JPS6255974A - 多色led素子 - Google Patents
多色led素子Info
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- JPS6255974A JPS6255974A JP60196797A JP19679785A JPS6255974A JP S6255974 A JPS6255974 A JP S6255974A JP 60196797 A JP60196797 A JP 60196797A JP 19679785 A JP19679785 A JP 19679785A JP S6255974 A JPS6255974 A JP S6255974A
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- Japan
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- chips
- led
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- emitting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、LED発光ダイオードに関するものである
。
。
(従来の技術)
従来の発光ダイオードは、発光の有無を表示するために
主として単色光用に開発されてきた。
主として単色光用に開発されてきた。
また、時には同一導電型の基盤のLEDチップを用いて
、2色に発光する素子も見受けるがそれとても各々の素
子を単色に発光させるためと、それらの発光効率を高め
る為に側面発光が主流である現状から、それらのLED
チップはてきるだけ離してダイボンドする構造がとられ
てきた。
、2色に発光する素子も見受けるがそれとても各々の素
子を単色に発光させるためと、それらの発光効率を高め
る為に側面発光が主流である現状から、それらのLED
チップはてきるだけ離してダイボンドする構造がとられ
てきた。
(発明が解決しようとする問題点)
最近の技術の発展にともない、同一材料を用いて異なる
導電型の基盤の製作ならびに、該基盤と異なる導電層を
設けて発光させるLED素子も可能になった。
導電型の基盤の製作ならびに、該基盤と異なる導電層を
設けて発光させるLED素子も可能になった。
そこで本発明は、異なる導電型の基盤の、異なる発色を
する1数のLEDチップを用いて夫々のLEDがもつ単
色性、及び、それらの所謂中間色など複雑な表現に利用
できろ小型な素子を提供するものである。
する1数のLEDチップを用いて夫々のLEDがもつ単
色性、及び、それらの所謂中間色など複雑な表現に利用
できろ小型な素子を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
以下、図面に依って説明する。
第1図に本発明による多色LEDの構造の一例を示す。
第1図のステム1につけたリート部4aのヘッダ一部に
基盤がカソードであるLEDチップ2aと、基盤がアノ
ードであるLEDチップ2bを極めて接近させてダイボ
ンドして他のリード部4bにそれぞれを配線3て接続し
、樹脂等の外殻で配線を保護する構造にする。そして、
このようにして作られた素子に端子4a、4bに電圧V
Fを印加する。この時の等価回路を第2図に示す。
基盤がカソードであるLEDチップ2aと、基盤がアノ
ードであるLEDチップ2bを極めて接近させてダイボ
ンドして他のリード部4bにそれぞれを配線3て接続し
、樹脂等の外殻で配線を保護する構造にする。そして、
このようにして作られた素子に端子4a、4bに電圧V
Fを印加する。この時の等価回路を第2図に示す。
すると第3図に示すように端子4a、4bに印加される
VFの電位方向に、LDEチップ2a、2bの電流の流
入が制御されそれに伴い発色も制御できる。
VFの電位方向に、LDEチップ2a、2bの電流の流
入が制御されそれに伴い発色も制御できる。
更に、第4図に示すようなパルスを加えると、デユーテ
ィ−比によりLED2a 、2bの電流流入時間の差と
なりこの割合に応じた両者の中間の発色現象が現われる
。又、第4図の印加電圧VF及び、−VF”の大きさに
よっても中間色の発色の度合いを制御できる。但し、こ
のパルス幅は人間の視覚が個々の発色を識別しない程度
の約100m5ec以内でなければならない。
ィ−比によりLED2a 、2bの電流流入時間の差と
なりこの割合に応じた両者の中間の発色現象が現われる
。又、第4図の印加電圧VF及び、−VF”の大きさに
よっても中間色の発色の度合いを制御できる。但し、こ
のパルス幅は人間の視覚が個々の発色を識別しない程度
の約100m5ec以内でなければならない。
(作用)
第2図に示したように、LEDはダイオードであるから
、端子4a 、4bに印加する電圧極性により流入する
LEDチップが選択され、それにより発光するLEDが
選択される。
、端子4a 、4bに印加する電圧極性により流入する
LEDチップが選択され、それにより発光するLEDが
選択される。
また、パルス電流を加えたときに、それぞれのLED発
色の中間色を合成するのは、網膜の残像現象に於いて、
赤色XなるLED 2aが出す色刺激値Xと、赤色y
なるLED 2bが出す色刺激値Yとで、両者の間の
色刺激値Zを合成し色認識されるものと考えられる。
色の中間色を合成するのは、網膜の残像現象に於いて、
赤色XなるLED 2aが出す色刺激値Xと、赤色y
なるLED 2bが出す色刺激値Yとで、両者の間の
色刺激値Zを合成し色認識されるものと考えられる。
これらについては、′心理学、生理学の立場から種々説
明されている。
明されている。
(実施例)
第1図の場合には、LEDチップ2aに基盤がN型の緑
色のGaP系を、2bに基盤がP型の赤色のGa AI
As系、を用いた。
色のGaP系を、2bに基盤がP型の赤色のGa AI
As系、を用いた。
(発明の効果)
このよ)に、本発明を用いると、2色の表現に従来は、
3本の配線を必要としていたのに比し2本ですむ。
3本の配線を必要としていたのに比し2本ですむ。
また、従来は夫々のLED固有の発色で表現していたデ
スプレーが夫々の中間色の発色が可能になり、より微妙
な表現の使用が出来るようになる。
スプレーが夫々の中間色の発色が可能になり、より微妙
な表現の使用が出来るようになる。
それは、従来は各発色ごとにLEDを配しその分の配線
を施設していた事を考えると、その便利さは格段のもの
である。
を施設していた事を考えると、その便利さは格段のもの
である。
本発明は、従来のLEDの使用方法より労力を減らしな
がら、従来のLEDの使用の限界を大きく広げる画期的
素子である。
がら、従来のLEDの使用の限界を大きく広げる画期的
素子である。
第1図は本発明のLED素子の断面図の一例。
第2図は使用時における等価回路。第3図は発光領域の
模式図。第4図は駆動パルス波形。 図中lはステム。2a、2bはLEDチップ。 3は配線。4a 、4bはリード線。5は素子の外殻器
。 特許出願人 株式会社 三鷹電子科学研究所第10
′″!J2t¥1 83団 第46
模式図。第4図は駆動パルス波形。 図中lはステム。2a、2bはLEDチップ。 3は配線。4a 、4bはリード線。5は素子の外殻器
。 特許出願人 株式会社 三鷹電子科学研究所第10
′″!J2t¥1 83団 第46
Claims (1)
- LED基盤の異なる導電型の、異った色に発光する複
数のLEDチップを、該基盤に同一電位になるように、
出来るだけ接近させて一体化して組み上げた構造のLE
D(発光ダイオード)素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60196797A JPS6255974A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 多色led素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60196797A JPS6255974A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 多色led素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6255974A true JPS6255974A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16363809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60196797A Pending JPS6255974A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 多色led素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6255974A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5652178A (en) * | 1989-04-28 | 1997-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a light emitting diode using LPE at different temperatures |
US5707891A (en) * | 1989-04-28 | 1998-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a light emitting diode |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196797A patent/JPS6255974A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5652178A (en) * | 1989-04-28 | 1997-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a light emitting diode using LPE at different temperatures |
US5707891A (en) * | 1989-04-28 | 1998-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a light emitting diode |
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