JPS625352B2 - - Google Patents
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- JPS625352B2 JPS625352B2 JP54042745A JP4274579A JPS625352B2 JP S625352 B2 JPS625352 B2 JP S625352B2 JP 54042745 A JP54042745 A JP 54042745A JP 4274579 A JP4274579 A JP 4274579A JP S625352 B2 JPS625352 B2 JP S625352B2
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- gas
- film
- heat treatment
- photoconductive film
- photoconductivity
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電膜の製造方法に関し、とくに膜
面積の大きい光導電膜の製造方法に関する。
面積の大きい光導電膜の製造方法に関する。
硫化カドミウム（CdS）やセレン化カドミウム
（CdSe）を組成とする光導電膜は光導電性を利用
して光ポテンシヨメータ等に用いられている。こ
のような光ポテンシヨメータは基板上に前述の光
導電膜を蒸着等の薄膜形成技術で形成し、所定電
位を付与した複数の電極を前記光導電膜に設けた
構造を有する。そして前記光導電膜の電極が形成
されていない露出部に光照射を受けると、該光導
電膜に導電性が生じ、前記電極間に流れる電流を
外部回路で検出して例えば光検出を行うようにな
つている。
（CdSe）を組成とする光導電膜は光導電性を利用
して光ポテンシヨメータ等に用いられている。こ
のような光ポテンシヨメータは基板上に前述の光
導電膜を蒸着等の薄膜形成技術で形成し、所定電
位を付与した複数の電極を前記光導電膜に設けた
構造を有する。そして前記光導電膜の電極が形成
されていない露出部に光照射を受けると、該光導
電膜に導電性が生じ、前記電極間に流れる電流を
外部回路で検出して例えば光検出を行うようにな
つている。
ところで光導電膜が光照射により導電性を生じ
るのは光子の入射によつて該光導電膜中に電子−
正孔対が発生し、この電子および正孔が導電性に
寄与するためであるが、照射光が光導電膜中へ浸
透する深さは該光導電膜の極く表面のみであり、
従つて光導電性に寄与するのは光導電膜の表面層
にすぎないことが知られている。このため膜厚を
薄くした薄膜光導電膜が製造時間が短くて済むと
いつた理由とも相まつて前述の光ポテンシヨメー
タなどに用いられている。
るのは光子の入射によつて該光導電膜中に電子−
正孔対が発生し、この電子および正孔が導電性に
寄与するためであるが、照射光が光導電膜中へ浸
透する深さは該光導電膜の極く表面のみであり、
従つて光導電性に寄与するのは光導電膜の表面層
にすぎないことが知られている。このため膜厚を
薄くした薄膜光導電膜が製造時間が短くて済むと
いつた理由とも相まつて前述の光ポテンシヨメー
タなどに用いられている。
薄膜光導電膜の製造は従来の次のようにして行
われていた。
われていた。
まず基板表面に蒸着法によつて光導電性材料例
えばCdSeの薄膜を形成する。このような蒸着法
による薄膜においては光導電度が不十分であつて
実用に供することは困難であつて適当なガス雰囲
気中で熱処理を行い所望の光導電度を得るように
している。
えばCdSeの薄膜を形成する。このような蒸着法
による薄膜においては光導電度が不十分であつて
実用に供することは困難であつて適当なガス雰囲
気中で熱処理を行い所望の光導電度を得るように
している。
第１図は熱処理方法を説明するための図であつ
て、 １は円筒状焼成炉であつて該焼成炉への外周部
に電熱式ヒータ２ａを具え温度制御器２ｂを介し
て電源２ｃより電流の供給を受ける。また焼成炉
１の両端には焼成ガス送入口３および焼成ガス排
出口４を有する。５はセラミツク製の試料載置台
（ボート）であつて該ポート５に基板６に形成さ
れたCdSe薄膜７が載置されている。８ａ，８ｂ
は流量計、９ａ，９ｂはそれぞれ窒素（N2）ガ
ス、酸素（O2）ガスのボンベ、１０ａ，１０ｂは
ガス弁である。なお２ｄ，２ｅは電気的配線であ
る。
て、 １は円筒状焼成炉であつて該焼成炉への外周部
に電熱式ヒータ２ａを具え温度制御器２ｂを介し
て電源２ｃより電流の供給を受ける。また焼成炉
１の両端には焼成ガス送入口３および焼成ガス排
出口４を有する。５はセラミツク製の試料載置台
（ボート）であつて該ポート５に基板６に形成さ
れたCdSe薄膜７が載置されている。８ａ，８ｂ
は流量計、９ａ，９ｂはそれぞれ窒素（N2）ガ
ス、酸素（O2）ガスのボンベ、１０ａ，１０ｂは
ガス弁である。なお２ｄ，２ｅは電気的配線であ
る。
基板６に形成された光導電膜（以下単に試料と
いう）の熱処理を行うためには、前記焼成炉１内
のボート５に試料を載置し、ガス弁１０ａ，１０
ｂを開き、ガスボンベ９ａ，９ｂよりそれぞれ窒
素（N2）ガスおよび酸素（O2）ガスを流量計８
ａ，８ｂで流量調整を行つて前記焼成炉１に導入
する。ガスボンベ９ａ，９ｂから供給するガスは
N2ガス99％以上でO2ガス１％以下（但し、零で
はない）である。そして焼成炉１内の空気を前記
N2ガスとO2ガスの混合ガス（以下単に焼成ガス
という）で置換した後、前記電源２ｃより前記ヒ
ータ２ａに電源を供給すると炉１内の温度が上昇
し時刻t1においてTpとなり以後温度制御器２ｂ
によつて炉内温度を一定値Tpとなるように制御
し炉１内の試料を一定時間tpの間温度Tpに保持
した後、時刻t2において電源２ｃからヒータ２ａ
への電源供給を停止すると、炉内温度は徐々に低
下しはじめる。第２図は炉１内の温度変化を示す
図であつて横軸に時間、縦軸に温度を示す。
いう）の熱処理を行うためには、前記焼成炉１内
のボート５に試料を載置し、ガス弁１０ａ，１０
ｂを開き、ガスボンベ９ａ，９ｂよりそれぞれ窒
素（N2）ガスおよび酸素（O2）ガスを流量計８
ａ，８ｂで流量調整を行つて前記焼成炉１に導入
する。ガスボンベ９ａ，９ｂから供給するガスは
N2ガス99％以上でO2ガス１％以下（但し、零で
はない）である。そして焼成炉１内の空気を前記
N2ガスとO2ガスの混合ガス（以下単に焼成ガス
という）で置換した後、前記電源２ｃより前記ヒ
ータ２ａに電源を供給すると炉１内の温度が上昇
し時刻t1においてTpとなり以後温度制御器２ｂ
によつて炉内温度を一定値Tpとなるように制御
し炉１内の試料を一定時間tpの間温度Tpに保持
した後、時刻t2において電源２ｃからヒータ２ａ
への電源供給を停止すると、炉内温度は徐々に低
下しはじめる。第２図は炉１内の温度変化を示す
図であつて横軸に時間、縦軸に温度を示す。
炉１内の試料７は第２図に示すような温度Tp
の下で時間tpの間熱処理が行われるわけである
が、基板６に蒸着後の光導電性薄膜７は光導電性
を低下せしめている格子欠陥を焼成によつて除去
するとともに、焼成中にO2ガスによつてCdSe膜
中に光導電性を向上せしめる格子欠陥（カドミウ
ム空孔）を形成し、実用に供し得る光導電性を有
する光導電膜を得る。
の下で時間tpの間熱処理が行われるわけである
が、基板６に蒸着後の光導電性薄膜７は光導電性
を低下せしめている格子欠陥を焼成によつて除去
するとともに、焼成中にO2ガスによつてCdSe膜
中に光導電性を向上せしめる格子欠陥（カドミウ
ム空孔）を形成し、実用に供し得る光導電性を有
する光導電膜を得る。
つまりN2ガス等の不活性ガス雰囲気中での熱
処理により基板６に蒸着後のCdSe膜の格子不整
を除去する。つまり光導電性を低下せしめている
格子欠陥を除去する。さらに、焼成ガス中のO2
ガスによつて、カドミウム空孔を形成して光導電
性を向上せしめるのである。周知のようにCdSe
膜とO2ガスを反応させるとCdSe膜中のカドミウ
ムCdと酸素ガスが結合し酸化カドミウムCdOが
気体となつて飛散し、該CdSe膜中にカドミウム
空孔が形成される。
処理により基板６に蒸着後のCdSe膜の格子不整
を除去する。つまり光導電性を低下せしめている
格子欠陥を除去する。さらに、焼成ガス中のO2
ガスによつて、カドミウム空孔を形成して光導電
性を向上せしめるのである。周知のようにCdSe
膜とO2ガスを反応させるとCdSe膜中のカドミウ
ムCdと酸素ガスが結合し酸化カドミウムCdOが
気体となつて飛散し、該CdSe膜中にカドミウム
空孔が形成される。
このような熱処理を施した試料の局所的光導電
度を第３図ａ，ｂに示すような測定方法によつて
測定した。第３図ａにおいて、C1，C1′，C2，
C2′，C3，C3′………は電極、D1，D2，D3………
はCdSe膜であつて、ガラス基板６の表面に同図
鎖線で示すように40mmの四方のCdSe膜を蒸着に
よつて形成し、前述の前処理、後処理による熱処
理を施した後、エツチング処理によつて第３図ａ
に示すような 状のCdSe膜D1，D2，D3………を
形成する。第３図ｂは第３図ａの切断線AA′に沿
う断面図であつて、第３図ａと同等部分には同一
符号を付した。第３図ｂから明らかなように電極
C1，C1′は２層構造になつており、下地層として
は基板およびCdSe膜に対して密着性のすぐれた
ニツケル−クロム（Ni−Cr）合金層DNを配し、
第２層として導電性のすぐれた金（Au）層DAを
用いる。このような試料を用い第３図ｂに示すよ
うに光導電度を測定すべきCdSe膜D1に取付けた
一対の電極C1，C1′間に直流電源Ｅおよび電流計
Ａを接続し、照度1000ルツクス（lx）光源Ｌによ
り該光導電膜D1を照射した状態における電流値
ｉpおよび光源Ｌを消灯し、前記光導電膜D1を暗
部に放置した状態における前記電流計Ａの測定値
ｉdとの比、いわゆる明電流ｉpと暗電流ｉdの比
ｉp／ｉdを測定し、第４図にその測定結果を示
す。第４図において縦軸は明電流と暗電流の比を
示し、黒丸は試料D1〜D6のうちの代表的測定値
を示し、試料D1〜D6の測定値の上下限を線分で
示した。また第４図の横軸は後処理におけるN2
ガス中のO2ガス濃度を示す。第４図に測定値を
示した試料の処理条件は処理温度Ｔp＝675℃、処
理時間ｔp＝60分である。
度を第３図ａ，ｂに示すような測定方法によつて
測定した。第３図ａにおいて、C1，C1′，C2，
C2′，C3，C3′………は電極、D1，D2，D3………
はCdSe膜であつて、ガラス基板６の表面に同図
鎖線で示すように40mmの四方のCdSe膜を蒸着に
よつて形成し、前述の前処理、後処理による熱処
理を施した後、エツチング処理によつて第３図ａ
に示すような 状のCdSe膜D1，D2，D3………を
形成する。第３図ｂは第３図ａの切断線AA′に沿
う断面図であつて、第３図ａと同等部分には同一
符号を付した。第３図ｂから明らかなように電極
C1，C1′は２層構造になつており、下地層として
は基板およびCdSe膜に対して密着性のすぐれた
ニツケル−クロム（Ni−Cr）合金層DNを配し、
第２層として導電性のすぐれた金（Au）層DAを
用いる。このような試料を用い第３図ｂに示すよ
うに光導電度を測定すべきCdSe膜D1に取付けた
一対の電極C1，C1′間に直流電源Ｅおよび電流計
Ａを接続し、照度1000ルツクス（lx）光源Ｌによ
り該光導電膜D1を照射した状態における電流値
ｉpおよび光源Ｌを消灯し、前記光導電膜D1を暗
部に放置した状態における前記電流計Ａの測定値
ｉdとの比、いわゆる明電流ｉpと暗電流ｉdの比
ｉp／ｉdを測定し、第４図にその測定結果を示
す。第４図において縦軸は明電流と暗電流の比を
示し、黒丸は試料D1〜D6のうちの代表的測定値
を示し、試料D1〜D6の測定値の上下限を線分で
示した。また第４図の横軸は後処理におけるN2
ガス中のO2ガス濃度を示す。第４図に測定値を
示した試料の処理条件は処理温度Ｔp＝675℃、処
理時間ｔp＝60分である。
第４図から明らかなように試料の明電流と暗電
流の比ｉp／ｉdの測定値は同一基板６上に同一条
件で作成したCdSe膜７の形成部位によつて２桁
以上の差異を示し、このような光伝導度の差異が
大きい光導電膜はスポツト光の照射部位によつて
明電流ｉpの差異が大きく正確な光検出が不可能
であつた。
流の比ｉp／ｉdの測定値は同一基板６上に同一条
件で作成したCdSe膜７の形成部位によつて２桁
以上の差異を示し、このような光伝導度の差異が
大きい光導電膜はスポツト光の照射部位によつて
明電流ｉpの差異が大きく正確な光検出が不可能
であつた。
なお第４図において酸素濃度が0.4％の雰囲気
中で熱処理を行つた場合、明電流と暗電流比ｉ
p／ｉdの同一膜７内の差異は高々１桁であるがそ
の絶対値は小さくて、該試料に光照射を行つた時
の明電流ｉpが小さくて明電流ｉpを検出するのに
不十分であり、実用には供し得ない。
中で熱処理を行つた場合、明電流と暗電流比ｉ
p／ｉdの同一膜７内の差異は高々１桁であるがそ
の絶対値は小さくて、該試料に光照射を行つた時
の明電流ｉpが小さくて明電流ｉpを検出するのに
不十分であり、実用には供し得ない。
このように同一膜内における光導電度の差異が
大きくなる理由として次のように考えられてい
る。
大きくなる理由として次のように考えられてい
る。
焼成ガス中のO2ガス濃度は１％以下であるた
めO2ガス濃度の制御が困難であつて炉１内のO2
ガス分布が不均一となり、炉１内O2ガス濃度分
布に濃淡が生じ、高濃度のO2ガス雰囲気にある
試料部分ではCdOの生成が盛んであつてカドミ
ウム空孔密度が高く、低濃度のO2ガス雰囲気に
ある試料部分ではカドミウム空孔が殆んど形成さ
れずカドミウム空孔密度が低い。このようなカド
ミウム空孔度の不均一により、焼成後のCdSe光
導電膜は光導電度が局所的に異なつたものとな
り、光照射部位により光検出感度が異なつたもの
となり、正確な光検出が困難であつた。
めO2ガス濃度の制御が困難であつて炉１内のO2
ガス分布が不均一となり、炉１内O2ガス濃度分
布に濃淡が生じ、高濃度のO2ガス雰囲気にある
試料部分ではCdOの生成が盛んであつてカドミ
ウム空孔密度が高く、低濃度のO2ガス雰囲気に
ある試料部分ではカドミウム空孔が殆んど形成さ
れずカドミウム空孔密度が低い。このようなカド
ミウム空孔度の不均一により、焼成後のCdSe光
導電膜は光導電度が局所的に異なつたものとな
り、光照射部位により光検出感度が異なつたもの
となり、正確な光検出が困難であつた。
本発明はかかる点に鑑みなされたものであつ
て、均一な光導電性を有する光導電膜の製造方法
を提供することを目的とし、硫化カドミウム
（CdS）又はセレン化カドミウム（CdSe）を組成
とする光導電膜を不活性ガス雰囲気中において一
定期間熱処理を行う工程と、前記熱処理工程後、
酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中にお
いて前記熱処理期間よりも短い期間熱処理を行う
工程とを具備してなることを特徴とする。
て、均一な光導電性を有する光導電膜の製造方法
を提供することを目的とし、硫化カドミウム
（CdS）又はセレン化カドミウム（CdSe）を組成
とする光導電膜を不活性ガス雰囲気中において一
定期間熱処理を行う工程と、前記熱処理工程後、
酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中にお
いて前記熱処理期間よりも短い期間熱処理を行う
工程とを具備してなることを特徴とする。
以下第１図、第２図を参照しながら本発明の好
ましい実施例について詳細に説明する。
ましい実施例について詳細に説明する。
第１図の焼成炉１として長さＬ＝150cm、管径
Ｄ＝５cmの円筒状焼成炉を用い、ガラス基板に40
mm平方の大きさのCdSe光導電膜を7000Åの厚さ
に蒸着法によつて形成し、セラミツク製ポート５
に載置して前記焼成炉１内に収納し、ボンベ９ａ
のガス弁１０ａを開きN2ガス流量を流量計８ａ
で計量し2.5／分に設定しこの状態で一定温度
Tp＝670℃の下で60分間焼成し（以下この熱処理
を単に前処理という）、続いてボンベ９ｂのガス
弁１０ｂをも開き、流量計８ｂによりO2ガス流
量を調整し、ボンベ９ｂからのO2ガスを炉１内
に導く。このようなN2ガスとO2ガスの混合ガス
雰囲気中で60秒間温度670℃で熱処理を行い（以
下単に後処理という）、この後電源２ｃからヒー
タ２ａへの電流供給を停止して前記炉１内試料６
を除冷した。そして該熱処理済の試料の明電流と
暗電流比の測定を行つた。明電流と暗電流比の測
定方法は前述の従来の製造方法で得た試料の場合
と同じ方法である。第５図に縦軸に明電流と暗電
流の比の測定結果を示し、横軸は後処理における
O2ガス濃度を示す。第５図において黒丸は試料
の代表点の測定値を示し、同一光導電膜内の測定
値の上下限を線分で示した。後処理におけるN2
ガス中のO2ガス濃度を横軸に示した。第５図の
測定値は前処理の条件は全て同一であつてN2ガ
ス流量は2.5／min、熱処理温度は670℃、熱処
理時間は60分であり、後処理の条件は熱処理温度
は670℃、熱処理時間は60秒である。第５図から
明らかなように同一試料内の明電流と暗電流比の
上限値と下限値の差異は高々１桁であり、光ポテ
ンシヨメータ等の実用に供し得る特性である。
Ｄ＝５cmの円筒状焼成炉を用い、ガラス基板に40
mm平方の大きさのCdSe光導電膜を7000Åの厚さ
に蒸着法によつて形成し、セラミツク製ポート５
に載置して前記焼成炉１内に収納し、ボンベ９ａ
のガス弁１０ａを開きN2ガス流量を流量計８ａ
で計量し2.5／分に設定しこの状態で一定温度
Tp＝670℃の下で60分間焼成し（以下この熱処理
を単に前処理という）、続いてボンベ９ｂのガス
弁１０ｂをも開き、流量計８ｂによりO2ガス流
量を調整し、ボンベ９ｂからのO2ガスを炉１内
に導く。このようなN2ガスとO2ガスの混合ガス
雰囲気中で60秒間温度670℃で熱処理を行い（以
下単に後処理という）、この後電源２ｃからヒー
タ２ａへの電流供給を停止して前記炉１内試料６
を除冷した。そして該熱処理済の試料の明電流と
暗電流比の測定を行つた。明電流と暗電流比の測
定方法は前述の従来の製造方法で得た試料の場合
と同じ方法である。第５図に縦軸に明電流と暗電
流の比の測定結果を示し、横軸は後処理における
O2ガス濃度を示す。第５図において黒丸は試料
の代表点の測定値を示し、同一光導電膜内の測定
値の上下限を線分で示した。後処理におけるN2
ガス中のO2ガス濃度を横軸に示した。第５図の
測定値は前処理の条件は全て同一であつてN2ガ
ス流量は2.5／min、熱処理温度は670℃、熱処
理時間は60分であり、後処理の条件は熱処理温度
は670℃、熱処理時間は60秒である。第５図から
明らかなように同一試料内の明電流と暗電流比の
上限値と下限値の差異は高々１桁であり、光ポテ
ンシヨメータ等の実用に供し得る特性である。
第６図の測定値は前処理の条件はN2ガス流量
は2.5／分、熱処理時間は60分、そして後処理
の条件はO2ガス流量1.5／分（O2ガス濃度は
37.5％）、熱処理時間60秒という条件の下で熱処
理温度が650℃、660℃、670℃、680℃の場合の明
電流と暗電流比の測定値を示す。
は2.5／分、熱処理時間は60分、そして後処理
の条件はO2ガス流量1.5／分（O2ガス濃度は
37.5％）、熱処理時間60秒という条件の下で熱処
理温度が650℃、660℃、670℃、680℃の場合の明
電流と暗電流比の測定値を示す。
同図から明らかなように熱処理温度670℃にお
いて、同一光導電膜内の明電流と暗電流比の差異
は少なく１桁以内となつておりこのO2ガス濃度
の下では処理温度は670℃が最適であることがわ
かる。
いて、同一光導電膜内の明電流と暗電流比の差異
は少なく１桁以内となつておりこのO2ガス濃度
の下では処理温度は670℃が最適であることがわ
かる。
このように本発明に係る光導電膜の製造方法
は、まず不活性ガス雰囲気中において光導電薄膜
を一定温度で所定時間熱処理した後、続いてO2
ガスと不活性ガスの混合ガス中で一定時間、前記
熱処理時間よりも短かい期間熱処理を行うことに
より特性の均一な光導電膜を得るが、この理由は
次のように考えられる。まず不活性ガス雰囲気中
における熱処理において格子不整による光導電度
低下を向上し、続くO2ガス雰囲気中での熱処理
によつてカドミウム空孔を形成するが、このO2
ガス濃度が高いため、熱処理炉内の雰囲気ガスの
ガス流の乱れが生じ、O2ガス濃度に濃炎が生じ
ても熱処理中の試料はO2ガスに瀑らされてお
り、従つて試料内の全ての部位においてカドミウ
ム空孔が形成されるため、光導電度が試料の全て
の部位において向上し、従つて均一な特性の光導
電度が得られる。又、窒素と酸素の混合ガス雰囲
気中で熱処理するのでCdSe膜自体の蒸発を適度
に抑えることができる。なお硫化カドミウム
（CdS）膜も同じ方法で特性の均一な光導電膜を
得ることができる。
は、まず不活性ガス雰囲気中において光導電薄膜
を一定温度で所定時間熱処理した後、続いてO2
ガスと不活性ガスの混合ガス中で一定時間、前記
熱処理時間よりも短かい期間熱処理を行うことに
より特性の均一な光導電膜を得るが、この理由は
次のように考えられる。まず不活性ガス雰囲気中
における熱処理において格子不整による光導電度
低下を向上し、続くO2ガス雰囲気中での熱処理
によつてカドミウム空孔を形成するが、このO2
ガス濃度が高いため、熱処理炉内の雰囲気ガスの
ガス流の乱れが生じ、O2ガス濃度に濃炎が生じ
ても熱処理中の試料はO2ガスに瀑らされてお
り、従つて試料内の全ての部位においてカドミウ
ム空孔が形成されるため、光導電度が試料の全て
の部位において向上し、従つて均一な特性の光導
電度が得られる。又、窒素と酸素の混合ガス雰囲
気中で熱処理するのでCdSe膜自体の蒸発を適度
に抑えることができる。なお硫化カドミウム
（CdS）膜も同じ方法で特性の均一な光導電膜を
得ることができる。
以上の説明から明らかなように本発明に係る光
導電膜の製造方法は基板に形成された光導電薄膜
を、まず不活性ガス雰囲気中で熱処理し、つづい
て高濃度のO2ガス雰囲気中で熱処理を行い、前
記光導電膜の全ての部位に均一にO2ガスを瀑ら
し、カドミウム空孔を形成するため光導電膜内の
全ての部位にわたり均一な特性の光導電度を有す
る良好な光導電膜が得られる利点がある。
導電膜の製造方法は基板に形成された光導電薄膜
を、まず不活性ガス雰囲気中で熱処理し、つづい
て高濃度のO2ガス雰囲気中で熱処理を行い、前
記光導電膜の全ての部位に均一にO2ガスを瀑ら
し、カドミウム空孔を形成するため光導電膜内の
全ての部位にわたり均一な特性の光導電度を有す
る良好な光導電膜が得られる利点がある。
第１図は光導電膜の熱処理装置、第２図は焼成
炉内の温度変化図、第３図ａ，ｂは光導電度測定
方法を説明するための図、第４図は従来の製造方
法による光導電膜の光導電度の測定値、第５図は
熱処理の酸素ガス濃度依存性を示す測定値、第６
図は熱処理温度依存性を示す測定値である。 １：炉、２ａ：ヒータ、５：ボート、７：光導
電膜、８ａ，８ｂ：流量計、９ａ，９ｂ，：ガス
ボンベ。
炉内の温度変化図、第３図ａ，ｂは光導電度測定
方法を説明するための図、第４図は従来の製造方
法による光導電膜の光導電度の測定値、第５図は
熱処理の酸素ガス濃度依存性を示す測定値、第６
図は熱処理温度依存性を示す測定値である。 １：炉、２ａ：ヒータ、５：ボート、７：光導
電膜、８ａ，８ｂ：流量計、９ａ，９ｂ，：ガス
ボンベ。
Claims (1)
- １ 硫化カドミウム（CdS）又はセレン化カドミ
ウム（CdSe）を組成とする光導電膜を不活性ガ
ス雰囲気中において一定期間熱処理を行う工程
と、前記熱処理工程後、酸素ガスと不活性ガスと
の混合ガス雰囲気中において前記熱処理期間より
も短い期間熱処理を行う工程とを具備してなるこ
とを特徴とする光導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274579A JPS55134985A (en) | 1979-04-09 | 1979-04-09 | Manufacturing of photoconductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274579A JPS55134985A (en) | 1979-04-09 | 1979-04-09 | Manufacturing of photoconductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55134985A JPS55134985A (en) | 1980-10-21 |
| JPS625352B2 true JPS625352B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=12644545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4274579A Granted JPS55134985A (en) | 1979-04-09 | 1979-04-09 | Manufacturing of photoconductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55134985A (ja) |
-
1979
- 1979-04-09 JP JP4274579A patent/JPS55134985A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55134985A (en) | 1980-10-21 |
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