JPS6255293B2 - - Google Patents

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JPS6255293B2
JPS6255293B2 JP57010004A JP1000482A JPS6255293B2 JP S6255293 B2 JPS6255293 B2 JP S6255293B2 JP 57010004 A JP57010004 A JP 57010004A JP 1000482 A JP1000482 A JP 1000482A JP S6255293 B2 JPS6255293 B2 JP S6255293B2
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JP
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wafer
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coarse
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JP57010004A
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JPS58128734A (ja
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Yoshihiro Yoneyama
Motoya Taniguchi
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication of JPS6255293B2 publication Critical patent/JPS6255293B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、回転ステージとこれを使用したアラ
イメント方法に係り、特に微細化したLSIパター
ンをウエハにX線露光する際に用いる微粗動回転
ステージと、この回転ステージを使用してウエハ
とマスクの回転軸のアライメントをする方法に関
するものである。
従来、ウエハとマスクとの回転軸のアライメン
トに用いる回転ステージとしては、粗動機構を有
するもののみしかなく微動機構を併設したものは
存在していない。すなわち、ウエハを載置するウ
エハチヤツクをベース上に枢着し、このウエハチ
ヤツクの外周部近傍に枢着したカムローラにカム
を当接させ、このカムを減速機構を介在させてモ
ータにて駆動し、前記ウエハチヤツクを回動する
ものが一般であつた。この方法で分解能を高める
ためにはモータの減速比を大くすることが必要と
なる。モータの減速比を大きくすると、カムの回
転速度が低下し、能率的なアライメントや露光作
業ができない欠点を有することになる。又、カム
の製作精度、ローラ精度、ころがり時のステツク
スリツプなどの問題があり精度の高いアライメン
トができない欠点があつた。
特に、LSIパターンの微細化に伴い、マスクと
ウエハを超高精度にアライメントする必要があ
り、高精度で、かつ高速の回転ステージが要望さ
れていた。
一方、従来では、回転ステージによつて回転軸
をアライメントする方法としては、ウエハとマス
クをステツプアンドリピートでアライメントする
たびに回転軸のアライメントを行なう方法がとら
れ、回転角位置を長時間保持するための特別の方
法がとられていなかつた。すなわち、各チツプご
とにx,y軸アライメントと共に回転軸アライメ
ントを行なつてた。この方法によると、作業能率
が低下するのみならず、後述するごとく高精度の
アライメントができない欠点があつた。
さらに、回転ステージの駆動源のクリープや各
部の熱変位によつて精度が狂う場合が生ずるが、
これ等に対しても特別な手段が取られていなかつ
た。
本発明は、以上の要望や欠点を解消するもの
で、その目的は、回転ステージの駆動源を微動と
粗動とに分けることにより高精度、高速のアライ
メントの可能な微粗動回転ステージを提供すると
共に、この回転ステージによつて最初回転軸のア
ライメントを行なつたのち、次のステツプアンド
リピートでは回転軸のアライメントを行なうこと
なく、長時間その状態を保持させ、高精度の回転
軸アライメントを可能とすると共に、クリープ、
熱変位等の影響をうけない回転軸アライメントの
可能のアライメント方法を提供するにある。
本発明は、この目的を達成するために、回転ス
テージのウエハチヤツクをボールによつてベース
に支持し、支持部分の隙間等による誤差をなくす
ようにし、かつ、前記ウエハチヤツクの中央部と
外周部近傍とに取着した部材にその両端を弾性支
点を介して支持されるV字状のリンクを配置し、
このV字状リンクに伝導手段を係合させ、前記ウ
エハチヤツクを粗動するようにし、さらに、V字
状のリンク中間部に弾性支点を介して支持された
電歪素子を配置し、前記ウエハチヤツクを微動す
るようにした微粗動回転ステージを特徴としたも
のである。
さらに本発明の別の目的は、微粗動回転ステー
ジのウエハチヤツク内に表示された最長間隔のア
ライメントマークによつてウエハとマスクとの回
転方向の位置差分を求め、この位置差分に相当す
る回転角を前記回転ステージの回転面に非接触に
係合する非接触センサによつて検出し、この検出
値を制御装置に記憶させ、この記憶値を基にして
露光時におけるウエハとマスクの回転軸を自動的
に補正するようにした粗微動回転ステージを使用
したアライメント方法を特徴としたものである。
以下、本発明の実施例を図に基ずいて説明す
る。
第1図において、回転ステージ1のウエハチヤ
ツク32(第2図にて表示)は四角状のベース3
に載置され、第3図に示すボール2およびリテー
ナ11により保持されるボール10によりガタな
くスムースに回動するようにされている。すなわ
ち、第4図に示すごとく、ベース3に形成された
溝4とウエハチヤツク32下面にボルト8にて螺
着された可動部材5の中央部に形成されたV溝6
の間にボール2は挾持されてる。そして可動部材
5はベース3との間に挿設された加圧バネ9によ
り加圧され、ボール2を溝4に圧接するようにし
ている。ボール2はちようどボール2の中心がウ
エハチヤツク32の回転中心と一致するように位
置づけられているため、ウエハチヤツク32は前
記のごとくボール2まわりに回動する。ストツパ
7は可動部材8の端部と当接するように位置づけ
られ、ウエハチヤツク32が余分に回動すること
を防止している。
第1図にもどり、ウエハチヤツク32の下面の
中央部および外周部近傍には部材A12および部
材B13がボルト14により螺着されている。そ
して、V字状のリンク20の両端部が部材A12
および部材B13と弾性支点A15および弾性支
点C17により支持されている。ここで、弾性支
点A15および17は幅狭板部による結合支点で
あり、普通のピン等による枢支点のごとくガタ等
による誤差が生じない支点である。よつて微細な
動きをスムースに伝達する。
V字状のリンク20のウエハチヤツク32の外
周部側リンクの中間部には支持部材24,25に
より電歪素子18が介在し、弾性支点B16によ
りリンク部に支持されている。なお、支持部材2
5は部材B13と弾性支点C17により支持され
る。なお、電歪素子18は図示していない制御装
置と接続している。
V字状のリンク20の頂角部にはローラ19が
枢着され、このローラ19はカム21と当接して
いる。カム21はベース3に取着するモータ22
に連結し、回動される。なお、V字状のリンク2
0のリンク部とベース3の間に張架された引張バ
ネ23によりローラ19とカム21とは圧接さ
れ、ガタなくスムースに押し力が伝達される。
第5図はカム21のカム曲線を表わす。すなわ
ち横軸はカム21の回転角θ度を表示し、縦軸は
変位δm/mを表示する。中央0゜は回転原点を
示す。又、第2図においてウエハ33はウエハチ
ヤツク32の中央に載置され、外部34より真空
吸着されている。又、ベース3の下面には通常
X,Y軸ステージが設置されている。
次に作用を説明する。
まづカム21をモータ22により回転すると、
前記したカム曲線に従つてローラ19が移動す
る。ローラ19の移動によりウエハチヤツク32
はその分だけボール2を中心に回動する。よつ
て、カム21により、粗動の回転角割出しがで
き、かつ、それを迅速にすることができる。カム
21によつてある程度の粗度で回転角の割出しが
なされた後、電歪素子18に電圧をかけると電歪
素子18が伸びる。ローラ19はカム21に押え
られているため電歪素子18は部材B13の方向
に伸びる。部材B13は前記のごとく、ウエハチ
ヤツク32に取着しているため、ウエハチヤツク
32はボーール2を回転中心として回動する。こ
れによつて微動位置決めが可能となる。すなわ
ち、電歪素子が伸縮することにより弾性支点A1
5、弾性支点B16、弾性支点C17がそれぞれ
の方向に屈曲する。電歪素子18は電圧を高める
と伸び、低くすると縮む。従つて、電歪素子にあ
らかじめ電圧をかけておき、この電圧を変化させ
ることにより左右の微調を行なうことができる。
カム21の回転原点0゜は第1図に示すセンサ
26をドツグ27でONさせることにより検出で
きる。又、ウエハチヤツク32が何らかの原因に
よりストツパ7に当つてしまつた場合には、セン
サ28,29をドツグ30,31でONさせるこ
とで検出でき、この検出信号により対処すること
ができる。
本実施例において、電歪素子18はV字状のリ
ンク20の外周部片側に配置したが、これに限定
するものでなく、又、複数であつてもかまわな
い。又、伝導機構としてカムを用いたがこれに限
定するものでもない。
以上の構成と作用から明らかのごとく、カムに
よる粗動によつて迅速にある位置まで回転軸の位
置決めができ、電歪素子18を用いた微動により
精密位置決めが可能となる。
次に以上の粗微動回転ステージを使用した回転
軸のアライメント方法に関する実施例を図に基ず
いて説明する。
第6図はウエハ101各チツプ102ごとに
X,Y軸および回転軸(以下θ軸と称呼する)の
アライメントを実施する辱場合のチツプ102お
よびアライメントマーク103の配置図である。
この場合、回転角Δθだけの補正が回転軸アライ
メントにおいて必要のときには、アライメントマ
ーク103をΔl=l×Δθの精度で検出しなけ
ればならない。一方、第7図の場合は各チツプ1
02ごとのアライメントマーク103を用いず
に、ウエハ101内に対峙して表示される最長間
隔のアライメントマーク104を用いた場合を示
す。この場合、回転軸アライメントが必要な回転
角Δθを補正するためには、アライメントマーク
104をΔL=L×Δθの精度で検出すればよ
い。一般に寸法Lは寸法lよりはるかに大きいた
め第6図の各チツプ102ごとに補正する場合に
較べて精度良くθ軸のアライメントをすることが
できる。本実施例においては第7図のアライメン
トマーク102によりθ軸のアライメントを実施
する。
第8図は粗微動回転ステージ109を用いてス
テツプアンドリピート方式によりX線露光を行な
うアライナ装置の概要を示す。
X軸ステージ105およびY軸ステージ106
に粗微動回転ステージ109が載置されている。
ウエハ101は粗微動回転ステージ上面中央部に
載置されてる。ウエハ101の上方にはX軸およ
びY軸方向に微動して精アライメントを行なう微
動ステージ112が配設され、マスク111はこ
の微動ステージ112下面においてウエハ101
と約10μm隔てて取付けられている。検出器10
7,108はアライメントマーク104の位置検
出に用いられる。
高真空に保持されたX線発生源117内に設置
される電子銃113より電子ビーム114が発射
する。これをX線源115に当て、X線116を
発生させる。X線116はベリウム(Bl)118
などのX線116を通し易い窓を通して、マスク
111およびウエハ101に照射される。
次にこのアライブ装置によるアライメントと露
光の手順について説明する。
まづ、X軸ステージ105およびY軸ステージ
106を移動させ、ウエハ101のアライメント
マーク104の一方をマスク111のアライメン
トマークの下に配置し、ウエハ101のアライメ
ントマーク104の位置を検出器107で検出す
る。
次に、X軸ステージ105およびY軸ステージ
106を移動させ、ウエハ101の他のアライメ
ントマーク104をマスク111の他の1方のア
ライメントマークの下に配置し、ウエハ101の
アライメントマーク104の位置を検出器108
で検出する。
その後この検出値を図示していない制御装置で
計算し、マスク111のアライメントマーク位置
の差分を求める。
次に粗微動回転ステージ109にて前記差分を
回転角として検出し、θ軸のアライメントを行な
う。この回転角を検出する方法としては、後に説
明するごとく粗微動回転ステージ109の回転面
に非接触に係合するセンサ110で行なう(第9
図)。
θ軸のアライメントが終了すると、このときの
センサ110の値を制御装置(図示していない)
内に記憶する。そして、ステツプアンドリピート
でウエハ101のすべてのチツプ102のアライ
メントと露光が終了するまで粗微動回転ステージ
109をこのセンサ110の値になるようフイー
ドバツクにより制御する。
θ軸のアライメントが前記したごとく終了した
のち、各チツプ102のアライメントと露光がス
テツプアンドリピートで実施される。各チツプ1
02のアライメントは、ウエハ101のアライメ
ントマーク103を検出器107および108で
検出し、X軸ステージ105およびY軸ステージ
106によりウエハ101を粗動し粗位置めした
のち、マスク111を前記した微動ステージ11
2でX軸およびY軸方向に微動し、精アライメン
トを実施して行なう。そして、前記したごとくθ
軸アライメントは粗微動回転ステージ109の回
転角をセンサ110の値になるように自動制御し
て行うことになる。その結果正しいアライメント
が行なわれる。
次に、センサ110による粗微動回転ステージ
の位置検出方法を説明する。
第9図において、粗微動回転ステージのウエハ
チヤツク120の外周面には回転方向に傾斜をも
検出片119が取着されている。この検出片11
9に対峙する位置にセンサ110が非接触状態に
設置される。ウエハチヤツク120が回転する
と、検出片119の傾斜により検出片119とセ
ンサ110との距離が変り、その変化を検出する
ことができる。この変化値は図示していない制御
装置に入力されるが、制御装置には前記したごと
くθ軸のアライメントの基準値が記憶されている
のでこの基準値と変化値を比較計算し、電歪素子
122に加える電圧を制御し、ウエハチヤツク1
20の位置補正を行なうことになる。
第10図および第11図は検出片119をウエ
ハチヤツク120の下面に取付けたもので、その
構造、作用は第9図の場合と同様である。なお、
検出片119はウエハチヤツク120の上面に取
着しても同様である。
第12図ないし第14図は二個のセンサをウエ
ハチヤツク120の外周面、下面(上面にても
可)に配置した場合の実施例を示す。
第1のセンサ110は第9図ないし第11図に
て説明したものと同一機能を有するものである。
第2のセンサ123はウエハチヤツク120の
回転面に平行に、かつ、非接触に配置されてい
る。
第1のセンサ110のみによる検出では、回転
スタージの熱樹脹の影響や、振動の影響と回転変
位の影響を峻別することができない。従つて、第
2のセンサ123よつて回転ステージの熱膨脹や
振動などの影響を検出し、第1のセンサによる検
出値と共に補正値を制御装置にて計算し、電歪素
子122を介してウエハチヤツク120の位置補
正を行なえば、より正確なθ軸のアライメントが
可能となる。
第15図および第16図はセンサ110,12
3の検出信号が制御装置121,124を介して
電歪素子122に伝達されることを示したもので
ある。
以上の説明によつて明らかのごとく、本発明に
よれば、高精度、高速のθ軸アライメントが可能
となると共に、熱膨脹等の影響をうけることなく
回転軸のアライメントを長時間保持できる効果を
上げることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例である粗微動回転ステ
ージの構成を示す上面図、第2図は第1図の示矢
A方向の側面図、第3図は第1図のB―B断面
図、第4図は第1図の裏面図(第2図示矢C方
向)、第5図は粗動用カムのカム曲線図、第6図
はθ軸のアライメントをチツプごとに行う場合の
アライメントマークとチツプとの関係を示す配置
図、第7図はθ軸のアライメントをチツプごとに
行なわない場合のアライメントマークとチツプと
の関係を示す配置図、第8図はX線アライナの全
体構成を示す構成図、第9図は実施例の検出部を
示す上面図、第10図は検出部を示す別の実施例
の側面図(第9図のA―A断面を表示する)、第
11図は第10図のB矢視図、第12図は検出部
を示すさらに別の上面図、第13図は別の検出部
を示す側面図(第12図のC―C断面を表示す
る)、第14図は第13図のD矢視図、第15
図、第16図は制御回路図を示す。 1……粗微動回転ステージ、2,10……ボー
ル、3……ベース、4……溝、5……可動部材、
6……V溝、7……ストツパ、8,14……ボル
ト、9……加圧バネ、11……リテーナ、12…
…部材A、13……部材B、15……弾性支点
A、16……弾性支点B、17……弾性支点C、
18……電歪素子、19……ローラ、20……V
字状のリンク、21……カム、22……モータ、
23……引張バネ、24……支持部材、25……
支持部材、6,28,29……センサ、27,3
0,31……ドツグ、32……ウエハチヤツク、
33……ウエハ、101……ウエハ、102……
チツプ、103,104……アライメントマー
ク、105……X軸ステージ、106……Y軸ス
テージ、107,108……検出器、110……
センサ、111……マスク、112……微動ステ
ージ、113……電子銃、114……電子ビー
ム、115……X線源、116……X線、117
……発生源、119……検出片、120……ウエ
ハチヤツク、121,124……制御装置、12
2……電歪素子、123……センサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ウエハとマスクの回転軸のアライメントに使
    用する回転ステージにおいて、該回転ステージの
    ウエハチヤツクをこのウエハチヤツクの回転中心
    部に配置したボールを介して回動自在に載置する
    ベースと、前記ウエハチヤツクの中心部と外周部
    近傍とにそれぞれ取着する部材に、そのリンク端
    部を弾性支点を介して支持されると共に、その頂
    角部を前記ウエハチヤツク外周部近傍位置に配置
    するV字状のリンクと、前記ベース側に取着さ
    れ、前記V字状のリンクの頂角部を前記ウエハチ
    ヤツク回動方向に粗移動させる伝導手段と、前記
    V字状のリンクの中間部に、両出力端を弾性支点
    を介して一体的に接続すべく装着され、伸縮によ
    りリンクを介してウエハチヤツクを微回動させる
    電歪素子とを備えることを特徴とする粗微動回転
    ステージ。 2 回転ステージを用いてウエハとマスクの回転
    軸のアライメントをする方法において、前記ウエ
    ハ内に対峙して表示される最長間隔のアライメン
    トマークにより、前記ウエハとマスクとの回転方
    向の位置差分を求め、前記回転ステージの回転面
    に非接触に係合する非接触センサによつて前記位
    置差分に相当する回転角を検出し、この検出値を
    制御装置に記憶させ、露光時において、前記ウエ
    ハとマスクの回転軸のアライメントを前記記憶値
    を基にして、上記回転ステージのウエハチヤツク
    をこのウエハチヤツクの回転中心部に配置したボ
    ールを介して回動自在に載置するベースと、前記
    ウエハチヤツクの中心部と外周部近傍とにそれぞ
    れ取着する部材に、そのリンク端部を弾性支点を
    介して支持されると共に、その頂角部を前記ウエ
    ハチヤツク外周部近傍位置に配置するV字状のリ
    ンクと、前記ベース側に取着され、前記V字状の
    リンクの頂角部を前記ウエハチヤツク回動方向に
    粗移動させる伝導手段と、前記V字状のリンクの
    中間部に、両出力端を弾性支点を介して一体的に
    接続すべく装着された電歪素子とを備えた粗微動
    回転ステージの上記伝導手段及び電歪素子を駆動
    して補正することを特徴とする粗微動回転ステー
    ジを使用したアライメント方法。 3 非接触センサによる回転角検出方法が、前記
    回転ステージの回転方向に傾斜を有する検出片を
    前記回転ステージの回転面に設置し、該検出片に
    センサを接触させないで対峙して行うものである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載の
    粗微動回転ステージを使用したアライメント方
    法。 4 非接触センサによる回転角検出方法が、前記
    回転ステージの回転方向に傾斜を形成し、前記回
    転ステージの回転面に設置される検出片に対峙し
    て配置する第1の非接触センサと、前記回転ステ
    ージの回転面に平行に対峙して配置する第2の非
    接触センサとにより行うものであることを特徴と
    する特許請求の範囲第2項に記載の粗微動回転ス
    テージを使用したアライメント方法。
JP57010004A 1982-01-27 1982-01-27 粗微動回転ステ−ジとこれを使用したアライメント方法 Granted JPS58128734A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57010004A JPS58128734A (ja) 1982-01-27 1982-01-27 粗微動回転ステ−ジとこれを使用したアライメント方法

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JP57010004A JPS58128734A (ja) 1982-01-27 1982-01-27 粗微動回転ステ−ジとこれを使用したアライメント方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58128734A JPS58128734A (ja) 1983-08-01
JPS6255293B2 true JPS6255293B2 (ja) 1987-11-19

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ID=11738264

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JP57010004A Granted JPS58128734A (ja) 1982-01-27 1982-01-27 粗微動回転ステ−ジとこれを使用したアライメント方法

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