JPS6257136B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は磁気印写装置における潜像形成方法お
よびその装置に関し、特にマルチチヤネルヘツド
を用いて走査線密度を変えた場合に効率よく潜像
形成を行う方法と装置に関するものである。 １台の磁気印写装置で走査線密度を変えたい場
合がある。例えば通常10本／mmの走査線密度で記
録するが、より精細なプリントを得たときに13
本／mmの走査線密度で記録させた場合とか、ある
いは４本／mm、８本／mmの走査線密度が選択可能
なフアクシミリ装置として使いたい場合とか、あ
るいは複合機であつてプリンターとして動作する
ときは10本／mmの走査線密度で、複写機として動
作するときは、13本／mmの走査線密度で動作させ
たい場合等がある。このような場合、走査線密度
の種類だけ記録ヘツドを用意するのは効率的でな
い。このような要求に答える記録方式やマルチチ
ヤネルヘツドについては、既に同一出願人にかか
る特公昭54―32340や特願昭56―60317に開示され
ている。しかしながら特願昭56―60317の場合は
例えば３チヤネルのマルチヘツドのうち線密度に
よつてそれぞれの２チヤネルのみを使用するもの
で効率的でない。 本発明は、この考え方に改良を加え、３チヤネ
ル以上のマルチヘツドの場合に、各チヤネルの軌
跡の並べる順番を正と逆の２組に線密度を対応さ
せることで、一種類のマルチヘツドで二種類の線
密度を可能にする磁気印刷装置における潜像形成
方法を提供することにある。 第１図、第２図は本発明に係る磁気印写装置の
概略説明図であり、第２図は第１図を矢印Ａの方
向から見た図である。第１図において、記録ドラ
ム１は表面にCO―Ni―Ｐ等の磁気記録媒体を有
しており矢印１１の方向に回転し、記録ヘツド２
により記録ドラム１上に磁気潜像を形成する。潜
像形成は記録ドラム１の回転方向を主走査方向、
記録ドラム１の軸方向を副走査方向として走査に
より行なわれる。記録ヘツド２は第２図に示すよ
うに副走査モータ１３（例えばパルスモータ）、
プーリ１４，１５、ワイヤ１６から成る副走査機
構により矢印２０の方向に移動しながら潜像形成
を行なう。１頁分の潜像形成が終了すると、現像
機３から磁性トナーが記録ドラム１に供給され
て、磁気潜像は可視線となる。給紙ローラ４によ
り紙スタツカ５から紙４１が供給され紙４１は紙
送りガイド４２に沿つて破線４４に示す径路で送
られる。転写ローラ６によつて可視像となつた磁
性トナーが紙４１に転写される。その後紙４１は
紙送りガイド４３に沿つて定着ローラ７，７１の
所に送られ、そこで熱又は圧力等により定着され
てからスタツカ５１に排出される。 第３図は、第１図の記録ドラム１と記録ヘツド
２の部分の拡大図であり、第４図は第３図をＢ―
B′から見た断面図である。記録ヘツド２は説明の
簡単化のために４チヤネルヘツドの場合を示す。
チヤネルＡ（以下ch―Ａと称す）のコア２１と
チヤネルＢ（以下ch―Ｂと称す）のコア２２と
チヤネルＣ（以下ch―Ｃと称す）のコア２３と
チヤネル（以下ch―Ｄと称す）のコア２４には
夫々コイル２２１，２２２，２２３，２２４が巻
いてあり、両コア２１，２２，２３，２４間には
夫々シールド板２５１，２５２，２５３がある。
なお第３図においては２１０は突き合せギヤツプ
で、破線２１１は磁力線である。なお２６，２
７，２８でスライダを構成し、記録ドラム１の高
速回転に伴い、記録ヘツド２は動圧浮動する。記
録ヘツド２はコアサポート２９、板バネ２０１，
２０２を介して副走査機構（ワイヤ１６等）に支
持される。 第５図は記録ヘツド２の先端部（第４図の二点
鎖線Ｃで囲んだ部分）の拡大図である。ここにお
いて注目すべきことは、その理由を後述するよう
にch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄのトラツク
幅が夫々異なつており、ｄ＞ｃ＞ｂ＞ａとなつて
いることである。例えばａ＝0.08mm、ｂ＝0.11
mm、ｃ＝0.13mm、ｄ＝0.3mm、E₁＝E₂＝E₃＝0.71
mmコア厚F₁＝F₂＝F₃＝F₄＝0.3mm、コア中心間間
隔G₁＝G₂＝G₃＝0.7mmである。 第６図ａ，ｂはこの4chヘツドを用いて潜像形
成を行なつたときの記録ドラム１上のそれぞれの
ヘツドのトラツクの軌跡を示したものである。第
６図ａ，ｂは記録ドラム１の展開図であり、第２
図の記録ドラム１の０の位置を切つて展開したも
のである。従つて第６図ａ，ｂで記録ドラム１上
の下端0′（主走査の始端）と上端0″（主走査の終
端）とは第２図の記録ドラム１の０と同じ位置で
ある。第６図ａとch―Ａの１行目の主走査軌跡
は実線で示すように0′上の(1)から始まり0″上の
（1′）に終る。0″上の(1)′地点は0′上の(5)地点と
同
じ地点である。次いで0′上の点(5)から0″上の点
(5)′へ５行目の主走査を行なう。こうしてch―Ａ
は、１，５，９…（4n―３）（ｎは１以上の整
数）行の潜像記録を受持つ。一方ch―Ｂは同様
にして、２行目を(2)→(2)′，(2)′＝(6)，(6)→(6)′
と
二点鎖線で示すような軌跡を描き、（4n―２）行
の潜像記録を受持つ。ch―Ｃも同様にして３行
目を(3)→(3)′，(3)′＝(7)，(7)→(7)′と破線で示す
よ
うな軌跡を描き、（4n―１）行の潜像記録を受持
つ。ch―Ｄも同様にして４行目(4)→(4)′，(4)′＝
(8)，(8)→(8)′と一点鎖線で示すような軌跡を描
き、4n行の潜像記録を受持つ。これにより第１
の磁気潜像記録走査が形成されこれを表で示すと
次の表１となる。

【表】 次に同じ記録ヘツド２のch―Ａ，ch―Ｂ，ch
―Ｃ，ch―Ｄを用いて異なる線密度で潜像を形
成していく様子を第６図ｂについて説明する。 第６図ｂでは先の説明で用いた第６図ａのch
―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄの軌跡をそれぞ
れch―Ｄ，ch―Ｃ，ch―Ｂ，ch―Ａで置き換え
ればよい。すなわち第６図ａの(1)(1)′，(5)(5)′等は
ch―Ｄの軌跡であり、(2)(2)′(6)(6)′等はch―Ｃの
軌跡であり、(3)(3)′，(7)(7)′等はch―Ｂの軌跡で
あり(4)(4)′(8)(8)′等はch―Ａの軌跡である。これ
により第２の磁気潜像走査が形成されそれぞれの
ch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄの記録する行
を表で示すと第２表となる。

【表】 表１と表２を比べると、表１のch―Ａは表２
のch―Ｄと同じ行であり表１のch―Ｂは表２の
ch―Ｃと同じ行であり、表１のch―Ｃは表２の
ch―Ｂと同じ行であり、表１のch―Ｄは表２の
ch―Ａと同じ行を記録することがわかる。 第７図は第１の磁気潜像記録走査において第６
図ａおよび表１に関連して説明したch―Ａ，ch
―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄによつて潜像が形成され
ていく様子を説明する図であつて第７図Ａにch
―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄの配置図、第７
図Ｂにch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄの軌跡
を示し、軌跡は第６図ａのＹの一部分である。な
お第７図Ｂにおいて横軸に行数縦軸に走査数をと
つている。なお第７図の実施例においては行間ピ
ツチP₁は例えば0.08mmでch―Ａのトラツク幅ａと
ほぼ等しく設定してある。なお後述するごとく
E₁＝E₂＝E₃＝9P₁の関係にあり、ch―Ａ，ch―
Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄはそれぞれ９行離れた行を
同時に描く。第７図ＡとＢでは現在ch―Ａが９
行目、ch―Ｂが18行目、ch―Ｃが27行目、ch―
Ｄが36行目を描いたところである。まず第１回目
の走査でch―Ｄが４行目を描く（軌跡D₄）。この
軌跡幅はｄ（＝0.3mm）である。このときch―
Ｃ，ch―Ｂ，ch―Ａはまだ記録すべき位置にな
いから、ch―Ｃのコイル２２３，ch―Ｂのコイ
ル２２２，ch―Ａのコイル２２１には通電され
ない。記録ドラム１が１回転する間に記録ヘツド
２が4Pだけ矢印２０（第６図ａ，ｂ）の方向に
移動し、２回目の軌跡でch―Ｄは８行目（軌跡
D₈）を描く。同様に進んでいくと３回目の走査で
ch―Ｄは12行目（軌跡D₁₂）ch―Ｃは３行目（軌
跡C₃）、５回目の走査でch―Ｄは20行目（軌跡
D₂₀）、ch―Ｃは11行目（軌跡C₁₁），ch―Ｂは２
行目（軌跡B₂），７回目の走査でch―Ｄは28行目
（軌跡D₂₈），ch―Ｃは19行目（軌跡C₁₉），ch―Ｂ
は10行目（軌跡B₁₀），ch―Ａは１行目（軌跡
A₁）を描く。ch―Ｃはch―Ｄより遅れて記録する
ものであるが、ch―Ｃの軌跡はch―Ｄの軌跡と
一部l₃だけオーバラツプする。。しかし飽和記録
を行うことにより、このオーバラツプ分は完全に
ch―Ｃの軌跡に書換えられる。同様にch―Ｂは
ch―Ｃより遅れて記録するがch―Ｂの軌跡はch
―Ｃの軌跡と一部l₂だけオーバラツプする。しか
し飽和記録を行うことにより、このオーバラツプ
分は完全にch―Ｂの軌跡に書換えられる。同様
にch―Ａはch―Ｂより遅れて記録するが、ch―
Ａの軌跡は、ch―Ｄの軌跡とch―Ｂの軌跡に一
部夫々l₄又はl₁だけオーバーラツプする。しかし
飽和記録を行うことにより、このオーバラツプ分
は完全にch―Ａの軌跡に書換えられる。まずch
―Ｄの軌跡は幅ｄであるがch―Ｃの軌跡とオー
バラツプする部分l₃が、ch―Ｃの軌跡として書換
えられる。したがつてch―Ｄの軌跡はｄ―l₃とな
る。次にch―Ｃの軌跡は幅ｃであるが、ch―Ｂ
の軌跡とオーバラツプする部分l₂がch―Ｂの軌跡
として書換えられる。したがつてch―Ｃの軌跡
はｃ―l₂となりｃ―l₂＝P₁となるようにｃ，l₂の
値を決める。次にch―Ｂの軌跡は幅ｂであるが
ch―Ａの軌跡とオーバラツプする部分l₁がch―Ａ
の軌跡として書換えられる。したがつてch―Ｂ
の軌跡はｂ―l₁となり、ｂ―l₁＝P₁となるよに
ｂ，l₁を決める。ch―Ａの軌跡はch―Ｂの軌跡の
一部とl₁だけオーバラツプし、さらにch―Ｄの軌
跡の一部とl₄だけオーバラツプする。このためch
―Ｄの軌跡はｄ―l₃―l₄となりｄ―l₃―l₄＝P₁とな
るようにｄ，l₃，l₄を決める。ch―Ａの軌跡の幅
はａでａ≒P₁としてある。したがつて合成された
軌跡は第７図Ｃに示すようにch―Ａ，ch―Ｂ，
ch―Ｃ，ch―Ｄ共にP₁の幅となる。第７図Ｃは
11行目までの記録が完成されたところである。こ
うして、0.08mmピツチ、すなわち副走査線密度
12.5本／mmの潜像形成が行なわれる。 ところで、このように９行離れたところを同時
に記録するためには記録データを一定期間記憶し
ておき、記録ヘツドが記録すべき位置にきたとき
にとり出すことが必要となる。 第７図に示す順序で記録するためのタイミング
チヤートを第８図に示す。第８図において１は記
録ヘツド２の走査を示し０から９までとつてあ
る。２は記録すべき記録データであつて１走査期
間に４行分ずつ送られてくる。第８図３は記録ヘ
ツド２のチヤンネルの夫々がどの行の記録データ
を受持つかを示す。第７図Ｂに示すように例えば
第１行目はch―Ａで４走査目に記録する。これ
をタイミングチヤートで示すと第８図４における
メモリＡ―１で示すように、０走査で１行目の記
録データをメモリ例えばRAM（ランダムアクセ
スメモリ）に記憶させる。そして７走査目にこの
１行目の記録データを読出してch―Ａで記録ド
ラム１に記録する。メモリの大きさは１行分の記
録データを記憶できるように例えば4Kビツトと
する。同様に２行目は第８図５におけるメモリＢ
―１に記憶され、５走査目にこの２行目の記録デ
ータを読出しch―Ｂで記録ドラム１に記録す
る。同様に３行目は第８図６に示すメモリＣ―１
に記憶され３走査目にこの３行目の記録データを
読出し、ch―Ｃで記録ドラム１に記録する。同
様に４行目は第８図７のメモリＤ―１に記憶さ
れ、次の１走査目にこの４行目の記録データを読
出し、ch―Ｄで記録ドラム１に記録する。同様
に５行目以降もメモリＡ、メモリＢ、メモリＣ、
メモリＤにそれぞれ順次記憶され、第７図Ｂに示
すような走査時に読出しを行なつてそれぞれの
ch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄの各チヤネル
で記録ドラム１に記録する。第８図のタイミング
チヤートからわかるとおり、ch―Ａ用のメモリ
としては８行分、ch―Ｂ用のメモリとしては６
行分、ch―Ｃ用のメモリとして４行分、ch―Ｄ
用のメモリとしては２行分の容量が必要となり、
各１行分として例えば4Kビツトの構成となる。
これをブロツク図で示すと第９図となる。 第９図において記録データはまずメモリセレク
タ２２１に入力される。メモリセレクタ２２１は
走査線密度の値によつて、記録データをどのメモ
リに入力するかを決める。例えば13本／mmの場合
には、第８図のタイミングチヤートに示すよう
に、第１行目の記録データはメモリＡ２３１に入
力し、第２行目の記録データはメモリＢ２３２に
入力し、第３行目の記録データはメモリＣ２３３
に入力し、第４行目の記録データはメモリＤ２３
４に入力する。以降この順序で各メモリに入力す
る。各メモリに記憶された記録データは、第８図
のタイミングチヤートに示すタイミングで出力さ
れヘツドドライバ２０１，２０２，２０３，２０
４を通じてそれぞれの記録ヘツドに入力される。
メモリＡ２３１の出力はch―Ａで記録されたメ
モリＢ２３２の出力はch―Ｂで記録され、メモ
リＣ２３３の出力はch―Ｃで記録され、メモリ
Ｄ２３４の出力はch―Ｄで記録される。それぞ
れのメモリはメモリコントローラ２２２で制御さ
れ、必要なタイミングで記録データを記憶（書込
み）および読出しを行なう。 次に同じ記録ヘツド２のch―Ａ，ch―Ｂ，ch
―Ｃ，ch―Ｄを用いて、異なる線密度で潜像を
形成する第６図ｂおよび表２に関連して説明した
第２の磁気潜像記録走査について第１０図を参照
しつつ説明する。 第１０図Ａにch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―
Ｄの配置図を示す。これは第７図Ａと全く同じで
ある。なぜならば第７図で用いたヘツドと全く同
じヘツドを用いているからである。第１０図Ａに
ch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄの軌跡を示
し、その軌跡は第６図ｂのＴの一部分である。横
軸に行数、縦軸に走査数をとつている。行間ピツ
チP₂は例えば0.1mmでch―Ａのトラツク幅ａに近
い値である。なお後述するごとくE₁＝E₂＝E₃＝
7P₂の関係にあり、ch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch
―Ｄは７行離れた行を同時に描く。第１０図Ａと
Ｂでは現在ch―Ａが８行目、ch―Ｂが15行目、
ch―Ｃが22行目、ch―Ｄが29行目を描いたとこ
ろである。まず第１回目の走査でch―Ａが１行
目（軌跡D₁）を描く。このときch―Ｃ，ch―Ｂ，
ch―Ａはまだ記録位置にないから、ch―Ｃのコ
イル２２３、ch―Ｂのコイル２２２、ch―Ａの
コイル２２１には通電されない。記録ドラム１が
１回転する間に記録ヘツド２が4P₂だけ矢印２０
の方向に移動し、２回目の走査で、ch―Ｄは５
行目（軌跡D₅）を描く。同様にして３回目の走査
でch―Ｄは９行目（軌跡D₉）、ch―Ｃは２行目
（軌跡C₂）を描き、ch―Ｂ，ch―Ａはまだ記録位
置にないから、ch―Ｂのコイル２２２、ch―Ａ
のコイル２２１には通電されない。同様にして進
んでいくと、５回目の走査でch―Ｄは17行目
（軌跡D₁₇）を描き、ch―Ｃは10行目（軌跡C₁₀）を
描き、ch―Ｂは３行目（軌跡B₃）を描く。ch―Ａ
はまだ記録位置にないから、ch―Ａのコイル２
２１には通電されない。同様にして、６回目の走
査で、ch―Ｄは21行目（軌跡D₂₁）を描き、ch―
Ｃは14行目（軌跡C₁₄）を描き、ch―Ｂは７行目
（軌跡B₇）を描く。ch―Ａは１行目の１つ手前で
あるからch―Ｄの軌跡の幅を目的の幅に狭める
ために白を記録する。同様にして、７回目の走査
でch―Ｄは25行目（軌跡D₂₅）を描き、ch―Ｃは
18行目（軌跡C₁₈）を描き、ch―Ｂは11行目（軌
跡B₁₁）を描き、ch―Ａは４行目（軌跡A₄）を描
く。 ch―Ｃはch―Ｄより遅れて記録するものであ
るが、ch―Ｃの軌跡は、ch―Ｄの軌跡と一部l₂₃
だけオーバラツプする。しかし飽和記録を行うこ
とにより、このオーバラツプ分は完全にch―Ｃ
の軌跡に書換えられる。同様にch―Ｂはch―Ｃ
より遅れて記録するが、ch―Ｂの軌跡はch―Ｃ
の軌跡と一部l₂₂だけオーバラツプする。しかし
飽和記録を行うことにより、このオーバラツプ分
は完全にch―Ｂの軌跡に書換えられる。同様に
ch―Ａはch―Ｂより遅れて記録するが、ch―Ａ
の軌跡は、ch―Ｄの軌跡とch―Ｂの軌跡に一部
夫々l₂₄とl₂₁だけオーバラツプする。しかし飽和
記録を行うことにより、このオーバラツプ分は完
全にch―Ａに書換えられる。まずch―Ｄの軌跡
の幅はｄであるが、ch―Ｃの軌跡とオーバラツ
プする部分l₂₃がch―Ｃの軌跡として書換えられ
る。したがつてch―Ｄの軌跡ｄ―l₂₃となる。次
にch―Ｃの軌跡は幅ｃであるがch―Ｂの軌跡と
オーバラツプする部分l₂₂がch―Ｂの軌跡として
書換えられる。したがつてch―Ｃの軌跡はｃ―
l₂₂となりｃ―l₂₂＝P₂となるように、ｃ，l₂₂を決
める。次にch―Ｂの軌跡の幅はｂであるが、ch
―Ａの軌跡とオーバラツプする部分l₂₁がch―Ａ
の軌跡として書換えられる。したがつて、ch―
Ｂの軌跡はｂ―l₂₁となり、ｂ―l₂₁＝P₂となるよ
うにｂ，l₂₁を決める。ch―Ａの軌跡はch―Ｂの
軌跡の一部とl₂₁だけオーバラツプし、さらにch
―Ｄの軌跡の一部とl₂₄だけオーバラツプする。
このためch―Ｄの軌跡はｄ―l₂₃―l₂₄となり、ｄ
―l₂₃―l₂₄≒P₂となるようにｄ，l₂₃，l₂₄を決め
る。ch―Ａの軌跡の幅はａでａ≒P₂である。し
たがつて合成された軌跡は第１０図Ｃに示すよう
にch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄ共にP₂の幅
となる。第１０図Ｃは10行目までの記録が完成さ
れたところを示す。こうして0.1mmピツチ、すな
わち副走査線密度10本／mmの潜像形成が行なわれ
る。 ところで、実際にはch―Ａのトラツク幅ａ
は、ａ＝P₁又はP₁＜ａ＜P₂又はａ＝P₂に選ぶこと
になる。例えばP₁＝0.08mm、P₂＝0.1mmのとき、
ａ＝P₁とすれば、ａ＝0.08mmとなり、第７図Ｃに
示す軌跡Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤはP₁のピツチで完成され
る。ところが第１０図Ｃの場合はP₂−ａ＝0.02mm
となり、第１０図Ｃの軌跡Ｄ，Ｃ，Ｂ，Ａは完全
にP₂のピツチとはならない。軌跡ＡがピツチP₂よ
りP₂−ａ＝0.02mmだけ狭いために、軌跡Ａの隣の
軌跡Ｄ又は軌跡Ｂの幅がピツチP₂よりP₂−ａ＝
0.02mmの分だけ広くなる。軌跡Ｄと軌跡Ｂをとも
に広くすることもできるし軌跡Ｄか軌跡Ｂのどち
らか一方のみを広くすることも可能である。この
結果第１０図Ｃの軌跡Ｄ，Ｃ，Ｂ，Ａの軌跡幅は
軌跡Ｄが0.12mm、軌跡Ｃが0.1mm、軌跡Ｂが0.1
mm、軌跡Ａが0.08mmとなるか、あるいは軌跡Ｄが
0.11mm軌跡Ｃが0.1mm、軌跡Ｂが0.11mm、軌跡Ａが
0.08mmとなる。しかし、いずれの場合も差は小さ
く、実用上は問題にならない。したがつてch―
Ａのトラツク幅ａは、走査線密度を正確に必要と
する側のピツチに合せて運べば良く、両方の走査
線密度が同程度に重要な場合はトラツク幅ａは、
P₁とP₂の中間、P₁＜ａ＜P₂に選べば良い。ところ
で７行離れたところを同時に記録するためには記
録データを一定時間記憶しておき、記録ヘツドが
記録すべき位置にきたときにとり出すことが必要
となる。第１０図に示す順序で記録するためのタ
イミングチヤートを第１１図に示す。 第１１図では１は記録ヘツド２の走査を示す０
から８までとる。２は記録すべき記録データであ
つて１走査期間に４行分の速度で送られてくる。
記録ヘツドの４チヤネルの夫々がどの行の記録デ
ータを記録するかを同図３に示す。第１０図に示
すように例えば第１行目はch―Ｄで、１走査目
に記録する。これをタイミングチヤートで示すと
第１１図４に示すメモリＤ―１で示すように、０
走査で、１行目の記録データをメモリ、例えば
RAMに記憶させる。そして１走査目に、この１
行目の記録データを読出してch―Ｄで記録ドラ
ム１に記録する。 同様に２行目は第１１図の５に示すメモリＣ―
１に記憶され、３走査目にこの２行目の記録デー
タを読出し、ch―Ｃで記録ドラム１に記録す
る。同様に３行目は同図の６のメモリＢ―１に記
憶され、５走査目にこの３行目の記録データを読
出し、ch―Ｂで記録ドラム１に記録する。同様
に４行目は同図の７のメモリＡ―１に記憶され、
７走査目にこの４行目の記録データを読出し、
ch―Ａで記録ドラム１に記録する。同様に５行
目以降もメモリＤ、メモリＣ、メモリＢ、メモリ
Ａにそれぞれ順次記憶され、第１０図Ｂで示すよ
うな走査時に読出しを行なつてそれぞれのch―
Ｄ，ch―Ｃ，ch―Ｂ，ch―Ａの各チヤンネル
で、記録ドラム１に記録する。第１１図のタイミ
ングチヤートからわかるとおり、ch―Ｄ用のメ
モリとしては２行分、ch―Ｃ用のメモリとして
は４行分、ch―Ｂ用のメモリとしては６行分、
ch―Ａ用のメモリとしては８行分の容量が必要
となり、各１行分として例えば4Kビツトの構成
とすれば、走査線密度12.5本／mmの場合とこの走
査線密度10本／mmの場合はメモリの構成は全く同
じであることがわかる。 したがつて第９図に示すブロツク図で示される
構成となり、走査線密度が10本／mmの場合は、メ
モリセレクタ２２１は、第１１図のタイミングチ
ヤートに示すように、第１行目の記録データはメ
モリＤ２３４に入力し、第２行目の記録データは
メモリＣ２３３に入力し、第３行目の記録データ
はメモリＢ２３２に入力し、第４行目の記録デー
タはメモリＡ２３１に入力する。以降メモリＤ２
３４、メモリＣ２３３、メモリＢ２３２、メモリ
Ａ２３１の順序で各メモリに入力する。各メモリ
に記憶された記録データは第１１図のタイミング
チヤートに示すタイミングで出力され、ヘツドド
ライバ２０４，２０３，２０２，２０１を通じて
各ヘツドに出力され記録ドラム１に記録する。各
メモリはメモリコントローラ２２２で制御され
る。 ところでマルチヘツドの形状の設計において各
チヤンネルのトラツクピツチＥは Ｅ＝（am＋１）×Ｐ (1) 又は Ｅ＝（am−１）×Ｐ (2) とすることが必要である。ここでａは任意の整
数、ｍはチヤンネル数、Ｐは潜像走査線ピツチす
なわち、走査線密度の逆数を表わす。 (1)式においてａ＝０の場合は、Ｅ＝Ｐとなり、
各記録ピツチに対応してマルチヘツドを並べるこ
とになる。しかし、磁気ヘツドの場合は巻線部や
シールド部を設ける必要があるためにａ＝０の場
合は困難である。(1)式に示されるトラツクピツチ
のマルチヘツドの軌跡は、ａ＝０の場合に容易に
わかるとおり、第７図Ｃに例えばａ＝２、ｍ＝４
のときすなわちＥ＝9Pの場合を示す。例えば各
チヤンネルを第７図Ａのように副走査方向に対し
てＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄとれば軌跡はＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの
順に並ぶ。 また、第７図ＡにおいてＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各チ
ヤンネルのトラツクの各エツジを副走査方向の進
行方向をa₁，b₁，c₁，d₁としその反対方向をa₂，
b₂，c₃，d₂とする。第７図Ｂに示すとおり、各チ
ヤンネルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの軌跡Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに
対してそれぞれ軌跡の両端はa₁a₂，b₁b₂，c₁c₂，
d₁d₂となる。ところが実際にはそれぞれの軌跡の
一部がオーバラツプして記録されるので第７図Ｃ
に示すとおり、軌跡D₄の一部軌跡C₃がオーバラ
ツプするので、ch―ＣのトラツクのエツジC₁が
軌跡に残る。また軌跡C₃の一部に軌跡B₂がオー
バラツプするのでch―Ｂのトラツクのエツジb₁が
軌跡に残る。また軌跡B₂の一部に軌跡A₁がオー
バラツプする。そのうえch―Ａは最も遅れて記
録するのでch―Ａの軌跡は全部残る。したがつ
てch―Ａのトラツクのエツジa₁，a₂はともに軌跡
として残る。したがつてこの(1)式で示すトラツク
ピツチのマルチヘツドによる記録では各チヤンネ
ルのトラツクのエツジのうち、ヘツドの副走査の
進行方向側のエツジすなわち添字１が、軌跡に残
り、結果として各トラツクの軌跡の記録幅を決め
ている。このことから、(1)式によるトラツクピツ
チのマルチヘツドの設計においてはヘツドの副走
査の進行方向側のエツジが重視される。例えば４
チヤンネルの場合、(1)式においてｍ＝４となりａ
＝２の場合Ｅ＝9P₁となり、この場合P₁＝0.08mm
としてマルチヘツドを設計すると第１２図１のよ
うになる。トラツクピツチＥはＥ＝0.08×９＝
0.72mmとなり、トラツク幅は中心線の両側で0.08
mmとなるが、先に述べたとおり、副走査の進行方
向側のエツジが重要となる。進行方向と反対側の
エツジは一部オーバラツプするための軌跡として
は残らないので重要でない。したがつて第１２図
１ではこれを点線で示した。 次に(2)式で示すトラツクピツチの場合は例えば
ａ＝２、ｍ＝４ときすなわち、Ｅ＝7Pの場合
を、第１０図に示す。第１０図Ｃで示すように軌
跡は(1)式のとき第７図Ｃとは逆のＤ，Ｃ，Ｂ，Ａ
の順に並ぶ。第７図の場合と同様に第１０図Ａに
おいてＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各チヤンネルのトラツク
の各エツジを副走査の進行方向をa₁b₁c₁d₁とし、
その反対方向をa₂，b₂，c₂，d₂とする。第１０図
Ａに示すとおり、ch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch
―Ｄの軌跡のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに対して、それぞれ
軌跡の両端はa₁a₂，b₁b₂，c₁c₂，d₁d₂となる。と
ころが実際にはそれぞれの軌跡の一部がオーバラ
ツプして記録されるので第１０図Ｃに示すとお
り、軌跡D₅の一部に軌跡C₆がオーバラツプする
のでch―ＣのトラツクのエツジC₂が軌跡に残
る。また軌跡C₆の一部に軌跡B₇がオーバラツプ
するのでch―Ｂのトラツクのエツジb₂が軌跡に残
る。また軌跡B₇の一部に軌跡A₈がオーバラツプ
する。そのうえch―Ａは最も遅れて記録するも
のでch―Ａの軌跡は全部残る。したがつてch―
Ａのトラツクのエツジa₁a₂はともに軌跡として残
る。したがつて(2)式で示すトラツクピツチのマル
チヘツドによる記録では各チヤンネルのトラツク
のエツジのうち副走査の進行方向と反対側のエツ
ジすなわち添字２が軌跡に残り結果として各トラ
ツクの軌跡の記録幅を決めている。このことから
(2)式によるトラツクピツチのマルチヘツドの設計
においてはヘツドの副走査の進行方向と反対側の
エツジが重視される。例えば４チヤンネルの場
合、(2)式においてｍ＝４となり、ａ＝２の場合Ｅ
＝7P₂となり、この場合P₂＝0.1mmとしてマルチヘ
ツドを設計すると、第１２図２のようになる。ト
ラツクピツチＥはＥ＝0.1×７＝0.7mmとなり、ト
ラツク幅は中心線の両側で0.1mmとなるが、先に
述べたとおり、副走査の進行方向と反対側のエツ
ジが重要となる。副走査の進行方向側のエツジは
一部、オーバラツプするため軌跡としては残らな
いので重要でない。したがつて第１２図２ではこ
れを点線で示した。 さて次に(1)式で設計するマルチヘツドと(2)式で
設計するマルチヘツドを同時に両方を満足するマ
ルチヘツドを設計する。 まず第１にトラツクピツチとして(1)式と(2)式と
ほぼ近い値を選ぶ。 第２に(1)式によるトラツクピツチをＥ(1)とし
て、(2)式によるトラツクピツチをＥ(2)とすれば、
Ｅ(1)＞Ｅ(2)となるようにＥ(1)、Ｅ(2)を選ぶ。チヤ
ンネルの数ｍや任意の整数ａの値に応じてＥ(1)−
Ｅ(2)の値を0.01mmから0.2mm程度の値に選ぶ。第
１２図の場合は0.02mmである。 第３に(1)式で決まるトラツクピツチＥ(1)と記録
幅P₁により、例えば第１２図１に示すとおりマル
チヘツドの片側のエツジを決める。次に(2)式で決
まるトラツクピツチＥ(2)と記録幅P₂により、例え
ば第１２図２に示すとおりマルチヘツドの反対側
のエツジが決まる。これによりマルチヘツドの両
側のエツジが決まる。これを第１２図３に示す。
ただしマルチヘツドのうち最も先行するチヤンネ
ル例えば第７図Ａの場合のch―Ｄのトラツク幅
は第７図Ｃや第１０図Ｃに示すとおり軌跡の両側
を、後からくるチヤンネルがオーバラツプするの
で第１２図３の値より広くした方が良い。この結
果第１２図からわかるとおり第１２図３の例では
ch―Ａのトラツク幅ａについては、前に述べた
とおりP₁≦ａ≦P₂としてａの値が決まる。ch―
Ｂのトラツク幅ｂはｂ＝Ｐ_１／２＋Ｐ_２／２＋（Ｅ₍₁₎
−Ｅ_{(2 )} ）となり第１２図３の場合はｂ＝０．０８／２＋０．
１／２＋ （0.72−0.7）＝0.11mmとなる。ch―Ｃのトラツク
幅ｃはｃ＝Ｐ_１／２＋Ｐ_２／２＋２（Ｅ₍₁₎−Ｅ₍₂₎）と
なり同 様に第１２図３の場合はｃ＝0.13mmとなる。また
ch―Ｄのトラツク幅ｄは ｄ＝Ｐ_１／２＋Ｐ_２／２＋３（Ｅ₍₁₎−Ｅ₍₂₎）となり、
ｄ＝ 0.15mmとなるが、これにより広ければ良く本例で
はｄ＝0.3mmとした。 副走査ピツチＰの変更制御は副走査制御回路２
１０（第２図）が副走査モータ１３（例えばパル
スモータ）を制御することによつて行なう。今パ
ルスモータによる１パルス移動量を0.04mmに設定
すればP₁＝0.08mmのときは記録ドラム１回転、す
なわち、１走査につき4P₁＝0.32mm送るから、
0.32／0.04＝８となり印加パルス数を８個とす
る。P₂＝0.1mmのときは１走査につき4P₂＝0.4mm
送るから0.4／0.04＝10となり印加パルス数を10
個とする。以上４チヤネルヘツドを用いて、異な
る線密度で記録する動作について説明したが、
種々の変形が可能である。３チヤネル以上の多チ
ヤンネルヘツドであれば夫々のチヤンネルの軌跡
の並べ方をＡ，Ｂ，Ｃ，Ａ，Ｂ，Ｃ…とその逆の
Ｃ，Ｂ，Ａ，Ｃ，Ｂ，Ａ，…の２組の並べ方が可
能となりそれぞれ異なる線密度を対応させること
で、副走査線密度を２種類にできる。 更に他の実施例を第１３図に示す。第１３図は
８チヤンネルヘツドの場合を示したトラツク幅の
狭い方からch―Ａ，ch―Ｂ，ch―Ｃ，ch―Ｄ，
ch―Ｅ，ch―Ｆ，ch―Ｇ，ch―Ｈの８つのチヤ
ンネルがある。夫々のトラツク幅はａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈである。例えば今10本／mmと
13本／mmの２種類の走査線密度で潜像を作る場合
は、例えばトラツク幅ａ＝0.09mm、ｂ＝0.11mm、
ｃ＝0.13mm、ｄ＝0.15mm、ｅ＝0.17mm、ｆ＝0.19
mm、ｇ＝0.21mm、ｈ＝0.3mmとしトラツクのピツ
チはI₁＝I₂＝I₃＝I₄＝I₅＝I₆＝I₇＝0.69mmとしてコ
アの厚さはJ₁＝J₂＝J₃＝J₄＝J₅＝J₆＝J₇＝J₈＝0.3
mm、コアのピツチはK₁＝K₂＝K₃＝K₄＝K₅＝K₆＝
K₇＝0.7mmとすればよい。13本／mmの走査線密度
の場合はch―Ａからch―Ｈまでの各ヘツドは９
行離れたところを同時に記録し、ヘツドは記録ド
ラム１の１回転につき、８行分、0.075m×８＝
0.6mm移動する。各チヤネルの軌跡は、軌跡Ａ、
軌跡Ｂ、軌跡Ｃ、軌跡Ｄ、軌跡Ｅ、軌跡Ｆ、軌跡
Ｇ、軌跡Ｈの順で並ぶ。各チヤンネルの担当する
行を表で示すと表―３となる。

【表】 一方10本／mmの走査線密度の場合は、ch―Ａ
からch―Ｈまでの各ヘツドは７行離れたところ
を同時に記録し、ヘツドは記録ドラム１の１回転
につき、８行分0.1mm×８＝0.8mm移動する。各チ
ヤンネルの軌跡は軌跡Ｈ、軌跡Ｇ、軌跡Ｆ、軌跡
Ｅ、軌跡Ｄ、軌跡Ｃ、軌跡Ｂ、軌跡Ａの順で並
ぶ。これを各チヤンネルの担当する行を表で示す
と表―４となる。

【表】 副走査の送りを例えばパルスモータで行なう
と、１パルス当り0.1mmの送りに設定すれば13
本／mmの場合は、記録ドラム１の１回転につき
0.6mm進めば良いから、0.6／0.1＝６で６パルス印
加すれば良い。10本／mmの場合は記録ドラム１の
１回転につき0.8mm進めば良いから0.8／0.1＝８
で、８パルス印加すれば良い。 副走査線密度設定装置３００（第２図）は操作
パネル（図示せず）でセツトされるモードあるい
は外部装置（プリンタ制御装置やフアクシミリ制
御装置等）によりセツトされるモードを識別して
記録ヘツド制御装置２００と副走査制御装置２１
０に夫々何本／mmの線密度で動作すべきかを指示
する。記録ヘツド制御装置２００はそれに従つて
軌跡の順序をどのようにするか選択し、また記録
データメモリ装置２２０は記録する順序に対応し
て、各チヤネルに記録データを入力するためのメ
モリ装置である。又、副走査制御装置２１０は何
本／mmの線密度で動作すべきかの指示に従つて、
パルスモータ１３に印加するパルス数を選択す
る。 以上説明したものは例示であつて限定的なもの
ではない。例えば、本発明の原理は薄膜マルチヘ
ツドの場合も、可能であるし垂直磁化を行う場合
にも応用できる。 以上説明したように本発明によれば、３チヤネ
ル以上の１種類の記録ヘツドを用いて、副走査線
密度を２種類変えて記録を行なうことができ、か
つ全部のチヤネルを使うことができるので効率的
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を具備した磁気印写装置の概略
説明図、第２図は第１図の装置を矢印の方向から
見た図、第３図は第１図および第２図における記
録ドラムおよび記録ヘツドの拡大図、第４図は第
３図の記録ドラムおよび記録ヘツドをＢ―B′から
見た図、第５図は記録ヘツドの先端部を示す図、
第６図は第２図における記録ドラムの展開図、第
７図は第１の磁気潜像記録走査における潜像形成
を説明する図、第８図は第７図の潜像形成を説明
するためのタイムチヤート、第９図は第７図の潜
像形成を行なうための記録ヘツド制御装置の詳細
ブロツク図、第１０図は第２の磁気潜像記録走査
における潜像形成を説明する図、第１１図は第１
０図の潜像形成を説明するためのタイムチヤー
ト、第１２図は４チヤンネルにおける記録ヘツド
の先端部の配置を示す図、第１３図は８チヤンネ
ルにおける記録ヘツドの先端部の配置を示す図で
ある。 符号の説明 １；磁気ドラム、２；記録ヘツ
ド、１１；主走査方向、２０；副走査方向、２０
０；記録ヘツド制御装置、２０１，２０２，２０
３，２０４；ヘツドドライバ、２１０；副走査制
御装置、２２０；記録データメモリ装置；２２
１；メモリセレクタ、２２２；メモリコントロー
ラ、２３１，２３２，２３３，２３４；メモリ、
３００；副走査線密度設定装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 第１、第２、…、第ｍ（但しｍ≧３、整数）
   のチヤンネルを有する記録ヘツドで磁気記録媒体
   上を走査し、第１の磁気潜像記録走査では前記記
   録ヘツドの第１のチヤンネルが（mn−ｍ＋１）
   行（但しｎは記録ヘツドの走査回数で正の整
   数）、第２のチヤンネルが（mn−ｍ＋２）行、
   …、第ｍチヤンネルが（mn）行にそれぞれ磁気
   潜像を形成させかつ先行するチヤンネル軌跡の一
   部に後行するチヤンネル軌跡をオーバーラツプさ
   せ、一方第２の磁気潜像記録走査では前記記録ヘ
   ツドのチヤンネルが（mn）行、第２のチヤンネ
   ルが（mn−１）行、…、第ｍのチヤンネルが
   （mn−ｍ＋１）行に磁気潜像を形成させ、かつ先
   行するチヤンネル軌跡の一部に後行するチヤンネ
   ル軌跡をオーバーラツプさせ、且つ前記第１、第
   ２、…第ｍのチヤンネルのトラツクピツチが前記
   第１の磁気潜像記録走査に対しては下記第(1)式 E₁＝（am＋１）×P₁ (1) （但しE₁はトラツクピツチ、ａは任意の整数、ｍ
   はチヤンネル数、P₁は第１の潜像走査線ピツチ） を、前記第２の磁気潜像記録走査に対しては下記
   第(2)式 E₂＝（am−１）×P₂ (2) （但しE₂はトラツクのピツチでE₁≒E₂、P₂は第２
   の潜像走査線ピツチ） を満たす記録ヘツドを使用することを特徴とする
   磁気印写装置における潜像形成方法。 ２ 第１、第２、…第ｍ（但しｍ≧３、整数）の
   チヤンネルを有しかつ第１の磁気潜像記録走査に
   対しては下記第(1)式を、第２の磁気潜像記録走査
   に対しては下記第(2)式を満たす記録ヘツドと、 E₁＝（am＋１）×P₁ (1) E₂＝（am−１）×P₂ (2) （但し、E₁、E₂はトラツクのピツチでE₁≒E₂、ａ
   は任意の整数、ｍはチヤンネル数、P₁は第１の潜
   像走査線ピツチ、P₂は第２の潜像走査線ピツチ） 該記録ヘツドの各チヤンネルに供給する記録デー
   タを記憶するためのデータ記憶装置と、前記第１
   及び第２の磁気潜像記録走査に対する第１及び第
   ２の走査線密度を設定するための走査線密度設定
   装置と、該走査線密度設定装置の前記第１の走査
   線密度の設定に対しては、前記データ記憶装置に
   記憶された記録データの内、第（mn−ｍ＋１）
   行の記録データを前記第１のチヤンネルに、第
   （mn−ｍ＋２）行の記憶データを前記第２のチヤ
   ンネルに、…、第（mn）行の記憶データを前記
   第ｍチヤンネルに供給し、一方、前記第２の走査
   線密度の設定に対しては、前記データ記憶装置に
   記憶された記録データの内、第（mn）行の記録
   データを前記第１のチヤンネルに、第（mn−
   １）行の記録データを第２チヤンネルに、…、第
   （mn−ｍ＋１）行の記録データを第ｍチヤンネル
   に供給するための記録制御装置と、前記記録ヘツ
   ドの先行するチヤンネル軌跡の一部に後行するチ
   ヤンネル軌跡がオーバラツプするよう磁気記録媒
   体上を走査させしめる走査制御装置とを具備して
   なる磁気印写装置における潜像形成装置。