JPS625709A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
- Publication number
- JPS625709A JPS625709A JP14429185A JP14429185A JPS625709A JP S625709 A JPS625709 A JP S625709A JP 14429185 A JP14429185 A JP 14429185A JP 14429185 A JP14429185 A JP 14429185A JP S625709 A JPS625709 A JP S625709A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- amplifier circuit
- microwave
- coupling
- dielectric
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- Pending
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
との発明は、半導体素子の入力側端子と出力側端子の間
にマイクロ波信号の結合機能を有する増幅回路に関する
ものである。
にマイクロ波信号の結合機能を有する増幅回路に関する
ものである。
第３図は従来の増幅回路金示す構成図の一実施例であ９
２図中（１）は半導体素子、（２）は上記半導体素子（
１）の入力側端子、（３）は上記半導体素子（１）の出
力側端子、（４）は誘電体基板、（５）は上記誘電体基
板−（４）上に形成されたマイクロストリップ線路、（
６）は上記マイクロストリップ線路（５）に接続された
固体コンデンサ、（７）は上記マイクロストリップ線路
（５）に接続された固体抵抗器、（８）は上記入力側端
子（２）と出力側端子（３）との間をマイクロ波的に結
合させるところの上記マイクロストリップ線路（５）で
形成される結合器、（９）は上記半導体素子（１）及び
誘電体基板（４）を固定保持する金属キャリアである。
２図中（１）は半導体素子、（２）は上記半導体素子（
１）の入力側端子、（３）は上記半導体素子（１）の出
力側端子、（４）は誘電体基板、（５）は上記誘電体基
板−（４）上に形成されたマイクロストリップ線路、（
６）は上記マイクロストリップ線路（５）に接続された
固体コンデンサ、（７）は上記マイクロストリップ線路
（５）に接続された固体抵抗器、（８）は上記入力側端
子（２）と出力側端子（３）との間をマイクロ波的に結
合させるところの上記マイクロストリップ線路（５）で
形成される結合器、（９）は上記半導体素子（１）及び
誘電体基板（４）を固定保持する金属キャリアである。
従来の増幅回路は上記のように構成され、半導体素子（
１）の入力側端子（２）及び出力側端子（３）に接続さ
れる整合回路が誘電体基板（４）上にマイクロストリッ
プ線路（５）と固体コンデンサ（６）、そして固体抵抗
器（７）で構成されているため１本増幅器回路をマイク
ロ波帯に供する場合に、上記整合回路を高周波帯ケーブ
ル、リード付きコンデンサ、リード付き被膜抵抗器等を
用いた構造に比較し９回路の小型化並びに回路定数の再
現性の良さから、増幅回路の性能の向上を図ることがで
きる。
１）の入力側端子（２）及び出力側端子（３）に接続さ
れる整合回路が誘電体基板（４）上にマイクロストリッ
プ線路（５）と固体コンデンサ（６）、そして固体抵抗
器（７）で構成されているため１本増幅器回路をマイク
ロ波帯に供する場合に、上記整合回路を高周波帯ケーブ
ル、リード付きコンデンサ、リード付き被膜抵抗器等を
用いた構造に比較し９回路の小型化並びに回路定数の再
現性の良さから、増幅回路の性能の向上を図ることがで
きる。
また、半導体素子の入力側端子（２）と出力側端子（３
）の間をマイクロ波的に結合する結合器（８）を帰還回
路として用いることから、増幅回路を正帰還状態で発振
回路に、負帰還状態で低歪・広帯域増幅回路にそれぞれ
を構成することができる。
）の間をマイクロ波的に結合する結合器（８）を帰還回
路として用いることから、増幅回路を正帰還状態で発振
回路に、負帰還状態で低歪・広帯域増幅回路にそれぞれ
を構成することができる。
上記のよう々従来の増幅回路において２次の様な問題点
があった。すなわち、結合器（８）がマイクロストリッ
プ線路（５）で形成されているから、結合器（８）の結
合特性は設計時に決定されなく【はならない。このため
、結合器（８）の結合特性を製造後に変更することが困
難であシ、たとえ結合器（８）部分が着脱可能であると
しても、交換の煩雑化構成の複雑化を招くという問題点
があった。
があった。すなわち、結合器（８）がマイクロストリッ
プ線路（５）で形成されているから、結合器（８）の結
合特性は設計時に決定されなく【はならない。このため
、結合器（８）の結合特性を製造後に変更することが困
難であシ、たとえ結合器（８）部分が着脱可能であると
しても、交換の煩雑化構成の複雑化を招くという問題点
があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、上記結合器（８］を用いずに半導体素子の入力側
端子（２）と出力側端子（３）の間にマイクロ波信号の
結合機能を持たせ、その結合特性の変更が容易に実施可
能な増幅回路を得るととを目的とする。
ので、上記結合器（８］を用いずに半導体素子の入力側
端子（２）と出力側端子（３）の間にマイクロ波信号の
結合機能を持たせ、その結合特性の変更が容易に実施可
能な増幅回路を得るととを目的とする。
この発明に係る増幅回路は、半導体素子（１）の上部に
上記半導体素子［１）の入力側端子（２）と出力側端子
（３）の間をマイクロ波的に結合する一個の誘電体片を
付加したものである。また、この発明の別の発明では、
上記誘電体片表面に導電体あるいは抵抗体を塗布させた
ものである。
上記半導体素子［１）の入力側端子（２）と出力側端子
（３）の間をマイクロ波的に結合する一個の誘電体片を
付加したものである。また、この発明の別の発明では、
上記誘電体片表面に導電体あるいは抵抗体を塗布させた
ものである。
この発明においては、半導体素子＋１１の上部の誘電体
片がマイクロ波導波路となるから、入力側端子に）と出
力側端子（３）の間のマイクロ波の結合を行う。
片がマイクロ波導波路となるから、入力側端子に）と出
力側端子（３）の間のマイクロ波の結合を行う。
また、この発明の別の発明においては、上記の誘電体片
の結合作用の強度を変化させる。
の結合作用の強度を変化させる。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図であ、！１１
．（１１〜（７）、 ＋９１は従来装置と全く同一のも
のである。α〔は半導体素子（１）の上部に設置され、
上記半導体素子の入力側端子（２）と出力側端子（３）
をマイクロ波的に結合する誘電体片である。
．（１１〜（７）、 ＋９１は従来装置と全く同一のも
のである。α〔は半導体素子（１）の上部に設置され、
上記半導体素子の入力側端子（２）と出力側端子（３）
をマイクロ波的に結合する誘電体片である。
上記のように構成された増幅回路において、半導体素子
（１）の出力側端子（３）Ｋ出力されるマイクロ波信号
は、自由空間に比較して比誘電率の高い誘電体片Ｑｌ）
の内部を導波路として入力側端子（２）に伝達される。
（１）の出力側端子（３）Ｋ出力されるマイクロ波信号
は、自由空間に比較して比誘電率の高い誘電体片Ｑｌ）
の内部を導波路として入力側端子（２）に伝達される。
この誘電体片ＧＯのマイクロ波における結合作用によっ
て帰還回路を形成し、増幅回路を正負の帰還状態で使用
できることから、増幅回路を正帰還状態での発振回路に
、負帰還状態での低歪・広帯域増幅回路にそれぞれを構
成することが可能となる。更に、誘電体片（ＩＱの結合
特性を変化させることを目的として、誘電体片Ｑｌ）の
比誘電率及び形状を変化させることで、それらを交換す
る方法によって結合の状態を任意に選定することが可能
とまる。
て帰還回路を形成し、増幅回路を正負の帰還状態で使用
できることから、増幅回路を正帰還状態での発振回路に
、負帰還状態での低歪・広帯域増幅回路にそれぞれを構
成することが可能となる。更に、誘電体片（ＩＱの結合
特性を変化させることを目的として、誘電体片Ｑｌ）の
比誘電率及び形状を変化させることで、それらを交換す
る方法によって結合の状態を任意に選定することが可能
とまる。
なお、上記実施例では誘電体片αＱを裸のまま使用して
結合特性を変化させ【いるが、誘電体片αｑの表面に導
電体あるいは抵抗体を塗布する方法においても、上記結
合作用の強度金変化させることが期待できる。
結合特性を変化させ【いるが、誘電体片αｑの表面に導
電体あるいは抵抗体を塗布する方法においても、上記結
合作用の強度金変化させることが期待できる。
第２図（’Ｌ （ｂ）は誘電体片ａＧの表面に導電体（
Ｉυあるいは抵抗体α２を塗布した場合の態様を示すも
ので、半導体素子（１）の入力側端子（２）及び出力側
端子（３）に接触しない部分に導電体ａυを塗布するこ
とによシ、誘電体片Ｑ（ｌ内部を通過するマイクロ波が
。
Ｉυあるいは抵抗体α２を塗布した場合の態様を示すも
ので、半導体素子（１）の入力側端子（２）及び出力側
端子（３）に接触しない部分に導電体ａυを塗布するこ
とによシ、誘電体片Ｑ（ｌ内部を通過するマイクロ波が
。
誘電体片αりの表面から漏洩することを防止する。
このため誘電体片Ｑ（Ｉの結合作用を強める効果を有す
る。一方、誘電体片α１に抵抗体１２を塗布した場合は
、抵抗体α２によって誘電体片αＱ内部のマイクロ波が
減衰させられるため、結合作用を弱めるように働く。
る。一方、誘電体片α１に抵抗体１２を塗布した場合は
、抵抗体α２によって誘電体片αＱ内部のマイクロ波が
減衰させられるため、結合作用を弱めるように働く。
この発明は以上の説明通シ、増幅回路の半導体素子上部
に誘電体片を設置するといつ簡単な構造によって、半導
体素子の入力側と出力側の端子間をマイクロ波的に結合
させ、正負の帰還を行う増幅回路を供する効果を有する
。
に誘電体片を設置するといつ簡単な構造によって、半導
体素子の入力側と出力側の端子間をマイクロ波的に結合
させ、正負の帰還を行う増幅回路を供する効果を有する
。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、第２図はこ
の発明の他の実施例を示す誘電体片設置部分の断面図、
第３図は従来の増幅回路を示す構成図である。 図において、（１）は半導体素子、（２）は入力側端子
（３）は出力側端子、（４）は誘電体基板、（５）はマ
イクロストリップ線路、（８１は結合回路、（９）は金
属キャリア、 Ｏ［）は誘電体片、Ｑυは導電体、α２
は抵抗体である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
の発明の他の実施例を示す誘電体片設置部分の断面図、
第３図は従来の増幅回路を示す構成図である。 図において、（１）は半導体素子、（２）は入力側端子
（３）は出力側端子、（４）は誘電体基板、（５）はマ
イクロストリップ線路、（８１は結合回路、（９）は金
属キャリア、 Ｏ［）は誘電体片、Ｑυは導電体、α２
は抵抗体である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １個の半導体素子と、上記半導体素子の入力側及び出力
側の端子にそれぞれ接続され、かつ誘電体基板上にマイ
クロストリップ線路、固体抵抗器、固体コンデンサを用
いて形成された２つの整合回路と、上記半導体素子と２
つの整合回路を固定保持する金属キャリアと、上記半導
体素子の上部に設置され、上記半導体素子の入力側端子
と出力側端子の間をマイクロ波的に結合する一個の誘電
体片とを備えたことを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14429185A JPS625709A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14429185A JPS625709A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625709A true JPS625709A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15358652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14429185A Pending JPS625709A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625709A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146182A (en) * | 1990-05-25 | 1992-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microwave device |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP14429185A patent/JPS625709A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5146182A (en) * | 1990-05-25 | 1992-09-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microwave device |
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