑る。

ホルダー１１１上における多数個の素子２０の
機械的組立て工程の最後として、ホルダーはベー
ス１６６から外され、リード線２３，２４と２個
のチツプ４４をボンデイングし素子とするソルダ
ー・リフロー装置（solder―reflow apparatus）
１７１（第１７図参照）上に置かれる。ソルダー
リフローボンデイングのあと残る工程は各素子２
０のプラスチツク封入だけである。プラスチツク
封入は通常の方法により行われ、本文ではこれ以
上議論しない。

ソルダー・リフロー装置は第１７図に示されて
いる。装置１７１にはホルダー１１１及びその他
の物を順次水素炎１７３を通過させるための定速
エンドレスコンベアーが含まれる。リード線２
３，２４には前もつてはんだが僅かに塗布されて
いる。チツプ４４の主表面には金が蒸着される。
金ははんだに容易にぬれる。水素炎によつて加熱
されるとはんだは再溶融し（reflow）、凝固時に
ボンデイングが行われ各場所で機械的組立がなさ
れ１つの素子が形成される。ガイド１７６，１７
７などによつて横方向の位置合わせを行うことに
より水素炎の熱を組立て場所に制御性良く伝達で
きる。ピン１５２は溶融はんだにぬれない材質で
作成されることが望ましく、ステンレス鋼、ある
いはセラミツクなどが好適な材料と考えられる。

以上本発明を要約すると下記のようになる。

１ ２個の向いあう表面、及びその表面に直交す
る２方向のいずれかの極性を有する部品におい
て、 各表面が相互に区別し得る形状を有し、そし
て、 部品内の極性の方向を示すためその形状が極
性と対応する ことを特徴とする部品。

２ ２個の異なる極性用端子を有する電子部品に
おいて、 それぞれの端子に付属し、いずれかの極性の
端子に対応するようあらかじめ選択された相互
に鏡像の関係にある非対称形を有する向いあう
２個の表面を有する本体からなる電子部品。

３ 前記第２項に記載された電子部品において、
その部品が長斜方形主表面を有する半導体チツ
プである電子部品。

４ 前記第３項に記載された半導体チツプにおい
て、その端子がダイオードの陽極、陰極であ
り、そして各主表面の少なくとも一部が他方の
主表面の接触する伝導型部とは逆の伝導型部に
接触している半導体チツプ。

５ 部品において、 ２個の向いあう主表面、そして 各表面の形状が相互に異なり、表面に直交す
る部品内の極性の方向がその形状によつて示さ
れるように表面形状と極性の方向が対応するよ
うに選ばれた性質 を有する部品。

６ ２個の向いあう平坦な主表面を有する部品を
各表面間を結び逆符号の部分に接する各表面で
終端するような極性の方向に従つて分類する方
法において、 各符号を確認するため２個の異なつた表面形
状をあらかじめ選択すること、そして 各表面に接する符号を確認できる形状に表面
を作成すること から成る方法。

７ 前記第６項に記載された方法において、２個
の表面が互いに平行であり、そして ２個の異なつた表面形状が１個の非対称な形
状とその鏡像であり、 その形状と鏡像が表面に直交する切口で作成
される 方法。

８ 前記第７項に記載された方法において、その
切口により主表面が長斜方形となる方法。

９ 多数のチツプを内部に挿入される多数のリー
ド線上に配置させ、少なくとも１個のチツプに
各リード線が取り付けられるようにするための
ホルダーにおいて、そのホルダーが 上面を有する本体 本体上面に沿つて平行に伸び、リード線を挿
入配置させるに十分な長さと幅を有し、更にリ
ード線の厚さ以上の深さを有する多数の溝、 溝内に位置し、各溝に１本のリード線のみが
入り、かつ挿入されたリード線の上部と溝の上
面とが平行となるようにリード線の挿入深さを
制限するため手段、 前記の挿入深さを解消するため挿入されたリ
ード線を溝底部まで下げるように制限手段を再
配置するための手段、 各溝に沿つたあらかじめ決められた位置にあ
り、溝上部から本体内へあらかじめ決められた
深さまで拡がり、そしてリード線が溝底部に移
動した状態でリード線にチツプを接触させて配
置するためのチツプに接する垂直面を有するよ
うなチツプ設置場所 から成るホルダー。

10 前記第９項に記載されたホルダーにおいて、
その制限手段が ホルダー配置場所を有するベース、 ベースから伸びる少なくとも１本の支持棒、 ホルダー内に形成され、溝に直交し本体を貫
通して上面まで伸びている少なくとも１個のス
ロツトで、配置場所に置かれるホルダーの上面
の位置よりリード線１本の厚さ分だけ低い場所
にその上部が来るような支持棒とともにベース
上にホルダーを位置合せするために用いられる
スロツト、 から成るホルダー。

11 前記第10項に記載されたホルダーにおいて、
制限手段を再配置するための手段がホルダーに
対する配置場所を有する第２のベースから成
り、ホルダーが最初支持棒を有するベース上に
置かれ、続いてその支持棒を有するベースから
取り外され第２のベースに移動され、第２のベ
ースに支持棒がないためリード線がホルダー内
の溝の底部に移動されるようなホルダー。

12 前記第10項に記載されたホルダーにおいて、
支持棒がベース上の配置場所に置かれるホルダ
ーの上面に対して同じ高さを有する２本の平行
な支持棒から成るホルダー。

13 前記第12項に記載されたホルダーにおいて、
制限手段を再配置するための手段が配置場所に
あるホルダーの位置を支持棒の位置に対して上
昇させ、そのためリード線が溝底部に移動させ
られるような手段から成るホルダー。

14 前記第13項に記載されたホルダーにおいて、
上面がホルダー上部表面の下段を意味し、そし
てホルダーが更に、 上部表面にあつて下段とある段差をなす上
段、及び 上段にあつて、下段から本体内に拡がる溝と
ある段差を有し、かつその各々溝内に挿入され
たリード線上に置かれたチツプ上に第２のリー
ド線を設置するに足る長さ、深さ、幅を有する
多数の第２の溝、 から成るホルダー。

15 前記第14項に記載されたホルダーにおいて、
チツプ設置場所が上面の下段から本体に広がり
かつ段差の下端に接する下段にある溝を横断
し、更にチツプの厚さに等しい深さを有する設
置用溝、そして下段表面に向かつて下段と同じ
高さまで伸びておりかつ上面の下段にある溝に
はさまれた設置用溝内に等間隔に配置されるピ
ンで構成され、そのピン及び設置用溝の側面が
各設置場所の垂直面となるようなホルダー。

16 前記第15項に記載されたホルダーにおいて、
本体及びピンがはんだにぬれないような材質か
ら成つているホルダー。

17 前記第12項に記載されたホルダーにおいて、
制限手段を再配置するための手段がベースに取
り付けられた支持棒をベースに置かれるホルダ
ーの上面に対して下降させる手段から成るホル
ダー。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明が適用される典型的例としての
対称型バリスター整流器の簡単化した断面を示し
た図、第２図は第１図の素子をダイヤグラムで示
した図、第３図は従来法によりスクライブされた
半導体ウエーハの上面図、第４及び５図は第３図
の従来法によるウエーハから切出されたチツプを
示す図、第６図は本発明による半導体ウエーハを
示す図、第７及び８図は第６図のウエーハから分
離されたチツプを示す図、第９図は部品を機械的
に２つの群に分類するための装置の簡単な上面
図、第１０図は第９図に対する別種の具体例を示
す上面図、第１１及び１２図は本発明に基づき用
いられる分類処理装置を示す図、第１３図は第１
図の部品の集団組立てに用いられる組立てホルダ
ーの断面図、第１４図は第１３図のホルダー及び
組立てホルダーにチツプを設置するための位置に
置かれたチツプ真空保持器の断面図、第１５図は
第１３図のホルダーにチツプが設置された状態を
示す上面図、第１６図はリード線供給器とともに
用いられている状態の第１３図のホルダーの断面
図、第１７図はホルダー内で組立てられる部品を
恒久的に結合させるために用いられるソルダーリ
フロー装置を示す図である。 主要部分の符号の説明、４４……半導体チツ
プ、４６……長斜方形主表面、４７……長斜方形
主表面、２１，２２……ダイオード。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 異なる電気特性を有し互いに対向する主表面
   を備えると共に、傾斜した前縁部を有し隣接する
   ２辺の長さの異なる平行四辺形の形状をした半導
   体素子であつて、一方の主表面の前縁部と他方の
   主表面の前縁部とは互いに対向して傾斜している
   半導体素子を２つの群に分類するための装置にお
   いて、 １個の半導体素子を実質的に回転させないよう
   に１列で前進させるための離間した平行ガイドを
   その両側に設けた導入路と、 該導入路に連結し、該導入路の一端で分割用障
   壁により分岐される第１及び第２の分岐路と、 前記半導体素子の前縁部が接触すると、該前縁
   部の傾斜に応じて該半導体素子を導入路に沿つて
   前進する方向と鋭角をなす方向に依つていずれか
   の分岐路に該半導体素子を案内するため、分岐点
   に設けた案内手段と、 から成ることを特徴とする半導体素子を２つの
   群に分類するための装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の装置におい
   て、 前記案内手段は、いずれかの分岐路に向けて該
   半導体素子を回転させて、該分岐路に該半導体素
   子を前進させるため、該分岐点に隣接した前記平
   行ガイドの両端部に設けられた凹所と、該半導体
   素子の前縁部が接触するように該分岐点に設けら
   れた障害物とから成ることを特徴とする半導体素
   子を２つの群に分類するための装置。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載の装置におい
   て、 前記案内手段は、前記分割用障壁の前記導入路
   に対向する表面に該半導体素子の前縁部の傾斜に
   合せて設けられた２つの斜面であり、該半導体素
   子の前縁部がいずれかの斜面に接触することによ
   り該半導体素子がいずれかの分岐路に案内される
   ことを特徴とする半導体素子を２つの群に分類す
   るための装置。